CN101139698B - 用于制造显示设备的掩模 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
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Abstract
本发明涉及用于补偿包括在每个格栅部分中的格栅的变型的掩模。该掩模包括其中形成至少一个格栅的多个格栅部分,其中在格栅的第一格栅部分中形成的某些或全部格栅是倾斜的。这里,第一格栅部分是格栅部分的最外面的格栅部分之一。在该掩模中,在拉伸工序中,通过拉伸力变形的格栅可具有与没有施加拉伸力的正常格栅相同的形状。因此,在蒸发有机层的工序中,可以在基片的期望部分上准确地蒸发该层。
Description
相关申请的交叉引用
本发明要求2006年9月4日提交的韩国专利申请2006-84677的优先权,将其全部内容在此引入作为参考。
技术领域
本发明涉及用于制造显示设备的掩模。更具体的说,本发明涉及用于补偿包括在每个格栅部分中的格栅的变形的掩模。
背景技术
在制造有机电致发光设备的过程的蒸发有机层3的过程中使用掩模,该有机电致发光设备是一种显示设备,其中在基片的像素区域(在下文中,称为“有源区”)上蒸发有机层3,并由对应于红光、绿光或蓝光的有机材料所组成有机层3。
图1是说明在制造有机电致发光设备的过程中采用的通用掩模的平面图。
掩模10由对应于基片的有源区的多个格栅部分12、12-1、13和13-1组成,其中掩模10具有对应于基片的整个面积的尺寸。
图2是详细说明图1中的“B”部分的图,并示出在掩模10的左上角形成的格栅部分12。
如图2所示,格栅部分12由穿透掩模基底组件11的多个格栅12A-1至12A-5形成。
格栅12A-1至12A-5具有相同的长度和宽度,并被彼此平行设置,在相邻格栅之间有恒定间隔。
通过格栅12A-1至12A-5,在基片上蒸发由蒸发源生成的对应于红光、绿光或蓝光的有机材料蒸气。
在使用上述掩模执行蒸发过程之前,拉伸器在所有方向上拉伸掩模10,使得将一致的张力施加到掩模10的整个区域上。
即,在使用多个夹子(gripper)(未示出)固定掩模10的外部部分的情况下,在图1的箭头所示的方向中,在掩模10外拉伸(stretch)夹子。结果,掩模10在其整个区域上具有一致的张力分布,因此对于掩模基底组件11不发生例如下垂、偏斜等的变形。
在上述情况下通过使用例如超声焊接而将掩模10固定到矩形框(未示出),然后沿着划片线L执行划片工序。随后,除去其中没有形成格栅部分的掩模基底组件11的外部部分。因此,通过使用由上述工序制造的掩模10(固定到框)执行蒸发有机层的过程。
在掩模10的上述划片工序中,连接到驱动装置的夹子夹住掩模10的每个边缘,并且每个夹子在图1的箭头的方向上拉伸掩模10。
然而,由于在掩模10的拉伸过程中的外力,对于在掩模基底组件11上形成的格栅12A-1至12A-5必然发生变形,例如,扭曲,如图1和图2所示。
图3A和3B是说明形成掩模的边角的格栅部分的部分视图,在该边角由夹子施加拉伸力。具体的说,图3A示出在图2的掩模10的左上角形成的格栅部分12,图3B示出在掩模10的左下角形成的格栅部分13。
另一方面,图3A和图3B中的箭头指示由夹紧掩模10的边缘部分的夹子所施加的拉伸力的方向。
如图3A和图3B所示,其中没有形成格栅的区域(图3A中的11-1和图3B中的11-2,在下文中,称为“实体区域”)存在于形成在掩模基底组件11的上和下边角的格栅部分12和13的上部和下部中。格栅部分12和13的格栅12A-1至12A-5以及13A-1至13A-5的变形情况根据拉伸工序中的实体区域11-1和11-2而不同。
具体,当由夹子施加拉伸力到每个格栅12A-1至12A-5时,对应于在上边角形成的每个格栅12A-1至12A-5的实体区域11-1的上部发生小的变形。然而,每个格栅12A-1至12A-5的下部移动,即,在掩模10的外侧方向中变形,其中在图3A中用虚线示出该变形。
然而,当由夹子将拉伸力施加到每个格栅13A-1至13A-5时,对应于在下边角形成的每个格栅13A-1至13A-5的实体区域11-2的下部发生小的变形。然而,每个格栅13A-1至123-5的上部移动,即,在掩模10的外侧方向中变形,其中在图3B中用虚线示出该变形。
如图3A和3B所示,由于在其他格栅12A-2至12A-5或13A-2至13A-5之前,将拉伸力施加到格栅,例如设置在格栅12A-1至12A-5或13A-1至13A-5的横向部分中的12A-1或13A-1,施加到例如12A-1或13A-1的格栅的拉伸力高于施加到例如12A-2至12A-5或13A-2至13A-5的格栅的拉伸力。因此,例如12A-1或13A-1的格栅的变形程度大于格栅12A-2至12A-5或13A-2至13A-5的。
