CN101101758A - 磁记录介质和磁记录装置 - Google Patents

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樱井正敏
镰田芳幸
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    • G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
    • G11B5/743—Patterned record carriers, wherein the magnetic recording layer is patterned into magnetic isolated data islands, e.g. discrete tracks

Abstract

提供了一种磁记录介质，其包括：基底(11)；以及磁记录层，其包括在所述基底(11)上以凸起的形状形成的磁性膜图形(12)，所述磁性膜图形(12)的侧壁具有不同倾角的至少两个面。

Description

磁记录介质和磁记录装置
技术领域
本发明的一个实施例涉及一种磁记录介质和磁记录装置。
背景技术
近些年来，为了处理磁记录介质的更高的密度，离散磁道记录介质(DTR介质)吸引了注意力。在所述DTR介质中，相邻的记录磁道被非磁性材料隔离以降低在其间的磁干扰。当制造这样的离散磁道记录介质时，期望通过使用压模压印与形成记录磁道的磁性膜图形一起形成对应于伺服区域的信号的磁性膜图形。如果以这种方式来形成所述图形，则因为可以省去伺服磁道写入工序而可以降低成本。
作为一种典型的压印方法，已知下面的方法(美国专利第5,772,905号)。首先，将作为热塑树脂的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)涂敷在作为抗蚀剂的硅基底上，然后使用压模来进行热循环纳米压印，以向抗蚀剂转印所述压模的图形。在去除压模后，通过氧RIE(反应离子蚀刻)来去除在抗蚀剂图形之间的凹陷部分中剩余的残余物以暴露硅表面。随后，使用所述抗蚀剂图形作为掩模来进行蚀刻，以形成凸起的硅图形。
但是，当使用上述方法来按现状制造DTR介质时，已经发现了可能引起磁记录特有的热波动抵抗性的劣化的问题，或者可能发生当将非磁性材料填充在磁性膜图形之间的凹陷部分中时表面变得具有差的平坦度的问题。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种磁记录介质，并且提供使用这样的磁记录介质的磁记录装置，所述磁记录装置的热波动抵抗性不劣化，并且在所述磁记录介质中，当将非磁性材料填充在磁性膜图形之间的凹陷部分中时获得良好的平坦度。
根据一个实施例，提供了一种磁记录介质，其特征在于包括：基底；以及磁记录层，其包括在所述基底上以凸起的形状形成的磁性膜图形，所述磁性膜图形的侧壁具有不同倾角的至少两个面。
根据另一个实施例，提供了一种磁记录装置，其特征在于包括：上述的磁记录介质；主轴电动机，其使所述磁记录介质旋转；磁头滑块，其包括读/写磁头；以及致动器，其使包括所述读/写磁头的所述磁头滑块定位在所述磁记录介质上。
在本发明的磁记录介质中，磁性膜图形的侧壁由不同倾角的两个或多个面或者曲面构成。因此，磁性膜图形的体积大于常规的磁性膜图形的体积，这带来了改善的热波动抵抗性。而且，在本发明的磁记录介质中，当将非磁性材料填充在磁性膜图形之间的凹陷部分中时可以获得良好的平坦度。
附图说明
被并入和构成说明书的一部分的附图示例了本发明的实施例，并且与上面给出的概括说明和下面给出的对实施例的详细说明一起用于说明本发明的原理。
图1是根据一个实施例的磁记录介质的横截面视图；
图2A、2B和2C是示出磁性膜图形的侧壁的形状和填充层的状态的横截面视图；
图3是根据所述实施例的磁记录介质的横截面视图；
图4A、4B、4C、4D、4E、4F、4G和4H是示出制造根据一个实施例的磁记录介质的方法的横截面视图；
图5A、5B、5C、5D、5E、5F和5G是示出制造根据另一个实施例的磁记录介质的方法的横截面视图；
图6是示出根据一个实施例的磁记录装置的透视图；以及
图7是根据所述实施例的磁记录装置的方框图。
具体实施方式
以下参考附图来说明根据本发明的各个实施例。概括地说，根据本发明的一个实施例，提供了一种磁记录介质，包括：基底；以及磁记录层，其包括在所述基底上以凸起形状形成的磁性膜图形，所述磁性膜图形的侧壁具有倾角不同的至少两个面。
图1示出了根据一个实施例的磁记录介质的横截面视图。如图1中所示，该磁记录介质具有基底11(包括底层和中间层)、在基底11上形成的凸起的形状的磁性膜图形12以及在磁性膜图形12之间的凹陷部分中填充的填充层13。如在图1中的横截面视图中所示，磁性膜图形12的侧壁形成从顶部向底部逐渐地变得平缓的曲面。可以通过修改制造磁记录介质的方法来形成这样的结构，如下所述。磁性膜图形12的侧壁仅仅需要包括具有不同倾角的两个或者多个面。
如图1中所示，在本实施例的磁记录介质中，磁性膜在磁性膜图形12的底部以底脚的形状被保留。为此，磁性膜图形12的体积(V)增大，并且KuV/kT也增大(其中Ku是各向异性常数，k是波尔兹曼常数，T是绝对温度)。结果，改善了热波动抵抗性。
在根据该实施例的磁记录介质中，还获得一个优点：可以极好地形成填充层13。参考图2A、2B和2C，将说明磁性膜图形的侧壁的形状和填充层13的状态。
通常，如此加工磁性膜图形12，以便侧壁的倾角变为40到80°。如图2A中所示，当磁性膜图形12的侧壁由具有接近90°的倾角的一个面形成时，在通过干法工艺例如溅射形成填充层的情况下，在填充层13中形成腔C。腔的形成引起不利的问题，例如磁性膜的腐蚀。相反地，当磁性膜图形12的侧壁由具有小于40°的倾角的面形成时，信号可能被写入侧壁中，并且当使用读磁头读取信号时噪声可能变大。
如图2B中所示，当磁性膜图形12的侧壁由不同倾角的两个面形成时，即使当通过干法工艺例如溅射沉积填充层13时不施加偏压，也可以实现良好的填充，并且在填充层中不形成腔。而且，如果在小于磁性膜图形12的高度的一半的区域中使得倾角平缓，则没有信号被写入该区域中，因此噪声不成为问题。
如图2C中所示，当磁性膜图形12的侧壁由曲面或者由其中若干个面具有不同的倾角的面形成时，可以通过干法工艺例如溅射在磁性膜图形12之间的凹陷部分中均匀地填充填充层13。
可以通过湿法工艺来形成填充层，如下所述。而且，不必形成填充层。即使在不形成填充层的情况下，以在磁性膜图形12的底部的底脚形状保留的磁性膜也确保磁头滑块的可靠的浮动特性。
在根据该实施例的磁记录介质中，当在磁性膜图形之间填充填充层时还获得了改善表面平坦度的效果。在包括DTR介质的构图的介质中，存在一些这样的区域，其中磁性膜图形(或者凹陷部分)的占用面积率不同。例如，磁性膜图形的占用面积率分别是：对于伺服区域的地址部分和前导码部分(preamble part)约为50％，对于伺服区域的脉冲部分(burst part)约为75％，以及对于数据区域约为67％。在这样的结构中，因为与具有较小面积的凹陷部分的区域相比较，具有较大面积的凹陷部分的区域具有较大的体积以用于要被填充在凹陷部分中的非磁性材料，因此填充后的非磁性材料的高度变低。这种现象在形成填充层后影响表面平坦度。
参考在图3中所示的横截面视图，将说明在根据该实施例的磁记录介质中形成填充层后如何可以改善表面平坦度。如图3中所示，在基底11上形成磁性膜图形12，并且在磁性膜图形12之间的凹陷部分中形成填充层13。在它们之上形成保护膜14，并且施加润滑剂15。在图3中所示的实施例中，使得在具有较大面积的凹陷部分(L1)的区域中的磁性膜图形的高度差小于在具有较小面积的凹陷部分(L2)的区域中的磁性膜图形的高度差。换句话说，通过实现条件H1＜H2，可以减轻在L1和L2的区域中要填充的填充层的体积的差别。因此，即使在磁性膜图形(或者凹陷部分)的占用面积率不同的区域中，也可以改善在形成填充层后的表面平坦度。通过如下所述修改制造磁记录介质的方法，可以形成其中磁性膜图形的高度差满足条件H1＜H2的结构。
通过使用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)或者透射电子显微镜(TEM)来测量横截面，可以观察到和磁性膜图形的侧壁形状和高度差别。而且，通过利用SEM或者TEM测量横截面，即使在形成填充层后也可以观察到磁性膜图形的侧壁。
接着，将参考图4A、4B、4C、4D、4E、4F、4G和4H说明制造根据该实施例的磁记录介质的方法。
如图4A中所示，在基底41上形成磁性膜。例如，可以将锂基结晶玻璃用作基底41。例如，在基底41上，形成高磁导率的软底层和垂直记录层，由此获得所谓的垂直双层介质。作为软底层，可以使用例如CoZr基、CoZrNb基或者CoZrTa基的合金。作为垂直记录层，可以使用CoCrPt基的合金等。而且，可以在软底层和垂直记录层之间形成由非磁性膜制成的中间层，以阻止在软底层和垂直记录层之间的交换耦合相互作用，并且控制垂直记录层的结晶度。作为中间层的材料，可以使用Ru、Pt、Pd、W、Ti、Ta、Cr、Si或者包含它们的合金或者它们的氧化物或氮化物。但是，所述介质的结构不限于此。在附图中，基底41被认为包括底层和中间层，并且磁性膜42表示垂直记录层。
接着，在磁性膜42上涂敷用于压印的抗蚀剂43。作为抗蚀剂43，根据要制造的高密度记录介质而选择适合于在压印工艺后进行的工艺例如蚀刻的材料。要求抗蚀剂43比压模材料更软，以便在压印中可以确保地转印在压模表面上的凹陷部分和凸起部分的图形，并且要求抗蚀剂43具有足够的稳定性以在室温下保持在压印后转印的图形。因此，抗蚀剂的玻璃转化温度和熔点高于室温。更具体地，期望抗蚀剂足够软，以便能够在500巴或者更高的负载下转印压模的图形，并且期望玻璃转化温度是100℃或者更低。因此，作为抗蚀剂，可以使用例如在半导体工艺中使用的酚醛清漆树脂等和旋涂玻璃(SOG)。为了防止磁性膜的氧化，优选的是能够不使用氧气RIE而蚀刻的SOG，但是不限于此。抗蚀剂的厚度应当是大于等于20nm且小于等于100nm。而且，为了在基底边缘提供导电性，在该阶段漂洗在基底边缘上涂敷的抗蚀剂。
如图4B中所示，将由例如镍制成的压模44压向抗蚀剂43，从而将压模44的图形转印到抗蚀剂43(压印)。
如图4C中所示，在压印后去除压模44，然后，在构图的抗蚀剂43的凹陷部分中保留抗蚀剂残余物的同时进行离子铣削，以便蚀刻在抗蚀剂43的凹陷部分中的抗蚀剂残余物和磁性膜42。
通常，使用离子铣削来加工通过反应离子蚀刻(RIE)不能容易地加工的磁性金属等。在蚀刻包含在铁磁性合金中的金属例如Cr、Mn、Fe、Co或者Ni的工艺中通过RIE而形成的中间产品的卤化物具有高熔点和沸点、在室温下极低的蒸汽压力和高的汽化热。即，难于去除这些自由基反应产物。因此，对于磁性膜的加工使用离子铣削。铣削是利用溅射现象的蚀刻方法，其中，惰性气体例如氩被电离和场加速，以物理地从材料表面溅射出分子，并且可以蚀刻几乎所有的物质。当通过离子铣削来蚀刻磁性膜时，将离子入射角改变为40°和70°，以便抑制再沉积并消除对于磁性膜的损伤。
常规地，在已经被应用压印的磁性膜的加工中，首先，通过各向异性蚀刻例如反应离子蚀刻(RIE)和感应耦合等离子体(ICP)，去除在抗蚀剂图形的凹陷部分中剩余的抗蚀剂残余物，以便抑制由于在抗蚀剂图形的凹陷部分对凸起部分的比率的差别和侧面蚀刻而导致的抗蚀剂残余物的变化。在这种情况下，如图2A中所示，形成其侧壁由具有一个倾角的一个表面形成的磁性膜图形12，这导致了上述的问题。
与此相反，因为在本实施例中在抗蚀剂图形的凹陷部分中保留抗蚀剂残余物的同时进行离子铣削，因此，可以形成其侧壁具有逐渐地变平缓的斜坡的曲面的磁性膜图形，如图2C中所示。结果，磁性膜图形的体积增大，从而改善热波动抵抗性。
在本实施例中，使得在磁性膜42上涂敷的抗蚀剂43很薄，并且在使得在压印后在抗蚀剂图形的凹陷部分中剩余的抗蚀剂残余物也很薄的状态下进行离子铣削。因此，可以抑制侧蚀刻。如图3中所示，通过利用抗蚀剂残余物的变化，可以使得在具有较大面积的凹陷部分的区域(L1)中的磁性膜图形的高度差小于在具有较小面积的凹陷部分的区域(L2)中的磁性膜图形的高度差。结果，可以改善在形成填充层后的表面平坦度。如上所述，因为在保留抗蚀剂残余物的状态下通过离子铣削来蚀刻磁性膜，因此可以将在压印后的抗蚀剂图形的形状转印到磁性膜，并且即使在磁性膜图形的占用面积率不同的区域中也可以在磁性膜图形的底部提供相同的曲率半径。
虽然优选抗蚀剂43很薄，但是抗蚀剂43必须足够厚以当加工磁性膜42时作为掩模。换句话说，抗蚀剂43必须如此厚，以便抗蚀剂43可以填充压模44的凹陷部分。因此，抗蚀剂43的厚度应当是大于等于20nm且小于等于100nm，如上所述。
如图4D中所示，去除被用作蚀刻掩模的抗蚀剂43。根据抗蚀剂43的材料来适当地选择去除方法。例如，在将SOG用作抗蚀剂43的情况下，可以使用CF4气体或者SF6气体通过ICP蚀刻装置来去除它。但是，去除方法不限于此。可以根据需要进行用于去除在所加工的磁性膜的表面上的杂质的处理，例如冲洗。
然后，进行对由非磁性材料制成的填充层45的沉积(图4E)、通过回蚀刻的平坦化(图4F)和对保护膜46的沉积(图4G)。为了形成填充层45，可以使用干法工艺例如溅射和CVD以及湿法工艺例如旋涂，但是工艺不限于此。而且，涂敷润滑剂47，如图4H中所示。以如上所述的方式，制成根据本实施例的磁记录介质。
根据另一个实施例，在压印后通过RIE从抗蚀剂图形的凹陷部分去除抗蚀剂残余物。当通过离子铣削来蚀刻磁性膜时，离子入射角被改变为40°、20°和70°。使用这种方法，可以由具有不同倾角的两个面来形成磁性膜图形的侧壁，如图2B中所示。
将参考图5A、5B、5C、5D、5E、5F和5G来说明制造根据另一个实施例的磁记录介质的方法。以与在图4A-4C中所示的类似的方式进行在图5A-5C中所示的工艺。如图5D中所示，不剥离在图5C的步骤中被用作蚀刻掩模的抗蚀剂图形，并且通过湿法工艺例如旋涂在磁性膜图形42之间的凹陷部分中填充填充层45’。然后，以与在图4F-4H中所示的类似的方式进行在图5E-5G中所示的工艺。
虽然RIE可以是磁性膜腐蚀的原因，但是在图4中所示的方法不使用RIE来去除抗蚀剂残余物，并且在图5中所示的方法不使用RIE来去除抗蚀剂残余物并且剥离抗蚀剂图形。因此，在图4和5中所示的方法在防止磁性膜的腐蚀方面是有效的。
虽然以上已经描述了DTR介质的制造，但是在上述实施例中的方法在狭义上也可以被应用到构图介质的制造。
图6是根据本发明的一个实施例的磁盘装置(硬盘驱动器)的透视图。该磁盘装置在底盘70内包括磁盘71、包括磁头的磁头滑块76、支撑磁头滑块76的磁头悬架组件(悬架75和致动器臂74)、音圈电动机(VCM)77和电路板。
磁盘(离散磁道记录介质)71被安装在主轴电动机72上，并且通过主轴电动机72旋转。在垂直磁记录系统中的磁盘71上记录各种数字数据。在磁头滑块76中包括的磁头是所谓的集成磁头，其包括单极结构的写磁头和使用屏蔽的MR读取元件(例如GMR膜或者TMR膜)的读磁头。悬架75被保持在致动器臂74的一端以支撑磁头滑块76，以便面向磁盘71的记录表面。致动器臂74附接到枢轴73。作为致动器的音圈电动机(VCM)77被设置在致动器74的另一端。音圈电动机(VCM)77驱动磁头悬架组件以将磁头定位在磁盘71的任意径向位置。电路板包括磁头IC，以产生用于音圈电动机(VCM)的驱动信号以及用于控制由磁头执行的读写操作的控制信号。
图7示出了根据本发明的一个实施例的磁记录装置(硬盘驱动器)的方框图。该附图示出了仅仅在磁盘顶面上方的磁头滑块。但是，在磁盘的两侧上形成具有离散磁道的垂直磁记录层。分别在磁盘的底面和顶面上方设置下磁头和上磁头。应当注意，除了所采用的磁盘是根据本发明的实施例的磁盘之外，该驱动器结构类似于现有技术的驱动器结构。
该磁盘驱动器包括被称为磁头磁盘组件(HDA)100的主体单元和印刷电路板(PCB)200。
该磁头磁盘组件(HDA)100具有磁盘71、使磁盘旋转的主轴电动机72、包括读磁头和写磁头的磁头滑块76、悬架75和致动器臂74、音圈电动机(VCM)77以及未示出的磁头放大器(HIC)。磁头滑块76具有包括GMR元件的读磁头和包括单极的写磁头。
磁头滑块76受到在悬架75上设置的万向接头的弹性支撑。悬架75附接到致动器臂74，致动器臂74可旋转地附接到枢轴73。音圈电动机(VCM)77产生围绕枢轴73的扭矩，以使得致动器臂74在磁盘71的径向上移动磁头。磁头放大器(HIC)被固定到致动器臂74，以放大输入磁头的输入信号和来自磁头的输出信号。磁头放大器(HIC)经由柔性印刷电缆(FPC)120连接到印刷电路板(PCB)200。在致动器臂74上设置磁头放大器(HIC)使得能够有效地降低在磁头信号中的噪声。但是，磁头放大器(HIC)可以被固定到HAD主体。
如上所述，在磁盘71的两侧形成垂直磁记录层，并且形成均为圆弧状的伺服区域，以便对应于移动磁头的轨迹。磁盘的规格满足适于特定驱动器的外径和内径以及读/写特性。由伺服区域形成的圆弧的半径被给定为从枢轴到磁头元件的距离。
在印刷电路板(PCB)200上安装四个主要系统LSI。所述系统LSI是盘控制器(HDC)210、读/写信道IC 220、MPU 230和电动机驱动器IC240。
MPU 230是驱动系统的控制单元，并且包括实现根据本实施例的磁头定位控制系统的ROM、RAM、CPU和逻辑处理单元。逻辑处理单元是算术处理单元，其由硬件电路构成以执行高速计算。在ROM中存储逻辑处理单元的固件(FW)。MPU根据FW来控制驱动器。
盘控制器(HDC)210是在硬盘驱动器中的接口单元，其通过与在盘驱动器和主机系统之间的接口以及与MPU、读/写信道IC和电动机驱动器IC交换信息来管理整个驱动器。
读/写信道IC 220是与读/写操作相关联的磁头信号处理单元。读/写信道IC 220由这样的电路构成，该电路切换磁头放大器(HIC)的信道，并且在读/写操作中处理读/写信号。
电动机驱动器IC 240是用于音圈电动机(VCM)77和主轴电动机72的驱动器单元。电动机驱动器IC 240控制主轴电动机72，以便电动机72可以以恒定的速度旋转，并且向VCM 77提供基于来自MPU 230的VCM操纵变量而确定的电流，以驱动磁头移动机构。
实例
以下将基于实例更具体地说明本发明。
使用在图4中所示的本发明的方法来制造DTR介质。
作为基底41，使用具有1.8英寸直径的锂基结晶玻璃基底。在冲洗基底41后，将其引入溅射装置，并且依序形成软底层、中间层和磁层42(垂直记录层)。将CoZr基合金用于软磁底层，将Ru用于中间层，将CoCrPt基合金用于垂直记录层。
作为抗蚀剂43，将SOG(OCD T-7 4000T，Tokyo Ohka Kogyo Co.Ltd.)以5,000rpm旋涂在磁性层上。所涂敷的抗蚀剂的厚度是约60nm。然后，从外周边缘在300微米的区域中漂洗抗蚀剂(SOG)43。将环己烷用作漂洗液。
另一方面，为了将图形转印到抗蚀剂(SOG)43，制备镍压模44。本实施例旨在制造DTR介质，在该DTR介质中，磁性膜图形的占用面积率分别为：对于伺服区域的地址部分和前导码部分约为50％，对于伺服区域的脉冲部分约为75％，对于数据区域约为67％。压模44具有与想要的DTR介质对应的凹陷部分和凸起部分的图形。压模44的凸起图形的高度是90nm。
在进行压印之前，使用作为脱模剂的全氟烃基衍生物来进行用于提高在压印后的脱模特性的处理。首先，为了提高在全氟烃基衍生物和由镍制成的压模之间的粘附性，使用氧气通过RIE来氧化压模5分钟。然后，使用涂料器来用全氟烃基衍生物涂敷压模44，所述涂料器中被填充有用GALDEN-HT70(SOLVAY SOLEXIS)稀释的、作为全氟烃基衍生物的全氟聚醚(HOOC-CF2-O-(CF2-CF2-O)m-(CF2-O)n-(CF2-COOH)的溶液。最后，在氮气氛中在150℃下使压模44退火10分钟。
通过在2,000巴下将处理的压模44压向抗蚀剂(SOG)43持续一分钟，将图形转印到抗蚀剂43。在转印所述图形后，抗蚀剂43的凹陷部分的深度是60至70nm，并且抗蚀剂残余物的厚度是约30nm。作为由横截面SEM观察的结果，在压印后在所述图形的底部的曲率半径约为5nm。
然后，在保留抗蚀剂残余物的同时进行离子铣削，以蚀刻抗蚀剂残余物和磁性膜。此时，为了消除对于磁性层的损伤，将离子入射角改变为40°到70°，以便抑制再沉积。结果，以凸起的形状在磁性膜图形42的侧壁上形成具有在40°到80°范围内的倾角的曲面。作为通过横截面TEM观察的结果，在磁性膜的加工后在图形的底部的曲率半径约为5nm，这与在压印后的曲率半径相同。当在伺服区域和数据区域之间比较磁性膜图形的高度差时，在数据区域中的高度差比在伺服区域中的高度差大大约5nm。
在加工磁性膜后，使用CF4通过RIE来去除SOG的抗蚀剂43。使用电感耦合等离子体(ICP)蚀刻装置在大约2毫托的蚀刻压力下进行RIE。
然后，通过溅射将具有约100nm的厚度的碳膜沉积为填充层45。将通过Ar离子铣削回蚀刻碳膜，直到露出磁性膜42的表面，以便平坦化表面。此时，离子入射角被设置为40°。接着，通过CVD将厚度约3nm的碳膜沉积为保护膜46以防止腐蚀。此外，将全氟聚醚浸渍涂敷到约2nm的厚度来作为润滑剂47。
可选地，在压印后去除在抗蚀剂图形的凹陷部分中的抗蚀剂残余物以及通过离子铣削蚀刻磁性膜的步骤中，离子入射角被改变到40°、20°和70°，以便在磁性膜图形的侧壁上形成具有不同的倾角的两个面。
另一方面，作为比较实例，除了在压印后使用CF4气体通过RIE来去除抗蚀剂残余物之外，使用与上述方法类似的方法来制造DTR介质。在这种情况下，以凸起的形状在磁性膜图形的侧壁上形成具有一个倾角的一个面。作为通过横截面TEM观察的结果，在图形的底部的曲率半径是1nm或者更小。当在伺服区域和数据区域之间比较磁性膜图形的高度差时，在它们之间的差是1nm或者更小。
可选地，作为另一个实例，使用在图5中所示的方法来制造DTR介质。在这种情况下，不通过RIE去除抗蚀剂残余物而通过Ar离子铣削来加工磁性膜，不通过RIE来剥离抗蚀剂而以5,000rpm旋涂以填充SOG(OCD T-7 4000T；Tokyo Ohka Kogyo Co.，Ltd)，并且通过Ar离子铣削来进行通过回蚀刻的平坦化，直到露出磁性膜42的表面。
对于如上制造的DTR介质，查看腔的存在/不存在、平坦度和热波动抵抗性，这些DTR介质的磁性膜图形的侧壁分别由一个面、两个面(去除了抗蚀剂残余物)或者曲面(不去除抗蚀剂残余物)形成。这些结果被示出在表1中。
根据通过扫描电子显微镜的横截面图像来确定腔的存在/不存在。仅仅当磁性膜图形的侧壁由具有一个倾角的一个面形成时观察到腔。
通过使用原子力显微镜(AFM)测量在5μm见方的区域中磁性膜图形的高度差的最大值来评估平坦度。结果，当磁性膜图形的侧壁由具有一个倾角的一个面形成时，所述高度差是20nm，这是最大的差。可以看出，不能通过通常的溅射而可靠地填充在磁性膜图形之间的凹陷部分。与此相反，当磁性膜图形的侧壁由具有不同倾角的两个面或者由曲面形成时，磁性膜图形的高度差变为5nm或者更小。
关于热波动抵抗性，在加速试验下观察饱和磁化强度随着时间的改变，并且在一天后和一个星期后测量磁化强度的降低。在磁性膜图形的侧壁由具有一个倾角的一个面形成的情况下，磁化强度的降低率在一天后是5％，并且在一个星期后是7％。当磁性膜图形的侧壁由曲面形成时，磁化强度的降低率在一天后是1％，并且在一个星期后是2％。因此，发现热波动抵抗性很高。
表1
侧壁的形状     一个面     两个面     曲面
腔     存在     不存在     不存在
平坦度(Rmax)     20nm     5nm     3nm
磁化强度的降低率：一天后(％)     5％     2％     1％
磁化强度的降低率：一个星期后(％)     7％     3％     2％
对于通过包括抗蚀剂残余物去除的方法和不包括抗蚀剂残余物去除的方法制造的DTR介质，在填充填充层(碳)后且在通过回蚀刻进行平坦化之前，进行用横截面TEM的观察。对于相应的DTR介质，在磁性膜图形的占用面积率不同的伺服区域和数据区域之间比较在凹陷部分中的磁性层和填充层(碳)的总厚度。这些结果被示出在表2中。
在其中使用CF4气体通过RIE去除抗蚀剂残余物的DTR介质中，在数据区域中的磁性层和填充层的总厚度比在伺服区域中的的磁性层和填充层的总厚度厚大约5nm。与此相反，在其中不去除抗蚀剂残余物而加工磁性膜并且磁性膜图形的高度差依赖于区域而不同的DTR介质中，在凹陷部分中磁性膜和填充层的总厚度在每个区域中相同。
表2
在凹陷部分中磁性膜和填充层的总厚度
抗蚀剂残余物去除     伺服区域     数据区域
进行     121nm     126nm
不进行     122nm     122nm
对于如上制造的相应的DTR介质，使用磁光克尔效应来调查垂直矫顽力Hc和逆磁畴晶成核场Hn，以评估由于磁性膜的腐蚀而导致的磁特性的劣化。结果被示出在表3中。
对于在加工之前的磁性膜，垂直矫顽力Hc是4.0 kOe。并且逆磁畴晶成核场Hn是2.2 kOe。在通过包括使用氟基气体的RIE以去除抗蚀剂残余物并剥离抗蚀剂的方法而制造的DTR介质中，Hc提高，并且Hn降低。这意味着磁特性劣化。在通过参考图4所述的其中不去除抗蚀剂残余物的方法而制造的DTR介质中，Hc是4.1 kOe，并且Hn是2.0 kOe。这些特性与未加工的磁性膜的特性的差异不是很大。在通过参考图5所述的其中不去除抗蚀剂残余物并且不剥离抗蚀剂的方法而制造的DTR介质中，这些特性与未加工的磁性膜的特性的差异最小。
表3
磁性膜的腐蚀
RIE   去除抗蚀剂残余物且剥离掩模     剥离掩模   无
Hc   4.3 kOe     4.1 kOe   4.0 kOe
Hn   1.8 kOe     2.0 kOe   2.2 kOe
本领域技术人员容易想到其他的优点和修改。因此，本发明在其更广的方面不限于在此示出和说明的具体细节和代表性实施例。因此，可以在不脱离由所附的权利要求及其等同内容限定的总的发明构思的精神和范围的情况下进行各种修改。

Claims (5)

1.一种磁记录介质，其特征在于包括：
基底(11)；以及
磁记录层，其包括在所述基底(11)上以凸起的形状形成的磁性膜图形(12)，所述磁性膜图形(12)的侧壁具有不同倾角的至少两个面。
2.根据权利要求1的磁记录介质，其特征在于，所述磁性膜图形(12)的所述侧壁由曲面形成。
3.根据权利要求1的磁记录介质，其特征在于，在所述磁性膜图形(12)之间的凹陷部分中形成非磁性材料的填充层(13)。
4.根据权利要求1的磁记录介质，其特征在于，所述磁记录层包括数据区域和伺服区域，所述磁性膜图形(12)在所述数据区域和所述伺服区域之间具有不同的占用面积率和不同的高度差。
5.一种磁记录装置，其特征在于包括：
根据权利要求1的磁记录介质(71)；
主轴电动机(72)，其使所述磁记录介质(71)旋转；
磁头滑块(76)，其包括读/写磁头；以及
致动器(77)，其使包括所述读/写磁头的所述磁头滑块(76)定位在所述磁记录介质(71)上。
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