KR20090092091A - 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

발광 소자 및 그 제조 방법

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Abstract

본 발명은 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 발광 소자 제조 방법은 적어도 하나의 비아홀(via hole)이 형성된 기판을 마련하는 단계, 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, 희생층 상에 반도체 발광 소자를 형성하는 단계 및 식각액을 제공하여 희생층을 습식 식각하여 기판을 반도체 발광 소자로부터 분리하는 단계-여기서, 식각액은 희생층의 옆면 및 적어도 하나의 비아홀로 침투하여 희생층을 습식 식각함-를 포함한다.

Description

발광 소자 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}
본 발명은 발광 소자, 특히 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 발광 소자, 예를 들어 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 수명이 길고 소비전력이 적다는 이점이 있어서, 전기, 전자 분야뿐만 아니라 광고 분야에서도 널리 사용되고 있다. 최근 LED를, 예컨대 액정표시장치의 백 라이트 유닛으로 이용하려는 시도가 활발히 진행되고 있다. 또한 LED는 향후 옥내의 조명으로서 일상생활에서도 널리 사용될 것으로 예상된다.
도 1a 내지 도 1e는 종래 질화물 반도체 발광 소자의 제조 과정을 개략적으로 나타낸 도면들이다.
도 1a에 도시된 바와 같이 기판(101)으로서, 사파이어 기판이 마련된 후, 도 1b에 도시된 바와 같이 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 등의 방법에 의하여 버퍼층(111), n형 질화물층(113), 활성층(115) 및 p형 질화물층(117)이 형성된다. 상기 버퍼층(111)은 이종 기판(예를 들어 사파이어 기판)과 반도체층의 격자상수 및 열팽창계수의 차이로 인한 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위한 것이다. 즉 상기 버퍼층(111)은 후속 성장되는 반도체층 물질과 기판과의 물리적 특성 차이로 인한 반도체층의 결정결함을 줄여서 발광 소자의 품질을 향상시키기 위한 것으로서, 질화물 반도체층인 경우에 통상 GaN 또는 AlN로 형성된다.
이어서 도 1c에 도시된 바와 같이, p형 질화물층(117) 상에 본딩층(119) 및 서브마운트(121)가 형성된다. 상기 본딩층(119)은 p형 질화물층(117)에 상응하는 p형 컨택트, 활성층에서 발생한 빛을 하부로 추출하기 위한 미러(mirror), 및 서브마운트(121)와의 본딩을 위한 서브마운트 본딩층을 포함할 수 있다(p형 컨택트, 미러 및 서브마운트 본딩층은 도시되지 않음). 상기 서브마운트(121)는 기판(101)이 제거된 후에도 웨이퍼 단위 형태의 공정을 수행하는 데 있어서, 복수개의 구조물들이 해체되지 않고 핸들링이 될 수 있도록, 기판(101)을 대신하여 복수개의 구조물들을 지지하는 보조 기판의 역할과 반도체 소자에 케리어를 공급하는 전극의 역활을 한다.
이어서 도 1d에 도시된 바와 같이 기판(101), 특히 사파이어 기판의 저면에 레이저광(131)이 조사되면, 조사된 레이저광(131)은 사파이어 기판(101)과 질화물 반도체층, 특히 n형 질화물층(111)의 계면인 버퍼층(111)에 흡수된다. 도 1e에 도시된 바와 같이, 조사된 레이저광(131)이 버퍼층(111)에서 흡수되면, 예를 들어 GaN인 버퍼층(111)은 Ga과 N이 분리되며, 융점이 낮은 Ga를 녹이거나 산(acid)을 이용해 식각하여 사파이어 기판(101)이 반도체 소자로부터 분리된다. 이러한 방식으로 기판(101)을 분리하는 방법을 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO)라 한다.
상술한 종래 레이저 리프트 오프에 의하여 기판을 분리하는 방법에 있어서, 레이저광을 발생하는 고가의 장비를 필요로 하므로, 공정비용이 과다하게 소요되는 문제점이 있다. 또한 종래 레이저 리프트 오프에 의하여 기판을 분리하는 방법에 있어서, 레이저광을 대면적의 기판에 조사하기 위하여 공정시간이 과도하게 소요되는 문제점이 있다. 또한 종래 레이저 리프트 오프에 의하여 기판을 분리하는 방법에 있어서, 한정된 시간에서 레이저가 조사되는 면적이 협소하여, 레이저가 조사되지 않은 부분의 버퍼층은 기판에 접촉된 상태로 유지되어 있으므로, 먼저 기판으로부터 분리된 버퍼층과 기판에 남은 버퍼층 사이에는 응력에 의해 크랙(crack)이 발생하는 문제점이 있다.
본 발명은 화학적(wet/chemical etching) 리프트 오프에 의하여 기판을 분리할 수 있는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 적어도 하나의 비아홀에 식각액이 침투하여 용이하게 기판을 분리할 수 있는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 비아홀 각각에 형성된 모따기부에 의하여 식각액이 보다 용이하게 침투하여 기판을 분리할 수 있는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 우수한 반도체 결정을 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라, 식각액에 용이하게 식각되는 희생층을 사용하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 고온의 공정 조건이 적용되는 경우에 반도체층을 효과적으로 성장시킬 수 있도록 저온 버퍼층을 사용하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상술한 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 적어도 하나의 비아홀(via hole)이 형성된 기판을 마련하는 단계, 상기 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층 상에 반도체 발광 소자를 형성하는 단계 및 식각액을 제공하여 상기 희생층을 습식 식각하여 상기 기판을 상기 반도체 발광 소자로부터 분리하는 단계-여기서, 상기 식각액은 상기 희생층의 옆면 및 상기 적어도 하나의 비아홀로 침투하여 상기 희생층을 습식 식각함-를 포함하는 반도체 발광 소자 제조 방법을 제공할 수 있다.
바람직한 실시예에서, 상기 기판은 사파이어 기판인 것으로 한다. 또한 상기 반도체 발광 소자는 질화물 발광 소자인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 희생층은 ZnO층인 것을 특징으로 한다. 또한 상기 ZnO층은 ZnxMg1-xO (0<x≤1) 또는 ZnyCd1-yO (0<y≤1)인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 방법은 상기 희생층 상에 저온 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 저온 버퍼층 상에 상기 반도체 발광 소자가 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 저온 버퍼층은 AlxGayIn1-x-y N(o≤x≤1, 0≤y≤1)인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 방법은 상기 반도체 발광 소자 상에 본딩층 및 서브마운트를 순차적으로 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 서브마운트는 전도성 기판인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 반도체 발광 소자는 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 적어도 하나의 비아홀 각각은 상기 반도체 발광 소자에 인접한 상부에 모따기부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상술한 방법에 의하여 제조되는 반도체 발광 소자를 제공할 수 있다.
본 발명에 의하면, 본 발명은 화학적 리프트 오프에 의하여 기판을 분리하여, 공정비용 및 공정시간을 줄일 수 있는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 적어도 하나의 비아홀에 식각액이 침투하여 용이하게 기판을 분리할 수 있는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 비아홀 각각에 형성된 모따기부에 의하여 식각액이 보다 용이하게 침투하여 기판을 분리할 수 있는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 우수한 반도체 결정을 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라, 식각액에 용이하게 식각되는 희생층을 사용하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 고온의 공정 조건이 적용되는 경우에 반도체층을 효과적으로 성장시킬 수 있도록 저온 버퍼층을 사용하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1a 내지 도 1e는 종래 질화물 반도체 발광 소자의 제조 과정을 개략적으로 나타낸 도면들.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 제조 과정을 개략적으로 나타낸 도면들.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 비아홀의 역할을 개략적으로 나타낸 도면들.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 모따기한 비아홀의 역할을 개략적으로 나타낸 도면들.
이어서, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 제조 과정을 개략적으로 나타낸 도면들이다.
먼저 도 2a에 도시된 바와 같이 기판(201)에 복수의 비아홀(Via hole, 203)이 형성된다. 본 발명에 따른 기판(201)은 사파이어 기판인 것으로 한다. 비아홀(203)을 형성하는 과정을 개략적으로 살펴보면, 미리 마련된 사파이어 기판(201)에, 고온의 황산과 질산을 이용한 습식 식각(Wet Etching)이나 고밀도 플라즈마를 이용한 건식 식각(Dry Etching)에 의하여 사파이어 기판(201)의 상면과 하면을 관통하도록 비아홀(203)이 형성될 수 있다. 상기 비아홀(203)은 하나일 수 있으나, 복수인 것이 바람직하다. 사파이어 기판(201)에 대한 습식 식각 방법이나 건식 식각 방법 자체는 공지이므로 이에 대한 구체적인 설명을 생략한다.