因此,当将拉伸力施加到相邻于形成在掩膜基底组件11的上边角上的格栅部分12的格栅部分12-1时,邻近于实体区域11-1的部分,即格栅部分12-1的每个格栅的上部的部分的变形程度小于格栅部分12-1的每个格栅的下部部分的。
此外,当将拉伸力施加到邻近于形成在掩膜基底组件11的下边角上的格栅部分13的格栅部分13-1时,邻近于实体区域13-1的部分,即格栅部分13-1的每个格栅的下部的部分的变形程度小于格栅部分13-1的每个格栅的上部部分的。
对于在图1的掩模10的右上边角和右下边角中形成的格栅部分发生与上述变形相对的变形。
因此,由于对于掩模10的格栅发生变形,当在蒸发工序中采用掩模10时,不能精确地形成有机层。
因此,期望最小化拉伸工序中格栅12A-1至12A-5和13A-1至13A-5的变形以及格栅12A-1至12A-5或13A-1至13A-5之间的变形程度的差异。
附图说明
当结合附图考虑时,通过参照下面详细说明,本发明的上述和其他特性和优点将变得更加显而易见,其中:
图1是说明在制造有机电致发光器件的工序中采用的通用掩模的平面图;
图2是详细说明图1中的“B”部分的图;
图3A和3B是说明在掩模的边角形成的格栅部分的部分视图,对该掩模的边角施加由夹子的拉伸力。
图4A和4B是说明根据本发明的一个实施例的掩模的一部分的图;以及
图5A和5B是详细说明图4A和图4B中的格栅部分的图。
具体实施方式
下面,将参照附图更详细地说明本发明的优选实施例。
本发明的掩模包括对应于基片的有源区的多个格栅部分。这里,每个格栅部分包括在掩模基底组件上形成的多个格栅(图形),其中格栅具有相同的长度和宽度。
图4A和4B是说明根据本发明的一个实施例的部分掩模的图。具体的说,图4A示出设置在掩模的左上角的格栅部分,以及图4B示出设置在掩模的左下角的格栅部分。此外,图5A和5B是详细说明图4A和图4B中的格栅部分的图。
设置在掩模100的上边角的格栅部分112的格栅112A-1、112A-2、112A-3、112A-4和112A-5的部分或全部是倾斜的。此外,设置在掩模100的下边角的格栅部分113的格栅113A-1、113A-2、113A-3、113A-4和113A-5的部分或全部是倾斜的。
在下文中,将参照附图详细说明格栅部分112和113的结构。
如图4A所示,格栅112A-1、112A-2、112A-3、112A-4和112A-5形成在格栅部分112中,该格栅部分112被设置在掩模100的掩膜基底组件11的左上角中。
格栅,例如格栅112A-1、112A-2、112A-3、112A-4和112A-5的112A-1、112A-2和112A-3朝向掩模100的内部方向倾斜,其与拉伸力的方向相反,其中该拉伸力被施加到例如格栅112A-1、112A-2和112A-3。具体地,对于邻近于其中没有形成111-1的区域(在下文中,称为“实体区”)的格栅112A-1、112A-2和112A-3的上部发生很小的变形。然而,对于格栅112A-1、112A-2和112A-3的下部发生相当的变形。
在本实施例中,与实体区111-1分开的部分,即格栅112A-1、112A-2和112A-3的下部朝向掩模100的内部方向倾斜,使得补偿格栅112A-1、112A-2和112A-3的下部部分的上述变形。这里,倾斜角度A1、A2和A3以格栅112A-1、112A-2和112A-3的顺序增大,如图5A所示,其中倾斜角度指从相应格栅的上部垂直延伸的假象线与该格栅之间的角度,如图5A所示。
结果,格栅112A-1、112A-2、112A-3、112A-4和112A-5的上部分之间的多个空间具有相同的长度。然而,格栅112A-1、112A-2、112A-3、112A-4和112A-5被设置在掩模100的内部方向中越多,格栅112A-1、112A-2、112A-3、112A-4和112A-5的下部之间的空间长度越小。
即,格栅112A-1的下部和格栅112A-2的下部之间的空间(a-1)大于格栅112A-2的下部和格栅112A-3的下部之间的空间(a-2)。此外,空间(a-2)大于格栅112A-3的下部和格栅112A-4的下部之间的空间(a-3)。
在本发明的另一实施例中,格栅112A-4和112A-5可以基于拉伸力的幅度而倾斜。在这种情况下,格栅112A-4和112A-5的倾斜角度小于格栅112A-3的。
在本发明的另一实施例中,格栅112A-1、112A-2和112A-3可具有相同的倾斜角度。
简言之,格栅112A-1、112A-2和112A-3是倾斜的。这里,在将用于拉伸掩模100的拉伸力在图4A所示的方向上施加到形成在掩模100的上边角的格栅部分112的情况下,格栅112A-1、112A-2和112A-3的上部由实体部分111-1很小地变形。然而,格栅112A-1、112A-2和112A-3的下部移动,即,朝着掩模100的横向部分变形,其中变形示为图4A中的虚线。
在这种情况下,由于格栅112A-1、112A-2和112A-3的下部是朝向掩模100的内部方向倾斜的,通过变形,格栅112A-1、112A-2和112A-3变得与格栅112A-4和112A-5或其他内部格栅(未示出)平行。因此,尽管格栅112A-1至112A-3通过拉伸力变形,格栅112A-1至112A-3可具有与没有施加拉伸力的正常格栅相同的形状。
在上述说明中,仅仅在格栅部分112的横向部分中设置的部分格栅112A-1、112A-2和112A-3是倾斜的。然而,在格栅部分112中的每个格栅112A-1至112A-5都可以是倾斜的。
此外,邻近于在掩模基底组件111的上边角形成的格栅部分112的格栅部分可具有图4A所示的结构,因此当拉伸力施加到格栅时,与实体区域即包括在格栅中的格栅的下部相分离的部分的变形可以被补偿。
此外,如图4B所示,例如设置在掩模基底组件111的左下角的格栅部分113中的格栅113A-1至113A-5的格栅113A-1、113A-2和113A-3的格栅朝向掩模100的内部方向倾斜,该方向就是与拉伸力的方向,即箭头的方向相反的方向。
与实体区111-2分离的部分,即格栅113A-1至113A-5的上部设置在与通过拉伸力如格栅部分112的变形方向相反的方向中。结果,可以补偿格栅113A-1至113A-5之间的变形差异。这里,最外的格栅113A-1的倾斜角B1大于格栅113A-2的倾斜角B2,在格栅113A-1、113A-2和113A-3中,最先将拉伸力施加到该格栅113A-1,如图5B所示。此外,倾斜角B2大于格栅113A-3的倾斜角B3。倾斜角指从相应格栅的下部垂直延伸的假象线与该格栅之间的角度,如图5B所示。
结果,格栅113A-1、113A-2、113A-3、113A-4和113A-5的下部之间的空间具有相同的长度。然而,格栅113A-1、113A-2、113A-3、113A-4和113A-5被设置在掩模100的内部方向中越多,格栅113A-1、113A-2、113A-3、113A-4和113A-5的上部之间的空间长度越小。即,格栅113A-1的上部和格栅113A-2的上部之间的空间(b-1)大于格栅113A-2的上部和格栅113A-3的上部之间的空间(b-2)。此外,空间(b-2)大于格栅113A-3的上部和格栅113A-4的上部之间的空间(b-3)。
在本发明的另一实施例中,格栅113A-4和113A-5可以基于拉伸力的幅度而倾斜。在这种情况下,格栅113A-4和113A-5的倾斜角度小于格栅113A-3的。
在本发明的另一实施例中,格栅113A-1、113A-2和113A-3可具有相同的倾斜角度。
简言之,格栅113A-1、113A-2和113A-3是倾斜的。这里,在将用于拉伸掩模100的拉伸力在图4B所示的方向上施加到形成在掩模100的下边角的格栅部分113的情况下,格栅113A-1、113A-2和113A-3的上部移动,即,朝着掩模100的横向部分变形,其中变形示为图4B中的虚线。
在这种情况下,由于格栅113-1、113A-2和113A-3的上部是朝向掩模100的内部方向倾斜的,通过变形,格栅113A-1、113A-2和113A-3变得与格栅113A-4和113A-5或其他内部格栅(未示出)平行。因此,尽管通过拉伸力变形格栅113A-1至113A-3,格栅113A-1至113A-3可具有与没有施加拉伸力的正常格栅相同的形状。
在上述说明中,仅仅在格栅部分113的横向部分中设置的部分格栅113A-1、113A-2和113A-3是倾斜的。然而,在格栅部分113中的每个格栅113A-1至113A-5都可以是倾斜的。
此外,邻近于在掩模基底组件111的下边角形成的格栅部分113的格栅部分可具有图4B所示的结构,因此当将拉伸力施加到格栅时,与实体区域相分离的部分,即包括在格栅中的格栅的上部的变形可以被补偿。
简言之,尽管在拉伸工序中,通过拉伸力变形格栅部分112和113中的格栅112A-1至112A-5和113A-1至113A-5,格栅112A-1至112A-5和113A-1至113A-5可以平行于没有施加拉伸力的正常格栅,即,具有与正常格栅相同的形状。因此,在蒸发有机层的工序中,可以在基片的期望部分上准确地蒸发该层。
另一方面,在上面的说明中,仅仅说明设置在掩模100的左上角和左下角的格栅部分112和113。然而,设置在掩模100的右上角和右下角的格栅部分与格栅部分112和113相比可以具有相对称的结构。
可以通过包括其中形成至少一个格栅的多个格栅部分的掩模全部或者部分地获得第一实施例,其中在格栅的第一格栅部分中形成的某些或全部格栅是倾斜的。这里,第一格栅部分是格栅部分的最外面的格栅部分。
可以通过包括其中形成至少一个格栅的多个格栅部分的掩模全部或者部分地获得第二实施例,其中在格栅的第一格栅部分中设置的某些或全部格栅是倾斜的,并且在格栅的第二格栅部分中设置的某些或全部格栅是倾斜的。这里,第一格栅部分被设置在格栅部分的最外面的格栅部分的上部,第二格栅部分被设置在最外面的格栅部分的下部,并且倾斜的格栅朝向掩模的内部方向倾斜。
如上所述,在用于制造本发明的显示设备的掩模中,在拉伸工序中,通过拉伸力变形的格栅可具有与没有施加拉伸力的正常格栅相同的形状。因此,在蒸发有机层的工序中,可以在基片的期望部分上准确地蒸发该层。
在本说明书中,对“一个实施例”、“某实施例”、“例子实施例”等的参照指与该实施例相关地描述的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。这些语句在说明书的不同位置的出现不一定都指示相同的实施例。此外,当于任何实施例相关地描述特定特征、结构或特性时,认为其在本领域技术人员在其他实施例中实施这种特征、结构或特性的预见中。
尽管参照多个说明性实施例描述了实施例,应理解对本领域技术人员可以有在本公开的原理的精神和范围内的多个其他改进和实施例。更具体,在本公开、附图和所附权利要求的范围内,在主题组合结构的组件和/或结构中可以有各种变化和改进。除了在组件部分和/或结构的变化和改进之外,对本领域技术人员来说替换的使用也是显而易见的。
Claims (15)
1.一种在制造有机电致发光器件的工序中采用的掩模,包括:
彼此分开以对应于基片的有源区的多个格栅部分,其中在所述多个格栅部分的每个中形成至少一个格栅,
其中在所述多个格栅部分的第一格栅部分和第二格栅部分中形成的某些或全部格栅是倾斜的,该第一格栅部分被设置在最外面的格栅部分的上部,该格栅部分的第二格栅部分被设置在最外面的格栅部分的下部,
其中在第一格栅部分中形成的格栅的上部之间的空间具有相同的长度,在第一格栅部分中形成的格栅的下部之间的空间沿着掩模基底组件的内部方向逐渐减小,
其中在第二格栅部分中形成的格栅的下部之间的空间具有相同的长度,在第二格栅部分中形成的格栅的上部之间的空间沿着掩模基底组件的内部方向逐渐减小。
2.如权利要求1的掩模,其中,该第一和第二格栅部分形成在掩模的边角中。
3.如权利要求2的掩模,其中,该第一格栅部分和第二格栅部分被基于掩模的中心对称地设置。
4.如权利要求1的掩模,其中,在第二格栅部分上形成的格栅的倾斜格栅朝向掩模的内部方向倾斜。
5.如权利要求4的掩模,其中,在第二格栅部分上形成的倾斜格栅的上部朝向掩模的内部方向倾斜,并且在第二格栅部分上形成的倾斜格栅的下部之间的空间基本上是相同的。
6.如权利要求4的掩模,其中,在第二格栅部分上形成的倾斜格栅被朝向掩模的外部方向设置得越多,倾斜格栅具有越大的倾斜角。
7.如权利要求1的掩模,其中,在第一格栅部分上形成的格栅的倾斜格栅朝向掩模的内部方向倾斜。
8.如权利要求7的掩模,其中,在第一格栅部分上形成的倾斜格栅的下部朝向掩模的内部方向倾斜。
9.如权利要求8的掩模,其中,在第一格栅部分上形成的倾斜格栅的上部之间的空间基本上是相同的。
10.如权利要求7的掩模,其中,在第一格栅部分上形成的倾斜格栅被朝向掩模的外部方向设置得越多,倾斜格栅具有越大的倾斜角。
11.如权利要求1的掩模,其中,在淀积制造有机电致发光器件的工序的有机材料的工序中采用该掩模。
12.如权利要求1的掩模,其中所述多个格栅部分各包括至少一个格栅,在第一格栅部分中形成的至少一个格栅中的某些或全部格栅具有彼此不同的各种倾斜角度,所述至少一个格栅中的某些或全部格栅的倾斜方向与拉伸力的方向相反,
其中当通过拉伸力变形时,倾斜格栅具有与在拉伸过程中没有施加拉伸力的正常格栅相同的形状。
13.一种在制造有机电致发光器件的工序中采用的掩模,包括:
彼此分开以对应于基片的有源区的多个格栅部分,其中在所述多个格栅部分的每个中形成至少一个格栅,
其中在所述多个格栅部分的第一格栅部分中设置的某些或全部格栅是倾斜的,并且在所述多个格栅部分的第二格栅部分中设置的某些或全部格栅是倾斜的,
其中,该第一格栅部分被设置在格栅部分的最外面的格栅部分的上部,并且该第二格栅部分被设置在最外面的格栅部分的下部,并且倾斜格栅朝向掩模的内部方向倾斜,
其中在第一格栅部分中形成的格栅的上部之间的空间具有相同的长度,在第一格栅部分中形成的格栅的下部之间的空间沿着掩模基底组件的内部方向逐渐减小,
其中在第二格栅部分中形成的格栅的下部之间的空间具有相同的长度,在第二格栅部分中形成的格栅的上部之间的空间沿着掩模基底组件的内部方向逐渐减小。
14.如权利要求13的掩模,其中,该第一格栅部分和第二格栅部分被基于掩模的中心对称地设置。
15.如权利要求13的掩模,其中所述多个格栅部分各包括至少一个格栅,在第一格栅部分中形成的至少一个格栅中的某些或全部格栅具有彼此不同的各种倾斜角度,所述至少一个格栅中的某些或全部格栅的倾斜方向与拉伸力的方向相反,
其中当通过拉伸力变形时,倾斜格栅具有与在拉伸过程中没有施加拉伸力的正常格栅相同的形状。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060084677 | 2006-09-04 | ||
KR10-2006-0084677 | 2006-09-04 | ||
KR1020060084677A KR100775846B1 (ko) | 2006-09-04 | 2006-09-04 | 디스플레이 소자 제조용 마스크 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101139698A CN101139698A (zh) | 2008-03-12 |
CN101139698B true CN101139698B (zh) | 2013-09-11 |
Family
ID=39061860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2006101690512A Active CN101139698B (zh) | 2006-09-04 | 2006-12-20 | 用于制造显示设备的掩模 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080057850A1 (zh) |
JP (1) | JP4974671B2 (zh) |
KR (1) | KR100775846B1 (zh) |
CN (1) | CN101139698B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8389100B2 (en) * | 2006-08-29 | 2013-03-05 | Mmi-Ipco, Llc | Temperature responsive smart textile |
JP2008057100A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Mmi-Ipco Llc | 感温性且つ感湿性のスマートテキスタイル |
US8089579B1 (en) * | 2009-08-27 | 2012-01-03 | Rockwell Collins, Inc. | System and method for providing a light control mechanism for a display |
CN103225059A (zh) * | 2012-01-30 | 2013-07-31 | 群康科技(深圳)有限公司 | 阴影掩膜及其补偿设计方法 |
JP6303154B2 (ja) | 2014-07-08 | 2018-04-04 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜マスク、その製造方法及びタッチパネル |
CN111903188B (zh) | 2018-03-26 | 2023-07-04 | 夏普株式会社 | 测量装置及测量方法 |
CN109825802B (zh) * | 2019-04-10 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及其制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1267079A (zh) * | 1999-03-05 | 2000-09-20 | 三星Sdi株式会社 | 用于彩色阴极射线管的张力荫罩和张力荫罩与框架组件 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10319870A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Nec Corp | シャドウマスク及びこれを用いたカラー薄膜el表示装置の製造方法 |
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KR100385214B1 (ko) * | 1999-12-09 | 2003-05-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평면형 음극선관의 텐션 마스크 프레임 조립체 |
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KR100382491B1 (ko) * | 2000-11-28 | 2003-05-09 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el의 새도우 마스크 |
JP2002169266A (ja) | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Nikon Corp | マスク、結像特性計測方法、及び露光方法 |
KR100848972B1 (ko) * | 2001-08-24 | 2008-07-30 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 진공증착용 다면부착 마스크장치 |
JP4440563B2 (ja) * | 2002-06-03 | 2010-03-24 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電子発光素子の薄膜蒸着用マスクフレーム組立体 |
JP2004273896A (ja) | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 荷電粒子ビーム露光用マスク、それを用いた荷電粒子ビーム露光方法及びその露光方法を用いた半導体装置の製造方法 |
JP3794407B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2006-07-05 | セイコーエプソン株式会社 | マスク及びマスクの製造方法、表示装置の製造方法、有機el表示装置の製造方法、有機el装置、及び電子機器 |
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-
2006
- 2006-09-04 KR KR1020060084677A patent/KR100775846B1/ko active IP Right Grant
- 2006-12-13 US US11/637,774 patent/US20080057850A1/en not_active Abandoned
- 2006-12-20 CN CN2006101690512A patent/CN101139698B/zh active Active
- 2006-12-28 JP JP2006354480A patent/JP4974671B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101139698A (zh) | 2008-03-12 |
US20080057850A1 (en) | 2008-03-06 |
JP4974671B2 (ja) | 2012-07-11 |
KR100775846B1 (ko) | 2007-11-13 |
JP2008066269A (ja) | 2008-03-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: LG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: LG ELECTRONIC CO., LTD. Effective date: 20080620 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20080620 Address after: Seoul, South Kerean Applicant after: LG Display Co., Ltd. Address before: Seoul, South Kerean Applicant before: LG Electronics Inc. |
|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |