CN101118842A - 对半导体晶圆粘贴粘合带、剥离保护带的方法及装置 - Google Patents
对半导体晶圆粘贴粘合带、剥离保护带的方法及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101118842A CN101118842A CNA2007101437063A CN200710143706A CN101118842A CN 101118842 A CN101118842 A CN 101118842A CN A2007101437063 A CNA2007101437063 A CN A2007101437063A CN 200710143706 A CN200710143706 A CN 200710143706A CN 101118842 A CN101118842 A CN 101118842A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- adhesive tape
- wafer
- semiconductor crystal
- crystal wafer
- boundary belt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
- H01L2221/6839—Separation by peeling using peeling wedge or knife or bar
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
- Y10T156/1179—Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/19—Delaminating means
- Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/19—Delaminating means
- Y10T156/1978—Delaminating bending means
Abstract
本发明提供对半导体晶圆粘贴粘合带、剥离保护带的方法及装置。在晶圆背面外周残留形成围绕背面磨削区域的环状凸部。使环状凸部紧贴保持台而被吸附保持,将流体供给到在晶圆(W)背面与保持台(6)之间形成的空间来提高空间的内压。在该状态下,将剥离用粘合带供给到保护带的表面,一边用粘贴构件推压粘合带的非粘贴表面、一边使其从晶圆一端侧移动到另一端侧,从而将粘合带粘贴在保护带的表面。用从晶圆一端侧移动到另一端侧的引导构件翻转引导粘贴着的粘合带,从而同时从晶圆表面剥离粘合带和保护带。
Description
技术领域
本发明涉及一种在半导体晶圆(以下简称为“晶圆”)表面(形成图案的面)所粘贴的保护带上粘贴剥离用粘合带的方法、利用剥离用粘合带从晶圆表面剥离保护带的方法以及使用这些方法的装置。
背景技术
在图案形成处理完毕的半导体晶圆表面粘贴了用于保护图案的保护带,在该状态下实施背面磨削处理。之后,在将晶圆输送到将其切割分离成芯片的切割工序之前,从晶圆表面剥离保护带。
作为从晶圆表面剥离保护带的方法,例如在日本特开2002-124494号公报示出。使粘贴有保护带的表面朝上,将晶圆保持在工作台上,将剥离用粘合带粘贴在保护带上,并且逐渐进行翻转剥离。这样,从晶圆表面逐渐剥离粘结在粘合带上并与之一体化的保护带。
近年来,随着电子设备的小型化、高密度安装等,晶圆逐渐薄型化。但是,薄至数十μm的晶圆容易因翘曲而导致断裂、破损,在各种处理工序及处理中产生破损的危险变高。因此,提出下述方案:通过背面磨削处理来磨削晶圆中央部分,在背面外周部分残留形成环状凸部,以使晶圆具有刚性。即,使晶圆变得难以在处理中破损。
残留形成有环状凸部的晶圆由于具有可抗翘曲的刚性,因此容易处理而不会使之破损。但是,使晶圆背面朝下保持在工作台上时,虽然环状凸部与工作台接触,但中央的扁平凹部不与工作台接触。因此,存在如下这样的问题:无法将剥离用粘合带高精度地粘贴在薄型化了的晶圆上,并且无法使保护带与该剥离用粘合带一体化而高精度地进行剥离。
发明内容
本发明是鉴于上述那样的实际情况而作出的,其目的在于提供一种尽管晶圆变薄,也能不损坏晶圆地高精度地粘贴剥离用粘合带以及使用剥离用粘合带剥离保护带的向半导体晶圆粘贴粘合带的方法,从半导体晶圆剥离保护带的方法以及使用这些方法的装置。
为了达到上述那样的目的,本发明采用下述这样的技术方案。
一种向半导体晶圆粘贴粘合带的方法,该方法用于在半导体晶圆表面所粘贴的保护带上粘贴剥离用粘合带,该方法包括以下过程:
以围绕背面磨削区域的方式在上述半导体晶圆的背面外周残留形成环状凸部,使该环状凸部在整个圆周与保持台紧贴地吸附保持该环状凸部;
从保持台一侧向形成在半导体晶圆背面与保持台之间的空间供给流体,从而提高上述空间的内压;
向粘贴在半导体晶圆上的保护带的表面供给剥离用粘合带;
一边用宽度大于半导体晶圆外径的粘贴构件推压粘合带的非粘贴表面、一边使粘贴构件从半导体晶圆一端侧移动到另一端侧,从而将粘合带粘贴在保护带的表面。
根据本发明的向半导体晶圆粘贴粘合带的方法,即使半导体晶圆通过背面磨削被薄化处理至数十μm,也可以在被形成在其背面外周的环状凸部加强了的状态下进行处理。因此,在半导体晶圆在处理、其他处理工序中,可以抑制由于不合理地挠曲或翘曲而变形。
另外,在将剥离用粘合带粘贴在上述那样的半导体晶圆表面所粘贴着的保护带上时,用供给来的流体适当对半导体晶圆内侧形成的空间加压。由于粘合带在上述那样的状态下被粘贴构件推压在保护带上,因此不会导致半导体晶圆因该粘贴推压力而不合理地后退变形而降低粘贴力。其结果是,粘合带能可靠地粘贴到保护带上。
在该情况下,由于粘贴构件使用的是宽度比半导体晶圆外径大的粘贴构件,所以,粘贴构件的推压位置被承接支承在保持台上的晶圆外周部的背面的环状凸部限制。即,即使处在空中的晶圆的薄壁部被粘贴构件推压,不会被较大地压入变形到比晶圆表面为扁平状态更靠空间内方的状态。
另外,在该方法中,可以在上述保持台上形成与磨削形成在半导体晶圆背面的扁平凹部连通的凹部,用该凹部的外周吸附半导体晶圆的上述环状凸部。
根据该方法,在半导体晶圆背面与保持台之间形成将半导体晶圆的扁平凹部与保持台的凹部相连通的较大的容积空间。空间的容积越大,内压相对于供给的空气量的变动就越小,越容易进行将内压维持在规定压力的控制。