이어서 도 2b에 도시된 바와 같이, 비아홀(203)이 형성된 사파이어 기판(201) 상에 희생층(205)을 형성한다. 상기 희생층(205)으로서 ZnO 단결정이 사용될 수 있는 바, ZnO 단결정은 질화물 반도체, 특히 GaN와의 격자상수가 2.2%에 불과하다. 또한 희생층(205)으로 사용되는 ZnO 단결정에 있어서, GaN와 동일한 우르자이트(wurzite) 구조로서 질화물 반도체의 에피 성장이 용이할 뿐만 아니라, 통상의 습식식각에 의하여 쉽게 제거될 수 있어서, 질화물 반도체의 분리 공정이 용이하다는 장점이 있다. 희생층(205)으로 사용되는 ZnO층이 ZnxMg1-xO (0<x≤1) 또는 ZnyCd1-yO (0<y≤1)인 것이 바람직하다.
비아홀(203)이 형성된 사파이어 기판(201)에 성장된 희생층(205)은 비아홀에 의해 횡방향 성장(Epitaxial Lateral Overgrowth: ELO)이 가능하게 되어, 성장된 희생층내의 전위 밀도를 감소시킬 수 있고, 상기 저전위 밀도를 갖는 희생층을 버퍼층으로 이용하여 성장시킨 질화물 반도체층 역시 저전위 밀도를 갖게 되어 양질의 박막 성장이 가능케 된다. 저 전위밀도 버퍼층인 희생층(205)을 형성하는 과정을 보다 구체적으로 살펴보면, 먼저 적어도 하나의 비아 홀(203)이 형성된 사파이어 기판(201) 상에 희생층(205)인 ZnO층을 단결정 성장시킨다. 이 경우, 초기에는 사파이어 기판(201) 중 비아 홀(203)이 형성되지 않은 부분에서 희생층(205)인 ZnO층의 성장이 진행된다. 이후 성장된 ZnO 결정이 수평 방향으로 성장되도록 성장 조건을 맞추어 주면, ZnO 결정이 측면으로 성장되어 비아 홀(203) 위의 중간 부분에서 서로 만나게 된다. 비아 홀(203) 상의 중간 부분에서 만난 부분의 결정에는 갭 또는 크랙이 존재한다. 이와 같은 상태에서 단결정 성장을 진행시키면 수직 방향으로 결정 성장이 진행되어 두꺼운 결정이 이루어지고 갭 또는 크랙이 소멸되고 수직 방향으로 전위가 전파되지 않으므로 양질의 박막이 형성된다. 상술한 방법에 따라서 비아 홀(203)을 갖는 사파이어 기판(201) 상에 희생층(205)인 ZnO층을 횡방향으로 성장시켜서 저 전위밀도 버퍼층을 형성한다.
이어서 도 2c에 도시된 바와 같이, 희생층(205) 상에 저온 버퍼층(211), n형 질화물층(213), 활성층(215) 및 p형 질화물층(217)이 순차적으로 형성된다. 희생층(205)으로 사용되는 ZnO이 열적 화학적으로 매우 불안정하여 상대적으로 낮은 온도(약 500℃)에서 쉽게 분해되기 때문에, 희생층(205) 상에 저온 버퍼층(211)이 형성되는 것이 바람직하다. 저온 버퍼층(211), 특히 저온 질화물 버퍼층은 AlxGayIn1-x-yN(o≤x≤1, 0≤y≤1)인 것이 바람직하다. 본 발명의 바람직한 실시예에서 저온 버퍼층(211) 상에 질화물 결정이 성장하기 때문에, 희생층(205)인 ZnO층은 완전한 단결정을 형성할 필요가 없다. 또한 본 발명의 바람직한 실시예에서 희생층(205)인 ZnO층이 고온의 조건에 노출되는 경우에 일부가 분해되더라도 저온 버퍼층(211) 상에 형성되는 질화물 단결정의 성장에 영향을 주지 않는다.
본 발명의 다른 실시예에서, 희생층(205) 상에 저온 버퍼층(211)이 형성되지 않은 상태에서, 바로 n형 질화물층(213), 활성층(215) 및 p형 질화물층(217)이 순차적으로 형성될 수 있다. 즉 저온 버퍼층(211)은 생략 가능한 구성요소이다.
이어서 도 2d에 도시된 바와 같이, 질화물 반도체층의 상에 본딩층(219) 및 서브마운트(221)가 순차적으로 형성된다. 상기 본딩층(219)은 p형 질화물층(217)에 상응하는 p형 컨택트, 활성층에서 발생한 빛을 하부로 추출하기 위한 미러(mirror), 및 서브마운트(221)와의 본딩을 위한 서브마운트 본딩층을 포함할 수 있다(p형 컨택트, 미러 및 서브마운트 본딩층은 도시되지 않음). 상기 서브마운트(221)는 기판(201)이 제거된 후에도 웨이퍼 단위 형태의 공정을 수행하는 데 있어서, 복수개의 구조물들이 해체되지 않고 핸들링이 될 수 있도록, 기판(201)을 대신하여 복수개의 구조물들을 지지하는 보조 기판의 역할과 전극의 역활을 한다. 상기 서브마운트(221)는 Si, 금속 등 전도성 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
이어서 도 2e에 도시된 바와 같이, 습식 식각에 의하여 희생층(205)인 ZnO층을 식각하여 반도체 발광 소자와 기판(201)이 분리된다. 희생층(205)으로 사용되는 ZnO층이 열적 화학적으로 매우 불안정하여 식각액에 쉽게 식각되는 바, 이러한 화학적 리프트 오프(Chemical Lift Off, CLO)에 의하여 기판(201)이 용이하게 반도체 발광 소자로부터 분리될 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 비아홀의 역할을 개략적으로 나타낸 도면들이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 비아홀(203)이 형성된 기판(201) 상에 희생층(205)인 ZnO층 및 반도체 발광 소자(250)가 형성되어 있다. 이 상태에서 도 3b에 도시된 바와 같이 식각액이 제공되면, 식각액은 적어도 하나의 비아홀(203) 및 희생층(205)의 옆면을 통하여 희생층(205)을 식각한다(도 3b에 표시된 화살표(271)는 식각액의 침투 방향을 가리킴).
기판(201)에 적어도 하나의 비아홀(203)이 형성되지 않은 경우에, 식각액은 희생층(205)의 옆면으로만 침투하기 때문에 식각 부위가 매우 협소하며, 희생층(205)의 대부분(특히 희생층(205)의 중심 부분)은 식각되지 않기 때문에 반도체 발광 소자로부터 분리되기가 매우 어렵다. 이에 비하여, 본 발명에 따른 기판(201)은 적어도하나의 비아홀(203)이 형성되어 있어서, 도 3b의 화살표(271)와 같이, 식각액이 희생층(205)의 옆면뿐만 아니라, 적어도 하나의 비아홀(203)을 통하여 희생층(205)에 침투하여 식각하기 때문에 식각 효율이 대폭 증가될 수 있으며, 결과적으로 기판(201)이 화학적 리프트 오프 방식에 의하여 용이하게 반도체 발광 소자로부터 분리될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 모따기한 비아홀의 역할을 개략적으로 나타낸 도면들이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 비아홀(203)이 형성된 기판(201) 상에 희생층(205)인 ZnO층 및 반도체 발광 소자(250)가 형성되어 있다. 또한 각각의 비아홀(203)의 상부에는 모따기부(209)가 형성되어 있다. 모따기부(209)는 기판(201)에 비아홀(203)이 형성된 상태에서 비아홀(203)의 상부, 즉 반도체층이 성장하는 쪽의 비아홀(203)의 입구가 모따기되어 형성된다. 이 상태에서 도 4b에 도시된 바와 같이 식각액이 제공되면, 식각액은 적어도 하나의 비아홀(203) 및 희생층(205)의 옆면을 통하여 희생층(205)을 식각한다(도 4b에 표시된 화살표(273)는 식각액의 침투 방향을 가리킴). 비아홀(203)을 통하여 침투한 식각액은 모따기부(209)의 존재로 인하여, 보다 용이하게 희생층(205)을 식각할 수 있다.
도 3a 및 도 3b 또는 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이 기판(201)을 화학적 리프트 오프(CLO)에 의하여 분리된 후, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 저온 버퍼층은 건식 식각법에 의하여 제거될 수 있다. 상술한 과정을 통하여 반도체 발광 소자가 완성될 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다.

Claims (11)

  1. 적어도 하나의 비아홀(via hole)이 형성된 기판을 마련하는 단계;
    상기 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층 상에 반도체 발광 소자를 형성하는 단계; 및
    식각액을 제공하여 상기 희생층을 습식 식각하여 상기 기판을 상기 반도체 발광 소자로부터 분리하는 단계-여기서, 상기 식각액은 상기 희생층의 옆면 및 상기 적어도 하나의 비아홀로 침투하여 상기 희생층을 습식 식각함-를 포함하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 반도체 발광 소자는 질화물 발광 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 희생층은 ZnO층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 ZnO층은 ZnxMg1-xO (0<x≤1) 또는 ZnyCd1-yO (0<y≤1)인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 희생층 상에 저온 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하되,
    상기 저온 버퍼층 상에 상기 반도체 발광 소자가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 저온 버퍼층은 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1)인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 반도체 발광 소자 상에 본딩층 및 서브마운트를 순차적으로 형성하는 단계를 더 포함하되,
    상기 서브마운트는 전도성 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 반도체 발광 소자는 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 적어도 하나의 비아홀 각각은 상기 반도체 발광 소자에 인접한 상부에 모따기부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의하여 제조되는 반도체 발광 소자.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010050788A2 (ko) * 2008-10-30 2010-05-06 Lee Hyeong Gon 결정박막과 엘이디와 기판 및 제조방법과 분리방법
WO2011139004A1 (en) * 2010-05-06 2011-11-10 Gwangju Institute Of Science And Technology Method of fabricating vertical type light-emitting diode and method of separating layers from each other
KR20120010944A (ko) * 2010-07-27 2012-02-06 이형곤 박막분리용 기판과 그 제조방법과 분리방법 및 발광다이오드와 그래핀 및 에피웨이퍼
KR101296946B1 (ko) * 2011-04-21 2013-08-14 영남대학교 산학협력단 화학적 리프트 오프 방식을 이용한 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
CN105185824A (zh) * 2015-09-02 2015-12-23 成都嘉石科技有限公司 半导体器件的制作方法
CN106711049A (zh) * 2016-12-22 2017-05-24 武汉华星光电技术有限公司 一种多孔基板及其制作方法、薄膜晶体管的制作方法
CN110299466A (zh) * 2019-06-17 2019-10-01 纳晶科技股份有限公司 一种基板及剥离方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100661717B1 (ko) * 2005-06-16 2006-12-26 엘지전자 주식회사 알루미늄 버퍼층을 이용한 발광 다이오드 제조방법
JP4766966B2 (ja) * 2005-09-07 2011-09-07 京セラ株式会社 発光素子
KR100788173B1 (ko) * 2006-05-15 2007-12-26 주식회사 에피밸리 질화물 반도체 기판을 제조하는 방법 및 이를 이용한 3족질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법
KR101261629B1 (ko) * 2006-06-08 2013-05-06 서울옵토디바이스주식회사 화합물 반도체 소자 제조 방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010050788A2 (ko) * 2008-10-30 2010-05-06 Lee Hyeong Gon 결정박막과 엘이디와 기판 및 제조방법과 분리방법
WO2010050788A3 (ko) * 2008-10-30 2010-08-19 Lee Hyeong Gon 박막성장용 기관 및 제조방법
WO2011139004A1 (en) * 2010-05-06 2011-11-10 Gwangju Institute Of Science And Technology Method of fabricating vertical type light-emitting diode and method of separating layers from each other
KR20120010944A (ko) * 2010-07-27 2012-02-06 이형곤 박막분리용 기판과 그 제조방법과 분리방법 및 발광다이오드와 그래핀 및 에피웨이퍼
KR101296946B1 (ko) * 2011-04-21 2013-08-14 영남대학교 산학협력단 화학적 리프트 오프 방식을 이용한 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
CN105185824A (zh) * 2015-09-02 2015-12-23 成都嘉石科技有限公司 半导体器件的制作方法
CN106711049A (zh) * 2016-12-22 2017-05-24 武汉华星光电技术有限公司 一种多孔基板及其制作方法、薄膜晶体管的制作方法
CN110299466A (zh) * 2019-06-17 2019-10-01 纳晶科技股份有限公司 一种基板及剥离方法

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