CN101075086A - 光掩模和曝光方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种光掩模以及一种使用此光掩模的曝光方法，所述光掩模可以防止在使用光掩模的过程中杂质的产生。所述光掩模包括：透明衬底(2)；转移图样(4)，所述转移图样形成在透明衬底(2)的中心部分的主要区域(3)内；遮光带区域(5)，所述遮光带区域邻近主要区域(3)地设置在主要区域(3)的外周边区域内；和护膜(6)，所述护膜通过利用粘合剂(8a)将护膜薄膜(6a)粘附到护膜框架(6b)上，其中此护膜(6)粘附到遮光区域(7)上，所述遮光区域(7)由遮光膜组成，所述遮光膜通过粘合剂(8b)形成在主要区域(3)的外周边区域内。

Description

光掩模和曝光方法

技术领域

本发明涉及一种在半导体器件的制造中，利用曝光设备用于图样转移的光掩模，和一种使用此光掩模的曝光方法。

背景技术

在半导体器件的制造中，通过例如光掩模(中间掩模(reticle))执行曝光光线的照射，以便形成图样转移。

传统上使用在透明衬底上形成有遮光膜图样的光掩模，所述透明衬底由矩形的石英玻璃组成，并且作为遮光膜的材料，通常使用以铬为基础的材料(元素铬，或包含氮、氧、和碳等的铬，或这些材料薄膜的层压薄膜)。

而且，近年来，已经研发了用于实际应用的相移掩模，以便提高转移图样的分辨率。所述相移掩模已知各种类型(Levenson类型、辅助图样类型、和自匹配类型，等)，且作为这些类型中的一种，已知半色调相移掩模，所述半色调相移掩模适于对孔和点的高分辨率的图样转移。

此半色调类型的相移掩模通过形成具有大约180度的相移量的光半透明膜图样获得，其中所述光半透明膜有时由单层形成，有时由多层形成。例如，专利文献1中披露了由包括作为主要组成元素的例如钼的金属、硅、和氮组成的薄膜形成的所述光半透明薄膜图样。

具有这些材料的光半透明膜除了具有通过单层能够控制规定的相移量和透射率的优点之外，还具有很好的耐酸性和阻光性。

当制造这些光掩模时，有必要形成精细图样，因此所述光掩模的图样形成方法通常包括以下步骤：通过由电子束曝光设备执行图样刻画，通过将光刻胶(resist：或抗蚀剂)曝光，形成抗蚀图样(或光致抗蚀图样)；和此后通过干蚀刻形成图样。

要注意的是，作为光刻胶的种类，存在正性光刻胶和负性光刻胶。

正性光刻胶是具有被电子束照射的部分通过光刻胶显影剂被移除的特性的光刻胶，而负光刻胶是具有除了被电子束照射的部分之外的部分通过光刻胶显影剂被移除的特性的光刻胶。

对使用正性光刻胶和负性光刻胶中的哪一种做出选择，以便根据形成图样或缩短电子束曝光设备的刻画时间选择更加优选的一种。

另外，前述转移图样形成在矩形主要区域内，所述主要区域位于矩形透明衬底的中心区域内，且在使用光掩模的过程中，此主要区域的外周边部分被设置在曝光设备内的掩蔽膜片(masking blind：或掩蔽遮光物)屏蔽，且主要区域的图样被转移到在转移衬底上的光刻胶上。

此外，为了防止图样由于泄漏的光线转移到此主要区域的外周边部分，光掩模通常具有邻近主要区域的遮光带区域。

此外，根据每一个曝光设备制造商、光掩模用户、和光掩模制造商的规定，在光掩模中，通常用于与用于光掩模的每一种器件对准的对准标记(mark)等的标记图样(mark pattern)等，主要存在于主要区域的周边部分内。

传统地，当通过使用正性光刻胶完成图样转移时，主要区域的、除了需求的标记图样之外的周边区域被形成为非刻画区域，在所述非刻画区域遮光膜形成。

另一方面，当使用负性光刻胶完成图样转移时，主要区域的、除了需求的标记图样和遮光带之外的周边区域被形成为非刻画区域，在所述非刻画区域处，透明衬底被露出。

即通过基于图样数据扫描衬底表面，执行对光刻胶上的图样的曝光。

因此，通常是缩短刻画时间以避免在不必要的区域上刻画图样。

此外，为了防止杂质粘附到形成的图样上，通常是以安装称为护膜(pellicle：或蒙版)的保护膜的方式使用光掩模。

所述护膜通过将由透明聚合体隔膜组成的护膜薄膜粘附到通常由金属组成的护膜框架上形成，且此护膜框架通过使用粘合剂连接到光掩模的表面上。

更具体地，护膜框架通过使用粘合剂粘附到遮光带的外部，以覆盖主要区域和遮光带。

此外，为了防止杂质粘附到光掩模上，粘合剂有时设置到护膜框架的内表面上。

要注意的是，前述每一种标记图样可以不仅存在于护膜内，而且可以存在于护膜外部。

附带地，已知的是，当通过使用具有安装在其上的护膜的光掩模执行图样转移时，护膜受到激光束的照射，从而加速了存在于护膜(空气中)中的氨离子和用于清洁光掩模并残留在光掩模上的硫酸根离子的反应，然后，硫酸氨沉积，从而杂质粘附到光掩模上(例如，专利文献1)。

专利文献1日本公开待审专利No.2000-352812。

然而，在通过使用负性光刻胶在其上形成有转移图样的光掩模中，即在具有非刻画区域(即在主要区域的、除了需求的标记图样和遮光带之外的周边区域内被露出的透明衬底)的光掩模中，存在下面的问题：使用之后，光掩模中发现了多种杂质。

还发现上述问题在通过使用负性光刻胶在其上形成有转移图样的光掩模中，比在通过使用正性光刻胶在其上形成有转移图样的光掩模中更加显著。

因此，对于通过使用负性光刻胶在其上形成有转移图样的光掩模，即在具有非刻画区域(即在主要区域的、除了需求的标记图样和遮光带之外的周边区域内被露出的透明衬底)的光掩模，存在下面的问题：在使用几次的情况下光掩模变得不适于使用。

作为产生前述问题的原因，给出了下面的这种情况：当用于将护膜框架粘附到光掩模上的粘合剂被直接粘附到透明衬底上时，在使用光掩模的过程中由曝光设备中的曝光光线的多次反射产生的杂散光从透明衬底的后表面侧透射到透明衬底，藉此，用于将护膜框架粘附到光掩模上的粘合剂、或用于将护膜薄膜粘附到护膜框架上的粘合剂、以及此外在粘合剂被施加到护膜框架内部的情况下护膜框架内部的粘合剂被此杂散光照射，结果，从是有机物的粘合剂产生的气体变成沉积物质，且将被粘附到光掩模上。

此外，当粘合剂没有施加到护膜框架的内部时，可以认为当使用光掩模时，由对护膜框架的氧化铝膜处理(包括着色加工)剩下的成分、或由对护膜框架的涂覆加工等剩下的成分，通过使用此杂散光照射护膜框架而沉积，所述杂散光由在曝光设备中的曝光光线的多次反射等引起，且此杂散光从后表面侧透射所述透明衬底以照射(emit on)到护膜框架上，从而沉积物粘附到光掩模上。

此外，得到证实的是，当所使用的曝光设备的光源波长变得短于从当前的KrF准分子激光(248nm的波长)到KrF准分子激光(193nm的波长)以及F2准分子激光器(157nm的波长)短时，前述问题变得显著。

因此，存在下面的问题：当随着近年来应用更加精细的LST图样、曝光设备的施加的曝光光线波长变得更短时，甚至可以产生更多的杂质。

图5显示了由曝光设备的光源波长具有的能量以及来自例如粘合剂等物质的有机物质的键能的示例。

如此，当曝光设备的光源的波长变短时，可以认为由粘合剂的分子具有的键能更易于被切断，且同时可以出现聚合反应和自由基间反应，结果，气体的产生和沉积物的产生变得更加显著。

发明内容

考虑到上述问题提出本发明，且本发明的目的是提供一种光掩模，所述光掩模可以防止在使用光掩模时杂质的产生，例如，包括光透射区域、且透明衬底在主要区域的外周边区域内被露出的光掩模，即，除了需求的标记和遮光带之外，具有非刻画区域(即在主要区域的外周边区域内露出的透明衬底)的光掩模，和具有通常直接粘附到透明衬底上的护膜框架的光掩模，以及使用此光掩模的曝光方法。

为了解决上述问题，本发明具有下述的几种结构。

结构1

提出了一种光掩模，所述光掩模用于使用曝光设备的图样转移，所述光掩模包括：透明衬底；需求的转移图样，所述需求的转移图样形成在透明衬底的中心部分的主要区域内；和护膜(pellicle：或蒙版)，通过将护膜框架粘附到所述主要区域的外周边区域上，所述护膜安装成覆盖包括所述主要区域的区域，其中所述光掩模包括在所述主要区域的外周边区域内的光透射区域，所述透明衬底在所述光透射区域内被露出；和包括护膜框架粘附到其上的表面的区域，所述包括护膜框架粘附到其上的表面的区域由遮光区域形成，所述遮光区域形成有遮光薄膜，所述遮光薄膜具有对所述曝光设备的曝光光线的遮光特性。

结构2

提出了根据结构1的光掩模，所述光掩模具有遮光带区域，所述遮光带区域与所述主要区域一起覆盖有护膜，所述遮光带区域在所述主要区域的外周边区域内邻近所述主要区域。

结构3

提出了根据结构1的光掩模，其中所述转移图样为通过使用负性光刻胶形成的图样。

结构4

提出了根据结构2的光掩模，其中所述转移图样为通过使用负性光刻胶形成的图样。

结构5

提出了根据结构1的光掩模，其中所述转移图样为通过使用正性光刻胶形成的图样。

结构6

提出了根据结构2的光掩模，其中所述转移图样为通过使用正性光刻胶形成的图样。

结构7

提出了根据结构1的光掩模，其中所述曝光设备的曝光光线是当使用在所述护膜中的护膜框架和/或粘合剂被此光线照射时，引起所述护膜框架和/或所述粘合剂的组成材料的光致反应的光线。

结构8

提出了根据结构1的光掩模，其中所述曝光设备的曝光光线是具有200nm或更小的波长的激光束。

并且，本发明提出了一种曝光方法，其中在曝光设备中，通过使用根据结构1的光掩模执行图样转移。

要注意的是，在本发明中，包括光透射区域、且透明衬底在主要区域的外周边区域内露出的光掩模，指的是除了需求的标记和遮光带之外，具有非刻画区域(即在主要区域的外周边区域内露出的透明衬底)的光掩模，并指的是具有通常直接粘附到透明衬底上的护膜框架的光掩模。

此外，遮光膜不仅包括大体上遮蔽所有曝光光线的薄膜，而且包括允许所述曝光光线局部通过的薄膜，以及光半透射膜，所述光半透射膜对于例如使用在半色调相移掩模中的曝光光线具有30％或更少的透射率。

根据本发明的光掩模，由遮光膜形成的遮光区域设置在护膜框架的下面，且护膜框架通过粘合剂被粘附到此遮光膜上。

因此，在使用光掩模的过程中由曝光设备中的曝光光线的多次反射形成的杂散光从透明衬底的后表面侧透射到透明衬底，藉此，用于将护膜框架粘附到光掩模上的粘合剂、或用于将护膜薄膜粘附到护膜框架上的粘合剂、以及此外在粘合剂被施加到护膜框架内部的情况下护膜框架内部的粘合剂被此杂散光照射，结果，从是有机物的粘合剂产生的气体变成沉积物质，且将被粘附到光掩模上。

此外，当粘合剂没有施加到护膜框架的内部时，由对护膜框架的氧化铝膜处理(包括着色加工)剩下的成分、或由对护膜框架的涂覆加工等剩下的成分，通过使用此杂散光照射护膜框架而沉积。

前述遮光膜防止前述粘合剂和剩下的成分被此杂散光照射，由此最终防止了从是有机物的粘合剂产生气体，并且减少了粘合剂沉积到光掩模上。

特别地，在用于使用具有200nm或更小波长的高输出激光束作为曝光光线的光源的曝光设备中的光掩模、即在容易允许在光掩模上产生沉积的光掩模中，所述沉积被适当地防止产生和粘附到光掩模。

附图说明

图1是本发明实施例中的光掩模的平面图；

图2是本发明实施例中的光掩模的剖面视图；

图3是本发明实施例中的光掩模的制造步骤的视图；

图4是本发明示例中半色调相移掩模(halftone phase shift mask)的制造步骤的视图；和

图5是显示曝光设备的曝光波长的能量和有机物的键能的视图。

具体实施方式

图1是此实施例的光掩模的平面图，且图2是沿图1中的A-A’向做出的剖面视图。

如这些图中所示，此实施例的光掩模1包括透明衬底2；转移图样4，所述转移图样4形成在透明衬底2的中间部分的主要区域3内；和遮光带区域5，所述遮光带区域5设置成在主要区域3的外周边区域邻近主要区域3，且由护膜框架6b(护膜薄膜6a使用粘合剂8a粘附到所述护膜框架6b上)形成的护膜(pellicle：或蒙版)6，以通过粘合剂8b将护膜框架6b粘附到遮光区域7上的方式安装在遮光区域7上，从而覆盖主要区域3和遮光带区域5，所述遮光区域7由形成在主要区域3的外周边区域的遮光膜组成。此外，为了不允许杂质粘附到主要区域3和遮光带区域5，粘合剂8c粘附到护膜框架6b的内表面。然而，也可使用没有设置有此粘附剂8c的护膜。

与传统光掩模的不同点在于：在传统光掩模中不存在此遮光区域，而在本发明中存在此遮光区域7。

作为透明衬底2，最常用的是由合成石英玻璃制成的6英寸×6英寸×0.25英寸的衬底。

转移图样4是将被转移到例如半导体晶片的转移衬底上以形成器件图样(device pattern)的图样，和在二次掩模(binary mask)的情况下由遮光膜组成的图样，以及在例如由相移掩模制成的半色调相移掩模的情况下是光半透射膜组成的图样。

作为遮光膜的材料，最常用的是铬基材料(元素铬(elementarychromium)，或包含氮、氧、和碳等的铬，或这些材料膜的层叠膜)。

作为半色调相移掩模的光半透射膜，最常用的是包含作为组成元素的例如钼的金属、硅、氮的材料。

作为其它转移图样，根据掩模的种类，遮光膜、光半透射膜中的一种或两种，以及衬底的雕刻和蚀刻图样可以被混合。

遮光带区域5由遮光膜形成，所述遮光膜由与在二次掩模的转移图样中使用的遮光膜种类相同的材料组成。同样在半色调相移掩模中，遮光区域由在光半透射膜上的遮光膜形成。

作为遮光带区域的遮光膜，在相移掩模中，用作相移器等的蚀刻掩模的遮光膜通常在主要区域的外周边区域内形成为维持规定的宽度。

此外，同样在前述遮光膜区域7中，以与遮光带区域相同的方式，通常可以使用由与在二次掩模的转移图样中使用的遮光膜相同的材料组成的遮光膜。另外，优选的是形成具有可以拦截曝光光线的杂散光(straylight)的最小宽度、以及具有通过在制造光掩模时设定不必要的刻画区域而不必增加刻画时间的最小必要宽度的遮光区域7。

具体地，考虑到在将护膜框架压粘附到光掩模的过程中，将所述宽度相对于护膜框架宽度增加位置偏移等(称为护膜连接位置精度)的量，优选的是将护膜框架的两侧的宽度设定增加0.3mm宽度或更多，进一步优选的是将护膜框架的两侧的宽度设定增加0.5mm宽度或更多。

此外，当护膜框架宽度两侧增加有10mm时，将可以获得拦截杂散光的充分效果，因此从缩短刻画时间的观点考虑，上限优选地设定在5.0mm或更小。

要注意的是，遮光区域的宽度并不必然设定成护膜框架的两侧和所有周围添加相同的宽度，且在内部(主要区域侧)和外部(主要区域的外周边侧)可以设定不同的添加宽度和局部不同的宽度，因为必须考虑标记(mark)适合存在的位置。

另外，遮光区域的宽度可以设定到在护膜框架的左右/上下方向上不同的添加宽度。

此外，在图1中，遮光带区域5和设置在护膜框架下面的遮光区域7形成为被光透射部分将它们分开。

然而，当遮光带区域5和遮光区域7彼此靠近时，遮光区域7可以通过连接遮光区域与遮光带区域的整个面积或局部连接它们而形成。

而且，在护膜6中，护膜框架6b通过对例如铝的金属施加氧化铝膜处理(或渗铝处理：alumite treatment)以便抑制光的散射而获得，且护膜薄膜6a由高聚物薄膜例如透明的含氟聚合体组成，且作为粘合剂8a、8b、8c，也可使用例如含氟的、硅树脂类型或苯乙烯丁烯共聚物的有机粘合剂。

此外，护膜内部的粘合剂8c可以在需要时设置。

护膜6的护膜形状、护膜框架尺寸、和粘合剂可以由护膜供给制造商根据曝光设备、使用的曝光波长、和其它使用目的标准化。

因此，通过将与安装在所制造的光刻掩模的护膜类型一致的遮光膜写入用于刻画掩模的数据，能够以与制造通常的光刻掩模相同的方式形成护膜6。

如在此实施例中所描述的，当转移图样通过使用负性光刻胶(negative regist)形成时，通常可以获得在主要区域的外周边区域内包括光透射区域的光掩模。

对此，通过使用图3中的制造步骤图，并利用二次掩模(binary mask)作为示例，下面将解释此实施例的光掩模制造方法。

首先，通过使用溅射法膜形成设备等，遮光膜9形成在透明衬底2上，并制备在其上形成有负性光刻胶薄膜10的光掩模基板(photomask blank)11(图3(A))。

此光掩模基板11为在例如ArF准分子激光(ArF excimer laser)(193nm的波长)的情况下，对于ArF准分子激光具有99.9％或更多的透光率的光掩模基板。

其次，通过使用电子束曝光设备等，转移图样、用于形成遮光带区域的图样、和用于形成设置在护膜框架下面的遮光区域的图样被刻画在负性光刻胶薄膜10上，且光刻胶图样10a通过例如显影和烘焙光刻胶的处理而形成(图3(B))。

在此实施例中，转移图样是直线图样，因此优选的是通过使光刻胶显影移除不包括图样被刻画的区域的区域上的光刻胶。这是使用负性光刻胶的原因。因此，除了转移图样、用于形成遮光带区域的图样和用于形成遮光区域的图样之外，光刻胶通过显影被移除。

接下来，通过以干蚀刻的方式蚀刻遮光膜9，执行由遮光膜组成的转移图样4、由遮光膜组成的遮光带区域5、和由遮光膜组成的遮光区域7的图样形成(图3(B))。

接下来，通过执行移除和清洁光刻胶，由遮光膜组成的转移图样4、由遮光膜组成的遮光带区域5、以及由遮光膜组成的遮光区域7被露出(图3(C))。

如此，如在此实施例中看见的，当转移图样通过使用负性光刻胶形成时，主要区域的外周边区域由不包括遮光带区域5和遮光区域7的光透射区域形成。

此后，执行CD测量、缺陷检查、和图样缺陷补偿(correction：或修正)，并且在最终的清洁和检查之后，光掩模的质量得到保证。在此情况下，护膜6安装在遮光区域7上，从而适合于由遮光膜组成的遮光区域7(图3(D))。

通过使用称为护膜安装系统的压力设备，以通过粘合剂挤压护膜的方式执行护膜6的安装。

实施例

下面通过使用示例进一步详细地解释本发明。

示例

此示例显示了将本发明应用到半色调相移掩模上的示例。

即，如图4中所示，在此示例的光掩模中，通过首先在透明衬底2上形成单个膜结构的光半透射膜12，且所述单个膜结构大体上由例如钼的金属、硅、和氮组成；然后在光半透射膜12上形成铬基遮光膜13；并进一步在铬基遮光膜13上形成负性光刻胶薄膜14，而制备光掩模基板15(图4(A))。

前述光半透射膜12通过使用钼(Mo)和硅(Si)的混和目标(target)(Mo∶Si＝8∶92mol％)，在氩气(Ar)和氮气(N2)的混和气环境(Ar∶N2＝10％∶90％，压力：02Pa)中，通过反应溅射(DC溅射)形成在透明衬底2上。此光掩模基板15为在Arf准分子激光(193nm波长)的情况下，具有大约5.5％的透射率和大约180度的相移量的Arf准分子激光掩模基板。

接下来，通过使用电子束刻画设备，转移图样、用于形成遮光带区域的图样、和用于形成设置在护膜下面的遮光区域的图样，被刻画在负性光刻胶薄膜14上，且光刻胶图样14a通过例如对光刻胶的显影和烘焙(baking)的加工形成。

接下来，通过以使用Cl₂+O₂气的干蚀刻的方式蚀刻遮光膜13，形成蚀刻掩模图样16，所述蚀刻掩模图样16用于形成由遮光膜组成的转移图样；遮光带区域17，所述遮光带区域17由遮光膜组成；和遮光部分13a的图样，所述遮光部分13a由遮光膜组成。

接下来，通过在光刻胶图样14a和遮光部分13a作为掩模的情况下，干蚀刻光半透射膜12，形成光半透射部分12a，并执行由光半透射部分和遮光膜的层压结构组成的转移图样、和遮光带区域和遮光区域的图样的形成操作(图4(B))。

接下来，执行光刻胶的移除和清洁操作(图4(C))。

接下来，已经执行了上述步骤的衬底被涂覆有负性光刻胶薄膜19(图4(D))。

此后，在遮光带区域17和遮光区域18上的负性光刻胶薄膜19被曝光，且执行例如显影和烘焙的加工，以便形成光刻胶薄膜图样19a，并且所述负性光刻胶薄膜19，作为遮光部分13a的非必要部分，在使得用于形成转移图样的蚀刻掩模图样16曝光之后受到蚀刻(图4(E))。

然后，执行光刻胶移除和清洁，以便形成由光半透射膜12a组成的转移图样20(图4(F))。

此后，执行CD测量、缺陷检查和图样缺陷补偿，并且在最终的清洁和检查之后，光掩模的质量得到保证，且护膜6被安装在遮光区域7上从而适合于由遮光膜组成的遮光区域7(图4(G))。

通过此实施例获得的光掩模被使用在将Arf准分子激光作为曝光光线的光源的半导体制造曝光设备中，且当在使用前杂质缺陷的数量和在使用后杂质缺陷的数量通过使用杂质检查设备(KLA-由Tencor corporation，STARlight制造)得到检查时，发现使用后的杂质缺陷的数量与使用前的杂质缺陷的数量一样为零。

比较示例

对于除了在没有形成遮光区域18的情况下护膜直接粘附到透明衬底上之外，与前述示例相似的光掩模，也执行与前述示例相似的杂质缺陷检查。结果，在使用后检查到大约2500个杂质缺陷，尽管在使用前的杂质缺陷的数量为零。

此外，很多由此检查到的杂质尤其被观察到在护膜框架内部的附近，因此这些杂质被认为是由于曝光光线照射护膜框架的附近产生的。

在前述示例中要注意的是给出了使用负性光刻胶薄膜的示例。但是，不必说，通过使用正性光刻胶，也可以形成与如在前述示例中所示的、通过负性光刻胶形成的光刻胶图样相同的光刻胶图样。

此外，在前述示例中，给出了半色调相移掩模的示例。但是，本发明可以用于具有护膜的所有光掩模中，例如二次掩模和相移掩模，并且，不必说，可以使用在用于换代(future generation)的曝光设备的F2准分子激光光掩模、和例如液晶的大尺寸光掩模中。

此外，在前述实施例中，不是每一种标记图样都得到描述。但是，不必说，根据每一个曝光设备制造商、光掩模用户、和光掩模制造商的规定，标记图样可以被适当地形成。进而，根据每一种标记图样的规格，可以适当地修改遮光区域。

Claims (9)

1、一种光掩模，所述光掩模用于使用曝光设备的图样转移，所述光掩模包括：

透明衬底；

需求的转移图样，所述需求的转移图样形成在透明衬底的中心部分的主要区域内；和

护膜，通过将护膜框架粘附到所述主要区域的外周边区域上，所述护膜安装成覆盖包括所述主要区域的区域，其中所述光掩模包括在所述主要区域的外周边区域内的光透射区域，所述透明衬底在所述光透射区域内被露出；和包括护膜框架粘附到其上的表面的区域，所述包括护膜框架粘附到其上的表面的区域由遮光区域形成，所述遮光区域形成有遮光薄膜，所述遮光薄膜具有对所述曝光设备的曝光光线的遮光特性。

2、根据权利要求1所述的光掩模，所述光掩模具有遮光带区域，所述遮光带区域与所述主要区域一起覆盖有护膜，所述遮光带区域在所述主要区域的外周边区域内邻近所述主要区域。

3、根据权利要求1所述的光掩模，其中所述转移图样为通过使用负性光刻胶形成的图样。

4、根据权利要求2所述的光掩模，其中所述转移图样为通过使用负性光刻胶形成的图样。

5、根据权利要求1所述的光掩模，其中所述转移图样时通过使用正性光刻胶形成的图样。

6、根据权利要求2所述的光掩模，其中所述转移图样为通过使用正性光刻胶形成的图样。

7、根据权利要求1所述的光掩模，其中所述曝光设备的曝光光线是当使用在所述护膜中的护膜框架和/或粘合剂被此光线照射时，引起所述护膜框架和/或所述粘合剂的组成材料的光致反应的光线。

8、根据权利要求1所述的光掩模，其中所述曝光设备的曝光光线是具有200nm或更小的波长的激光束。

9、一种曝光方法，其中在曝光设备中，通过使用根据权利要求1的光掩模执行图样转移。

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