CN101150045A - 半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法及系统，可预知地震的发生，防止晶舟倒塌，将损害抑制至最小限度。其中，地震损害扩散降低系统(27)具有，接收基于经通信线路(26)发送的初期微动的紧急地震信息的接收部(28)，或直接检测初期微动的初期微动检测部(60)；控制部(29)根据接收的紧急地震信息或检测的初期微动停止半导体制造装置的运转的第一工序；和为了防止多层搭载被处理体的晶舟倒塌，以接触或非接触方式保持晶舟的第二工序。

Description

半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法及系统

技术领域

本发明涉及半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法及地震损害扩散降低系统。

背景技术

在半导体装置的制造中，有对作为被处理体的半导体晶片进行氧化处理，成膜处理等各种处理的工序。作为进行这种处理的装置，使例如可对多个晶片以批量式进行处理的半导体制造装置(也称为纵型热处理装置)(参照特许文献1)。这种半导体制造装置，在下部有炉口的纵型热处理炉的下方，具有装填区域(移载区域)，在该装填区域上通过保温筒载置用于搭载大口径的(例如直径为300mm)的多个(100～150个)晶片的晶舟搭载在关闭上述炉口的盖体的上部，使盖体升降，将晶舟搬入和搬出热处理炉内的升降机构；或在容纳多个晶片的载体(容纳容器)和上述晶舟之间进行晶片的移载的移载机构等。

作为半导体制造装置提出采用使用二个上述的晶舟，将一个晶舟搭载在盖体上当将该晶舟搬入热处理炉内进行热处理时，进行另一个晶舟上的半导体晶片的替换的所谓二晶舟系统。

然而，上述晶舟由石英制成，价格非常高。另外，上述晶片也价格高，与处理工序进行相联系，制造成本增大。因此要慎重地进行这些处理。

专利文献1：特开2000-150400号公报

发明内容

然而，上述批量式的半导体制造装置，现状是由于装置的结构上存在硬件和软件的方面各种制约，难以具有耐震结构和耐震功能，不能形成充分的耐震对策。由于这样，当发生地震，装置受到大的摇动时，会产生晶舟倒塌，晶片从晶舟脱落，破损，气体泄漏等损害情况。另外，在发生损害的情况下，将装置恢复至再开始操作需要长时间。由于这样，在发生地震的情况下，损害甚大。

本发明是考虑上述问题而提出的，其目的是要提供，预知地震的发生并提前防止晶舟的倒塌，将损害抑制至最小限度，可缩短恢复时间的半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法和地震损害扩散降低系统。

为了达到上述目的，本发明的包括多层搭载被处理体的晶舟的半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法，其特征在于：包括：接收基于经通信线路发送的初期微动的紧急地震信息，或直接检测初期微动的工序；根据接收的紧急地震信息或检测的初期微动停止上述半导体制造装置的运转的第一工序；和与该第一工序并行，为了防止多层搭载上述被处理体的上述晶舟倒塌，以接触或非接触方式保持上述晶舟的第二工序；

本发明其特征在于：在与该第一工序并行进行的第二工序中，为了防止多层搭载上述被处理体的上述晶舟倒塌，从上下以接触或非接触方式夹住并保持上述晶舟。

本发明其特征在于：在上述第二工序之后还具有，利用升降机构使上述晶舟返回至作为从上述热处理炉的搬出位置的原来位置的第三工序。

本发明其特征在于：在上述第二工序之后，并在地震的主震结束后进行上述第三工序。

本发明的半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统，其特征在于：在具有设置有炉口的热处理炉，开闭上述炉口的盖体，装载在上述盖体上并多层搭载被处理体的晶舟的半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统中，具有：接收基于经通信线路发送的初期微动的紧急地震信息的接受部，或直接检测初期微动的初期微动检测部；和控制部，执行如下工序，根据接收的紧急地震信息或检测的初期微动停止上述半导体制造装置的运转的第一工序；和为了防止多层搭载上述被处理体的上述晶舟倒塌，以接触或非接触方式保持上述晶舟的第二工序。

本发明其特征在于：上述控制部，在执行上述第二工序时，从上下以接触或非接触方式夹住并保持上述晶舟。

本发明其特征在于：上述半导体制造装置还具有，在上述盖体的上部装载上述晶舟，并进行搬入搬出上述热处理炉的升降机构，和在上述盖体开放中时遮蔽上述炉口的闸门；上述控制部，在执行上述第二工序时，利用上述升降机构使上述晶舟从搬出位置上升移动，通过使上述晶舟的上端部与上述闸门的下面部接近或接触，在上述闸门和上述盖体之间，从上下以接触或非接触方式夹住并保持上述晶舟。

本发明其特征在于：上述地震损害扩散降低系统还具有用于执行上述第二工序的晶舟倒塌防止机构。该晶舟倒塌防止机构具有：被轴支撑于轴承部上的臂，并且在位于从上述炉口搬出的搬出位置的上述晶舟的垂直向上的动作位置处，可利用加力单元从侧方的退避位置摆动移动；将该臂卡止在上述退避位置，利用上述控制部使卡止状态解除的锁定机构；和当上述臂在动作位置上摆动移动时，为了使在上述臂和上述盖体之间从上下以接触或非接触方式夹住并保持上述晶舟的上述臂下降，而设置在上述轴承部上的导向槽。

本发明其特征在于：上述半导体制造装置具有，设置在用于进行将上述晶舟搬入搬出上述热处理炉的操作的移载区域内，装载与上述盖体上的上述晶舟交替使用的另一个晶舟的晶舟装载台；和在该晶舟装载台和上述盖体之间进行上述晶舟的搬送的晶舟搬送机构；上述控制部，控制该晶舟搬送机构，抬起上述晶舟装载台上的上述晶舟，使上述晶舟的上端部与上述移载区域内的顶部接近或接触，从上下以接触或非接触的方式夹住并保持上述晶舟而防止倒塌。

本发明其特征在于：上述半导体制造装置具有，设置在进行将上述晶舟搬入搬出上述热处理炉的操作的移载区域内，并装载与上述盖体上的上述晶舟交替使用的另一个晶舟的晶舟装载台；和在上述晶舟装载台上的上述晶舟和容纳多个上述被处理体的容纳容器之间，进行上述被处理体的移载的移载机构；上述控制部，控制该移载机构，与上述晶舟装载台上的上述晶舟的上端部接近或接触，从上下以接触或非接触方式夹住并保持上述晶舟，而防止倒塌。

本发明其特征在于：上述半导体制造装置具有，旋转上述盖体上的上述晶舟的旋转机构；设置有在用于进行将上述晶舟搬入搬出上述热处理炉的操作的移载区域内，向从上述热处理炉搬出的上述晶舟吹送不活泼气体，并可相对于要进行冷却的上述晶舟进退移动的纵长的喷淋头的晶舟喷淋机构，上述控制部，控制该旋转机构，使上述盖体上的上述晶舟旋转并朝向上述喷淋头，同时，使上述喷淋头相对于该晶舟接近移动，并限制上述被处理体从上述晶舟飞出。

本发明其特征在于：上述半导体制造装置具有，具有在用于进行将上述晶舟搬入搬出上述热处理炉的操作的移载区域内，装载与上述盖体上的上述晶舟交替使用的另一个晶舟的、可旋转的装载部的晶舟装载台；从侧方向该晶舟装载台上的上述晶舟喷出清洗空气的空气清洗机；为使上述晶舟朝向与上述空气清洗机相反侧而卡止上述装载部的卡止机构；为在解除该卡止机构的卡止状态时，使晶舟朝向空气清洗机侧而对装载部旋转加力的加力单元；上述控制部，解除上述卡止机构，上述加力单元对上述装载部加力，通过上述装载部的旋转，使上述晶舟与空气清洗机相对，限制上述被处理体从上述晶舟飞出。

本发明其特征在于：上述控制部，在上述第二工序后，执行利用升降机构使上述晶舟返回作为从上述热处理炉的搬出位置的原来位置的第三工序。

本发明其特征在于：在上述第二工序之后，并在地震的主震结束后进行上述第三工序。

采用本发明，利用在主震(S波)10数秒前检测，通过通信线路发送的初期微动(P波)的紧急地震信息或直接检测初期微动，停止半导体制造装置的运转；另一方面，与其并行以接触或非接触方式保持晶舟，因此可在发生前防止地震引起的晶舟倒塌，可将损害抑制至最小限度，缩短恢复时间。

在这种情况下，通过利用将晶舟搭载在开闭热处理炉的炉口的盖体上部，利用进行搬入搬出热处理炉的升降机构使晶舟从搬出位置上升移动，在盖体开放中，使晶舟的上端部与遮蔽上述炉口的闸门的下面部接近或接触，可在闸门和盖体之间以接触式非接触方式保持晶舟，因此不需在移载区域内增设新的机构，利用现有的装置结构，可防止晶舟倒塌。

具有：被轴支撑于轴承部上的臂，并且装载在开闭热处理炉的炉口的盖体上部，在位于从上述炉口搬出的搬出位置的晶舟的垂直向上的动作位置处，可利用加力单元从侧方的退避位置摆动移动；将该臂卡止在上述退避位置，利用上述控制部使卡止状态解除的锁定机构；和当上述臂在动作位置上摆动移动时，为了使在上述臂和上述盖体之间从上下以接触或非接触方式夹住并保持上述晶舟的上述臂下降，而设置在上述轴承部上的导向槽，利用上述构成则不需升降控制升降机构，可防止晶舟的倒塌。

具有，在移载区域内，装载与上述盖体上的上述晶舟交替使用的另一个晶舟的晶舟装载台；和在该晶舟装载台和上述盖体之间进行上述晶舟的搬送的晶舟搬送机构；利用来自上述控制部的控制，使该晶舟搬送机构，抬起上述晶舟装载台上的上述晶舟，使上述晶舟的上端部与上述移载区域内的顶部接近或接触，从上下以接触或非接触的方式夹住并保持上述晶舟而防止倒塌。根据上述构成，可以利用移载区域内的现有的装置构成，来防止在所谓二晶舟系统中的晶舟装载台上的晶舟倒塌。

具有，在移载区域内，装载与上述盖体上的上述晶舟交替使用的另一个晶舟的晶舟装载台；在该晶舟装载台和盖体之间进行晶舟搬运的晶舟搬送机构；和在上述晶舟装载台上的上述晶舟和容纳多个上述被处理体的容纳容器之间，进行上述被处理体的移载的移载机构；利用来自上述控制部的控制，使移载机构与上述晶舟装载台上的上述晶舟的上端部接近或接触，从上下以接触或非接触方式夹住并保持上述晶舟，而防止倒塌。利用上述结构，可利用移载区域内的现有的装置结构，防止所谓二晶舟系统的晶舟装载台上的晶舟倒塌。

具有，旋转盖体上的晶舟的旋转机构；设置有在移载区域内向从上述热处理炉搬出的上述晶舟吹送不活泼气体，并可相对于要进行冷却的上述晶舟进退移动的纵长的喷淋头的晶舟喷淋机构，利用来自上述控制部的控制，使上述盖体上的上述晶舟旋转并朝向上述喷淋头，同时，使上述喷淋头相对于该晶舟接近移动，并限制上述被处理体从上述晶舟飞出，则利用现有的喷淋头，可防止被处理体从晶舟飞出或脱落造成的破损。

具有，在移载区域内装载与上述盖体上的上述晶舟交替使用的另一个晶舟的、具有可旋转的装载部的晶舟装载台；从侧方向该晶舟装载台上的上述晶舟喷出清洗空气的空气清洗机；为使上述晶舟朝向与上述空气清洗机相反侧而卡止上述装载部的卡止机构；为在解除该卡止机构的卡止状态时，使晶舟朝向空气清洗机侧而对装载部旋转加力的加力单元；利用来自上述控制部的控制，解除上述卡止机构，通过上述装载部的旋转，使上述晶舟与空气清洗机相对，限制上述被处理体从上述晶舟飞出。利用上述构成，可防止被处理体从所谓二晶舟系统的晶舟装载台上的晶舟飞出或脱落造成的破损。

在上述第二工序之后或在第二工序后且主震结束后，利用升降机构使上述晶舟返回至作为从上述热处理炉的搬出位置的原来位置，可以迅速恢复半导体制造装置。

附图说明

图1为概略地表示作为本发明的实施方式的半导体制造装置中的地震损害降低系统的图；

图2为图1的半导体制造装置的横截面图；

图3为说明防止晶舟倒塌的工序的立体图；

图4为表示晶舟倒塌防止机构的立体图；

图5为在表示相同的晶舟倒塌防止机构的图中，(a)为非工作时的平面图，(b)为工作时的平面图；

图6为说明防止晶舟架上的晶舟倒塌的方法的立体图；

图7为说明防止晶舟架上的晶舟倒塌的另一方法的立体图；

图8为在表示晶片飞出防止机构的图中，(a)为非工作时间的平面图，(b)为将晶舟向晶片飞出防止机构旋转的平面图；

图9为在表示晶片飞出防止机构的工作的图中，(a)为平面图，(b)为侧面图；

图10在表示晶片飞出防止机构的另一例子的图中，(a)为非工作时的平面图，(b)为工作时的平面图；

图11为在表示晶舟架上的晶片飞出防止机构的图中，(a)为非工作时的平面图，(b)为开始工作时的平面图，(c)为工作途中的平面图，(d)为工作结束时的平面图；

图12为概略地表示作为本发明的另一实施方式的半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统的图。

具体实施方式

以下，根据附图详细说明实现本发明的优选实施方式。图1为概略地表示作为本发明的实施方式的半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统的图，图2为图1的半导体制造装置的横截面图，图3为说明防止晶舟倒塌的工序的立体图。

在这些图中，1为设置在净化室内的半导体制造装置，例如，为纵型热处理装置。该热处理装置1具有形成装置的外部轮廓的框体2。在该框体2内设有进行作为容纳多个被处理体，例如半导体晶片W的容纳容器的载体3的搬送和保管的搬送保管区域Sa；和在以规定间距，在上下方向以层搭载多个(例如100～150个)晶片的晶舟4和上述载体3之间进行作为晶片的移载作业，或将晶舟4搬入搬出热处理炉5的作业的作业区域(移载区域)的装填区域Sb。上述搬送保管区域Sa和装填区域Sb利用隔壁6分开。

上述载体3由塑料制的容器构成，可在上下方向以规定间隔，在水平状态下，多层容纳多个(13～25个)规定口径(例如直径300mm)的晶片，在其前面部上形成有开口部的晶片取出口上，具有气密地将其塞住的可装和卸的盖(图示省略)。

在上述框体2的前面部上设有可由操作者或搬送机器人搬入搬出载体3的搬入搬出口7。在该搬入搬出口7上设有可在上下滑动开闭的门8。在搬送保管区域Sa，在搬入搬出口7附近设有搭载载体3的装载台9。在该装载台9的后部，设有打开载体3的盖，检测晶片W的位置和个数的传感器机构10。另外，在装载台9的上方和隔壁6侧的上方设有用于事先保管多个载体3的保管架11。

为了进行晶片的移载，在搬送保管区域Sa内的上述隔壁6侧设有用于装载载体3的移载台12。在搬送保管区域Sa，设有在上述装载台9，保管架11和移载台12之间，进行载体3的搬送的搬送机构13。该搬送机构13，主要由利用设置在搬送保管区域Sa的一侧的升降机构13a升降移动的升降臂13b；和设置在该升降臂13b上，支撑载体3的底部，并在水平方向搬送的搬送臂13c构成。

载体搬送区域Sa成为利用图中没有示出的空气清洗机(风扇过滤器部件)成为清洗后的大气气氛。装填区域Sb也利用设置在其一侧上的空气清洗机(风扇过滤器部件)14进行清洗，成为正压力的大气气氛或不活泼气体(例如N₂气)气氛。在上述隔壁6上，设置有从搬送保管区域Sa使搭载在移载台12上的载体3的前面部接触，连通载体3内和装填区域Sb内的图中没有示出的开口部，同时可开闭地设置从装填区域Sb封闭该开口部的门15。开口部作成与载体3的取出口大致相同口径，可从开口部使晶片在载体3内出入。

在上述门15上设有开闭载体3的盖的图中没有示出的盖开闭机构和从装填区域Sb侧开闭门15的图中没有示出的门开闭机构。利用该门开闭机构可将门15和盖向装填区域Sb中开放移动，另外，还可以向上方或下方移动(退避)以便毫无妨碍地移载晶片。为了使结晶方向一致，在上述移载台12的下方设有缺口排列机构16，它可以在一个方向上使设置在晶片周边边缘上的缺口(切口)定位。该缺口排列机构16面向装填区域Sb侧开放，可对由后述的移载机构24从移载台12上的载体3移送的晶片的缺口进行排列。

另一方面，在装填区域Sb侧的内部上方，设置有在下部具有炉口5a的纵型的热处理炉5。在装填区域Sb中设有升降机构18，可进行将在上下方向以规定间隔多层搭载多个(例如100～150个)晶片W的石英制的晶舟4装载在盖体17的上部，搬入搬出热处理炉5，以及进行开闭炉口5a的盖体17的升降。在盖体17的上部装载有在其闭塞时抑制从炉口5a部分放热的保温筒(遮热体)19。在该保温筒19的上部装载晶舟4。在上述盖体17上设有通过保温筒19，使晶舟4旋转的旋转机构20。在炉口5a附近可在水平方向开闭移动(可摆动)地设置有在使盖体17开放避过那搬出热处理后的晶舟4时，遮蔽炉口5a的闸门21。该闸门21具有使其在水平方向上摆动移动而开闭的图未示的闸门驱动机构。

为了移载晶片W等，在装填区域Sb的一侧，即空气清洗机侧，设有装载晶舟4的晶舟装载台(称为晶舟台)22。该晶舟装载台22也可以为一个，但优选如图2所示，由沿着空气清洗机14，在前后配置的第一装载台(装料台)22a和第二装载台(备用台)22b两者个构成。

在装填区域Sb内的下方，在移载台12和热处理炉5之间，晶舟装载台22和盖体17之间，具体是晶舟装载台22的第一装载台22a或第二装载台22b和降下后的盖体17之间与第一装载台22a和第二装载台22b之间设有进行晶舟4的搬送的晶舟搬送机构23。另外，在晶舟搬送机构23的上方，在移载台12上的载体3和晶舟装载台22上的晶舟4之间，具体地是移载台12上的载体3和缺口排列机构16之间，缺口排列机构16和晶舟装载台22的第一装载台22a上的晶舟4之间与第一装载台22a上的热处理后的晶舟4和移载台12上的空的载体3之间，设有进行晶片W的替换的移载机构24。

如图3所示，晶舟4在顶板4a和底板4b之间搭载多个，例如4个支住4c，在底板4b的下部设有直径比底板4b小的直径缩小部分4d。在上述支柱4c上，以规定的间距形成多层保持晶片的图中没有示出的槽部。为了使晶片出入，正面侧的左右支柱4c之间扩开。

晶舟搬送机构23具有垂直支承一个晶舟4，可水平伸缩的臂。晶舟搬送机构23具有可水半旋转和升降的第一臂23a；可水平转动地支承在第一臂23a的前端部，可从水平方向与晶舟4的下部的直径缩小部分4d卡合并进行支撑的平面大致为C字形的第二臂23b；和驱动第一臂23a和第二臂23b的驱动部分23c。该第二臂23b的卡合部的中心通过第一臂23a的旋转中心，通过使第一臂23a和第二臂23b的水平摆动动作同步，可进行水平直线方向的搬送。这样，通过使臂伸缩，可使搬送晶舟4的区域成为必要的最小限度，可以减小装置的宽度和深度的尺寸。

上述移载机构24可使在可水平转动的基台24a上装载半导体晶片的多个，例如5个薄板状的移载臂24b进退。为了避免搬送时与晶舟4干涉，可由在图2中假想线所示的作业位置A，通过旋转臂25，在横方向退避至实线所示的退避位置B。作为上述移载臂24b，可以使5个中的中心一个单件移载用的一个移载臂和另外4个移载臂基台24a上独立地进退，同时，优选另外4个移载臂以中心的移载臂为基准，在上下方向可变换间距。摆动臂25的基部侧，与设置在装填区域Sb的另一侧上的图中没有示出的升降机构连接，这样，移载机构24可以升降。

为了在地震中保护这样构成的纵型热处理装置1，纵型热处理装置1中的地震损害扩散降低方法包括：接收基于经通信线路26发送的初期微动(P波)的紧急地震信息的工序；根据该紧急地震信息，停止上述纵型热处理装置1的运转的第一工序；和与该第一工序并行，为了防止上述晶舟4倒塌，而从上下以接触或非接触的方式夹住并保持晶舟4的第二工序。另外，执行该方法的地震损害扩散降低系统27具有：接收部28，接收基于经通信线路26发送的初期微动(P波)的紧急地震信息；和控制部29，执行如下工序，根据由该接收部28得到的紧急地震信息，停止纵型热处理装置1运行的第一工序、和为了防止多层搭载晶片的晶舟4的倒塌，而从上下以接触或非接触方式夹持并保持晶舟4的第二工序。

作为上述紧急地震信息可以利用气象局提供的紧急地震速报或第三方机关提供的紧急地震检测系统等。地震由以纵波速度快(每秒7k～8km)的P波(Primary)构成的小的摇动的初期微动，和以横波速度慢(每秒3k～4km)的S波(Secondary)构成的大摇动的主震构成。处理由设置在全国各地的多台地震计30收集的P波的数据，计算震源，震度和S波的到达时间，从发送部分31，通过有线线路或卫星线路发送该地震信息，利用上述接收部28接收该地震信息。这样，从大的摇动的本地震的数秒起的10数秒前，可以知道预想的震度，这是本震中预先具有的。设定规定的阈值，(例如预想震度5)，当超过该阈值时，控制部29执行地震损害扩散降低方法。

在上述第一工序中，遮断上述热处理装置1的电源(主电源)和气体管路。主电源也可以直到本地震(S波)之前产生。在第一工序(P波)中切断主电源的情况下，为了防止晶舟4倒塌，必需确保在从上下夹住并保持晶舟4时进行驱动的升降机构18和晶舟搬送机构23或移载机构24中辅助电源。在本实施方式中，如图3所示，上述第二工序利用升降机构18，从搬出位置(下降位置)使晶舟4上升移动，在盖体17的开放中，通过使晶舟4的上端部(顶板4a)与遮蔽上述炉口5a的闸门21的下面部接近或接触，可在闸门21和盖体17之间从上下夹住并保持晶舟4。另外，为了防止横向摇动造成晶舟4的横向偏移，优选在闸门21的下面部上形成卡合并保持晶舟4的上端部(顶板4a)的凹部。

优选，上述控制部29，在上述第二工序后或第二工序后主震结束后，执行利用升降机构18，使上述晶舟4返回至作为从热处理炉5的搬出位置的原来位置HP的第三工序。

采用由以上结构构成的地震损害扩散降低方法和地震损害扩散降低系统27，可使用根据从主震(S波)数秒开始的10数秒前检测，通过通信线路发送的初期微动(P波)的紧急地震信息，停止纵型热处理装置1的运转；另一方面，由于与其并行，可从上下以接触或非接触方式夹住并保持晶舟4，因此，可以提前防止因地震引起的晶舟4的倒塌等物品的损害和装置恢复时间的损失的扩大。在这利情况下，由于在开闭热处理炉5的炉口5a的盖体17的上部装载晶舟4，并利用升降机构18搬入搬出热处理炉5，从而，使晶舟4从装填区域5b内下方的搬出位置上升移动，通过在盖体17的开放中，使晶舟4的上端部与遮蔽上述炉口5a的闸门21的下面部接近或接触，从而可在闸门21和盖体17之间从上下以接触或非接触方式夹住并保持晶舟4，因此不需在装填区域Sb内增设新的机构，可利用现有的装置结构，在提前防止晶舟4的倒塌。另外，在上下夹住并保持晶舟4的情况下，可以使接触方式，但优选非接触可以抑制颗粒(particle)的产生。另外，在上述第二工序后或第二工序后且主震结束后，由于可利用升降机构18，使上述晶舟4返回至作为从热处理炉的搬出位置的原来位置HP，因此可以迅速恢复半导体制造装置1。

图4为表示作为本发明的另一实施方式的晶舟倒塌防止机构的立体图，图5为在表示该晶舟倒塌防止机构的图中，(a)为非工作时的平面图，(b)为工作时的平面图。在图4～图5的实施方式中，具有执行上述第二工序的晶舟倒塌防止机构32。该晶舟倒塌防止机构32具有被轴支撑在轴承部33上的臂34、锁定机构35、和导向槽部36，臂34装载在开闭热处理炉5的炉口5a的盖体17的上部，并在位于从炉口5a搬出的搬出位置的晶舟4的垂直向上的动作为出处，可利用加力单元，例如弹簧(未图示)从侧方的退避位置摆动移动；锁定机构35将臂34卡止在退避位置，利用上述控制部29解除卡止状态；导向槽部36，当臂34在动作位置摆动移动时，为了使在臂34和盖体17之间从上下以接触或非接触方式夹住并保持晶舟4而使上述臂34下降，而设置在上述轴承部33上。

支轴37在臂34的基端向上突出，该支轴37可转动地支承在轴承部33上。轴承部33固定在规定的位置上。在支轴37的上端部安装有，与轴承部33的上端面卡止并防止支轴37脱落的卡止销37a。随着臂34的转动(即支轴37的转动)，卡止销37a在轴承部33的上端面上滑动。在轴承部33的上端面上形成有上述导向槽36，当臂34从退避位置转动至动作位置时，上述卡止销37a落下而使臂34下降。上述销紧机构35，由与退避位置的臂34的前端卡合并将它保持在退避位置上的平面L字形的卡止构件35a，和使该卡止构件35a相对于退避位置的臂34的前端进退的驱动部分，例如气缸35b构成。

上述臂34，当从退避位置到动作位置时，可以利用自重下降也，但也可以利用加力单元(例如弹簧)强制地下降。另外，优选在臂34的前端侧设置一对辅助构件38，它可在臂34在退避位置时收缩，当到达动作位置时，利用弹力扩开压紧晶舟4的上端部(顶板)。另外，在臂34的前端和辅助构件38的前端优选设置限制晶舟4的上端部(顶板)向半径方向移动的爪39。

采用图4～图5的实施方式，由于在装填区域内，与升降机构18另外地具有上述结构的晶舟倒塌防止机构32，因此不需升降控制升降机构18，也可防止晶舟4的倒塌。另外，由于上述晶舟倒塌防止机构32的臂34在非工作时处在侧方的退避位置，因此不会妨碍将晶舟4搬入搬出热处理炉5的作业。

图6为说明防止晶舟架上的晶舟倒塌的方法的立体图。在图6的实施方式中，在具有二晶舟系统的纵型热处理装置中的地震损害扩散降低系统中，通过利用来自控制部29的控制，使晶舟搬送机构23抬起晶舟装载台22上的晶舟4，使晶舟的上端部与装填区域Sb内的顶部40接近或接触，可以从上下以接触或不接触方式夹住并保持晶舟4，而防止倒塌。采用图6的实施方式可以利用装填区域内的现存的装置结构(晶舟搬送机构23和顶部40)，防止在所谓的二晶舟系统中，由预想的地震引起的晶舟装载台22上的晶舟的倒塌。

图7为说明防止晶舟架上的晶舟倒塌的另一方法的立体图。在图7的实施方式中，在具有二晶舟系统的纵型热处理装置中的地震损害扩散降低系统中，利用来自控制部29的控制，使移载机构24与晶舟装载台22上的晶舟4的上端部接近或接触，对其进行限制，可以从上下以接触或非接触方式来住并保持晶舟4，防止倒塌。在这种情况下，优选移载机构24使移载臂24b从基台24a的前端突出，将晶舟4的上端面部压紧在移载臂24b的下面部上。因此，采用图7的实施方式，也可利用装填区域Sb内的现存的装置结构(晶舟装载台22和移载机构24)，防止所谓二晶舟系统的晶舟装载台22上的晶舟4的倒塌。

图8为在表示晶片飞出防止机构的图中，(a)为非工作时的平面图，(b)为使晶舟在晶片飞出防止机构中转动的平面图。图9为在表示晶片飞出防止机构工作的图中，(a)为平面图，(b)为侧面图。在图8～图9的实施方式中，具有使盖体17上的晶舟4摆动的旋转机构20和晶舟喷淋机构42。该晶舟喷淋机构42具有在装填区域Sb内，从侧方(与空气清洗机14相同的一侧)，向从上述热处理炉5搬出的晶舟4吹送不活泼气体，并可相对于晶舟4进退移动的纵长的喷淋头41。利用来自上述控制部29的控制，利用上述旋转机构20可使盖体17上的晶舟4旋转，并朝向喷淋头41(参照图8(b))，同时，可使喷淋头41接近该晶舟4移动(参照图9(a)(b))，并限制晶片W从晶舟4飞出。

上述喷淋头41由上下端闭塞的左右一对管子构成。供给不活泼气体(例如N₂气)的供给软管与各管子连接。在各管子的前面部上以规定的间距形成向着晶舟喷出不活泼气体的图中没有示出的吹出孔。利用上下配置的连接构件43连接构成喷淋头41的左右一对管子。晶舟喷淋机构42具有作为在盖体17上的晶舟4上使喷淋头41进退的进退移动装置的可伸缩式的气缸44。气缸44的前端分别与配置在上部和下部的连接构件43连接。气缸44的基端设置在清洗机(风扇过滤器部件)14的前面部或其附近。

在这种情况下，为了防止由地震的摇动引起的晶舟4的倾斜和倒塌，如上所述，从上下以接触或非接触方式夹住并保持晶舟为前提。作为防止晶舟的转倒和倒塌的方法，如图9所示，可使移载机构24的基台24a的端部与晶舟4的侧面部接近或接触，将晶舟4夹住在基台24a和喷淋头41之间也可以。或者使用图3，图4等的晶舟倒塌防止机构也可以。采用图8～图9的实施方式，由于利用旋转机构20使盖体17上的晶舟4旋转，并朝向喷淋头41，利用晶舟喷淋机构42的气缸44使喷淋头41前进接近晶舟4，因此可以利用现存的喷淋头41，防止晶片W从晶舟4飞出和脱落，同时，可防止晶片W从晶舟4脱落造成的破损。

图10为在表示晶片飞出防止机构的另一例子的图中，(a)为非工作时的平面图，(b)为工作时的平面图。在图10的实施方式中，不使用图8～图9的实施方式的晶舟喷淋机构42的气缸(进退移动装置)，并具有从不与盖体17的升降干涉的晶舟离开的退避位置使喷淋头41接近晶舟4，并在动作位置上加力的加力单元(例如弹簧)45；和克服该弹簧45的作用力将喷淋头41卡止在退避位置，利用来自上述控制部29的控制，解除卡止状态的锁定机构46。采用图10的实施方式，当根据地震信息，由控制部29解除由锁定机构46产生的在喷淋头41的退避位置的卡止状态时，由于弹簧45的作用力可使喷淋头41自动地接近晶舟4的正面，因此与图8～图9的实施方式同样，可防止晶片W从晶舟4飞出和脱落，同时可防止晶片W从晶舟4脱落造成的破损。

图11为在表示防止晶舟台上的晶片飞出的机构的图，(a)为非工作时的平面图，(b)为开始工作时的平面图，(c)为工作结束时的平面图。(d)为工作结束时的平面图。在图11的实施方式中，具有晶舟装载台22(22a，22b)，具有在装填区域Sb内装载与盖体17上的晶舟交替使用的另一个晶舟4的可旋转的装载部47；从侧方向该晶舟装载台22上的晶舟4喷出清洗空气的空气清洗机14；卡止上述装载部47，以使上述晶舟4朝向与空气清洗机14相反侧的卡止机构48；和对装载部47旋转加力，以使得在解除该卡止机构48的卡止状态时，晶舟4朝向空气清洗机14的加力单元(例如弹簧)49。利用从上述控制部29来的控制，解除上述卡止机构48的卡止状态，利用上述弹簧49的作用力引起的上述装载部47的转动而使晶舟4与空气清洗机14相对，而限制晶片W从晶舟4飞出。

图示例子的装载部47由沿着空气清洗机14接近配置的可转动的一对装载部构成。上述卡止机构48，由跨在两个装载部47上并卡止的二叉状卡止销48a；从使该卡止销48a与两个装载部47卡止的状态拉伸，而与两个装载部47脱离的作动器，例如气缸48b构成。上述弹簧49例如由螺旋弹簧构成，各带状构件50分别与其两端连接，各带状构件50的前端卷绕固定在各装载部47的外周上。

采用图11的实施方式，当利用来自上述控制部29的控制解除上述卡止机构48的卡止状态时，弹簧49的作用力使上述装载部47转动，搭载在搭载部47上的晶舟4朝向空气清洗机14，可防止晶片W从晶舟4飞出，可以防止晶片w从所谓的二晶舟系统的晶舟装载台20上的晶舟4飞出或脱落造成的晶片的破损。另外，在图11的实施方式中，为了防止装载部47上的晶舟4的转倒和倒塌，如图7的实施方式那样，以利用移载机构24或其他保持装置保持晶舟4的前提。在图11中，示意性表示在各装载台47上装载晶舟的状态，以向着4根支柱4c表示晶舟4的方向。

图12为概略地表示本发明的另一实施方式的半导体制造装置的地震损害扩散防止系统附图。在图12的实施方式中，与图1的实施方式相同的部分用相同的符号表示，省略说明。本实施方式的纵型热处理装置1具有直接检测初期微动的作为初期微动检测部的地震计60；根据检测的初期微动停止纵型处理装置1运转的第一工序；和进行防止晶舟4倒塌，以接触或非接触方式保持，或从上下以接触或不接触方式保持晶舟4的第二工序的控制部29。上述地震计60优选设置在框体2内，但设置在工厂的用地内也可以。采用本实施方式，自然而然地检测没有接收紧急地震信息的初期微动，可以预知地震的发生，在未发生前，防止晶舟的倒塌，可以将损害抑制至最小限度。

优选，上述控制部29执行在上述第二工序后或第二工序后主震结束后，利用升降机构18使上述晶舟4返回至作为从热处理炉5的搬出位置的原来位置HP的第三工序。这样，可以迅速地恢复半导体制造装置。

以上，利用附图详细说明了本发明的实施方式，但本发明不是仅限于上述实施方式，在不偏离本发明的精神的范围内，可作各种设计变更。例如，在上述实施方式中，不在移载区域内增设新的机构，利用现有的装置结构防止晶舟的倒塌，但本发明不利用现有的装置结构(现有轴)，利用新的机构(新的机轴，专用的机构)防止晶舟倒塌也可以。另外，本发明的半导体制造装置的减少地震损害扩散系统同时具有根据通过通信线路发送的初期微动接收紧急地震信息的接收部和直接检测初期微动的初期微动检测部，有选择地切换使用这些部分也可以。

Claims (14)

1.一种包括多层搭载被处理体的晶舟的半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法，其特征在于：

包括：

接收基于经通信线路发送的初期微动的紧急地震信息，或直接检测初期微动的工序；

根据接收的紧急地震信息或检测的初期微动停止所述半导体制造装置的运转的第一工序；和

与该第一工序并行，为了防止多层搭载所述被处理体的所述晶舟倒塌，以接触或非接触方式保持所述晶舟的第二工序；

2.如权利要求1所述的半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法，其特征在于：

在与该第一工序并行进行的第二工序中，为了防止多层搭载所述被处理体的所述晶舟倒塌，从上下以接触或非接触方式夹住并保持所述晶舟。

3.如权利要求1所述的半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法，其特征在于：

在所述第二工序之后还具有，利用升降机构使所述晶舟返回至作为从所述热处理炉的搬出位置的原来位置的第三工序。

4.如权利要求3所述的半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法，其特征在于：

在所述第二工序之后，并在地震的主震结束后进行所述第三工序。

5.一种半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统，其特征在于：

在具有设置有炉口的热处理炉，开闭所述炉口的盖体，装载在所述盖体上并多层搭载被处理体的晶舟的半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统中，

具有：

接收基于经通信线路发送的初期微动的紧急地震信息的接受部，或直接检测初期微动的初期微动检测部；和

控制部，执行如下工序，根据接收的紧急地震信息或检测的初期微动停止所述半导体制造装置的运转的第一工序；和为了防止多层搭载所述被处理体的所述晶舟倒塌，以接触或非接触方式保持所述晶舟的第二工序。

6.如权利要求5所述的半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统，其特征在于：

所述控制部，在执行所述第二工序时，从上下以接触或非接触方式夹住并保持所述晶舟。

7.如权利要求6所述的半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统，其特征在于：

所述半导体制造装置还具有，在所述盖体的上部装载所述晶舟，并进行搬入搬出所述热处理炉的升降机构，和在所述盖体开放中时遮蔽所述炉口的闸门；

所述控制部，在执行所述第二工序时，利用所述升降机构使所述晶舟从搬出位置上升移动，通过使所述晶舟的上端部与所述闸门的下面部接近或接触，在所述闸门和所述盖体之间，从上下以接触或非接触方式夹住并保持所述晶舟。

8.如权利要求6所述的半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统，其特征在于：

所述地震损害扩散降低系统还具有用于执行所述第二工序的晶舟倒塌防止机构，

该晶舟倒塌防止机构具有：

被轴支撑于轴承部上的臂，并且在位于从所述炉口搬出的搬出位置的所述晶舟的垂直向上的动作位置处，可利用加力单元从侧方的退避位置摆动移动；

将该臂卡止在所述退避位置，利用所述控制部使卡止状态解除的锁定机构；和

当所述臂在动作位置上摆动移动时，为了使在所述臂和所述盖体之间从上下以接触或非接触方式夹住并保持所述晶舟的所述臂下降，而设置在所述轴承部上的导向槽。

9.如权利要求6所述的半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统，其特征在于：

所述半导体制造装置具有，

设置在用于进行将所述晶舟搬入搬出所述热处理炉的操作的移载区域内，装载与所述盖体上的所述晶舟交替使用的另一个晶舟的晶舟装载台；和

在该晶舟装载台和所述盖体之间进行所述晶舟的搬送的晶舟搬送机构；

所述控制部，控制该晶舟搬送机构，抬起所述晶舟装载台上的所述晶舟，使所述晶舟的上端部与所述移载区域内的顶部接近或接触，从上下以接触或非接触的方式夹住并保持所述晶舟而防止倒塌。

10.如权利要求6所述的半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统，其特征在于：

所述半导体制造装置具有，

设置在进行将所述晶舟搬入搬出所述热处理炉的操作的移载区域内，并装载与所述盖体上的所述晶舟交替使用的另一个晶舟的晶舟装载台；和

在所述晶舟装载台上的所述晶舟和容纳多个所述被处理体的容纳容器之间，进行所述被处理体的移载的移载机构；

所述控制部，控制该移载机构，与所述晶舟装载台上的所述晶舟的上端部接近或接触，从上下以接触或非接触方式夹住并保持所述晶舟，而防止倒塌。

11.如权利要求5所述的半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统，其特征在于：

所述半导体制造装置具有，

旋转所述盖体上的所述晶舟的旋转机构；

设置有在用于进行将所述晶舟搬入搬出所述热处理炉的操作的移载区域内，向从所述热处理炉搬出的所述晶舟吹送不活泼气体，并可相对于要进行冷却的所述晶舟进退移动的纵长的喷淋头的晶舟喷淋机构，

所述控制部，控制该旋转机构，使所述盖体上的所述晶舟旋转并朝向所述喷淋头，同时，使所述喷淋头相对于该晶舟接近移动，并限制所述被处理体从所述晶舟飞出。

12.如权利要求5所述的半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统，其特征在于：

所述半导体制造装置具有，

在用于进行将所述晶舟搬入搬出所述热处理炉的操作的移载区域内，装载与所述盖体上的所述晶舟交替使用的另一个晶舟的、具有可旋转的装载部的晶舟装载台；

从侧方向该晶舟装载台上的所述晶舟喷出清洗空气的空气清洗机；

为使所述晶舟朝向与所述空气清洗机相反侧而卡止所述装载部的卡止机构；

为在解除该卡止机构的卡止状态时，使晶舟朝向空气清洗机侧而对装载部旋转加力的加力单元；

所述控制部，解除所述卡止机构，所述加力单元对所述装载部加力，通过所述装载部的旋转，使所述晶舟与空气清洗机相对，限制所述被处理体从所述晶舟飞出。

13.如权利要求5所述的半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统，其特征在于：

所述控制部，在所述第二工序后，执行利用升降机构使所述晶舟返回至作为从所述热处理炉的搬出位置的原来位置的第三工序。

14.如权利要求13所述的半导体制造装置中的地震损害扩散降低系统，其特征在于：

在所述第二工序之后，并在地震的主震结束后进行所述第三工序。

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