CN101145516A - 硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法 - Google Patents
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Assignee: NANJING GUOSHENG ELECTRONIC Co.,Ltd. Assignor: CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION NO.55 Research Institute Contract record no.: 2010320000060 Denomination of invention: Silicon base nitride single crystal thin film epitaxial growth method Granted publication date: 20090610 License type: Exclusive License Open date: 20080319 Record date: 20100220 |
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