CN101104950A - 磷酸三镓晶体的助熔剂生长法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种磷酸三镓晶体的助熔剂生长法。该方法是将磷酸二氢铵、氧化镓、碳酸锂、氧化钼按1∶2.44∶(1.96~4.41)∶(11.45~25.77)重量比称量,混和均匀后放入铂金坩埚,在生长炉中加热熔融,再冷却至熔液饱和点温度之上10~20℃,得到Ga3PO7与助熔剂的混和熔体;将籽晶引入生长炉,在温度降至饱和点以上1~2℃时,下入籽晶,同时以30转/每分钟的旋转速率旋转,待籽晶开始熔化后,降温生长,生长结束后,从熔液中提出晶体,以20~30℃/小时的降温速率降至200℃后,自然冷却至室温即得厘米级尺寸的Ga3PO7晶体。本发明设备简单、生长速度快、容易操作,可以获得大尺寸的光学质量好的Ga3PO7单晶。
Description
技术领域
本发明涉及磷酸三镓(Ga3PO7)压电晶体的生长方法。
背景技术
压电效应是1880年由居里兄弟在α-石英晶体上首先发现的,它反应了压电晶体中弹性性能与电性能之间的相互耦合作用。正因为这种弹性能与电性能之间的互相转换,压电晶体被广泛用于压电换能器、压电式传感器、电声和超声工程等领域,成为一类重要的功能材料。
压电晶体必须是没有对称中心的晶体,在现有的压电晶体中,以三方晶系的32和3m点群晶体研究与应用最为广泛,其中32点群代表性的晶体有α-SiO2、α-AlPO4和GaPO4等,3m点群晶体代表性晶体有铌酸锂(LiNbO3)和钽酸锂(LiTaO3)等。石英晶体是现阶段应用最广的一种压电晶体,但是由于石英在573℃时存在α-β相变,所以限制了其压电器件在高温条件下的应用;而α-AlPO4和GaPO4晶体主要还是水热法生长,晶体生长周期长,很难得到高质量的大尺寸晶体,并且由于水热法合成过程中水的存在,晶体中的OH-基团难以去除,大大降低晶体低频时介质功能的有序/无序极化率;铌酸锂晶体虽然已经实现工业化生产,但是由于在晶体生长过程中,Li2O不断挥发,造成锂离子缺失形成空位,H离子以杂质的离子形式进入到晶格的空位中,与O离子形成O-H键,造成晶体晶格混乱,难以得到近化学计量比铌酸锂,从而影响了其压电性能;钽酸锂晶体熔点高(1650℃),生长条件苛刻,对设备要求高,也限制了其大批量生产。
为适应当前迅速发展的信息产业的需要,性能优异、易工业化的新型压电晶体的开发成为当今材料领域研究的热点。
英国杂志《Acta Crystallographica Section C》在1998年第54卷中首次报道了Ga3PO7晶体的结构。Ga3PO7属于三方晶系,R3m空间群,晶胞参数a=b=7.885(1),c=6.727(1),Z=3,它是由PO4四面体和由三个三角双锥的GaO5组成的Ga3O10通过顶角的氧原子相连接组成。由于其不具有对称中心,且属于10种极性晶类之一,Ga3PO7晶体将具有压电和热释电性能。到目前为止,除在上述报道中通过高温(773K)、高压(210×106Pa)水热合成Ga3PO7晶体以外,还未见有其它有关Ga3PO7单晶的生长方法和晶体性能、应用方面的报道。而对于压电晶体应用而言,需要生长出厘米级的Ga3PO7单晶才能实现其应用。上述水热法生长晶体很难得到大尺寸单晶,同时,水热法生长需要高温高压条件,贵金属内衬用量大,对设备要求高,不利于工业化生产。因此,需要寻找一种有利于大尺寸Ga3PO7单晶生长的方法,才能实现Ga3PO7单晶的进一步应用。
发明内容
本发明的目的在于针对现有水热法生长Ga3PO7压电晶体存在的不足,提供一种设备简单、生长速度快、容易操作的磷酸三镓(Ga3PO7)晶体的助熔剂生长法,该方法可以获得大尺寸的光学质量好的Ga3PO7单晶,实现晶体的压电和热释电方面的应用。
本发明所采用的技术方案是:
该Ga3PO7晶体的助熔剂生长法是以碳酸锂和氧化钼作为助熔剂,以4N的氧化镓及磷酸二氢铵为原料,将磷酸二氢铵、氧化镓、碳酸锂、氧化钼按1∶2.44∶(1.96~4.41)∶(11.45~25.77)的重量比称量,混合均匀后放入育晶器中,在生长炉中加热升温至1050℃熔融,并在此温度下恒温24小时以上,使混和熔体充分熔融,通过籽晶反复尝试法测出熔液的饱和点,在高于熔液饱和点温度10~20℃时,将籽晶引入生长炉,置液面上方预热处理,然后将熔液温度降至饱和点以上1~2℃,同时将籽晶下入到混和熔液中,籽晶杆以30转/每分钟的旋转速率,按照正传-停-反转的循环方式旋转,24小时后开始降温,降温速率控制在0.2~0.5℃/天,待晶体长到所需尺寸后,将晶体提离液面,以20~30℃/小时的降温速率降至200℃后,自然冷却至室温,即可得到厘米级透明的Ga3PO7单晶。
本发明采用助熔剂法生长厘米级大尺寸Ga3PO7单晶,设备简单、生长速度快、容易操作,该方法可以获得大尺寸的光学质量好的Ga3PO7单晶,为其在压电和热释电方面的应用打下了良好的基础。
附图说明
图1是采用本发明生长晶体的生长与控制装置的结构示意图。
图2是采用本发明所生长的Ga3PO7晶体的XRD图谱。
图3是采用本发明所生长出的Ga3PO7单晶照片。
其中:1、转动装置,2、籽晶杆,3、耐火砖,4、炉管,5、电阻丝,6、保温材料,7、育晶器,8、籽晶,9、热电偶,10、氧化铝坩埚,11、熔液。
具体实施方式
实施例1:
图1给出了采用本发明生长Ga3PO7单晶的生长与控制装置的结构示意图。该装置为一立式电阻丝加热炉,籽晶杆2的下端绑有籽晶8,其上端安装在转动装置1上。将籽晶8伸入熔液11中,在转动装置1的带动下转动,炉管4内设有耐火砖3,电阻丝5绕在炉管4的外壁上,电阻丝5的外层为保温材料6。控温设备为FP21型可编程自动控温仪,在生长温度区域内控温精度为0.1%。育晶器7置入氧化铝坩埚10中,为70×90mm的铂金坩埚,可以承受1774℃以下的工作温度,所盛熔液11不易对其造成腐蚀。热电偶9采用PtRh/Pt,可以有效控制生长温度。
选用碳酸锂-氧化钼(Li2CO3-MoO3)作为助熔剂,原料为4N的氧化镓(Ga2O3)和磷酸二氢铵(NH4H2PO4),将上述各种试剂按磷酸二氢铵∶氧化镓∶碳酸锂∶氧化钼=1∶2.44∶2.77∶16.23的重量比严格称量,混和均匀后放入育晶器7(即铂金坩埚)中,升温至1050℃熔融化料,并在此温度下恒温24小时以上,使混和熔体充分熔融,确保物料熔化后进行搅拌,使熔液充分混和均匀,得到Ga3PO7与助熔剂的混和熔体。通过籽晶反复尝试法测出熔液的饱和点,在高于熔液饱和点温度10~20℃时,将籽晶引入生长炉,置液面上方预热处理,然后将熔液温度降至饱和点以上1~2℃,同时将籽晶下入到混和熔液中,籽晶杆以30转/每分钟的旋转速率,按照正传-停-反转的循环方式旋转,24小时后开始降温,降温速率控制在0.2~0.5℃/天,待晶体长到所需尺寸后,将晶体提离液面,以20~30℃/小时的降温速率降至200℃后,自然冷却至室温即可得到厘米级透明的Ga3PO7单晶。该磷酸三镓晶体的化学式为Ga3PO7,属于三方晶系,R3m空间群,莫氏硬度为6.5,具有压电和热释电性,可以应用于压电滤波器、压电换能器、压电晶体振荡器、红外探测器件、热释电摄像管。
生长的Ga3PO7晶体的XRD图谱如图2所示,其单晶外观如图3。
溶质化学反应方程式为:
3Ga2O3+2NH4H2PO4=2Ga3PO7+2NH3↑+3H2O↑
助溶剂体系反应方程式:
Li2CO3+3MoO3=Li2Mo3O10+CO2↑
实施例2:
选用碳酸锂-氧化钼(Li2CO3-MoO3)作为助熔剂,原料为4N的氧化镓(Ga2O3)和磷酸二氢铵(NH4H2PO4),将上述各种试剂按磷酸二氢铵∶氧化镓∶碳酸锂∶氧化钼=1∶2.44∶3.37∶19.74的重量比严格称量,然后采用按实施例1所述的设备和方法可得到厘米级透明的Ga3PO7单晶。
实施例3:
选用碳酸锂-氧化钼(Li2CO3-MoO3)作为助熔剂,原料为4N的氧化镓(Ga2O3)和磷酸二氢铵(NH4H2PO4),将上述各种试剂按磷酸二氢铵∶氧化镓∶碳酸锂∶氧化钼=1∶2.44∶4.37∶25.60的重量比严格称量,然后采用按实施例1所述的设备和方法可得到厘米级透明的Ga3PO7单晶。
Claims (1)
1.一种磷酸三镓晶体的助熔剂生长法,其特征在于:是以碳酸锂和氧化钼作为助溶剂,以4N的氧化镓及磷酸二氢铵为原料,将磷酸二氢铵、氧化镓、碳酸锂、氧化钼按1∶2.44∶(1.96~4.41)∶(11.45~25.77)的重量比称量,混合均匀后放入育晶器中,在生长炉中加热升温至1050℃熔融,并在此温度下恒温24小时以上,使混和熔体充分熔融,通过籽晶反复尝试法测出熔液的饱和点,在高于熔液饱和点温度10~20℃时,将籽晶引入生长炉,置液面上方预热处理,然后将熔液温度降至饱和点以上1~2℃,同时将籽晶下入到混和熔液中,籽晶杆以30转/每分钟的旋转速率,按照正传-停-反转的循环方式旋转,24小时后开始降温生长,降温速率控制在0.2~0.5℃/天,待晶体长到所需尺寸后,将晶体提离液面,以20~30℃/小时的降温速率降至200℃后,自然冷却至室温,即可得到厘米级透明的Ga3PO7单晶。
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