另外,优选是,在该方法中,一边容许从空间流出流体、一边将流体供给到上述空间而对该空间加压。
根据该方法,通过提高在半导体晶圆背面与保持台之间形成的空间的内压,从而使半导体晶圆从扁平状态稍稍向外方鼓出变形。即,由于粘贴构件从半导体晶圆表面一侧推压该半导体晶圆,因此半导体晶圆变形至扁平状态。当鼓出变形了的晶圆薄壁部被推压变形至扁平状态而使空间的容积少于鼓出时的容积时,内部空气被挤出而抑制内压的上升。
另外,流体从空间的流出例如是由微细孔或安装于与保持台连通的排除孔中的可调整工作压的安全阀进行控制。
另外,优选是,在该方法中,使粘贴构件在粘合带的粘贴开始部分的移动速度变慢、或者使在成为粘合带的粘贴开始部分的环状凸部的背面侧的推压力大于形成在环状凸部内侧的扁平凹部的部分的推压力。根据该方法,可以使粘合带紧贴在保护带上。
另外,为了达成上述目的,本发明采用下述这样的技术方案。
一种从半导体晶圆剥离保护带的方法,该方法用于剥离粘贴在半导体晶圆表面的保护带,该方法包括以下过程:
以围绕背面磨削区域的方式在上述半导体晶圆的背面外周残留形成环状凸部,使该环状凸部在整个圆周与保持台紧贴地吸附保持该环状凸部;
从保持台一侧向形成在半导体晶圆背面与保持台之间的空间供给流体,从而提高上述空间的内压;
向粘贴在半导体晶圆上的保护带的表面供给剥离用粘合带;
一边用宽度大于半导体晶圆外径的粘贴构件推压粘合带的非粘贴表面、一边使粘贴构件从半导体晶圆一端侧向另一端侧移动,从而将粘合带粘贴到保护带的表面;
用可从半导体晶圆一端侧向另一端侧移动的引导构件翻转引导粘贴着的剥离用粘合带,从而从半导体晶圆表面剥离与粘合带一体化了的保护带。
根据本发明的从半导体晶圆剥离保护带的方法,即使半导体晶圆通过背面磨削被薄化处理至数十μm,也可以在被形成在其背面外周的环状凸部加强了的状态下进行处理。因此,在处理、其它处理工序中,可以抑制半导体晶圆由于产生不当挠曲、翘曲而变形。
另外,在上述那样的半导体晶圆表面所粘贴的保护带上粘贴剥离用粘合带时,用供给来的流体适度加压在半导体晶圆内侧形成的空间。由于粘合带在上述那样的状态下被粘贴构件推压在保护带上,因此不会导致半导体晶圆因该粘贴推压力而不合理地后退变形进而降低粘贴力。其结果是,粘合带能可靠地粘贴到保护带上。
在该情况下,由于粘贴构件的宽度比半导体晶圆外径大,所以,粘贴构件的推压位置被承接支承在保持台上的晶圆外周部的背面的环状凸部限制。即,即使处在空中的晶圆的薄壁部被粘贴构件推压,不会被压入变形到晶圆表面比扁平的状态更靠空间内方的程度。
而且,利用移动的引导构件翻转引导粘贴着的粘合带,从而从晶圆表面逐渐剥离与粘合带一体化了的保护带。在该情况下也是,由于整个半导体晶圆被设在其背面外周的环状凸部加强着,因此不会因受到残留在保护带上的粘贴力而被损坏。
而且,优选是,在该方法中,上述引导构件兼用作上述粘贴构件,同时进行向保护带粘贴粘合带和从半导体晶圆剥离保护带。
根据该方法,一边用引导构件将粘合带推压并粘贴在保护带的表面、一边逐渐翻转引导剥离粘合带,从而,可以在向保护带粘贴粘合带的同时从半导体晶圆剥离保护带。因此,与分别单独进行使用粘贴构件粘贴粘合带以及使用引导构件剥离粘合带的情况相比,该方法可以使处理时间变短,且装置得到简化。
另外,作为引导构件,例如使用形成为棱边状的板材。在该情况下,与保护带一体化了的剥离带在引导构件的棱边状顶端部处以大角度折回,因此,带相对于晶圆表面的剥离角度与用辊子翻转引导的情况相比,足够大。这样,在半导体晶圆表面与保护带的剥离点处作用的剥离力在与晶圆表面正交方向的分力较小。其结果是,即使在有的位置不能充分减小保护带的粘贴力,也可以不向半导体晶圆施加大的剥离力而不费力地顺利剥离保护带。
另外,为了达到上述目的,本发明采用下述这样的技术方案。
一种向半导体晶圆粘贴粘合带的装置,该装置对粘贴在半导体晶圆表面的保护带粘贴剥离用粘合带,该装置包括以下结构要素:
以围绕背面磨削区域的方式在上述半导体晶圆的背面外周残留形成有环状凸部,从而在该环状凸部的内径侧形成有扁平凹部;
保持台,其用于吸附保持上述背面的环状凸部;
流体供给部件,其用于从保持台一侧向形成在半导体晶圆背面与保持台之间的空间供给流体;
带供给部件,其用于向粘贴在半导体晶圆上的保护带的表面供给剥离用粘合带;
带粘贴单元,其一边用宽度大于半导体晶圆外径的粘贴构件推压粘合带的非粘贴表面、一边使粘贴构件从半导体晶圆一端侧向另一端侧移动,从而将粘合带粘贴在保护带的表面。
根据该构成,可以较佳地实现上述粘合带的粘贴方法。
另外,为了达到上述目的,本发明采用下述这样的技术方案。
一种从半导体晶圆剥离保护带的装置,该装置用于剥离粘贴在半导体晶圆表面的保护带,其中,上述装置包括以下结构要素:
以围绕背面磨削区域的方式在上述半导体晶圆的背面外周残留形成有环状凸部,在该环状凸部的内径侧形成有扁平凹部;
保持台,其用于吸附保持环状凸部;
流体供给部件,其从保持台一侧向形成在半导体晶圆背面与保持台之间的空间供给流体;
带供给部件,其向粘贴在半导体晶圆上的保护带的表面供给剥离用粘合带;
带粘贴单元,其一边用宽度大于半导体晶圆外径的粘贴构件推压粘合带的非粘贴表面、一边使粘贴构件从半导体晶圆一端侧向另一端侧移动,从而将粘合带粘贴在保护带的表面;
剥离部件,其用可从半导体晶圆一端侧向另一端侧移动的引导构件翻转引导粘贴着的剥离用粘合带,从半导体晶圆表面剥离与粘合带一体化了的保护带。
根据该结构,可以较佳地实现上述保护带剥离方法。
附图说明
图1为表示第1实施方式的保护带剥离装置整体的立体图。
图2为第1实施方式的保护带剥离装置整体的主视图。
图3为第1实施方式的保护带剥离装置整体的俯视图。
图4为带粘贴单元及带剥离单元的主视图。
图5为表示带剥离用棱边构件的支承结构的主视图。
图6为表示带剥离动作状态的主要部分的立体图。
图7为从表面侧看半导体晶圆时的局部剖切立体图。
图8为从背面侧看半导体晶圆时的立体图。
图9为放大了半导体晶圆一部分的纵剖视图。
图10为表示向保持台装填晶圆的晶圆装填状态的纵剖视图。
图11~15为说明第1实施方式的带剥离工序的主视图。
图16为表示第1实施方式的带剥离动作状态的纵剖视图。
图17为表示第2实施方式的保护带剥离装置整体的立体图。
图18为第2实施方式的保护带剥离装置整体的主视图。
图19为第2实施方式的带粘贴单元/带剥离单元的主视图。
图20~25为说明第2实施方式的带剥离工序的主视图。
具体实施方式
为了说明本发明,图示了目前认为较佳的几种方式,但需要理解为本发明不限定于图示的构成及方案。
下面,参照图1~图16,基于本发明第1实施方式的可以实现将粘合带粘贴在半导体晶圆上以及从半导体晶圆剥离保护带的方法的装置进行说明。
图1为表示实施本发明方法的装置的一个例子、即半导体晶圆的保护带剥离装置整体的立体图,图2为其主视图,图3为其俯视图。
该粘合带的粘贴/剥离装置在基台12的上部具有晶圆供给部1、晶圆输送机构3、校准台4、带供给部5、保持台6、带粘贴单元7、带剥离单元8、带回收部9、晶圆回收部10和单元驱动部11等;上述晶圆供给部1可装填盒C1,该盒C1以插入于架子中的方式层叠容纳有经背面磨削处理的晶圆W;上述晶圆输送机构3安装有机械人臂2;上述校准台4用于对晶圆W进行对位;上述带供给部5用于将剥离用粘合带T供给到剥离处理部位;上述保持台6用于吸附保持晶圆W;上述带粘贴单元7用于将粘合带T逐渐粘贴到保持台6上的晶圆W上;上述带剥离单元8用于剥离粘贴着的粘合带T;上述带回收部9用于卷绕回收剥离下的处理完毕的粘合带Ts;上述晶圆回收部10用于装填盒C2,该盒C2用于以插入于架子中的方式层叠容纳经处理的晶圆W;上述单元驱动部11使带粘贴单元7及带剥离单元8独立地左右往复移动。
在此,晶圆供给部1、晶圆输送机构3、校准台4、剥离台6以及晶圆回收部10配置在基台12的上表面。在竖立设置于基台12上表面的纵壁13的前表面安装有带供给部5以及带回收部9。另外,带粘贴单元7及带剥离单元8与纵壁13的下方开口部面临地设置,并且,单元驱动部11配置在纵壁13的背部。
晶圆供给部1将粘贴有紫外线固化型保护带PT的表面朝上的水平姿势的晶圆W,以上下具有适当间隔的状态插入容纳到盒C1中。在该状态下将它们装填在盒台14中。如图3所示,该盒台14可利用气缸15进行旋转,从而改变朝向。
晶圆回收部10也将被剥离了保护带PT的晶圆W以上下具有适当间隔的状态插入容纳到盒C2中,再将它们装填到盒台16上。该盒台16也可利用气缸17进行旋转,从而改变朝向。另外,在将晶圆W容纳到盒C1中之前,对晶圆W进行紫外线照射处理,以减小保护带PT粘贴面的粘接力。
如图7~图9所示,作为处理对象的晶圆W以在形成有图案的表面上粘贴有保护带PT的状态进行背面磨削处理。该晶圆W是使用如下这样的晶圆:磨削其背面而使其在径向残留大约2mm左右的外周部,在背面形成扁平凹部40;并且,沿着其外周进行加工,加工成残留有环状凸部41的形状。
将扁平凹部40的深度d加工成例如数百μm,将其磨削区域的晶圆厚度t加工成数十μm,形成在背面外周的环状凸部41具有提高晶圆W刚性的环状肋的功能。因此,该环状凸部41可抑制晶圆W在处理、其他处理工序中由挠曲、翘曲导致的变形。
如图3所示,输送机构3的机械人臂2可以水平进退、旋转以及升降。在其顶端具有马蹄形吸附保持部2a。该机械人臂2进行从晶圆供给部1取出晶圆W,将晶圆W供给到校准台4,再将晶圆W从校准台4输送到保持台6,从保持台6输出处理完毕的晶圆W,将处理完毕的晶圆W输送到晶圆回收部10等操作。
带供给部5使从卷辊TR导出的剥离用粘合带T通过保持台6上方,将其引导至带粘贴单元7以及带剥离单元8处。另外,粘合带T的宽度比晶圆W的直径小。另外,带供给部5相当于本发明的带供给部件。
如图10所示,保持台6用于在剥离保护带时载置保持晶圆W,在保持台6的上表面设有圆形的凹部42,该凹部42的直径接近晶圆背面的磨削区域的直径。在凹部42的外周部表面以环状配置有作用于晶圆W的环状凸部41上的真空吸附孔43。另外,该凹部42与空气供给装置44连通连接,并且设有小孔45,该小孔45允许内部空气以适当阻力向外部流出。而且,凹部42的中心部安装有能进退升降的晶圆交接用吸附盘18。另外,空气供给装置44相当于本发明的流体供给部件。
如图4所示,带粘贴单元7利用由电动机M1正反转驱动的进给丝杆23,使可沿着导轨21左右移动地被支承的可动台22以恒定行程左右水平往复移动,并且,利用摆动臂24可以上下动地将粘贴辊25安装在该可动台22上。粘贴辊25的宽度比晶圆W的外径大。另外,粘贴辊25相当于本发明的粘贴构件。
带剥离单元8是利用由电动机M2正反转驱动的进给丝杆27,使可沿着导轨21左右移动地被支承的可动台26以恒定行程左右水平往复移动,并且,在该可动台26上安装有带剥离用引导构件28、导辊29、被驱动旋转的送出辊30以及与该送出辊30相对的夹持辊31等。另外,带带剥离单元8相当于本发明的剥离部件。
如图5及图6所示,带剥离用引导构件28由顶端具有尖锐的棱边的、宽度大于晶圆W外径的板材构成。另外,引导构件28利用切缝33及螺栓34可以调节进退地连接固定在旋转支轴32上,该旋转支轴32可以转动地突出设置在可动台26的前表面并被其支承。另外,在旋转支轴32的基部紧固连接有操作臂35,并且,枢支连接在该操作臂35的自由端部上的连接杆37与安装在可动台26前表面的气缸36连接。即,随着气缸36进退动作,操作臂35摆动,从而使旋转支轴32转动。通过该动作,引导构件28的顶端棱边上下动。
另外,从操作臂35的自由端部延伸出的连接杆37利用螺纹安装在气缸36的活塞杆36a上。另外,通过调节连接杆37的旋入量,可以任意调节操作臂35在活塞杆36a伸出工作至行程一端时的摆动角度,即,可以任意调节位于下限位置的棱边构件28的角度。
本发明的粘合带的粘贴/剥离装置各部分的结构如上所述。接着,参照图10~图15,对将剥离用粘合带T粘贴于在晶圆W表面粘贴的保护带PT上以及从晶圆W表面剥离保护带PT的基本工序进行说明。
首先,机械人臂2插入到晶圆供给部1的盒C1中,从规定的晶圆W下表面(背面)侧吸附保持该晶圆W并将其取出,然后将其移载到校准台4上。基于预先形成在晶圆W外周的切口等检测部位的检测,在校准台上对晶圆W进行对位。对位后的晶圆W再由机械人臂2从其下表面侧支承并输送,然后被供给到下降至晶圆接收位置的正在待机的保持台6上方。
如图10所示,输送到保持台6上方的晶圆W由突出于台上的吸附盘18接收后,随着吸附盘18的下降以规定的姿势和位置被载置到保持台6的上表面。此时,设在晶圆W背面外周的环状凸部41被设在凹部42外周的真空吸附孔43吸附保持。另外,当晶圆W被吸附保持在保持台6上时,空气被从空气供给装置44送入到凹部42中,在晶圆W与保持台6之间形成的空间S被加压至稍高于大气压的规定压力。
在将晶圆W装填到保持台6上的时刻,如图11所示,带粘贴单元7与带剥离单元8位于从保持台6向后方远离的待机位置。
当将晶圆W装填到保持台6上时,则如图12所示,带粘贴单元7的粘贴辊25下降到规定的粘贴位置。之后,单元整体前进移动,粘贴辊25沿着晶圆W的上表面滚动移动,将粘合带T逐渐粘贴在保护带PT的表面。
在该情况下,晶圆W的表面受到凹部42的内压而从扁平状态向上方稍稍鼓出变形。由于粘贴辊25从晶圆W表面侧推压该晶圆W,因此使晶圆W变形至扁平状态,粘合带T受到其推压反作用力而被可靠地逐渐粘贴在保护带PT的表面。
在此,由于粘贴辊25的宽度比晶圆W的外径大,所以,粘贴辊25的下降推压量被在保持台6承接支承的晶圆外周部的背面的环状凸部41限制。因此,被从表面侧推压的晶圆W的薄壁部的晶圆表面不会被较大地压入变形到比扁平状态更靠空间内方的程度。
当鼓出变形了的晶圆W的薄壁部被粘贴辊25压回至扁平状态时,空间S的容积少于鼓出时的容积,从而提高了空间S的内压。此时,内部空气从小孔45流出,可抑制内压的上升。
如图13所示,当粘合带T粘贴结束时,对于带剥离单元8,气缸36伸出动作至行程一端,通过操作臂35的摆动使引导构件28下降至下限位置。
接着,如图14所示,使带剥离单元8前进移动,一边使引导构件28的顶端部将粘合带T推压在保护带PT表面一边使该顶端部移动,并且,送出辊30以与该移动速度同步的周速度逐渐输出粘合带T。因此,在引导构件28的顶端部处被以折回角度θ翻转引导着的粘合带T利用导辊29,被导入到送出辊30与夹持辊31之间,如图6及图16所示,以将该粘合带T与保护带PT粘接成一体的状态移动,从而从晶圆W表面逐渐剥离保护带PT。
在该情况下,由引导构件28形成的带折回角度θ为90°以上,优选是设定为100°以上的大角度。根据粘合带T的粘接度、硬挺度、或者晶圆W的强度等条件,可以使带折回角度θ小于90°(接近于90°)来进行实施。另外,优选是,粘合带T的硬挺度越大,越是将带折回角度θ调节设定调节得较小。而且,该调节可以通过伸缩调节连接杆37调节引导构件28处于下限位置时的角度来进行。而且,通过调节引导构件28相对于旋转支轴32的安装位置,可以修正引导构件28随着引导构件28角度变化而产生的高度变化。
另外,优选是,使引导构件28通过晶圆W的端部、开始剥离保护带PT时的前进移动速度变慢,之后加快前进移动速度。通过设定该速度,可以在成为剥离开始端的环状凸部41可靠地粘贴粘合带T,从而可提高处理效率。送出辊30利用在规定扭矩以上的载荷时空转的滑动离合器(slip clutch)、由未图示的驱动装置进行旋转驱动,一边对粘合带T施加规定张力一边将其送出。
如图15所示,当带剥离单元8在晶圆上方通过而完全剥离下保护带PT时,由吸附盘18暂时吸起晶圆W。之后,由机械人臂2从保持台6输出该晶圆W,并将其插入容纳到晶圆回收部10的盒C2中。其间,带粘贴单元7以及带剥离单元8后退回归移动到原来的待机位置,并且,对剥离下的处理完毕的粘合带Ts进行卷绕回收。另外,粘贴辊25以及引导构件28也上升到原来的待机位置。
以上,完成一次剥离用粘合带的粘贴工序、以及保护带PT的剥离工序,接着进入基片的接纳待机状态。
图17~图25表示本发明第2实施方式的半导体晶圆的保护带剥离装置。
在该实施方式中,可以同时进行将剥离用粘合带T粘贴在保护带PT上和从晶圆W剥离保护带PT的作业,基本构成与上述第1实施方式相同,因此,对与第1实施方式相同的构件以及部位标注相同的附图标记,以下说明不同的构造。
如图20所示,配置有带粘贴/剥离单元50,以取代第1实施方式中的带粘贴单元7以及带剥离单元8。该带粘贴/剥离单元50利用由电动机M3正反转驱动的进给丝杆53,使可沿着前后一对导轨51左右滑动移动地被支承的可动台52左右水平移动,并且,在该可动台52上安装有兼用作粘贴构件的引导构件54、导辊55、被驱动转动的送出辊56以及与该送出辊56相对的夹持辊57等。
带粘贴/剥离单元50的引导构件54由顶端具有尖锐的棱边的、宽度大于晶圆直径的板材构成,可调节前后位置地连接固定在旋转支轴58上,该旋转支轴58可转动地突出设置在可动台52的前表面并被其支承。
在旋转支轴58的基部紧固连接有操作臂59,并且,在该操作臂59的自由端部与安装于可动台52前表面的气缸61连接。随着该气缸61的伸缩动作,操作臂59摆动,从而旋转支轴58转动。这样,引导构件54的顶端部上下动。
接着,根据图21~图25对剥离已粘贴在晶圆W表面的保护带PT的基本行程进行说明。另外,将到晶圆W装填保持在保持台6上为止的工序与先前的第1实施方式相同,因此,在此,对将晶圆W装填保持在保持台6上之后的工序进行说明。
如图21所示,将晶圆W装填保持在保持台6上之后,首先,提高在晶圆W与保持台6之间形成的空间S的内压。接着,如图22所示,带粘贴/剥离单元50前进移动到晶圆W上方。使其移动到引导构件54的顶端来到待机位置侧的距离晶圆W周端适当距离的前方地点。在该地点,气缸61伸出动作至行程一端,通过操作臂59的动作,使引导构件54下降至下限位置。即,引导构件54的顶端与粘合带T表面(非粘贴面)接触,将该粘合带T推压到保护带PT的表面。
当引导构件54下降时,如图23所示,带粘贴/剥离单元50向待机位置方向后退移动。即,一边用引导构件54的顶端推压粘合带T一边将粘合带T逐渐粘贴到保护带PT的表面。
当引导构件54的顶端到达晶圆W的周端时,如图24所示,带粘贴/剥离单元50使其移动方向相反而前进移动。此时,引导构件54的顶端部一边将粘合带T推压到保护带PT表面、一边进行移动,并且,送出辊56以与该移动速度同步的周速度卷绕粘合带T。通过这样粘贴和剥离粘合带T,同时从晶圆表面上逐渐剥离粘贴支承在该粘合带T上并与之形成一体的保护带PT。
如图25所示,在带粘贴/剥离单元50通过晶圆W、将保护带PT完全从晶圆W表面剥离后,机械人臂2从保持台6上运出晶圆W,并将其插入容纳到晶圆回收部10的盒C2中。其间,带粘贴/剥离单元50移动到待机位置,并且,对剥离下来的粘合带Ts进行卷绕回收。另外,引导构件54也上升至待机位置。
以上,完成一次保护带剥离行程,进入下一个的晶圆的接纳的待机状态。
根据上述各个实施方式的装置,即使晶圆W以围绕背面磨削区域的方式在背面外周形成环状凸部41而具有凹凸台阶,也可以将剥离用粘合带T高精度地粘贴在已粘贴于晶圆W表面的保护带PT上。即,当将粘合带T粘贴在晶圆W上时,可用供给的空气适度加压在晶圆W内侧形成的空间S。因此,在该状态下,即使通过粘贴构件、即粘贴辊25或者引导构件28、54推压剥离用粘合带T,也不会使晶圆W因粘贴推压力而产生不当的后退变形而使粘贴力降低。其结果是,可以将粘合带T高精度地粘贴在保护带PT表面,从而将其紧贴在该保护带PT表面。另外,通过剥离紧贴着的粘合带T,可以高精度地从晶圆W表面剥离保护带PT。
本发明还可以变型为下面这样的方式进行实施。
(1)在上述各个实施方式中,也可以由小直径辊构成翻转引导剥离用粘合带T的引导构件28、54。
(2)在上述各个实施方式中,在可相对于保持台6自由装卸地安装于该保持台6的插接件上形成空气流出用小孔45,还可通过更换具有不同直径的小孔45的插接件来调整空间S的内压。
(3)在上述各个实施方式中,安装与凹部42连通的低压的安全阀而使内部空气可流出,由此,也可形成保持空间S内压的结构。在该情况下,使安全阀为可调整工作压力的可变安全阀,从而可微调整空间S的内压。
(4)在上述各实施方式中,使在保持台6表面形成的凹部42小于在最小尺寸的晶圆W的背面磨削形成的扁平凹部40的直径,在凹部42的外周表面以同心状形成多组真空吸附孔43,从而能吸附保持不同尺寸的晶圆W的环状凸部41地进行实施。
(5)在上述实施方式中,仅将晶圆W载置在扁平的保持台6的表面,由在晶圆W背面与保持台6表面之间磨削形成的扁平凹部40形成空间S。例如,即使省略保持台6的凹部42,也可用从形成在保持台表面的空气供给孔供给来的空气提高在扁平凹部40上形成的空间S的内压。
(6)在上述实施方式中,是将空气供给到由扁平凹部40形成的空间S,但不限定与空气,只要是不会引起晶圆W品质变差的流体即可,也可以是气体、液体中的任一个。
(7)在上述实施方式中,在粘贴粘合带时,使粘贴辊25在成为粘贴开始端的环状凸部41的背面的推压力大于扁平凹部40部分的推压力。根据该结构,可以可靠地将粘合带紧贴在保护带上。
本发明可以在不脱离其思想或者本质的范围内,以其它具体形式进行实施,因此,表示发明范围的不是以上的说明,而应参照本申请的权利要求。
Claims (20)
1.一种向半导体晶圆粘贴粘合带的方法,该方法用于在半导体晶圆表面所粘贴的保护带上粘贴剥离用粘合带,该方法包括以下过程:
以围绕背面磨削区域的方式在上述半导体晶圆的背面外周残留形成环状凸部,使该环状凸部在整个圆周与保持台紧贴地吸附保持该环状凸部;
从保持台一侧向形成在半导体晶圆背面与保持台之间的空间供给流体,从而提高上述空间的内压;
向粘贴在半导体晶圆上的保护带的表面供给剥离用粘合带;
一边用宽度大于半导体晶圆外径的粘贴构件推压粘合带的非粘贴表面、一边使粘贴构件从半导体晶圆一端侧移动到另一端侧,从而将粘合带粘贴在保护带的表面。
2.根据权利要求1所述的向半导体晶圆粘贴粘合带的方法,其中,
在上述保持台上形成与磨削形成在上述半导体晶圆背面的扁平凹部连通的凹部,用该凹部的外周吸附保持半导体晶圆的上述环状凸部。
3.根据权利要求1所述的向半导体晶圆粘贴粘合带的方法,其中,
一边容许从上述空间流出流体,一边向上述空间供给流体而对该空间加压。
4.根据权利要求1所述的向半导体晶圆粘贴粘合带的方法,其中,
使粘贴构件在粘合带开始粘贴部分处的移动速度变慢。
5.根据权利要求4所述的向半导体晶圆粘贴粘合带的方法,其中,
使成为粘合带开始粘贴部分的环状凸部背面侧的推压力大于形成在环状凸部内侧的扁平凹部部分的推压力。
6.根据权利要求3所述的向半导体晶圆粘贴粘合带的方法,其中,
利用形成在保持台上的微细孔来容许流体流出。
7.根据权利要求3所述的向半导体晶圆粘贴粘合带的方法,其中,
利用安装在与保持台连通的排出孔中的可调整工作压力的安全阀来容许流体流出。
8.一种从半导体晶圆剥离保护带的方法,该方法用于剥离粘贴在半导体晶圆表面的保护带,该方法包括以下过程:
以围绕背面磨削区域的方式在上述半导体晶圆的背面外周残留形成环状凸部,使该环状凸部在整个圆周与保持台紧贴地吸附保持该环状凸部;
从保持台一侧向形成在半导体晶圆背面与保持台之间的空间供给流体,从而提高上述空间的内压;
向粘贴在半导体晶圆上的保护带的表面供给剥离用粘合带;
一边用宽度大于半导体晶圆外径的粘贴构件推压粘合带的非粘贴表面、一边使粘贴构件从半导体晶圆一端侧向另一端侧移动,从而将粘合带粘贴到保护带的表面;
用可从半导体晶圆一端侧向另一端侧移动的引导构件翻转引导粘贴着的剥离用粘合带,从而从半导体晶圆表面剥离与粘合带一体化了的保护带。
9.根据权利要求8所述的从半导体晶圆剥离保护带的方法,其中,
上述引导构件兼用作上述粘贴构件,可同时进行向保护带粘贴粘合带和从半导体晶圆剥离保护带。
10.根据权利要求8所述的从半导体晶圆剥离保护带的方法,其中,
上述引导构件为形成棱边状的板材。
11.根据权利要求8所述的从半导体晶圆剥离保护带的方法,其中,
使粘贴构件在粘合带开始粘贴部分处的移动速度变慢。
12.根据权利要求11所述的从半导体晶圆剥离保护带的方法,其中,
使成为粘合带开始粘贴部分的环状凸部背面侧的推压力大于形成在环状凸部内侧的扁平凹部部分的推压力。
13.根据权利要求8所述的从半导体晶圆剥离保护带的方法,其中,
利用形成在保持台上的微细孔来容许流体流出。
14.根据权利要求8所述的从半导体晶圆剥离保护带的方法,其中,
利用安装在与保持台连通的排出孔中的可调整工作压力的安全阀来容许流体流出。
15.一种向半导体晶圆粘贴粘合带的装置,该装置对粘贴在半导体晶圆表面的保护带粘贴剥离用粘合带,该装置包括以下结构要素:
以围绕背面磨削区域的方式在上述半导体晶圆的背面外周残留形成有环状凸部,从而在该环状凸部的内径侧形成有扁平凹部;
保持台,其用于吸附上述背面的环状凸部;
流体供给部件,其用于从保持台一侧向形成在半导体晶圆背面与保持台之间的空间供给流体;
带供给部件,其用于向粘贴在半导体晶圆上的保护带的表面供给剥离用粘合带;
带粘贴单元,其一边用宽度大于半导体晶圆外径的粘贴构件推压粘合带的非粘贴表面、一边使粘贴构件从半导体晶圆一端侧向另一端侧移动,从而将粘合带粘贴在保护带的表面。
16.根据权利要求15所述的向半导体晶圆粘贴粘合带的装置,其中,
上述保持台形成有与磨削形成在半导体晶圆背面的扁平凹部连通的凹部,用该凹部的外周吸附半导体晶圆的环状凸部。
17.根据权利要求15所述的向半导体晶圆粘贴粘合带的装置,其中,
上述装置还包括调节内压的部件,该调节内压的部件在使流体从形成在半导体晶圆背面与保持台之间的空间流出的同时调节内压。
18.一种从半导体晶圆剥离保护带的装置,该装置用于剥离粘贴在半导体晶圆表面的保护带,该装置包括以下结构要素:
以围绕背面磨削区域的方式在上述半导体晶圆的背面外周残留形成有环状凸部,在该环状凸部的内径侧形成有扁平凹部;
保持台,其用于吸附环状凸部;
流体供给部件,其从保持台一侧向形成在半导体晶圆背面与保持台之间的空间供给流体;
带供给部件,其向粘贴在半导体晶圆上的保护带的表面供给剥离用粘合带;
带粘贴单元,其一边用宽度大于半导体晶圆外径的粘贴构件推压粘合带的非粘贴表面、一边使粘贴构件从半导体晶圆一端侧向另一端侧移动,从而将粘合带粘贴在保护带的表面;
剥离部件,其用可从半导体晶圆一端侧向另一端侧移动的引导构件翻转引导粘贴着的剥离用粘合带,从半导体晶圆表面剥离与粘合带一体化了的保护带。
19.根据权利要求18所述的从半导体晶圆剥离保护带的装置,其中,
上述保持台形成有与磨削形成在半导体晶圆背面的扁平凹部连通的凹部,用该凹部的外周吸附半导体晶圆的环状凸部。
20.根据权利要求18所述的从半导体晶圆剥离保护带的装置,其中,
上述装置还包括调节内压的部件,该调节内压的部件在使流体从形成在半导体晶圆背面与保持台之间的空间流出的同时调节内压。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006208118 | 2006-07-31 | ||
JP2006-208118 | 2006-07-31 | ||
JP2006208118A JP4641984B2 (ja) | 2006-07-31 | 2006-07-31 | 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および半導体ウエハからの保護テープ剥離方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101118842A true CN101118842A (zh) | 2008-02-06 |
CN101118842B CN101118842B (zh) | 2010-08-18 |
Family
ID=38698705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2007101437063A Expired - Fee Related CN101118842B (zh) | 2006-07-31 | 2007-07-30 | 对半导体晶圆粘贴粘合带、剥离保护带的方法及装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7763141B2 (zh) |
EP (1) | EP1884991A3 (zh) |
JP (1) | JP4641984B2 (zh) |
KR (1) | KR101280670B1 (zh) |
CN (1) | CN101118842B (zh) |
TW (1) | TWI446471B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102449090A (zh) * | 2009-06-05 | 2012-05-09 | 电气化学工业株式会社 | 粘合片及半导体晶片的背面磨削方法 |
CN105390428A (zh) * | 2014-08-25 | 2016-03-09 | 日东电工株式会社 | 粘合带剥离方法和粘合带剥离装置 |
CN105390415A (zh) * | 2014-08-25 | 2016-03-09 | 日东电工株式会社 | 粘合带剥离方法和粘合带剥离装置 |
CN109411401A (zh) * | 2017-08-18 | 2019-03-01 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 衬底支撑装置以及外延生长设备 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5292057B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2013-09-18 | リンテック株式会社 | テーブル及びこれを用いたシート剥離装置並びに剥離方法 |
JP5273791B2 (ja) * | 2008-12-02 | 2013-08-28 | 株式会社タカトリ | 基板への接着テープ貼り付け装置 |
JP5543812B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2014-07-09 | 日東電工株式会社 | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 |
US8574398B2 (en) * | 2010-05-27 | 2013-11-05 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Apparatus and method for detaping an adhesive layer from the surface of ultra thin wafers |
JP5635363B2 (ja) | 2010-10-19 | 2014-12-03 | 日東電工株式会社 | 保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置 |
CN102173316B (zh) * | 2010-12-21 | 2013-06-19 | 上海技美电子科技有限公司 | 贴膜方法及贴膜设备 |
JP2012164839A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Lintec Corp | 板状部材の支持装置及び支持方法、並びに、シート剥離装置及び剥離方法 |
US8469076B1 (en) * | 2012-05-10 | 2013-06-25 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Polarizer film peeling machine and polarizer film peeling method thereof |
WO2014017979A1 (en) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | Tan Thiam Ley | Non-Abrasive Buffing De-Tape of Bleed Tape On Integrated Circuit Substrate |
KR101698644B1 (ko) * | 2014-08-14 | 2017-01-20 | 주식회사 엘지화학 | 패널로부터 편광 필름을 박리하기 위한 박리바, 이를 이용한 박리 장치 및 박리 방법 |
JP2017107946A (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | リンテック株式会社 | シート剥離装置 |
WO2021241935A1 (ko) * | 2020-05-25 | 2021-12-02 | (주) 엔지온 | 반도체 칩 디라미네이션 장치 및 이의 제어 방법 |
KR102440739B1 (ko) * | 2020-05-25 | 2022-09-07 | (주) 엔지온 | 반도체 칩 디라미네이션 장치 |
KR102440741B1 (ko) * | 2020-05-25 | 2022-09-07 | (주) 엔지온 | 반도체 칩 디라미네이션 장치 제어 방법 |
KR102456864B1 (ko) * | 2020-08-18 | 2022-10-21 | (주) 엔지온 | 반도체 칩 디라미네이션 장치 |
JP2023112862A (ja) | 2022-02-02 | 2023-08-15 | 日東電工株式会社 | 粘着テープ剥離方法および粘着テープ剥離装置 |
CN116598247B (zh) * | 2023-07-18 | 2023-09-12 | 深圳新控半导体技术有限公司 | 一种芯片粘贴用自调节粘贴平台及其控制方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63166243A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハのテ−プ貼付装置 |
JP2911997B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 半導体ウェハーへのテープ貼付装置 |
DE4013656C2 (de) * | 1990-04-27 | 1994-04-21 | Bhs Bayerische Berg | Vorrichtung zum Spleißen von Bahnen, insbesondere von Papierbahnen für die Herstellung von Wellpappe |
JPH05121384A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07201957A (ja) * | 1993-12-29 | 1995-08-04 | Sony Corp | ウェーハ・テープ・マウンタ |
JPH09266242A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-07 | Kuroda Precision Ind Ltd | 吸着用チャック装置 |
JP3447518B2 (ja) | 1996-08-09 | 2003-09-16 | リンテック株式会社 | 接着シート貼付装置および方法 |
JPH10189693A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Disco Eng Service:Kk | テープ貼り方法及び装置 |
JP4502547B2 (ja) * | 2000-08-07 | 2010-07-14 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの保護テープ除去方法およびその装置 |
CN1260779C (zh) * | 2001-06-11 | 2006-06-21 | 日东电工株式会社 | 从半导体晶片上清除无用物质的方法和装置 |
JP4058482B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2008-03-12 | レーザーテック株式会社 | 基板保持装置 |
JP4307972B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2009-08-05 | 三洋電機株式会社 | 保護テープの接着方法及び保護テープ接着用テーブル |
JP2006100728A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Nitto Denko Corp | 保護テープ剥離方法およびこれを用いた装置 |
JP4326519B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2009-09-09 | 日東電工株式会社 | 保護テープ剥離方法およびこれを用いた装置 |
-
2006
- 2006-07-31 JP JP2006208118A patent/JP4641984B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-06-20 EP EP07012033A patent/EP1884991A3/en not_active Withdrawn
- 2007-06-29 US US11/819,827 patent/US7763141B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-25 TW TW096127009A patent/TWI446471B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-07-30 KR KR1020070076122A patent/KR101280670B1/ko active IP Right Grant
- 2007-07-30 CN CN2007101437063A patent/CN101118842B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102449090A (zh) * | 2009-06-05 | 2012-05-09 | 电气化学工业株式会社 | 粘合片及半导体晶片的背面磨削方法 |
CN102449090B (zh) * | 2009-06-05 | 2014-01-01 | 电气化学工业株式会社 | 粘合片及半导体晶片的背面磨削方法 |
US9267059B2 (en) | 2009-06-05 | 2016-02-23 | Denka Company Limited | Adhesive sheet and method of backgrinding semiconductor wafer |
CN105390428A (zh) * | 2014-08-25 | 2016-03-09 | 日东电工株式会社 | 粘合带剥离方法和粘合带剥离装置 |
CN105390415A (zh) * | 2014-08-25 | 2016-03-09 | 日东电工株式会社 | 粘合带剥离方法和粘合带剥离装置 |
CN109411401A (zh) * | 2017-08-18 | 2019-03-01 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 衬底支撑装置以及外延生长设备 |
CN109411401B (zh) * | 2017-08-18 | 2020-12-25 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 衬底支撑装置以及外延生长设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101118842B (zh) | 2010-08-18 |
TWI446471B (zh) | 2014-07-21 |
KR20080012184A (ko) | 2008-02-11 |
KR101280670B1 (ko) | 2013-07-01 |
US20080023133A1 (en) | 2008-01-31 |
EP1884991A3 (en) | 2009-09-16 |
US7763141B2 (en) | 2010-07-27 |
JP2008034709A (ja) | 2008-02-14 |
JP4641984B2 (ja) | 2011-03-02 |
TW200820365A (en) | 2008-05-01 |
EP1884991A2 (en) | 2008-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101118842B (zh) | 对半导体晶圆粘贴粘合带、剥离保护带的方法及装置 | |
CN101118843B (zh) | 对半导体晶圆粘贴粘合带、剥离保护带的方法及装置 | |
CN101181834B (zh) | 半导体晶圆的保护带切断方法及保护带切断装置 | |
CN1855363B (zh) | 支承板分离装置及使用该装置的支承板分离方法 | |
CN102201327B (zh) | 粘合带粘贴方法及粘合带粘贴装置 | |
JP5589045B2 (ja) | 半導体ウエハのマウント方法および半導体ウエハのマウント装置 | |
CN101017767B (zh) | 工件粘贴支承方法和使用该方法的工件粘贴支承装置 | |
CN206619657U (zh) | 动力电池自动贴胶、折弯、扣保持架装置 | |
CN101847571B (zh) | 保护带剥离方法以及采用该方法的保护带剥离装置 | |
CN106816624A (zh) | 动力电池自动贴胶、折弯、扣保持架装置 | |
CN101226876B (zh) | 粘贴带粘贴方法及采用该方法的粘贴带粘贴装置 | |
KR20060051093A (ko) | 보호 테이프 박리방법 및 이를 사용한 장치 | |
CN101118844A (zh) | 半导体晶圆固定装置 | |
CN101388332A (zh) | 保护带剥离方法及保护带剥离装置 | |
CN103681228B (zh) | 粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置 | |
CN101572222B (zh) | 保护带粘贴装置 | |
CN102201330A (zh) | 半导体晶圆固定方法以及半导体晶圆固定装置 | |
CN102737958A (zh) | 基板转贴方法及基板转贴装置 | |
CN104600017A (zh) | 保护带剥离方法和保护带剥离装置 | |
JP2006156633A (ja) | 脆質部材の処理装置 | |
JP6500170B2 (ja) | 基板への接着テープ貼り付け装置及び貼り付け方法 | |
CN103579066A (zh) | 半导体晶圆的固定方法及半导体晶圆的固定装置 | |
JP2006319233A (ja) | 脆質部材の処理装置 | |
CN214291875U (zh) | 一种安装座固定机构及芯片装配机 | |
CN219947287U (zh) | 保护膜剥膜转贴设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100818 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |