CN102231414A - Led的形成方法 - Google Patents

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赵东晶
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Abstract

本发明提出了一种LED的形成方法，包括以下步骤：提供Si衬底；在Si衬底之上形成多个凸起结构，所述每两个凸起结构之间具有一定间隙；形成覆盖多个凸起结构的第一半导体薄层，且第一半导体薄层与所述多个凸起结构的顶部相连；和在所述第一半导体薄层之上形成有包括第一类型III-V族化合物材料层、发光层和第二类型III-V族化合物材料层的LED结构。通过多个凸起结构可以有效释放Si晶圆和氮化物系化合物半导体材料层之间的热失配应力，从而有利于形成大尺寸的外延片。

Description

LED的形成方法
技术领域
本发明涉及半导体设计及制造技术领域，特别涉及一种LED(发光二极管)的形成方法。
背景技术
随着绿色能源的不断进步，发光二极管(light emitting diode，LED)以其寿命长、发光效率高、体积小、坚固耐用、颜色丰富，被广泛应用于显示屏、背光源、特种照明等领域。LED的核心是LED外延片，其主要结构包括：衬底、缓冲层、N型半导体层、有源区发光层、电子阻挡层、P型半导体层。作为LED外延片核心的有源区发光层介于N型半导体层与P型半导体层之间，使P型半导体层和N型半导体层的界面构成的PN结。由于衬底和膜层不同的热膨胀系数，以及外延方法的制约，因此致使了在膜层生长后，会由于热失配而在膜层内会产生内应力，例如对于LED领域的Al2O3(蓝宝石)衬底来说，在Al2O3或SiC衬底生长的GaN外延片就会产生压应力。然而蓝宝石衬底非常昂贵，而且晶圆不易做大，因此导致目前的LED非常昂贵。由于Si材料便宜，工艺成熟，且有大直径晶圆，因此，目前出现了很多基于Si材料的应用，如光电、微波等应用需要用到不同的材料，如GaN等。
但是，Si和这些III-V族材料存在很大的晶格失配与热应力失配，晶格失配引起位错，热应力失配在较大外延厚度时会引起薄膜龟裂(Crack)，外延出来的薄膜质量不佳，因此限制了外延薄膜的厚度。因此如何基于Si衬底形成LED结构成为了亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一，特别是解决现有技术中难于基于Si衬底形成LED器件的缺陷。
本发明一方面提出了一种LED的形成方法，包括以下步骤：提供Si衬底；在所述Si衬底之上形成多个凸起结构，所述每两个凸起结构之间具有一定间隙；形成覆盖所述多个凸起结构的第一半导体薄层，且所述第一半导体薄层与所述多个凸起结构的顶部相连；和在所述第一半导体薄层之上形成有包括第一类型III-V族化合物材料层、发光层和第二类型III-V族化合物材料层的LED结构。
在本发明的一个实施例中，所述凸起结构从所述凸起结构的中部向顶部逐渐增大以使两个凸起结构顶部之间的间隙小于所述两个凸起结构中部之间的间隙。
在本发明的一个实施例中，所述凸起结构和所述第一半导体薄层包括SiyGe1-y。
在本发明的一个实施例中，所述凸起结构为多层结构，所述凸起结构的底层为Si，所述凸起结构的顶层为Si1-xCx、SiyGe1-y。
在本发明的一个实施例中，还包括：在所述Si晶圆和所述多个凸起结构之间形成多孔结构层；对形成所述多孔结构层的Si衬底进行退火以在所述多孔结构层顶面形成平整表面。
在本发明的一个实施例中，在形成多个凸起结构之前，还包括：对所述Si衬底进行阳极氧化以在所述Si衬底表面形成多孔层；对所述多孔层进行退火以使所述多孔层的顶面形成平面。
在本发明的一个实施例中，所述形成多个凸起结构具体包括：在所述Si晶圆之上形成第一半导体材料层；向所述第一半导体材料层之中注入Si或Ge离子以在所述第一半导体材料层之中形成离子注入层；和对所述第一半导体材料层进行选择性刻蚀以形成所述多个凸起结构。
在本发明的一个实施例中，还包括：通过所述多孔层将所述Si衬底与所述LED结构剥离。
在本发明的一个实施例中，还包括：在所述LED结构的两端形成垂直电极。
在本发明的一个实施例中，所述第一半导体层通过对所述多个凸起结构退火形成，所述退火温度为800-1350度，且在退火时气氛中含有氢气。
在本发明的一个实施例中，在退火时还通入SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3中的一种或多种。
在本发明的一个实施例中，所述第一半导体层通过外延形成。
在本发明的一个实施例中，还包括：在所述第一半导体薄层和所述第一类型III-V族化合物材料层之间形成过渡层。
在本发明的一个实施例中，还包括：在所述第一半导体薄层和所述第一类型III-V族化合物材料层之间形成布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector)层。本发明实施例具有如下优点：
1、通过多个凸起结构可以有效释放Si晶圆和氮化物系化合物半导体材料层之间的热失配应力，从而有利于形成大尺寸的外延片。
2、由于退火形成的第一半导体薄层与氮化物系化合物半导体材料层之间易形成良好的晶格匹配，因此两者之间有非常好的界面态，从而保证了氮化物系化合物半导体材料层的生长质量，因此在本发明实施例中可以仅需要很薄的过渡层，甚至不需要过渡层。由于减小了过渡层的厚度，并且第一半导体薄层也非常薄，因此非常有利于LED的散热，并有助于LED制造成本的降低。
3、通过本发明实施例的多孔层能够将Si衬底剥离，从而形成垂直结构的LED器件，以增大LED的发光效率。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本发明实施例的LED的形成方法流程图；
图2-图5为本发明实施例形成LED的中间过程示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
如图1所示，为本发明实施例的LED的形成方法流程图。该方法包括以下步骤：
步骤S101，提供Si衬底1100。在本发明的一个优选实施例中，在Si衬底1100的(111)面生长。
步骤S102，对Si衬底1100进行阳极氧化以在Si衬底表面形成多孔层1400，如图2所示。通常多孔层1400有较大的孔隙率，从而利于剥离。
步骤S103，在多孔层1400之上形成多个凸起结构1200，如图3所示。其中，每两个凸起结构1200之间具有一定间隙。其中，如图3所示，凸起结构从凸起结构的中部向顶部逐渐增大以使两个凸起结构顶部之间的间隙小于两个凸起结构中部之间的间隙，从而可以通过退火或外延形成半导体薄层。在本发明的优选实施例中，凸起结构为多层结构，其中，所述多层结构中的最顶层为Si1-xCx、SiyGe1-y。可通过刻蚀形成多个凸起结构，例如先在Si晶圆上外延一层或多层用于形成凸起结构的第一半导体材料层，例如Si、Si1-xCx、SiyGe1-y、Ge等，接着对其进行刻蚀以形成多个凸起结构。当然在本发明的其他实施例中，也可以将衬底表层作为第一半导体材料层，即直接在衬底的表面进行刻蚀以形成多个凸起结构。
优选地，先向第一半导体材料层之中注入Si或Ge离子以在第一半导体材料层之中形成离子注入层，接着采用干法刻蚀对第一半导体材料层进行选择性刻蚀以形成多个凸起结构，由于离子注入层中损伤严重，晶体结构被打乱，其刻蚀速度大于第一半导体材料层其他部分的刻蚀速度，从而可以形成图3所示的结构。
更为优选地，首先在Si晶圆之上形成第一半导体材料层，接着向第一半导体材料层之中注入Si或Ge离子以在第一半导体材料层之中形成离子注入层，然后采用具有各向异性的湿法刻蚀对第一半导体材料层进行选择性刻蚀以形成所述多个凸起结构。
优选地，凸起结构1200为多层结构，凸起结构1200的底层为Si，凸起结构1200的顶层为Si1-xCx、SiyGe1-y。凸起结构1200可为多种形状，例如柱状、长条形等，在本发明的实施例中，只要两个凸起结构1200之间间隔的预定距离足够小以至于通过退火能够形成第一半导体薄层1300即可。
步骤S104，形成覆盖多个凸起结构1200的第一半导体薄层1300，且第一半导体薄层1300与多个凸起结构1200的顶部相连，如图4所示。其中，每个凸起结构的顶部尺寸最大以使所述两个凸起结构顶部之间的距离最小。第一半导体薄层1300可为Ge或SiyGe1-y。
在本发明实施例中，可对Si衬底1100及多个凸起结构1200退火形成第一半导体薄层1300。本发明实施例通过退火能使表面材料发生迁移，退火温度一般约在800-1350度，同时在本发明实施例中退火时还需要气氛中含有氢气以活化形成的第一半导体薄层1300的表面。优选地，在退火时还通入SiH4、GeH4、SiH2Cl2、SiHCl3中的一种或多种气体，通过气体分解在表面沉积少量的Si和/或Ge原子，以使获得的半导体薄层表面更加平整，从而获得更好的效果。
在本发明的另一个实施例中，还可通过外延的方式形成第一半导体薄层。包括表面为(100)晶向的Si、Si1-xCx、SiyGe1-y、Ge衬底，由于外延材料在顶部的侧向生长速度不低于纵向生长速度，从而可以使得外延的材料很快将两个凸起结构之间顶部的间隙封闭，从而第一半导体薄层与晶圆片之间不会直接接触，从而依然能够保持第一半导体薄层的一部份相对于晶圆片悬空。
在本发明的一个优选实施例中，如果退火之后第一半导体薄层1300的厚度比较厚的话，则还需要对该第一半导体薄层1300进行刻蚀或减薄处理。
步骤S105，在第一半导体薄层1300之上形成包括过渡层1800(例如AlN)、第一类型III-V族化合物材料层1500(例如N型GaN)、发光层1600和第二类型III-V族化合物材料层1700(例如P型GaN)的LED结构。需要说明的是，由于本发明实施例中第一半导体薄层1300相对于Si晶圆悬空，因此可以起到绝缘的作用，同时第一半导体薄层1300(例如Ge或SiGe)很薄，通常小于20nm，在后续的氮化物系化合物半导体材料层外延过程中，通过该薄层适当的晶格畸变，可以与氮化物系化合物半导体材料层之间形成良好的晶格匹配，而该薄层下部微小的凸起和悬空结构可以释放晶格畸变带来的应力，因此第一半导体材料薄层和氮化物系化合物半导体材料层可以不需要过渡层(如AlN)等。当然在本发明的其他实施例中，也可以采用过渡层，但过渡层的厚度可以很薄，从而利于散热并降低制造成本。
在本发明的一个优选实施例中，在第一半导体薄层和所述第一类型III-V族化合物材料层之间形成有布拉格反射器层结构。布拉格反射器可以反射发光层发出的光，使光线不穿透到Si衬底，而是被反射后从第二类型III-V族化合物材料层穿透出去，以增加LED的发光强度。
步骤S106，通过多孔层1400将Si衬底1100与LED结构剥离，这样还可以重复利用该Si衬底1100，继续采用该Si衬底1100重新生成LED结构。并且去掉Si衬底1100之后，不会阻挡LED的发光，有利于形成垂直电极结构。在本发明的实施例中，在对LED结构进行剥离之前，还需要将LED结构转移至基板之上，例如金属基板、陶瓷基板或玻璃基板，接着将从多孔层1400采用水枪剥离的方式将Si衬底1100剥离。
步骤S107，在LED结构的两端形成垂直电极。
本发明实施例具有如下优点：
1、通过多个凸起结构可以有效释放Si晶圆和氮化物系化合物半导体材料层之间的热失配应力，从而有利于形成大尺寸的外延片。
2、由于退火形成的第一半导体薄层与氮化物系化合物半导体材料层之间易形成良好的晶格匹配，因此两者之间有非常好的界面态，从而保证了氮化物系化合物半导体材料层的生长质量，因此在本发明实施例中可以仅需要很薄的过渡层，甚至不需要过渡层。由于减小了过渡层的厚度，并且第一半导体薄层也非常薄，因此非常有利于LED的散热，并有助于LED制造成本的降低。
3、通过本发明实施例的多孔层能够将Si衬底剥离，从而形成垂直结构的LED器件，以增大LED的发光效率。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同限定。

Claims (14)

1.一种LED的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供Si衬底；
在所述Si衬底之上形成多个凸起结构，所述每两个凸起结构之间具有一定间隙；
形成覆盖所述多个凸起结构的第一半导体薄层，且所述第一半导体薄层与所述多个凸起结构的顶部相连；和
在所述第一半导体薄层之上形成有包括第一类型III-V族化合物材料层、发光层和第二类型III-V族化合物材料层的LED结构。
2.如权利要求1所述的LED的形成方法，其特征在于，所述凸起结构从所述凸起结构的中部向顶部逐渐增大以使两个凸起结构顶部之间的间隙小于所述两个凸起结构中部之间的间隙。
3.如权利要求1所述的LED的形成方法，其特征在于，所述凸起结构和所述第一半导体薄层包括SiyGe1-y。
4.如权利要求1所述的LED的形成方法，其特征在于，所述凸起结构为多层结构，所述凸起结构的底层为Si，所述凸起结构的顶层为Si1-xCx、SiyGe1-y。
5.如权利要求1所述的LED的形成方法，其特征在于，还包括：
在所述Si晶圆和所述多个凸起结构之间形成多孔结构层；
对形成所述多孔结构层的Si衬底进行退火以在所述多孔结构层顶面形成平整表面。
6.如权利要求1所述的LED的形成方法，其特征在于，在形成多个凸起结构之前，还包括：
对所述Si衬底进行阳极氧化以在所述Si衬底表面形成多孔层；
对所述多孔层进行退火以使所述多孔层的顶面形成平面。
7.如权利要求1所述的LED的形成方法，其特征在于，所述形成多个凸起结构具体包括：
在所述Si晶圆之上形成第一半导体材料层；
向所述第一半导体材料层之中注入Si或Ge离子以在所述第一半导体材料层之中形成离子注入层；和
对所述第一半导体材料层进行选择性刻蚀以形成所述多个凸起结构。
8.如权利要求6所述的LED的形成方法，其特征在于，还包括：
通过所述多孔层将所述Si衬底与所述LED结构剥离。
9.如权利要求8所述的LED的形成方法，其特征在于，还包括：
在所述LED结构的两端形成垂直电极。
10.如权利要求1所述的LED的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层通过对所述多个凸起结构退火形成，所述退火温度为800-1350度，且在退火时气氛中含有氢气。
11.如权利要求1所述的LED的形成方法，其特征在于，在退火时还通入SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3、GeH4中的一种或多种。
12.如权利要求1所述的LED的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层通过外延形成。
13.如权利要求1所述的LED的形成方法，其特征在于，还包括：
在所述第一半导体薄层和所述第一类型III-V族化合物材料层之间形成过渡层。
14.如权利要求1所述的LED的形成方法，其特征在于，还包括：
在所述第一半导体薄层和所述第一类型III-V族化合物材料层之间形成布拉格反射器层。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102427101A (zh) * 2011-11-30 2012-04-25 李园 半导体结构及其形成方法
CN102437264A (zh) * 2011-11-30 2012-05-02 李园 半导体结构及其形成方法
CN102723416A (zh) * 2012-07-05 2012-10-10 杭州士兰明芯科技有限公司 Led外延片及其制作方法
WO2012163299A1 (zh) * 2011-06-03 2012-12-06 王楚雯 外延片及其形成方法以及半导体结构的形成方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1221205A (zh) * 1997-12-26 1999-06-30 索尼株式会社 半导体基片和薄膜半导体部件及它们的制造方法
KR20050037323A (ko) * 2003-10-18 2005-04-21 에피밸리 주식회사 실리콘 기판(Silicon substrate)위에 AlGaInN계 박막 성장방법.
CN1832110A (zh) * 2005-01-07 2006-09-13 三星康宁株式会社 外延生长方法
CN101145516A (zh) * 2007-09-29 2008-03-19 中国电子科技集团公司第五十五研究所 硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法
CN201060869Y (zh) * 2006-12-29 2008-05-14 北京工业大学 一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管
CN101378017A (zh) * 2008-09-19 2009-03-04 苏州纳维科技有限公司 一种硅基图形衬底上生长外延层的方法
US20090236666A1 (en) * 2006-08-18 2009-09-24 Micron Technology, Inc. Integrated Circuitry
CN102037545A (zh) * 2008-05-26 2011-04-27 佳能株式会社 包含氮化物半导体层的结构和包含氮化物半导体层的复合基板及其制作方法
CN102064186A (zh) * 2010-11-15 2011-05-18 王楚雯 半导体结构及其形成方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1221205A (zh) * 1997-12-26 1999-06-30 索尼株式会社 半导体基片和薄膜半导体部件及它们的制造方法
KR20050037323A (ko) * 2003-10-18 2005-04-21 에피밸리 주식회사 실리콘 기판(Silicon substrate)위에 AlGaInN계 박막 성장방법.
CN1832110A (zh) * 2005-01-07 2006-09-13 三星康宁株式会社 外延生长方法
US20090236666A1 (en) * 2006-08-18 2009-09-24 Micron Technology, Inc. Integrated Circuitry
CN201060869Y (zh) * 2006-12-29 2008-05-14 北京工业大学 一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管
CN101145516A (zh) * 2007-09-29 2008-03-19 中国电子科技集团公司第五十五研究所 硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法
CN102037545A (zh) * 2008-05-26 2011-04-27 佳能株式会社 包含氮化物半导体层的结构和包含氮化物半导体层的复合基板及其制作方法
CN101378017A (zh) * 2008-09-19 2009-03-04 苏州纳维科技有限公司 一种硅基图形衬底上生长外延层的方法
CN102064186A (zh) * 2010-11-15 2011-05-18 王楚雯 半导体结构及其形成方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012163299A1 (zh) * 2011-06-03 2012-12-06 王楚雯 外延片及其形成方法以及半导体结构的形成方法
CN102427101A (zh) * 2011-11-30 2012-04-25 李园 半导体结构及其形成方法
CN102437264A (zh) * 2011-11-30 2012-05-02 李园 半导体结构及其形成方法
CN102427101B (zh) * 2011-11-30 2014-05-07 李园 半导体结构及其形成方法
CN102723416A (zh) * 2012-07-05 2012-10-10 杭州士兰明芯科技有限公司 Led外延片及其制作方法

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