CN101149573B - 电子照相感光体、使用该感光体的处理盒及成像装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电子照相感光体、使用该感光体的处理盒及成像装置。该电子照相感光体包含依次层叠在导电性基材上的感光层和表面层，其中所述表面层包含第13族元素和氧，并且在4000cm^-1到400cm^-1的范围内的红外吸收光谱中，表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.1倍或更低。

Description

电子照相感光体、使用该感光体的处理盒及成像装置

技术领域

本发明涉及一种在复印机等中使用的通过电子照相方法形成图像的电子照相感光体，以及利用该电子照相感光体的处理盒和成像装置。

背景技术

近来，电子照相法广泛用于复印机、打印机等。在利用这种电子照相法的成像装置中使用的电子照相感光体(下文也称为“感光体”)在装置中要经受各种接触和应力，从而导致劣化。但是，另一方面，在成像装置的数字化和彩色化的同时，希望成像装置具有高可靠性。

例如，如果提到感光体的充电过程，则存在如下的问题。首先，在非接触式充电方法中，放电产物附着到感光体上，会出现图像模糊等。因此，为了将附着到感光体上的放电产物除去，可以例如采用一种在显影剂中混合具有研磨作用的颗粒和在清洁部中擦掉放电产物的系统。在该情况下，感光体的表面由于研磨而劣化。另一方面，近来广泛使用接触式充电方法。在该方法中，还加速了感光体的磨损。

根据这样的背景，期望电子照相感光体具有更长的寿命。由于为了电子照相感光体的更长寿命而需要改进耐磨损性，所以需要增加感光体表面的硬度。

然而，在包含硬的非晶质硅表面的感光体中，附着了放电产物，并且容易产生图像模糊和图像流动。该现象在高湿度环境中尤其显著。对于具有有机感光层的有机感光体的表面层也与此类似。

为了抑制这些问题的产生，常常使用碳系材料作为感光体的表面层。例如，已经提出了一种利用催化CVD方法在有机感光层上形成非晶质碳化硅表面保护层的方法(参见日本特开(JP-A)2003-316053号公报)、一种在无定形碳中包含微量镓原子以提高耐湿性和耐打印性的技术(参见日本特开2-110470号公报)、一种使用具有金刚石键的无定形氮化碳的技术(参见日本特开2003-27238号公报)以及一种使用非单晶加氢氮化物半导体的技术(参见日本特开11-186571号公报)。

然而，在碳基膜(诸如加氢无定形碳(a-C:H))和其氟化膜(a-C:H，F)中，存在着随着膜硬度的改善而使膜着色的倾向。因此，如果因使用而使包含碳类膜的表面层磨坏，则通过表面层透射的光量随时间而增加，这会引起在表面层的内侧设置的感光层的感光度增大的问题。而且，如果在表面方向上不均匀地磨坏表面层，则感光层的感光度变得不均匀。因而，存在着特别是当形成半色调图像时容易引起图像模糊的问题。

另一方面，作为碳类薄膜材料的一般特性，已知硬度的改善和透明度的改善存在此消彼长的关系。原因是，当致力于膜中的碳键时，需要增大金刚石型sp³结合性以提高硬度。然而，不可避免的是会将吸收光的石墨型sp²键混入膜中，而且当企图通过将氢添加到膜中等来减少所存在的石墨型sp²键时，透明度得到提高但是膜性质变成有机性，并且硬度降低。

而且，近来已对氮化碳膜进行了研究和开发。然而，还未达到超过诸如金刚石膜和金刚石类碳膜等常规已知的碳类薄膜的硬度或特性。为了获得较硬且更致密的膜，在形成膜时需要在约1000℃加热并增大放电功率。然而，这种要求高温和高能量的放电条件的成膜方法难以应用于经过加热或放电而易受损坏的有机感光体，因而该方法是不实际的。

如此，就硬度和透明度的相容性而言，作为感光体的表面层，常规的碳类薄膜有不足之处。另一方面，就此而言，加氢非晶质碳化硅膜(a-SiC:H)是较好的。然而，由于因放电产物的附着而容易出现图像模糊和图像流动，所以需要使用鼓式加热器，以抑制图像模糊和图像流动的出现。

而且，加氢氮化物半导体在硬度和透明度方面是较好的，但缺乏耐湿性，并且在高湿度环境中实际上是较差的。

对于这些问题，提出了在表面层中例如使用氟化镁(参见日本特开2003-29437号公报)。

然而，由于氟化镁可溶于水和酸，所以在高湿度环境中的耐湿性不足。此外，提出了一种利用远程等离子体的使用非单晶氮化物类第III族化合物半导体的电子照相感光体的表面层(参见日本特开平11-186571号公报)。然而，如果将非单晶氮化物类第III族化合物半导体用作有机感光体的表面层，则基材的温度和其中半导体生长的表面的温度是不相同的，这会引起有机高分子表面受热而损坏的问题，并且不能利用有机高分子膜的透明度和光滑度等原有特性。而且，即使电特性优异，但在电子照相感光体的情况下，表面暴露于由电晕放电、通过调色剂的显影、清洁等所造成的接触，从而耐打印性不足。

另一方面，不同于上述利用在气相中成膜来形成表面层的方法，提出了一种通过涂布而形成表面层的方法。在这些方法中，为了提高耐磨损性，已知将具有硅氧烷键的高分子化合物用于表面层。然而，与利用在气相中成膜而形成的表面层相比，包含这种材料的表面层硬度较低。结果，当感光体表面随时间而受损或磨损时，表面附着性增大且调色剂附着到感光体表面上，从而引起感光体寿命缩短的问题。

发明内容

像这样，要求感光体的表面层既要有高硬度又要有极好的透明度，并且可以抑制由于放电产物的附着而引起的图像缺陷，还可以随时间将这些性质保持在高水平，然而前述常规已知的材料难以高水平地实现全部这些性能。

本发明的目的是解决上述问题。即，本发明的目的是提供一种表面的机械耐久性和耐氧化性优异、可以抑制由于放电产物的附着而引起的图像缺陷、同时具有优异的感光度、具有很低的滑动摩擦和很高的防水性、并且随时间还容易将这些性质保持在高水平的电子照相感光体，以及利用所述电子照相感光体的处理盒和成像装置。

可以通过下面的发明来实现上述问题。即，本发明如下。

<1>一种电子照相感光体，该电子照相感光体包含依次层叠在导电性基材上的感光层和表面层，其中所述表面层包含第13族元素和氧，并且在4000cm^-1到400cm^-1的范围内的红外吸收光谱中，表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.1倍或更低。

<2>如<1>中所述的电子照相感光体，其中表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.08倍或更低。

<3>如<1>中所述的电子照相感光体，其中表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.05倍或更低。

<4>如<1>中所述的电子照相感光体，其中所述表面层中包含的所述第13族元素是镓或铝。

<5>如<1>中所述的电子照相感光体，其中所述表面层包含氢。

<6>如<1>中所述的电子照相感光体，其中所述表面层包含大于15原子％的量的氧。

<7>如<1>中所述的电子照相感光体，其中所述表面层包含28原子％以上的量的氧。

<8>如<1>中所述的电子照相感光体，其中所述感光层包含有机材料。

<9>如<1>中所述的电子照相感光体，其中所述感光层包含非晶质硅。

<10>如<1>中所述的电子照相感光体，其中将中间层设置在所述感光层和所述表面层之间。

<11>一种处理盒，该处理盒一体地包括：电子照相感光体，所述电子照相感光体包含依次层叠在导电性基材上的感光层和表面层；和选自充电装置、显影装置或清洁装置中的至少一种装置，

其中所述表面层包含第13族元素和氧，并且在4000cm^-1到400cm^-1的范围内的红外吸收光谱中，表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.1倍或更低。

<12>如<11>中所述的处理盒，其中表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.08倍或更低。

<13>如<11>中所述的处理盒，其中表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.05倍或更低。

<14>一种成像装置，该成像装置包括：电子照相感光体，所述电子照相感光体包含依次层叠在导电性基材上的感光层和表面层；充电装置，所述充电装置用于给所述电子照相感光体的表面充电；静电潜像形成装置，所述静电潜像形成装置用于在经充电的所述电子照相感光体上形成静电潜像；显影装置，所述显影装置用于使用包含调色剂的显影剂来对所述静电潜像进行显影以作为调色剂图像；和转印装置，所述转印装置用于将所述调色剂图像转印到记录介质上，

其中所述表面层包含第13族元素和氧，并且在4000cm^-1到400cm^-1的范围内的红外吸收光谱中，表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.1倍或更低。

<15>如<14>中所述的成像装置，其中表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.08倍或更低。

<16>如<14>中所述的成像装置，其中表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.05倍或更低。

如上所述，根据本发明，可以提供一种表面的机械耐久性和耐氧化性优异、可以抑制由于放电产物的附着而引起的图像缺陷、同时具有优异的感光度、具有很低的滑动摩擦和很高的防水性、并且随时间还容易将这些性质保持在高水平的电子照相感光体，以及利用所述电子照相感光体的处理盒和成像装置。

附图说明

下面将基于以下附图来详细描述本发明的示例性实施方式，其中：

图1是显示本发明的示例性实施方式的感光体的层结构的一个例子的示意性截面图；

图2是显示本发明的示例性实施方式的感光体的层结构的另一个例子的示意性截面图；

图3是显示本发明的示例性实施方式的感光体的层结构的另一个例子的示意性截面图；

图4A和图4B是显示用于形成本发明的示例性实施方式的感光体的表面层的成膜装置的一个例子的示意图；

图5是显示可以用在本发明中的等离子体产生装置的另一个例子的示意图；

图6是显示本发明的示例性实施方式的处理盒的一个例子的示意图；

图7是显示本发明的示例性实施方式的成像装置的一个例子的示意图；

图8是显示实施例1中制备的表面层膜的IR光谱图；

图9是显示实施例2中制备的表面层膜的IR光谱图；

图10是显示实施例3中制备的表面层膜的IR光谱图；

图11是显示实施例6中制备的表面层膜的IR光谱图；

图12是显示对比例1中制备的表面层膜的IR光谱图；

图13是显示对比例2中制备的表面层膜的IR光谱图。

具体实施方式

下面将详细解释本发明。

<电子照相感光体>

本发明的电子照相感光体包含依次层叠在导电性基材上的感光层和表面层，其中所述表面层包含第13族元素和氧，并且在4000cm^-1到400cm^-1的范围内的红外吸收光谱中，表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.1倍或更低。

本发明的感光体中的表面层包含第13族元素和氧，并且这两种元素构成具有优异硬度和透明度的半导体化合物。并且，可以对表面层的最外层表面进行氧化。本发明的感光体具有优异的表面耐磨损性，可以抑制划痕的出现，并且容易提供更好的感光度。并且，由于至少最外层表面包含第13族元素的氧化物，所以感光体表面本身难以因由充电器产生的臭氧、氧化氮等而在氧化性气氛下被氧化，因此可以防止因氧化而导致的感光体的劣化。另外，由于可以抑制放电产物附着在最外层表面上，所以可以抑制图像缺陷的出现。另外，如上所述由于机械耐久性良好，所以容易将这些性质长时间地保持在高水平。

在本发明的感光体中，整个表面层可以仅由第13族元素和氧构成，如需要的话，表面层可以包含除氧之外的诸如氢、碳、氮等其他元素。

具体地说，优选的是，表面层包含氢作为其他元素。在该情况下，由于第13族元素和氢的结合，通过对悬空键和结构缺陷进行补偿，电稳定性、化学稳定性和机械耐久性可以提供高防水性和低摩擦系数以及高硬度和透明度。

本发明的示例性实施方式的感光体不受特别限制，只要是这样的层结构即可：感光层和表面层按照该顺序层叠在导电性基材上，并且如需要，可以在这三层之间设置中间层。而且，感光层可以具有两层或更多层，并且另外可以是功能分离型。此外，本发明的示例性实施方式的感光体可以是所谓的非晶质硅感光体(其中感光层包含硅原子)，或者可以是所谓的有机感光体(其中感光层包含诸如有机聚合物等的有机材料)。下文是参照附图对本发明的示例性实施方式的感光体的层结构的具体实例的更详细的描述。

图1是显示本发明的示例性实施方式的感光体的层结构的一个例子的示意性截面图，其中1表示导电性基材，2表示感光层，2A表示电荷产生层，2B表示电荷传输层，3表示表面层。

图1中所示的感光体具有按照电荷产生层2A、电荷传输层2B和表面层3的顺序在导电性基材1上层叠这些层的层结构。感光层2包括电荷产生层2A和电荷传输层2B这两层。

图2是显示本发明的示例性实施方式的感光体的层结构的另一个例子的示意性截面图，其中4表示底涂层，5表示中间层，其他标号与图1中所示的相同。

图2中所示的感光体具有按照底涂层4、电荷产生层2A、电荷传输层2B、中间层5和表面层3的顺序在导电性基材1上层叠这些层的层结构。

图3是显示本发明的示例性实施方式的感光体的层结构的另一个例子的示意性截面图，其中6表示感光层，其他标号与图1和图2中所示的相同。

图3中所示的感光体具有按照底涂层4、感光层6和表面层3的顺序在导电性基材1上层叠这些层的层结构。感光层6是具有图1和图2中所示的电荷产生层2A和电荷传输层2B的集成功能的层。

感光层2和6可以由有机材料形成，可以由无机材料形成，或者可以由有机材料和无机材料的组合来形成。

作为表面层3中包含的第13族元素，具体地说，可以使用从B、Al、Ga和In中选择的至少一种元素。可以包含两种以上元素。在该情况下，由于除In之外的元素不吸收可见光，所以表面层中这些原子的含量的组合不受限制，然而在In的情况下，可以吸收可见光，就需要注意所使用的电子照相系统的用于形成静电潜像的图像曝光波长和用于除电的除电曝光波长，并且进行选择使这些光吸收得尽可能少。

另外，优选的是，表面层3中包含的氧含量超过15原子％。当氧含量是15原子％或更少时，由于半导体膜在含氧的气氛中变得不稳定，并且因氧化而产生羟基，所以在一些情况下随着时间流逝会引起诸如电性质和机械性质等物理性质的变化。另外，电阻较低，并且在一些情况下不能保持潜像。从保持耐氧化性来看，氧含量优选较大，然而，表面层膜中的元素之间的分子键在许多情况下以二维排列，因此，在一些情况下获得硬度不够且易碎的膜。

另外，表面层中的氧含量更优选是28原子％或更多，进而优选是37原子％或更多。实际上，氧含量优选是65原子％或更少。第13族元素和氧的比例优选是1∶0.15到1∶2。

在表面层3的厚度方向上的组成可以使得浓度具有梯度，并且可以是多层结构。

例如，当表面层包含第13族元素和氧时，氧浓度可以是这样的：在表面层的厚度方向上的氧的浓度分布向较下层的感光层侧降低，或者在元素组成上有变化，或者受诸如掺杂元素等第三元素控制的电阻向感光层侧降低。另外，当表面层包含氮时，优选的是在表面层的厚度方向上的氮的浓度分布向较下层的感光层侧增大，氧的浓度分布向较下层的感光层侧降低(即，向感光体的表面侧逐渐增大)。在该情况下，氮浓度或氧浓度可以逐级变化。

当在表面层3中包含氮时，表面层3中的氮含量优选使得第13族元素的原子数之和x与氮的原子数y的比例(x∶y)在1.0∶0.5到1.0∶2.0之间。当比例在该范围之外时，形成四面体键的部分较小，键变为离子型分子键，并且不能获得足够的化学稳定性和硬度。

可以通过XPS(X射线光电子能谱)获得表面层3的最外层表面中的第13族元素和诸如氧、氮等元素的含量。例如，利用日本电子社制造的JPS9010MX和使用MgKa作为X射线源，以10kV和20mA照射表面。以1eV的步幅进行光电子的测量作为元素的量，针对Ga元素测量3d_5/2，针对N和O测量1s光谱，元素量是由光谱的强度和感光度系数而获得。在进行测量之前，以500V进行Ar离子刻蚀10秒种。

当在表面层3中包含氢时，氢含量优选在0.1原子％到30原子％的范围内。当氢是0.1原子％或更少时，结构混乱仍然包含在膜的内部，并且电稳定性和机械性质变得不足。当氢是30原子％或更多时，两个或更多个氢原子结合到第13族元素和氮原子上的概率增加，不能够保持三维结构，并且硬度和化学稳定性尤其是耐水性变得不足。

氢的量可以通过如下的氢前向散射(在后文，在一些情况下称作“HFS”)来获得。

在HFS中，可以使用加速器(商品名：3SDH Pelletron，由NEC制造)、终端站(商品名：RBS-400，由CE&A制造)和作为系统的3S-R10。使用程序(商品名：HYPRA，由CE&A制造)进行分析。HFS的测量条件如下。

He++离子束能量：2.275eV

检测角度：相对于160°的入射束的掠射角为30°

通过将检测器设置在相对于He++离子束为30°处并将样品设置在离法线75°处，HFS测量可以获得在样品前方散射的氢的信号。在这点上，最好用铝箔将检测器覆盖，以除去与氢一同散射的He原子。通过比较参比样品与测试样品的以阻止能规格化后的氢计数来进行定量分析。

使用其中已将H离子注入到Si中的样品和白云母作为参比样品。已知白云母具有大约6.5原子％的氢浓度。通过减去吸附到洁净的Si表面上的H量，可以对吸附到最外层表面上的H进行定量测定。

层中的氢量还可以通过测量红外吸收光谱，根据第13族元素-氢键和N-H键的强度来估算。当该量通过红外吸收光谱而测得时，可以在与成膜相同的条件下在红外线透射性基材上形成膜，或者可以测量从感光体剥离的KBr片。当感光层是有机感光体时，它可以溶解在有机溶剂中，并可以使用残余物。当感光层是非晶质硅时，表面可以被切断，或者可以整体剥离并使用。

表面层还可以包含碳，并且在该情况下碳含量优选是15原子％或更少。当碳含量超过15原子％时，由于碳作为-CH₂或-CH₃存在于表面层膜中，所以在表面层膜的内部包含的氢的量增加，结果，在一些情况下，表面层膜在大气中的化学稳定性不足。

表面层中的第13族元素和诸如氮、氧、碳等元素的含量(包括在膜厚度方向上的分布)可以通过如下的卢瑟福背散射(RBS)来获得。

在RBS中，使用加速器(商品名：3SDH Pelletron，由NEC制造)、终端站(商品名：RBS-400，由CE&A制造)和作为系统的3S-R10。使用程序(商品名：HYPRA，由CE&A制造)进行分析。

RBS的测量条件为：He++离子束能量是2.275eV；检测角度为160°；相对于入射束的掠射角大约是109°。

具体地说，如下地测量RBS：

首先，将He++离子束垂直引到样品上，将检测器设置在相对于离子束为160°处，并且测量已被背散射的氦的信号。根据已检测的氦的能量和强度来确定组成比例和膜厚度。为提高获得组成比例和膜厚度的精确性，可以在两个检测角度处测量光谱。通过在两个检测角度(这两个检测角度在深度方向的分辨率和背散射的动力学上是不同的)处进行测量并进行交叉检验，可以提高精确性。

由目标原子背散射的氦原子的数量仅由以下三个因素来确定：1)目标原子的原子数量；2)散射前的氦原子的能量；和3)散射角度。通过由所测得的组成进行计算来求得密度，并且使用其来计算膜厚度。密度的误差在20％之内。

表面层3优选是非晶质，进而从稳定性和硬度来看，可以是包含微晶或微晶/多晶(包含非晶质物质)的非晶质，从表面的光滑性和摩擦来看，非晶质是优选的。从稳定性和光滑性来看，在非晶质物质中包含微晶的形态是优选的。结晶/非晶质可以由通过RHEED(反射高能电子衍射)测量而获得的衍射图像中的点或线的存在与否来确定。可以使用其中在晕轮图像中观察到模糊线的衍射图像。

为了控制导电类型，可以将各种掺杂剂添加到表面层中。例如当将导电性控制为n型时，可以使用选自于C、Si、Ge和Sn中的一种或多种元素，例如当将导电性控制为p型时，可以使用选自于Be、Mg、Ca、Zn和Sr的一种或多种元素。

在非晶质或微晶的情况下存在表面层3在其内部结构中包含键缺陷或包含晶界的倾向。为此，为了钝化该缺陷，表面层可以包含氢和/或卤元素。表面层中的氢或卤元素具有通过被加到键缺陷中和消除反应活性部位而进行电补偿的功能。为此，由于抑制了与表面层中的载流子的扩散和移动相关的俘获(trapping)，所以当重复进行充电和曝光时由于电荷的内部累积而产生的残余电位的上升以及感光体表面的充电性质可以变得更稳定。

如上所述，本发明中的表面层3可以包含除了第13族元素和氧之外的各种元素，并且需要在4000cm^-1到400cm^-1的范围内的红外吸收光谱中，表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.1倍或更低。即，通过实现其中在表面层中存在着较少的除了第13族元素和氧之间的键之外的键的状态，例如，即使当使得表面层可以经受高温高湿度环境，或者进而即使当表面层在电子照相装置中在氧化性气氛下被重复使用时，也可以保持化学稳定性，并可以避免图像模糊的发生。

下面将通过解释具体实例来解释红外吸收光谱中的吸收峰强度之间的关系。图10是显示后文描述的实施例3中所制备的表面层的红外吸收光谱(在后文中，在一些情况下称作“IR光谱”)的光谱图。由于在这里使用镓作为第13族元素，根据该光谱，在接近3230cm^-1处存在着因N-H的伸缩振动而引起的吸收峰，在接近2100cm^-1处存在着因Ga-H的伸缩振动而引起的吸收峰。此外，在接近2950cm^-1处存在着因C-H的伸缩振动而引起的吸收峰。还有，在接近520cm^-1处存在着因Ga-O的骨架振动而引起的吸收峰。

在该情况下，表示除了第13族元素和氧之间的键之外的键的全部吸收峰强度是表示第13族元素和氧之间的键的吸收峰强度的0.1倍或更小的事实意味着表示Ga和氢之间的键的吸收峰强度(I_Ga-H)、表示氮和氢(NH)之间的键的吸收峰强度(I_N-H)和表示碳和氢之间的键的吸收峰强度(I_C-H)相对于因Ga(第13族元素)和氧(O)之间的键而引起的吸收峰强度(I_Ga-O)的强度比例(I_Ga-H/I_Ga-O、I_N-H/I_Ga-O、I_C-H/I_Ga-O)分别是0.1或更小。

当强度比例变得大于0.1时，无法忽略感光体表面上除了Ga和氧之间的键之外的键的作用，并且通过暴露于氧化性气氛中，感光体性质的稳定性劣化。

具体地说，电子照相感光体在其成像过程中经受诸如利用电晕充电器(包括电晕管充电和辊式充电)进行氧化和离子轰击的步骤。另外，通过在高温高湿度环境下的水吸收和放电产物的吸收，表面暴露于诸如硝酸化合物等酸或诸如铵盐等碱中。为此，例如，当强度比例I_Ga-H/I_Ga-O、I_N-H/I_Ga-O、I_C-H/I_Ga-O分别大于0.1时，发生羟基、NOH基或COOH基上的反应，吸收水溶性放电产物，尤其是在高温高湿度(30℃，80％RH(相对湿度))环境下产生导电性，并且产生图像缺失。另外，当I_C-H/I_Ga-O大于0.1时，膜的稳定性随着时间流逝而变得不足。

表示除了第13族元素和氧之间的键之外的键的所有吸收峰强度优选是第13族元素和氧之间的键的吸收峰强度的0.08倍或更小(强度比例是0.08或更小)，更优选是0.05倍或更小(强度比例是0.05或更小)。

并且，理想的是，希望强度比例在IR光谱的测量界限处为0。

在本发明中，吸收峰强度指的是吸收峰的幅度(吸光率)，图10中的各个吸收峰强度指的是在图中通过采用虚线作为基线而获得的各个吸收峰在垂直方向上的最大幅度。

在该情况下，因Ga和氧之间的键而引起的吸收峰强度(I_Ga-O)根据膜厚度和共有元素之间的键的一致性而增大或减小。并且，因Ga和氢之间的键而引起的吸收峰强度(I_Ga-H)、因氮和氢之间的键而引起的吸收峰强度(I_N-H)以及因碳和氢之间的键而引起的吸收峰强度(I_C-H)的吸收与结合到膜中的元素上的氢的量成比例。另外，存在着本发明中的表面层中的氢的量与膜中的键合氢的量(即，根据红外吸收光谱估算的氢的量)相比更大的倾向。可以通过制作测量值(例如HFS)与吸收强度之间的校准线来获得利用IR光谱对氢的量的估算。

在本发明中，第13族元素和氧的吸收峰的半峰全宽(图10中的箭头)优选是300cm^-1或更小。半峰全宽是在峰强度的一半高度处的线宽度。当半峰全宽大于300cm^-1时，第13族元素和氧之间的键变得太不规则，并且在一些情况下感光体对水或氧化物变得不稳定。

在本发明中，可以在形成电子照相感光体的表面层的同时，或在与形成电子照相感光体的表面层的条件相同的条件下，利用已经在红外吸收光谱用基材上成膜的样品来测量红外吸收光谱。具体地说，从硬度和易于处理方面来看，可以使用结晶硅基材。当然，当其上设置有表面层的感光体可以被切成测量样品时，可以利用感光体自身来测量红外吸收光谱。

为了测量红外吸收光谱，可以使用具有30000∶1的S/N比和4cm^-1的分辨率的傅里叶变换红外吸收测量装置系统B(商品名：Spectrum One，由Perkin Elmer制造)。将在结晶硅基材上已经成膜的样品置于配备有聚光器的样品台上之后进行测量。使用未成膜的硅晶片作为参照。

另外，例如，像GaO吸收的半峰全宽那样，采用通过连接从900cm^-1到1000cm^-1的吸收的波峰或波谷和在低波数侧延伸的在1300cm^-1处的平坦部而获得的直线作为基线，采用从与GaO吸收峰(最高点)垂直作出的线的交点到峰的最高点的吸收作为总吸收强度，将作为该总吸收强度的一半的强度的位置处的吸收的横向上的线宽度定义为半峰全宽。

接着，将简单解释除了前述组成之外的表面层3的优选性质。

表面层3可以是上述的非晶质或结晶，为了增强与感光层(或中间层)的附着性和使感光体表面的滑动更好，表面层优选是非晶质。作为另一种选择，表面层的较下层(感光层侧)可以是微晶的，较上层(感光体表面侧)可以是非晶质。

表面层3可以使得在充电时在表面层3中注入电荷。在该情况下，需要在表面层3和感光层的界面处俘获电荷。作为另一种选择，可以在表面层3的表面上俘获电荷。例如，在感光层是图1、2中所示的功能分离型的情况下，当通过负充电将电子注入到表面层中时，在电荷传输层的表面层侧的表面可以执行电荷俘获的功能，或者为抑制电荷的注入和俘获电荷，可以在电荷传输层与表面层之间设置中间层。还有，在正充电的情况下，同样可以适用。

表面层3的厚度优选是在0.05μm到3μm的范围内。当厚度小于0.05μm时，表面层易受感光层的影响，并在一些情况下具有不足的机械强度。另一方面，当厚度超过3μm时，通过反复充电和曝光，可以升高残余电位，或者增大对感光层的机械内应力，以及在一些情况下易产生剥离或开裂。

并且，表面层3可以具有作为电荷注入阻止层的功能和作为电荷注入层的功能的双重功能。在该情况下，通过如上所述将表面层3的导电类型调节到n型或p型，表面层可以充当电荷注入阻止层和电荷注入层。可以使用具有比表面层更低的电阻的层作为中间层。优选的是，该中间层还具有与表面层相同的吸收峰的关系。

当表面层3还充当电子注入层时，在中间层或感光层的表面(在表面层侧的表面)上俘获电荷。在负充电的情况下，n型表面层充当电子注入层，p型表面层充当电荷注入阻止层。在正充电的情况下，n型表面层充当电荷注入阻止层，p型表面层充当电荷注入层。

(表面层的形成)

然后，将解释形成表面层的方法。在形成表面层时，可以利用已知的气相成膜方法，例如等离子体CVD(化学气相沉积)法、有机金属化学气相沉积法、分子束外延法等。另外，还可以利用表面氧化法。在该情况下，可以形成表面层使得在感光层上直接包含第13族元素和氧。作为另一种选择，可以使用等离子体来清洁感光层。

接着，将参照形成表面层中所使用的装置图来对实施方式进行说明。

图4A和4B是显示用于形成本发明的感光体的表面层的成膜装置的一个例子的示意图，图4A表示当从侧表面观察成膜装置时的示意性截面图，图4B表示图4A中所示的成膜装置的A1-A2之间的示意性截面图。在图4A和4B中，10是成膜室，11是排气口，12是基体旋转部，13是基体固定器，14是基材，15是气体导入部，16是具有开口(通过该开口注入从气体导入部15引入的气体)的喷嘴，17是等离子体扩散部，18是高频供电部，19是板电极，20是进气口，21是高频放电管部。

在图4A和4B中所示的成膜装置中，连接到未示出的真空排气装置的排气口11被设置在成膜室10的一个端部处，由高频供电部18、板电极19和高频放电管部21组成的等离子体产生装置被设置在与其上设置有成膜室10的排气口11的侧相对的侧上。

该等离子体产生装置由高频放电管部21、板电极19(其被布置在高频放电管部21中并且其中放电表面被设置在排气部11侧上)、和高频供电部18(其被布置在高频放电管部21的外部并连接到与板电极19的放电表面相对侧的表面)组成。另外，用于将气体提供到高频放电管部21中的进气口20连接到高频放电管部21，该进气口20的另一端连接到未示出的第一气体供应源。

作为另一种选择，可以使用图5中所示的等离子体产生装置来代替设置在图4A和4B中所示的成膜装置中的等离子体产生装置。图5是显示可以用在图4A和4B中所示的成膜装置中的等离子体产生装置的其他例子的示意图。在图5中，22表示高频线圈，23表示石英管，20与图4A和4B中所示的标号相同。该等离子体产生装置由石英管23和沿石英管23的外周面设置的高频线圈22组成，并且石英管23的一端连接到成膜室10(在图5中未示出)。另外，用于将气体引入石英管23中的进气口20连接到石英管23的另一端。

与放电表面基本上平行的条形喷嘴16连接到板电极19的放电表面侧，喷嘴16的一端连接到进气口15，该进气口15连接到未示出的第二气体供应源(其被设置在成膜室10的外部)。

另外，基体旋转部12设置在成膜室10中，圆筒形管基材14经由基体固定器13安装在基体旋转部12上，以使喷嘴的纵向方向和基材14的轴向方向基本上平行面对。在成膜时，通过旋转基体旋转部12，可以以圆周方向来旋转基材14。将其中已提前层叠至感光层的感光体或者其中已经在感光层上层叠至中间层的感光体作为基材14。

另外，可以使用其中将反应气体提供部和反应部相分离的功能分离型成膜方法。

例如表面层的形成可以如下进行：首先，通过进气口20将N₂气体、H₂气体和氧气引入到高频放电管21中，同时从高频供电部18将13.56MHz的无线电波提供给板电极19。因此，形成等离子体扩散部17以使得其从板电极19的放电表面侧向排气口11侧逐渐扩张。

然后，通过使用氢气作为载气经由进气口15和喷嘴16将用氢气稀释的三甲基镓气体引入到成膜室10中，可以在基材14的表面上形成包含氧和镓并且包含少量氢的无机膜。可以使用通过利用氮或诸如He、Ar等的惰性气体进行稀释的氧气。

如上所述通过同时将N₂气体、H₂气体和氧气引入到高频放电管中以制备活化物种，由此使三甲基镓气体分解，从而可以在基材上制备包含少量氢的第13族元素和氧的化合物。

作为另一种选择，三甲基镓气体可以在等离子体中与通过将诸如He的惰性气体和氧气进行混合而获得的气体发生反应，或者氮气与氧气的混合气体和三甲基镓气体可以在等离子体中反应。

对成膜时用于形成表面层的温度不作特别限制，然而当在非晶质硅感光体上制备表面层时，感光体优选在50℃至350℃形成，当在有机感光体上制备表面层时，感光体优选在20℃至100℃形成。温度是基材的表面温度。

当制备有机感光体时，在表面层的成膜时的基材表面温度优选是100℃或更小，更优选是80℃或更小。由于即使当基材温度是100℃或更小时，在温度由于等离子体的影响而变得高于150℃的情况下，感光层在一些情况下也会因热而受到损坏，所以优选是考虑到这种影响来设置基材温度。

基材温度可以通过未示出的方法来控制，或者在放电时温度可以自然升高。当对基材14进行加热时，加热器可以安装在基材14外侧或者基材14的内侧。当对基材14进行冷却时，可以使冷却用的气体或液体在基材14的内侧循环。

当希望避免因放电而引起的基材温度的升高时，调节与基材14表面接触的具有高能量的气流是有效的。在该情况下，对诸如气体流速、放电输出和压力等条件进行调节以获得所要求的温度。

作为包含第13族元素的气体，可以使用包含铟或铝的有机金属化合物或者诸如乙硼烷的氢化物来代替三甲基镓气体，并可以将它们中的两种或更多种进行混合。

例如，当包含氮和铟的膜在形成表面层的初始阶段通过经由进气口15和喷嘴16将三甲基铟引入到成膜室10中而形成在基材14上时，该膜可以吸收当膜连续形成时所产生的并且使感光层劣化的紫外线。为此，因在成膜时产生紫外线而引起的对感光层的损坏可以得到抑制。

另外，为对导电类型进行控制，可以将掺杂剂添加到表面层中。

作为在成膜时将掺杂剂搀入的方法，可以在气态下使用用于n型的SiH₃或SnH₄和用于p型的二环戊二烯基镁、二甲基钙、二甲基锶、二甲基锌或二乙基锌。为将掺杂剂元素搀入到表面层中，可以采用诸如热扩散法、离子注入法等已知方法。

具体地说，通过经由进气口15和喷嘴16将包含至少一种掺杂剂元素的气体引入到成膜室10中，可以获得诸如n型、p型等任意导电类型的表面层。

当形成包含第13族元素和氧的无机膜时，将包含氢原子的有机金属化合物用作供氢材料，或者可以由用作有机金属化合物的载气的氢气来提供氢。

当形成主要包含第13族原子和氧原子的膜时，需要由等离子体激活的活性氧，并且其可以如下文所述获得。

例如，当从图4A和4B中所示的成膜装置中的分离位置将氢气和氧气引入到成膜装置中时，可以将多个等离子体产生装置设置为分别独立地对氢气的活化状态和氧气的活化状态进行控制。作为另一种选择，相反地，优选是将同时包含氧原子和氢气的气体(例如H₃O)用作提供氢和氧的材料，并使用等离子体来激活该气体，这是因为可以简化装置。通过这些方法，甚至在100℃或更低的低温下，也可以形成包含少量氢的第13族元素和氧的化合物。

并且，具体地说，为了在本发明中，在4000cm^-1到400cm^-1的范围的红外吸收光谱中，表示除了第13族元素和氧之间的键之外的键的吸收峰强度是表示第13族元素和氧之间的键的吸收峰强度的0.1倍或更小，例如，作为气体物质，将包含第13族原子的有机金属化合物和包含氧原子的化合物或者它们的混合物(例如氧气、加压空气以及氧气和稀有气体的混合物)用于三甲基镓、三甲基铟或三甲基铝。此外，可以使用氢气、氮气和诸如氦气等稀有气体。

此外，气体组成是，氧原子相对于包含第13族原子的有机金属化合物为1∶0.01至1∶1000。如必要的话，为了放电的稳定性，可以添加氢气、氮气和稀有气体，或者除去碳原子。在有机金属化合物的情况下，可以将氢气或稀有气体用作载气。作为另一种选择，可以仅使用有机金属化合物、载气和氧气，或者可以使用载气稀释氧气，或者可以与氮气混合。当膜中包含氮时，可以添加氮气。当混合氮气时，当从膜中排除碳原子时是优选的。

另外，成膜条件压力优选是10Pa至300Pa。成膜基材可以是圆筒型感光体或者带型感光体。可以加热基材，或者可以仅使用放电时的热量而不进行加热。此外，可以进行冷却。

通过前述方法，经活化的氢、氧、稀有气体和/或氮、第13族原子存在于基材上，此外，经活化的氧、稀有气体或氢具有作为分子消除例如构成有机金属化合物的甲基和乙基等烃基的氢的作用。为此，在基材表面上，在低温下形成由硬膜(其中包含少量氢的氧和第13族元素构成三维键)构成的表面层。

由于Ga和O形成诸如四面体型的sp³键和八面体键等三维结构，这种硬膜是稳定的。另外，由于还拥有因氧而引起的由二维键所致的扩展，所以表现出机械的与挠性对应的稳定性。该硬膜是透明的，并且膜的表面具有高的防水性和滑动性质以及低的摩擦。

图4A和4B中所示的成膜装置的等离子体产生单元使用高频震荡装置，但不限于此，例如，可以使用微波震荡装置，或者可以使用电子回旋共振法或螺旋波等离子体法装置。作为另一种选择，在高频震荡装置的情况下，该装置可以是电感式或电容式。

此外，这些装置可以通过将两种或更多种组合来使用，或者可以使用两个或多个同种装置。为了使利用等离子体的辐射不会升高基材温度，高频震荡装置是优选的，并且可以提供用于防止热辐射的装置。

当使用两种以上不同种类的等离子体产生装置(等离子体产生单元)时，需要可以在相同压力下同时产生放电。作为另一种选择，可以在放电区域和成膜区域(其中布置基材的部分)之间设置压力差。这些装置可以相对于气流(从成膜装置中的气体导入部向气体排出部形成该气流)而串联地设置，或者任何装置可以与基材的成膜表面相对设置。

例如，当相对于气流而串联地设置两种等离子体产生单元时，借助于图4中示出的成膜装置的例子，这可以用作第二等离子体产生装置，该第二等离子体产生装置使用喷嘴16作为电极而使成膜室10中放电。在该情况下，通过经由气体导入部15对喷嘴16施加高频电压，可以使用喷嘴16作为电极在成膜室10中引起放电。作为另一种选择，取代使用喷嘴16作为电极，在成膜室10中基材14与等离子体产生区域19之间设置圆筒形电极，可以使用该圆筒形电极以在成膜室10中引起放电。

另外，当在相同压力下使用不同的两种等离子体产生装置时，例如当使用微波振荡装置和高频振荡装置时，可以极大地改变激发物质(spice)的激发能，这对于控制膜的品质是有效的。另外，可以在大气压附近进行放电。当在大气压附近进行放电时，希望使用氦作为载气。

在形成表面层时，除了上述方法，还可以使用通常的金属-有机化学气相沉积方法和分子束外延方法，而且当通过这些方法形成膜时，这对于降低温度以使用活性氧、活性氮和/或活性氢是有效的。在该情况下，作为氧的原料，可以使用氧气、水流、空气等。作为氮的原料，可以使用诸如N₂、NH₃、NF₃、N₂H₄和甲肼等气体，汽化液体或利用载气鼓泡的气体或汽化液体。

(导电性基材和感光层)

对本发明的感光体不进行特别限制，只要是以下的层结构即可：感光层和表面层按照该顺序层叠在导电性基材上，并且当需要时可以在导电性基材和感光层之间设置底涂层。感光层可以具有两层或更多层，并可以是功能分离型。此外，在本发明的感光体中，感光层可以是包含硅原子的所谓的非晶质硅感光体。

在非晶质硅感光体的情况下，当本发明中的表面层用作表面部分时，可以防止在高湿度下的图像模糊，并可以实现耐用性和高的图像质量。具体地说，优选的是，感光层是包含有机材料(例如有机感光材料)的所谓的有机感光体。在有机感光体的情况下，容易发生摩擦，然而当在表面部分中使用本发明的表面层时，可以抑制摩擦。

首先，将对当本发明的感光体是有机感光体时的优选结构的概况进行说明。

形成感光层的有机高分子化合物可以是热塑性的或者热固性的，或者两种分子可以发生反应以形成感光层。另外，从调节硬度、膨胀系数和弹性、以及改善附着性来看，可以在感光层和表面层之间设置中间层。优选的是，中间层表现出处于表面层的物理性质和感光层(在功能分离型的情况下，是电荷传输层)的物理性质二者中间的性质。另外，当设置中间层时，中间层可以充当俘获电荷的层。

在有机感光体的情况下，感光层可以是图1和图2中所示的具有分离的电荷产生层和电荷传输层的功能分离型，或者可以是图3中所示的功能集成型。在功能分离型的情况下，感光体的表面侧可以设置有电荷产生层，或者表面侧可以设置有电荷传输层。

如果表面层通过上述方法形成在感光层上，为了防止感光层因除了热之外的较短波长的电磁辐射的照射而分解，感光层表面可以在表面层形成之前预先设置有针对紫外光等的短波长光吸收层。而且，为了不使短波长光照射到感光层上，可以在形成表面层的初始阶段首先形成具有小带隙的层。关于这种具有设置在感光层侧上的小带隙的层的组成，例如，包括In的第13族元素比例适合为Ga_XIn_(1-X)(1≤X≤0.99)。关于氧和氮，可以使用与上述相同的条件。

而且，可以在感光层表面上设置包含紫外线吸收剂的层(例如，通过涂布分散在高分子树脂中的层等而形成的层)。

如此，在形成表面层等之前，感光体表面设置有中间层，由此可以防止当形成表面层等时短波长光(例如紫外光)、电晕放电(如果将感光体用在成像装置中)或者来自其他各种光源的紫外光对感光层的影响。

此外，可以在感光层上形成无定形碳层。

接着是对其中本发明的示例性实施方式的感光体是非晶质硅感光体的结构的例子的概要的描述。

非晶质硅感光体可以是用于正充电或负充电的感光体。可以使用这样的结构：在导电性基材上形成用于阻止电荷注入或提高附着性的底涂层，并且接着设置光电导层和表面层。表面层可以是这样的：在感光层的表面上设置有中间层，在感光层的表面上还设置有表面层。或者，在感光层的表面上可以直接设置表面层。

此外，感光层的最外层(在表面层侧上的层)可以是p型非晶质硅，或n型非晶质硅。在感光层和表面层之间可以形成有例如Si_XO_1-X:H层、Si_XN_1-X:H层、Si_XC_1-X:H层、无定形碳层作为中间层(电荷注入阻止层)。

接着，在本发明的示例性实施方式的电子照相感光体是用于具有功能分离型感光层的有机感光体的情况下，对本发明的示例性实施方式的电子照相感光体的导电性基材和感光层的详细情况、和当需要时设置的底涂层和中间层的详细情况进行说明。

-导电性基材-

导电性基材包括：例如铝、铜、铁、不锈钢、锌和镍的金属鼓；沉积在诸如片材、纸张、塑料、以及玻璃等基材上的诸如铝、铜、金、银、铂、钯、钛、镍-铬、不锈钢、以及铜-铟等金属；沉积在基材上的诸如氧化铟和氧化锡等导电金属化合物；层叠在基材上的金属箔；以及分散到粘合剂树脂中并涂布在基材上用于导电处理的炭黑、氧化铟、氧化锡-氧化锑粉末、金属粉末、碘化铜等。而且，导电性基材的形状可以是鼓形、片形和板形中的任何一种形状。

而且，如果将金属管基材用作导电性基材，则金属管基材的表面可以是原来的原始管。然而，还可以提前通过表面处理使基材表面的表面粗糙化。这种表面粗糙化可以防止因相干光(如果将相干光源(例如激光束)用作曝光源，其可以出现在感光体中)而引起的颗粒形式的浓度不均。表面处理的方法包括镜面切削、蚀刻、阳极化、粗切削、无心研磨、喷砂和湿珩磨。

具体地说，从提高与感光层的附着性和提高成膜性质的角度来看，具有铝基材的阳极化表面的物质可以优选用作导电性基材。

下文是对具有阳极化表面的导电性基材的制造方法的描述。首先，关于基材，制备纯铝或铝合金(例如，JISH4080(1999)中定义的合金编号为1000、3000或6000中的铝或铝合金，通过参考的方式将其引入)。接着，进行阳极化处理。阳极化处理在例如铬酸、硫酸、草酸、磷酸、硼酸以及氨基磺酸等酸溶液中进行。然而，通常使用利用硫酸溶液的处理。阳极化例如在大约硫酸浓度：10至20重量％，浴温：5至25℃，电流密度：1至4A/dm²，电解电压：5至30V，处理时间：5至60分钟的条件下进行，然而并不限于此。

以此方式在铝基材上形成的阳极化膜是多孔的且高绝缘的，并具有非常不稳定的表面。因此，在形成膜之后，特性值容易随时间而变化。为了防止特性值的该变化，还对阳极化膜进行密封。密封方法包括将阳极化膜浸泡在包含氟化镍或乙酸镍的水溶液中的方法、将阳极化膜浸泡在沸水中的方法以及通过加压蒸汽进行处理的方法。在这些方法中，最常使用浸泡在包含乙酸镍的水溶液中的方法。

在以此方式密封的阳极化膜的表面上，通过密封而附着的金属盐等仍残留过多。如果这种金属盐等在基材的阳极化膜上仍残留过多，则不仅严重影响阳极化膜上所形成的涂布膜的品质，而且一般倾向于残留低电阻成分。因此，如果将该基材用于感光体以形成图像，则其成为引起残渣(scumming)的因素。

这里，在密封后，进行阳极化膜的洗涤，以除去通过密封而附着的金属盐等。洗涤可以是对基材洗涤一次，然而也可以是通过多个步骤的洗涤来对基材进行洗涤。此时，作为最后洗涤步骤的洗涤液，尽可能地使用清洁(去离子)的洗涤液。而且，在多步洗涤的任意一个步骤中，可以进行使用接触式部件(例如，刷子)的物理擦洗。

上述在导电性基材的表面上形成的阳极化膜的厚度可以在3μm至15μm的范围内。在阳极化膜上沿着多孔阳极化膜的多孔状最外表面存在称作屏障层的层。在本发明的示例性实施方式中所使用的感光体中，势垒层的厚度可以在1nm至100nm的范围内。以上述方式，可以获得阳极化导电性基材。

在以此方式获得的导电性基材中，通过阳极化在基材上形成的阳极化膜具有高的载流子阻挡性质。因此，可以在成像装置中安装使用该导电性基材的感光体，从而如果进行晒印显影(负/正显影)，可以防止点缺陷(黑点和残渣)的出现，并防止经常在接触式充电时发生的接触式充电装置的电流泄露现象。而且，通过对阳极化膜进行密封，可以防止在形成阳极化膜之后的特性值随时间的变化。而且，通过在密封后对导电性基材进行洗涤，可以将通过密封而附着在导电性基材的表面上的金属盐等除去。如果由包含使用该导电性基材生产的感光体的成像装置形成图像，则足以防止残渣的出现。

-底涂层-

下面是对底涂层的描述。底涂层的材料包括：高分子树脂化合物，例如，诸如聚乙烯醇缩丁醛等缩醛树脂、聚乙烯醇树脂、酪蛋白、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、硅酮树脂、硅酮-醇酸树脂、酚醛树脂和三聚氰胺树脂；另外，包含锆、钛、铝、锰、硅原子等的有机金属化合物。

可以单独使用这些化合物，或作为多种化合物的混合物或缩聚物而使用。在这些化合物中，优选使用包含锆或硅的有机金属化合物，这是因为其具有低残余电位、由于环境导致的电位变化低和由于重复使用导致的电位变化低。此外，可以单独使用上述有机金属化合物，或作为多种类型的混合物或与上述粘合剂树脂的混合物而使用。

有机硅化合物(包含硅原子的有机金属化合物)包括：乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基硅烷)γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基-三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二甲氧硅烷、N，N-双(β-羟乙基)-γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷和γ-氯丙基三甲氧基硅烷。在这些化合物中，优选使用硅烷偶联剂，诸如：乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基硅烷)、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷和γ-氯丙基三甲氧基硅烷。

有机锆化合物(含有锆的有机金属化合物)包括丁氧锆、乙基乙酰乙酸锆、三乙醇胺锆、乙酰丙酮酸丁氧锆、乙基乙酰乙酸丁氧锆、乙酸锆、草酸锆、乳酸锆、膦酸锆、辛酸锆、环烷酸锆、月桂酸锆、硬脂酸锆、异硬脂酸锆、甲基丙烯酸丁氧锆、硬脂酸丁氧锆、异硬脂酸丁氧锆。

有机钛化合物(含有钛的有机金属化合物)包括钛酸四异丙酯、钛酸四正丁酯、钛酸丁酯二聚体、四(2-乙基己基)钛酸酯、乙酰丙酮钛、聚乙酰丙酮钛(polytitanium acetylacetonate)、亚辛基羟乙酸钛、钛乳酸铵盐、乳酸钛、钛乳酸乙酯、三乙醇胺化钛、聚硬脂酸羟基钛。

有机铝化合物(含有铝的有机金属化合物)包括异丙醇铝、二异丙醇一丁氧基铝、丁酸铝、二异丙醇二乙基乙酰乙酸铝和三(乙基乙酰乙酸)铝。

此外，作为用于形成底涂层的底涂层形成涂布液所使用的溶剂包括公知的有机溶剂，例如：诸如甲苯和氯苯等芳香烃溶剂；诸如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇和正丁醇等脂肪醇溶剂；诸如丙酮、环己酮和2-于酮等酮溶剂；诸如二氯甲烷、氯仿和氯乙烯等卤代脂肪烃溶剂；诸如四氢呋喃、二噁烷、乙二醇和乙醚等环状或直链醚溶剂；和诸如乙酸甲酯、乙酸乙酯和乙酸正丁酯等酯溶剂。可以单独使用这些溶剂或作为多种类型的混合物而使用。作为在混合了多种类型的溶剂时可以使用的溶剂，只要可以作为混合溶剂将粘合剂树脂溶解在其中，可以使用任何溶剂。

在底涂层的形成中，首先制备通过分散和混合底涂层涂布剂和溶剂而配制底涂层形成涂布液，并涂布在导电性基材的表面上。作为底涂层形成涂布液的涂布方法，可以使用通常的下面的方法：浸涂法、环涂法、绕线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刮刀涂布法和幕涂法。如果形成了底涂层，则其形成可以使得厚度为0.1μm至3μm。通过在这样的厚度范围内设置底涂层的厚度，在不过分增强电势垒的情况下可以防止由于减敏或重复而导致的电势增加。

按照该方式，通过在导电性基材上形成底涂层，可以改善进行涂布而在底涂层上形成层时的可湿性，而且这可以充分发挥作为电阻挡层的功能。

可以调节上述形成的底涂层的表面粗糙度，使粗糙度为曝光时使用的激光波长λ的1倍～1/(4n)倍(其中n是设置在底涂层的外周侧上的层的折射系数)。通过在底涂层形成涂布液中添加树脂颗粒而调节表面粗糙度。通过这样做，如果将通过调节底涂层的表面粗糙度而形成的感光体用于成像装置，可以充分地防止由于激光源而导致的干涉条纹。

关于树脂颗粒，可以使用硅酮树脂颗粒、交联型PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)树脂颗粒等。此外，为了调节表面粗糙度，可以研磨底涂层的表面。关于研磨方法，可以使用抛光、喷砂处理、湿珩磨、研磨处理等。在正充电的结构的成像装置所使用的感光体中，在感光体的最外表面的附近吸收入射激光束，并进一步在感光层中散射。因此，不是强烈地需要调节底涂层的表面粗糙度。

此外，可以将各种添加剂添加到底涂层形成涂布液中以改善电特性、环境稳定性和图像品质。作为添加剂，可以使用公知的材料，例如：电子传输性物质，例如醌类化合物，如氯醌、溴醌和蒽醌、四氰基对苯醌二甲烷化合物；芴酮化合物，如2，4，7-三硝基芴酮和2，4，5，7-四硝基-9-芴酮；噁二唑类化合物，如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、2，5-二(4-萘基)-1，3，4-噁二唑和2，5-二(4-二乙基氨基苯基)-1，3，4-噁二唑；氧杂蒽酮类化合物、噻吩化合物和二苯醌化合物(如3，3’，5，5’-四叔丁基二苯醌)；电子传输性颜料，如多环缩合物或偶氮；锆螯合物、钛螯合物、铝螯合物、钛醇盐化合物、有机钛化合物和硅烷偶联剂。

这里使用的硅烷偶联剂的具体实例包括例如下面的硅烷偶联剂：乙烯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基-三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基甲氧基硅烷、N，N-二(β-羟基乙基)-γ-氨基丙基三乙氧基硅烷和γ-氯丙基三甲氧基硅烷。但是，并不限于这些化合物。

锆螯合物的具体实例包括丁氧锆、乙基乙酰乙酸锆、三乙醇胺锆、乙酰丙酮酸丁氧锆、乙基乙酰乙酸丁氧锆、乙酸锆、草酸锆、乳酸锆、膦酸锆、辛酸锆、环烷酸锆、月桂酸锆、硬脂酸锆、异硬脂酸锆、甲基丙烯酸丁氧锆、硬脂酸丁氧锆、异硬脂酸丁氧锆等。

钛螯合物的具体实例包括钛酸四异丙酯、钛酸四正丁酯、钛酸丁酯二聚体、四(2-乙基己基)钛酸酯、乙酰丙酮钛、聚乙酰丙酮钛、亚辛基羟乙酸钛、钛乳酸铵盐、乳酸钛、钛乳酸乙酯、三乙醇胺化钛、聚硬脂酸羟基钛。

铝螯合物的具体实例包括异丙醇铝、二异丙醇一丁氧基铝、丁酸铝、二异丙醇二乙基乙酰乙酸铝、三(乙基乙酰乙酸)铝。

可以单独地使用这些添加剂或作为多种化合物的混合物或缩聚物而使用。

此外，上述底涂层形成涂布液可以包含至少一种受电子性物质。受电子性物质的具体实例包括琥珀酸酐、马来酸酐、二溴马来酸酐、邻苯二甲酸酐、四溴邻苯二甲酸酐、四氰基乙烯、四氰基对苯醌二甲烷、邻二硝基苯、间二硝基苯、氯醌、二硝基蒽醌、三硝基芴酮、苦味酸、邻硝基苯甲酸、对硝基苯甲酸、邻苯二甲酸等。其中，特别优选使用的是芴酮类、醌类、具有诸如Cl、CN和NO₂等吸电子取代基的苯衍生物。结果，在感光层中，可以提高感光度，可以降低残余电位，并可以降低重复使用时感光度的劣化。可以充分避免通过具有在底涂层中含有受电子性物质的感光体的成像设备形成的调色剂图像的浓度不均匀。

此外，可以使用下述分散型底涂层涂布剂来代替上述底涂层涂布剂。由此，通过适当调整底涂层的电阻，可以防止残余电荷的累积，可以使底涂层更厚。因此可以改善感光体的耐漏电性，特别是可以防止接触式充电时的漏电。

该分散型底涂层涂布剂包括分散在粘合剂树脂中的以下物质：诸如铝、铜、镍和银等金属粉末；诸如氧化锑、氧化铟、氧化锡和氧化锌等导电金属氧化物；以及诸如碳纤维、炭黑和石墨粉末等导电材料。作为导电金属氧化物，可以使用平均一次粒径为0.5μm或更小的金属氧化物颗粒。如果平均一次粒径太大，则常常局部地产生导电通路，易引起电流泄露，这会导致发生雾化或来自充电装置的大电流的泄露。需要将底涂层调节到适当的电阻，以提高耐漏电性。因此，上述颗粒可以具有大约10²Ω·cm至10¹¹Ω·cm的粉末电阻。

如果金属氧化物颗粒的电阻低于上述范围的下限，则无法获得足够的耐漏电性。如果其高于该范围的上限，则会升高残余电位。因此，其中，优选使用诸如氧化锡、氧化钛和氧化锌等金属氧化物颗粒。此外，可以使用多种类型的金属氧化物颗粒的混合物。而且，通过使用偶联剂在金属氧化物颗粒上进行表面处理，可以对粉末的电阻进行控制。作为在该情况下可以使用的偶联剂，可以使用与用于上述底涂层形成涂布液的材料相同的材料。此外，可以使用这些偶联剂的多种类型的混合物。

在该金属氧化物颗粒的表面处理中，可以使用只要是公知的任何方法，并且可以使用干法或湿法。

如果使用干法，则首先对金属氧化物颗粒进行加热和干燥，以除去表面吸附的水。通过除去表面吸附的水，可以使偶联剂均匀地吸附在金属氧化物颗粒的表面上。接着，在由具有大的剪切力的混合器等搅拌金属氧化物颗粒的同时，利用干空气或者氮气来直接滴加或喷射偶联剂，或者滴加或喷射溶解在有机溶剂或水中的偶联剂，由此均匀地进行处理。当滴加或喷射偶联剂时，可以在50℃或更高的温度下进行处理。在添加或喷射了偶联剂之后，还可以在100℃或更高的温度下进行焙烧。通过焙烧的作用，可以使偶联剂固化，并可以产生与金属氧化物颗粒的牢固的化学反应。在可以获得希望的电子照相特性的温度下，焙烧可以进行任意时间。

如果使用湿法，与干法类似，首先将金属氧化物颗粒上的表面吸附的水除去。作为除去表面吸附的水的方法，除了与干法类似的加热干燥方法之外，还可以进行通过在表面处理用的溶剂中进行搅拌和加热来进行除去的方法，以及通过与溶剂共沸来进行除去的方法。接着，在溶剂中搅拌金属氧化物颗粒，并且通过使用超声波、砂磨机、磨碎机或球磨机等将金属氧化物颗粒分散。将偶联剂溶液添加到其中，并进行搅拌或分散。然后，将溶剂除去，由此均匀地进行处理。在将溶剂除去之后，还可以在100℃或更高的温度下进行焙烧。在可以获得希望的电子照相特性的温度下，焙烧可以进行任意时间。

表面处理剂相对于金属氧化物颗粒的量可以是能够获得所希望的电子照相特性的量。电子照相特性受经表面处理后附着在金属氧化物颗粒上的表面处理剂的量的影响。在硅烷偶联剂的情况下，附着的量由通过荧光X-射线光谱法测得(由硅烷偶联剂所引起)的硅强度，和金属氧化物中使用的主要金属元素的强度来获得。由荧光X-射线光谱法测得的硅强度可以优选是在金属氧化物中使用的主要金属元素的强度的1.0×10^-5至1.0×10^-3倍的范围内。如果其低于这个范围，则常常出现诸如雾化等图像缺陷。如果其超过这个范围，则常常因残余电位的升高而导致浓度的降低。

在分散型底涂层涂布剂中包含的粘合剂树脂包括：已知的高分子树脂化合物，如缩醛树脂(例如聚乙烯醇缩丁醛)、聚乙烯醇树脂、酪蛋白、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、硅酮树脂、硅酮-醇酸树脂、酚树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂和氨基甲酸酯树脂；具有电荷传输性基团的电荷传输性树脂；和诸如聚苯胺等导电性树脂。

在这些树脂中，优选使用在底涂层上形成的层的涂布溶剂中不溶的树脂。具体地说，优选使用酚树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、氨基甲酸酯树脂、环氧树脂等。在分散型底涂层形成涂布液中金属氧化物颗粒与粘合剂树脂之间的比率可以在能够获得所希望的感光体特性的范围中任意设定。

将通过上述方法已表面处理的金属氧化物颗粒分散到粘合剂树脂中的方法包括：使用诸如球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机或卧式砂磨机等介质分散器的方法，或使用诸如搅拌器、超声波分散器、辊磨机或高压均化器等无介质分散器的方法。此外，高压均化器包括在高压下通过液-液碰撞或液-壁碰撞来分散液体的碰撞法，以及在高压下通过使液体穿过微小流道来分散液体的穿透法。

类似于使用上述底涂层涂布剂而形成底涂层的方法，可以进行由该分散型底涂层涂布剂形成底涂层的方法。

感光层：电荷传输层

下面按照电荷传输层和电荷产生层的顺序，分别对感光层进行描述。

用于电荷传输层的电荷传输性材料的实例如下。即，可以使用空穴传输性材料，例如：噁二唑类，如2，5-二(对二乙氨基苯基)-1，3，4-噁二唑；吡唑啉类，如1，3，5-三苯基-吡唑啉、1-[吡啶基-(2)]-3-(对二乙氨基苯乙烯基)-5-(对二乙氨基苯乙烯基)吡唑啉；芳香族叔胺化合物，如三苯胺、三(对甲基)苯胺、N，N-二(3，4-二甲基苯基)联苯基-4-胺、二苄基苯胺和9，9-二甲基-N，N-二(对甲苯基)芴酮-2-胺；芳香族叔二胺化合物，如N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-[1，1-联苯基]-4，4’-二胺；1，2，4-三嗪类，如3-(4’-二甲氨基苯基)-5，6-二-(4’-甲氧基苯基)-1，2，4-三嗪；腙类，如4-二乙氨基苯甲醛-1，1-二苯基腙、4-二苯基氨基苯甲醛-1，1-二苯基腙、[对(二乙氨基)苯基](1-萘基)苯基腙、1-芘二苯基腙、9-乙基-3-[(2-甲基-1-二氢吲哚基亚氨基)甲基]咔唑、4-(2-甲基-1-二氢吲哚基亚氨基甲基)三苯胺、9-甲基-3-咔唑二苯基腙、1，1-二-(4，4’-甲氧基苯基)丙烯醛二苯基腙和β，β-二(甲氧基苯基)乙烯基二苯基腙；喹唑啉类，如2-苯基-4-苯乙烯基-喹唑啉；苯并呋喃类，如6-羟基-2，3-二(对甲氧基苯基)-苯并呋喃；α-茋类，如对(2，2-二苯基乙烯基)-N，N-二苯基苯胺；烯胺类；咔唑类，如N-乙基咔唑；聚-N-乙烯基咔唑及其衍生物。作为另一种选择，还包括主链或侧链上具有含上述化合物的基团的聚合物。这些电荷传输性材料可以单独使用，也可以多种组合使用。

作为用于电荷传输层的粘合剂树脂，可以使用任何粘合剂树脂。但是，具体地说，粘合剂树脂优选与电荷传输性材料相容，并具有适当的强度。

该粘合剂树脂的实例包括：双酚A、双酚Z、双酚C和双酚TP的各种聚碳酸酯树脂及其共聚物；聚芳酯树脂及其共聚物；聚酯树脂；甲基丙烯酸树脂；丙烯酸树脂；聚氯乙烯树脂；聚偏二氯乙烯树脂；聚苯乙烯树脂；聚乙酸乙烯酯树脂；苯乙烯-丁二烯共聚物树脂；氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂；氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐共聚物树脂；硅酮树脂；硅酮-醇酸树脂；酚醛树脂；苯乙烯-丙烯酸共聚物树脂、苯乙烯-醇酸树脂；聚-N-乙烯基咔唑树脂；聚乙烯醇缩丁醛树脂；聚苯醚树脂。这些树脂可以单独使用，也可以多种混合使用。

根据诸如感光层的厚度、溶剂等的成膜条件来适当选择用于电荷传输层的粘合剂树脂的分子量。但是，通常优选的是，粘均分子量是在3000到300×10³的范围内，更优选是在20×10³到200×10³的范围内。

通过涂布和干燥具有溶解在适当溶剂中的电荷传输性材料和粘合剂树脂的溶液可以形成电荷传输层。用于形成电荷传输层形成涂布液的溶剂的实例包括：芳香烃，如苯、甲苯和氯苯；酮，如丙酮和2-丁酮；卤代脂肪烃，如二氯甲烷、氯仿和氯乙烯；环状或直链醚，如四氢呋喃、二噁烷、乙二醇和乙醚；和它们的混合溶剂。电荷传输性材料与粘合剂树脂的混合比例可以在10∶1和1∶5的范围内。此外，一般来说，电荷传输层的厚度优选是在5μm到50μm的范围内，更优选是在10μm到40μm的范围内。

电荷传输层和/或后面描述的电荷产生层可以包含诸如抗氧化剂、光稳定剂和热稳定剂等添加剂，以防止感光体由于成像装置中产生的臭氧或氧化性气体、光或热而导致的劣化。

抗氧化剂包括：受阻酚、受阻胺、对苯二胺、芳基烷烃、对苯二酚、螺色满、螺茚酮(spiroindanone)或它们的衍生物、有机硫化合物和有机磷化合物。

抗氧化剂的化合物的具体实例包括：酚类抗氧化剂，如2，6-二叔丁基-4-甲酚、苯乙烯化苯酚、正十八烷基-3-(3’，5’-二叔丁基-4’-羟基苯基)-丙酸酯、2，2’-亚甲基-二(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、2-叔丁基-6-(3’-叔丁基-5’-甲基-2’-羟基苯甲基)-4-甲基苯基丙烯酸酯、4，4’-丁叉基-二(3-甲基-6-叔丁基-苯酚)、4，4’-硫代-二(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、1，3，5-三(4-叔丁基-3-羟基-2，6-二甲基苯甲基)异氰脲酸酯、四-[亚甲基-3-(3’，5’-二叔丁基-4’-羟基-苯基)丙酸酯]-甲烷、3，9-二[2-[3-(3-叔丁基-4-羟基-5-甲基苯基)丙酰氧基]-1，1-二甲基乙基]-2，4，8，10-四氧螺[5，5]十一烷和3-(3’，5’-二叔丁基-4’-羟基苯基)硬脂基丙酸酯。

受阻胺化合物包括二(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、二(1，2，2，6，6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、1-[2-[3-(3，5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酰氧基]乙基]-4-[3-(3，5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酰氧基]-2，2，6，6-四甲基哌啶、8-苯甲基-7，7，9，9-四甲基-3-辛基-1，3，8-三氮杂螺[4，5]十一烷-2，4-二酮、4-苯甲酰氧基-2，2，6，6-四甲基哌啶、琥珀酸二甲酯-1-(2-羟基乙基)-4-羟基-2，2，6，6-四甲基哌啶缩聚物、聚[{6-(1，1，3，3-四甲基丁基)亚氨基-1，3，5-三嗪-2，4-二基}{(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)亚氨基}六亚甲基{(2，3，6，6-四甲基-4-哌啶基)亚氨基}]、2-(3，5-二叔丁基-4-羟基苯甲基)-2-正丁基二丙二酸二(1，2，2，6，6-五甲基-4-哌啶基)和N，N’-二(3-氨基丙基)乙二胺-2，4-二[N-丁基-N-(1，2，2，6，6-五甲基-4-哌啶基)氨基]-6-氯-1，3，5-三嗪缩合物。

有机硫抗氧化剂包括：3，3’-硫代二丙酸二月桂基酯、3，3’-硫代二丙酸二肉豆蔻基酯、3，3’-硫代二丙酸二硬脂基酯、季戊四醇-四-(β-月桂基-硫代丙酸酯)、3，3’-硫代二丙酸二(十三烷基)酯和2-巯基苯并咪唑。

有机磷抗氧化剂包括三壬基苯基磷酸酯、磷酸三苯酯和三(2，4-二叔丁基苯基)-磷酸酯。

将有机硫抗氧化剂和有机磷抗氧化剂称为辅助抗氧化剂，通过与诸如酚类或胺类等主抗氧化剂一起使用，可以协同地增强抗氧化效果。

光稳定剂包括例如二苯甲酮、苯并三唑、二硫代氨基甲酸盐和四甲基哌啶等的衍生物。

二苯甲酮类光稳定剂包括2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羟基-4-辛氧基二苯甲酮、2，2’-二羟基-4-甲氧基二苯甲酮。

苯并三唑光稳定剂包括2-(-2’-羟基-5’-甲基苯基)-苯并三唑、2-[2’-羟基-3’-(3”，4”，5”，6”-四氢化邻苯二甲酰亚胺-甲基)-5’-甲基苯基]-苯并三唑、2-(-2’-羟基-3’-叔丁基-5’-甲基苯基-)-5-氯代苯并三唑、2-(2’-羟基-3’-叔丁基-5’-甲基苯基)-5-氯代苯并三唑、2-(2’-羟基-3’，5’-叔丁基苯基)-苯并三唑、2-(2’-羟基-5’-叔辛基苯基)-苯并三唑和2-(2’-羟基-3’，5’-二叔戊基苯基)-苯并三唑。

其它光稳定剂包括2，4-二叔丁基苯基-3’，5’-二叔丁基-4’-羟基苯甲酸酯和二丁基-二硫代氨基甲酸镍。

通过涂布和干燥具有溶解在适当溶剂中的电荷传输性材料和粘合剂树脂的溶液可以形成电荷传输层。用于调节电荷传输层形成涂布液的溶剂的实例包括：芳香烃，如苯、甲苯和氯苯；酮，如丙酮和2-丁酮；卤代脂肪烃，如二氯甲烷、氯仿和氯乙烯；环状或直链醚，如四氢呋喃、二噁烷、乙二醇和乙醚；和它们的混合溶剂。

另外，电荷传输层形成涂布液可以添加有少量的硅油，作为用于改善由涂布形成的涂布膜的光滑度的均化剂。

电荷传输性材料与粘合剂树脂的混合比例可以在以重量计为10∶1至1∶5的范围内。此外，一般来说，电荷传输层的厚度优选是在5μm到50μm的范围内，更优选是在10μm到30μm的范围内。

根据感光体的形状和用途，通过使用诸如浸涂法、环涂法、喷涂法、涂边(bead coating)法、刮板涂布法、辊涂法、刮刀涂布法或幕涂法等方法可以进行电荷传输层形成涂布液的涂布。优选的是，在触摸干燥后在室温下进行加热和干燥。可以在30℃至200℃的温度范围内加热和干燥5分钟至2小时。

感光层：电荷产生层

通过用真空沉积法来沉积电荷产生性材料或涂布包含有机溶剂和粘合剂树脂的溶液而形成电荷产生层。

关于电荷产生性材料，可以使用：非晶质硒、结晶性硒、硒-碲合金、硒-砷合金和其它硒化合物；无机光电导体，如硒合金、氧化锌和氧化钛；或其染料增感材料；各种酞菁化合物，如无金属酞菁、钛氧基酞菁、铜酞菁、锡酞菁和镓酞菁；各种有机颜料，如方酸类(squarylium)、蒽嵌蒽醌类、二萘嵌苯类、偶氮类、蒽醌类、芘类、吡喃鎓盐和噻喃鎓盐；或染料。

另外，这些有机颜料一般具有多种晶型。具体地说，对于酞菁化合物，已知诸如α型和β形等各种晶型。只要颜料能够提供根据用途的感光度或其他特性，可以使用任何这些晶型。

在上述电荷产生性材料中，优选的是酞菁化合物。在该情况下，如果光照射在感光层上，则包含在感光层中的酞菁化合物吸收光子并产生载流子。此时，由于酞菁化合物具有高量子效率，所以可以有效地吸收被吸收的光子以产生载流子。

此外，在酞菁化合物中，更优选的是下面(1)至(3)中所示的酞菁。即：

(1)作为电荷产生性材料的羟基镓酞菁，其晶型在使用CuKα射线的X射线衍射光谱中至少在布拉格角(2θ±0.2°)为7.6°、10.0°、25.2°和28.0°处具有衍射峰。

(2)作为电荷产生性材料的氯镓酞菁，其晶型在使用CuKα射线的X射线衍射光谱中至少在布拉格角(2θ±0.2°)为7.3°、16.5°、25.4°和28.1°处具有衍射峰。

(3)作为电荷产生性材料的钛氧基酞菁，其晶型在使用CuKα射线的X射线衍射光谱中至少在布拉格角(2θ±0.2°)为9.5°、24.2°和27.3°处具有衍射峰。

这些酞菁化合物不仅具有特别高的感光度，而且具有高的感光度稳定性。因此，具有包含这些酞菁化合物的感光层的感光体适于作为需要高速成像和重复再现性的彩色成像装置的感光体。

由于晶型和测量方法，这些峰的强度和位置可以稍微偏离这些值。但是，只要X-射线衍射图案基本匹配，就可以判断为相同的晶型。

用于电荷产生层的该粘合剂树脂的实例包括如下。即，诸如双酚A型或双酚Z型等聚碳酸酯树脂及其共聚物；聚芳酯树脂；聚酯树脂；甲基丙烯酸树脂；丙烯酸树脂；聚氯乙烯树脂；聚苯乙烯树脂；聚乙酸乙烯酯树脂；苯乙烯-丁二烯共聚物树脂；偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物树脂；氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐共聚物树脂；硅酮树脂；硅酮-醇酸树脂；酚醛树脂；苯乙烯-醇酸树脂；和聚-N-乙烯基咔唑。

可以单独地使用这些粘合剂树脂，或以其多种类型组合的方式来使用这些树脂。电荷传输性材料与粘合剂树脂的混合比例优选以重量计在10∶1和1∶10的范围内。此外，一般来说，电荷传输层的厚度优选在0.01μm到5μm的范围内，更优选地是在0.05μm到2.0μm的范围内。

此外，电荷产生层可以包含至少一种类型的受电子性物质，以改善感光度，降低残余电位和降低重复使用时的疲劳。用于电荷产生层的受电子性物质的实例包括琥珀酸酐、马来酸酐、二溴马来酸酐、邻苯二甲酸酐、四溴邻苯二甲酸酐、四氰基乙烯、四氰基对苯醌二甲烷、邻二硝基苯、间二硝基苯、氯醌、二硝基蒽醌、三硝基芴酮、苦味酸、邻硝基苯甲酸、对硝基苯甲酸和邻苯二甲酸。在这些材料中，特别优选的是芴酮类、醌类和具有如Cl、CN或NO₂等吸电子取代基的苯衍生物。

作为将电荷产生性材料分散到树脂中的方法，可以使用诸如辊磨机、球磨机、振动球磨机、磨碎机、珠磨机(dinomill)、砂磨机和胶体磨等方法。

用于形成电荷产生层的涂布液的溶剂包括公知的有机溶剂，例如：芳香烃类溶剂，如甲苯和氯苯；脂肪醇类溶剂，如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇和正丁醇；酮类溶剂，如丙酮、环己酮和2-丁酮；卤代脂肪烃溶剂，如二氯甲烷、氯仿和氯乙烯；环状或直链醚类溶剂，如四氢呋喃、二噁烷、乙二醇、乙醚；和酯类溶剂，如乙酸甲酯、乙酸乙酯和乙酸正丁酯。

可以单独使用这些溶剂或作为多种类型的混合物而使用。如果将多种类型的溶剂混合，只要作为混合溶剂可以将粘合剂树脂溶解在其中，则可以使用任何溶剂。但是，如果感光层具有这样的层结构：按照电荷传输层和电荷产生层的顺序从导电性基材侧起形成电荷传输层和电荷产生层，则当使用易于溶解较下层的例如浸涂法等涂布方法形成电荷产生层时，希望使用不溶解诸如电荷传输层等较下层的溶剂。此外，当使用相对较少侵蚀较下层的喷涂法或环涂法形成电荷产生层时，可以广泛地选择溶剂。

中间层

关于中间层，例如当用充电装置对感光体表面充电时，为了防止无法通过从感光体表面向作为相对电极的感光体的导电性基材注入充电电荷而获得充电电位的情形，如有需要可以在表面保护层与电荷产生层之间形成电荷注入阻止层。

关于电荷注入阻止层的材料，可以使用上述硅烷偶联剂、钛偶联剂、有机锆化合物和有机钛化合物、其他有机金属化合物和诸如聚酯和聚乙烯醇缩丁醛等广泛使用的树脂。通过考虑成膜性质和载流子阻挡性质而适当地将电荷注入阻止层的厚度设定在约0.001μm到5μm的范围内。

(处理盒和成像装置)

下面描述使用了本发明的示例性实施方式的感光体的处理盒和成像装置。

只要使用了本发明的示例性实施方式的感光体，则不特别限制本发明的示例性实施方式的处理盒。但是，具体地说，它可以是一体地具有本发明的示例性实施方式的感光体和选自充电装置、显影装置和清洁装置中的任意一个的处理盒，并可以从成像装置主体上拆卸。

此外，只要使用了本发明的示例性实施方式的感光体，则不特别限制本发明的示例性实施方式的成像装置。但是，具体地说，它可以包括本发明的示例性实施方式的感光体、对该感光体表面进行充电的充电装置、对由充电装置充电的感光体表面进行曝光以形成静电潜像的曝光装置(静电潜像形成装置)、通过包含调色剂的显影剂对静电潜像进行显影以形成调色剂图像的显影装置、和将调色剂图像转印到记录介质上的转印装置。本发明的示例性实施方式的成像装置可以是具有对应于各种颜色的调色剂的多个感光体的所谓的串联式装置。在该情况下，所有的感光体都可以是本发明的示例性实施方式的感光体。此外，通过使用中间转印体的中间转印法可以转印调色剂图像。

图6是本发明的处理盒的一个优选实施方式的基本结构的示意图。处理盒100的结构如下：充电装置108、显影装置111、清洁装置113、用于曝光的开口105、以及除电单元114与电子照相感光体107安装在一起，并且通过利用外壳101和安装轨103将上述装置组合而合并为一体。该处理盒100相对于由转印装置112、定影装置115和未示出的其他部件组成的成像装置本体是可拆卸的，并与电子照相装置本体一起构成成像装置。

图7是本发明的成像装置的一个实施方式的基本结构的示意图。图7所示的成像装置200设置有电子照相感光体207、和用于以接触方式对电子照相感光体207进行充电的充电装置208、连接到充电装置208的电源209、用于对利用充电装置208来充电的电子照相感光体进行曝光的曝光装置210、用于对利用曝光单元214来曝光的部分进行显影的显影装置211、用于对利用显影装置211而在电子照相感光体207上显影的图像进行转印的转印装置212、清洁装置213、除电单元214和定影装置215。

不特别限制本发明的示例性实施方式的处理盒的清洁装置和成像装置的感光体的清洁装置。但是，清洁装置优选是清洁刮刀。与其它清洁装置相比，清洁刮刀经常损害感光体表面并加速磨损。但是，由于本发明的示例性实施方式的处理盒和本发明的示例性实施方式的成像装置使用本发明的示例性实施方式的感光体作为感光体，即使是长时间使用也可以抑制对感光体表面的损害和磨损。

实施例

下面将以实施例的方式具体地解释本发明，但是本发明不限于这些实施例。在实施例和对比例中，以“sccm”表示的流量代表在0℃和1atm(大气压，1,013hPa)下的流量。

<实施例1>

首先，在下述的过程中，制造在铝基材上依次层叠有底涂层、电荷产生层和电荷传输层的有机感光体。

底涂层的形成

将通过搅拌和混合20重量份锆化合物(商品名：ORGATICS ZC540，由Matsumoto Chemical Industry Co.，Ltd.制造)、2.5重量份硅烷化合物(商品名：A1100，由Nippon Unicar Company Limited制造)、10重量份聚乙烯醇缩丁醛树脂(商品名：S-LEC BM-S，由积水化学社制造)以及45重量份丁醇而获得的溶液涂布在外径为84 mm的铝基材的表面上，并在150℃的温度下加热并干燥10分钟，由此形成厚度为1.0μm的底涂层。

电荷产生层的形成

接着，将通过混合1重量份作为电荷产生性材料的氯镓酞菁、1重量份聚乙烯醇缩丁醛(商品名：S-LEC BM-S，由积水化学社制造)和100重量份乙酸正丁酯而获得的混合物通过涂料振荡器(paint shaker)利用玻璃珠分散1小时，获得电荷产生层形成分散液。

通过浸涂法将该分散液涂布在底涂层上，然后在100℃干燥10分钟，以形成厚度为0.15μm的电荷产生层。

电荷传输层的形成

接着，将2重量份由以下结构式(1)表示的化合物和3重量份由以下结构式(2)表示的高分子化合物(粘均分子量：39000)溶解在20重量份的氯苯中，获得电荷传输层形成涂布液。

                结构式(1)

                结构式(2)

通过浸涂法将该涂布液涂布在电荷产生层上，然后在110℃加热40分钟，以形成厚度为20μm的电荷传输层。通过这样做，可以获得在铝基材上依次层叠底涂层、电荷产生层和电荷传输层的有机感光体(以下也称为“未涂布感光体”)。

表面层的形成

使用具有图4中所示的结构的成膜装置在未涂布感光体的表面上形成表面层。

首先，将未涂布感光体置于成膜装置的成膜室10中的基体固定器13上，通过排气口11将成膜室10抽空到大约0.1Pa的压力。然后，将通过按照100∶300∶0.5的比例混合氮气、氦气和氧气而获得的气体通过进气口20以400sccm导入高频放电管部21中，在高频放电管部21中设置有直径为50mm的电极19，通过高频供电部18和匹配电路(图4A和4B中未示出)以100W的输出设置13.56mHz的无线电波，利用调谐器来进行匹配，由电极19进行放电。此时，反射波是0W。

接着，将使用氢气作为载气在101kPa在0℃进行调节的包含三甲基镓气体的混合气体经由气体导入部15在2.5sccm的三甲基镓混合气体的流速下通过喷嘴16而引入到成膜室10中的等离子体扩散部17中。此时，利用Baratron真空计(由MKS Instrument，Inc制造)测量的成膜室10中的反应压力是40Pa。

在该状态下，成膜60分钟，同时以1rpm(转数/分)的速度旋转未涂布感光体，以形成厚度为0.15μm的GaO膜，从而获得在电荷传输层的表面上设置有表面层的有机感光体。在成膜时，不对未涂布感光体进行热处理。并且，在成膜后，确认在与成膜相同的条件下预先另外贴附在未涂布感光体表面上的热变色带(TEMP-PLATE P/N101，由Wahl制造)的颜色，发现是40℃。

表面层的分析和评价

当测量与在未涂布感光体的表面上形成膜的同时在硅基材上形成的膜的红外吸收光谱时，如图8所示，确认由于Ga-O键、N-H键和C-H键导致的峰。由此可以发现，该表面层包含镓、氮、氧、氢和碳。并且，N-H键、C-H键和Ga-H键各自的吸收峰强度相对于Ga-O键的吸收峰强度的比分别是0.03、0.03和0.005，Ga-O键的吸收峰的半峰全宽是250cm^-1。

在由RHEED(反射高能电子衍射)测量而获得的衍射图像中，在晕轮图案中观察到模糊的环，这表示膜是微晶非晶质膜。并且，即使在成膜之后立即将在硅基材上形成的膜浸入水中时，也没有留下痕迹。

表面性质

硬度

当将大小为5×10mm的一片硅晶体轻轻地压在形成在上述组成分析中所使用的硅晶体基材上的大约10×10mm的样品膜上并摩擦时，基于下面的标准通过目测观察膜表面上出现的划痕的程度来评价硬度。

A：没有出现划痕。

B：当改变摩擦后观察膜表面的角度时，观察到划痕状摩擦痕迹，但它处于实际上不会有问题的水平。

C：在膜表面上观察到容易目测确认的划痕。

光滑度

当对进行打印测试之前的感光体表面利用清洁棉纸(tissue)(商品名：Bemcot，由Asahi Kasei Fibers Corporation制造)进行摩擦时，通过感官评价滑动程度来确定光滑度。评价标准如下：

A：在Bemcot与感光体表面之间没有粗糙的感觉，光滑度很好。

B：在Bemcot与感光体表面之间存在轻微粗糙的感觉，则光滑度基本良好。

C：在Bemcot与感光体表面之间存在粗糙的感觉，并且Bemcot在一些情况下会撕破。

初期耐湿性

通过在成膜后立即将形成在硅基材上的样品膜浸入纯水中10秒种，然后取出，目测观察膜的表面状态，以评价初期耐湿性。评价标准如下：

A：在浸入纯水中之前和之后在膜的表面上没有观察到变化。

B：在一些情况下在浸入纯水中之前和之后在膜的表面上观察到轻微变化，但它处于难以与水垢区分的水平。

C：在浸入纯水中之前和之后在膜的表面上观察到变化，并且观察到浸入后的膜表面的溶解痕迹。

接触角

使用接触角度测量装置CA-X辊型(由协和界面科学社制造)通过向形成在硅基材上的样品膜滴加纯水，使其在23℃和55％RH的环境中放置24小时后测量接触角。在不同的位置重复测量接触角三次，使用其平均值作为接触角。

(评价)

接着，将评价设置有表面层的该有机感光体的电子照相性质。首先，将形成表面层之前的未涂布感光体和设置有表面层的感光体用光(光源：半导体激光器，波长780nm，输出5mW)照射以进行曝光，同时以40rpm来旋转感光体的表面，并在利用Scorotron充电器在-700V对表面进行负充电的状态下扫描感光体的表面，然后测量表面上的残余电位。结果发现：未涂布感光体的电位为-20V，而设置有表面层的有机感光体的电位为-25V或更低，其温度和湿度依赖性更低，并且其水平(level)更好。

另外，针对从红外区域到全部可见光区域范围内的光源波长来评价对感光度的影响，在未涂布感光体和设置有表面层的感光体之间观察到很小的差别，由此，可以发现没有因设置表面层而降低了感光度。

另外，在设置有表面层的感光体的表面上进行剥离所施加的压敏带的剥离测试，表面层根本未剥离，从而发现附着性良好。

接着，将该设置有表面层的感光体装载到富士施乐株式会社制造的DocuCentre Color 500中，在高温和高湿环境(28℃，80％RH)下进行连续20000张的打印测试以进行下面的评价。作为进行图像品质评价的参考，将未涂布感光体装载到DocuCentre Color 500中，并形成相同的图像。

像模糊

为了评价图像模糊，在20000张打印测试之后，只用水擦感光体表面的一部分，以将水溶性的放电产物除去。

然后，打印半色调图像(图像浓度30％)，确定对应于感光体表面上的水擦部分与非水擦部分之间的浓度差在半色调图像中是否可以目测确认，当一眼可以容易地确认浓度差时，则确定产生了图像模糊。

划痕

目测观察打印测试后的感光体表面，检查表面上是否存在划痕。在表1中总结了上述结果。

如表1所示，在打印测试初始阶段和打印测试完成之后，在与使用未涂布感光体在打印测试开始阶段形成的图像同样鲜明的在网点部中未出现图像模糊的图像中均获得了10线/毫米的分辨率。另外，当目测观察打印测试之后的感光体表面时，没有出现划痕，根据膜厚度测量的磨损是0μm。相反，在未涂布感光体中在打印测试之后在感光体表面上产生了划痕，磨损是0.3μm。

<实施例2>

根据与实施例1相同的方式获得感光体(2)，不同之处在于，在制造实施例1的电子照相感光体时，通过将经由进气口20引入的氮气、氦气和氧气的混合气体的量变为大约200sccm(氮气100sccm、氦气100sccm和氧气1sccm)而形成表面层。

另外，根据相同的方式进行评价，不同之处在于，在实施例1的评价中，使用感光体(2)来代替感光体(1)。图9中显示了感光体(2)的表面层的红外吸收光谱。

在表1中显示了包括对表面层的分析的结果。

<实施例3>

根据与实施例1相同的方式获得感光体(3)，不同之处在于，在制造实施例1的电子照相感光体时，通过将经由进气口20引入的混合气体变为氮气、氦气、氢气和氧气的混合气体，并将其引入量变为大约450sccm(氮气100sccm、氦气150sccm、氢气200sccm和氧气0.1sccm)而形成表面层。

另外，根据相同的方式进行评价，不同之处在于，在实施例1的评价中，使用感光体(3)来代替感光体(1)。图10中显示了感光体(3)的表面层的红外吸收光谱。

在表1中显示了包括对表面层的分析的结果。

<实施例4>

根据与实施例1相同的方式获得感光体(4)，不同之处在于，在制造实施例1的电子照相感光体时，通过将经由进气口20引入的混合气体变为氮气、氦气、氢气和氧气的混合气体，并将其引入量变为大约400sccm(氮气50sccm、氦气150sccm、氢气200sccm和氧气0.2sccm)而形成表面层。

另外，根据相同的方式进行评价，不同之处在于，在实施例1的评价中，使用感光体(4)来代替感光体(1)。

在表1中显示了包括对表面层的分析的结果。

<实施例5>

根据与实施例1相同的方式获得感光体(5)，不同之处在于，在制造实施例1的电子照相感光体时，通过将经由进气口20引入的混合气体变为氮气、氦气、氢气和氧气的混合气体，并将其引入量变为大约350sccm(氮气100sccm、氦气150sccm、氢气100sccm和氧气2sccm)而形成表面层。

另外，根据相同的方式进行评价，不同之处在于，在实施例1的评价中，使用感光体(5)来代替感光体(1)。

在表1中显示了包括对表面层的分析的结果。

<实施例6>

根据与实施例1相同的方式获得感光体(6)，不同之处在于，在制造实施例1的电子照相感光体时，通过将经由进气口20引入的混合气体变为氮气、氦气、氢气和氧气的混合气体，并将其引入量变为大约750sccm(氮气50sccm、氦气100sccm、氢气600sccm和氧气0.05sccm)而形成表面层。

另外，根据相同的方式进行评价，不同之处在于，在实施例1的评价中，使用感光体(6)来代替感光体(1)。图11中显示了感光体(6)的表面层的红外吸收光谱。

在表1中显示了包括对表面层的分析的结果。

<实施例7>

根据与实施例1相同的方式获得感光体(7)，不同之处在于，在制造实施例1的电子照相感光体时，通过将经由进气口20引入的混合气体变为氮气、氦气和氧气的混合气体，并将其引入量变为大约600sccm(氮气100sccm、氢气500sccm和氧气0.05sccm)，并使用三甲基铝气体代替三甲基镓气体而形成表面层。

另外，根据相同的方式进行评价，不同之处在于，在实施例1的评价中，使用感光体(7)来代替感光体(1)。

在表1中显示了包括对表面层的分析的结果。

<实施例8>

将由厚度为3mm的铝构成的圆筒形基材安装在用于圆筒形基材的等离子体CVD装置中，依次层叠由n型SiN_0.5构成的膜厚度为3μm的电荷注入阻止层、膜厚度为20μm的i型非晶质硅感光层和由p型Si₂C构成的膜厚度为0.5μm的电荷注入俘获表面层，以获得负充电型非晶质硅感光体。使用具有与图4中所示的实施例1的结构相同的结构的装置，在与实施例1相同的条件下在该表面上形成表面层，以获得具有表面层的非晶质硅感光体(8)。

另外，根据相同的方式进行评价，不同之处在于，在实施例1的评价中，使用感光体(8)来代替感光体(1)，并将表面电位设置在-400V以调节曝光量。

在表1中显示了包括对表面层的分析的结果。

<实施例9>

在实施例1的电子照相感光体的制造中，在形成表面层之前，在与实施例3相同的条件下制备厚度为0.1μm的GaON:H膜作为中间层。

然后，在与实施例5相同的条件下制备厚度为0.1μm的GaNO:H膜，以获得感光体(9)。

另外，根据相同的方式进行评价，不同之处在于，在实施例8的评价中，使用感光体(9)来代替感光体(8)。

在表1中显示了包括对表面层的分析的结果。

<对比例1>

根据与实施例1相同的方式获得感光体(10)，不同之处在于，在制造实施例1的电子照相感光体时，通过将经由进气口20引入的混合气体变为氮气、氢气和氧气的混合气体，并且将其引入量变为大约700sccm(氮气500sccm、氢气200sccm和氧气0.05sccm)而形成表面层。

另外，根据相同的方式进行评价，不同之处在于，在实施例1的评价中，使用感光体(10)来代替感光体(1)。图12中显示了感光体(10)的表面层的红外吸收光谱。

在表1中显示了包括对表面层的分析的结果。

<对比例2>

根据与实施例1相同的方式获得感光体(11)，不同之处在于，在制造实施例1的电子照相感光体时，通过将经由进气口20引入的混合气体变为氮气、氢气和氧气的混合气体，并且将其引入量变为大约600sccm(氮气100sccm、氢气500sccm和氧气0.5sccm)，并使用三甲基铝气体代替三甲基镓气体而形成表面层。

另外，根据相同的方式进行评价，不同之处在于，在实施例1的评价中，使用感光体(11)来代替感光体(1)。图13中显示了感光体(11)的表面层的红外吸收光谱。

在表1中显示了包括对表面层的分析的结果。

如表1所示，在具有0.1或更小的IR光谱吸收强度比的实施例的感光体中，与吸收强度比超过0.1的对比例的感光体相比，即使在高温高湿度气氛中进行重复打印输出，也不会产生诸如图像模糊等图像品质的下降。

在本说明书中所提及的所有公报、专利申请和技术标准在此以参考的方式引入，并达到与将各单独的公报、专利申请或技术标准具体地、个别地指出并以参考的方式引入相同的程度。

Claims (16)

1.一种电子照相感光体，该电子照相感光体包含依次层叠在导电性基材上的感光层和表面层，所述表面层包含第13族元素和氧，并且在4000cm^-1到400cm^-1的范围内的红外吸收光谱中，表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.1倍或更低，当所述表面层包含碳时，碳含量是15原子％或更少。

2.如权利要求1所述的电子照相感光体，其中表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.08倍或更低。

3.如权利要求1所述的电子照相感光体，其中表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.05倍或更低。

4.如权利要求1所述的电子照相感光体，其中所述表面层中包含的所述第13族元素是镓或铝。

5.如权利要求1所述的电子照相感光体，其中所述表面层包含氢。

6.如权利要求1所述的电子照相感光体，其中所述表面层包含大于15原子％的量的氧。

7.如权利要求1所述的电子照相感光体，其中所述表面层包含28原子％以上的量的氧。

8.如权利要求1所述的电子照相感光体，其中所述感光层包含有机材料。

9.如权利要求1所述的电子照相感光体，其中所述感光层包含非晶质硅。

10.如权利要求1所述的电子照相感光体，其中将中间层设置在所述感光层和所述表面层之间。

11.一种处理盒，该处理盒一体地包括：

电子照相感光体，所述电子照相感光体包含依次层叠在导电性基材上的感光层和表面层；和

选自充电装置、显影装置或清洁装置中的至少一种装置，

其中所述表面层包含第13族元素和氧，并且在4000cm^-1到400cm^-1的范围内的红外吸收光谱中，表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.1倍或更低，当所述表面层包含碳时，碳含量是15原子％或更少。

12.如权利要求11所述的处理盒，其中表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.08倍或更低。

13.如权利要求11所述的处理盒，其中表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.05倍或更低。

14.一种成像装置，该成像装置包括：

电子照相感光体，所述电子照相感光体包含依次层叠在导电性基材上的感光层和表面层；

充电装置，所述充电装置用于给所述电子照相感光体的表面充电；

静电潜像形成装置，所述静电潜像形成装置用于在经充电的所述电子照相感光体上形成静电潜像；

显影装置，所述显影装置用于使用包含调色剂的显影剂来对所述静电潜像进行显影以作为调色剂图像；

和转印装置，所述转印装置用于将所述调色剂图像转印到记录介质上，

所述表面层包含第13族元素和氧，并且在4000cm^-1到400cm^-1的范围内的红外吸收光谱中，表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.1倍或更低，当所述表面层包含碳时，碳含量是15原子％或更少。

15.如权利要求14所述的成像装置，其中表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.08倍或更低。

16.如权利要求14所述的成像装置，其中表示除了所述第13族元素与氧之间的键之外的键的吸收峰的强度是表示所述第13族元素与氧之间的键的吸收峰的强度的0.05倍或更低。

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