CN109842393A - 在叉指换能器制造过程中提高曝光效果的方法和叉指换能器的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种在叉指换能器制造过程中提高曝光效果的方法：在衬底上镀一层铝膜，在铝膜的上表面再镀一层防反射膜。本发明还提供了一种叉指换能器的制造方法，包括如下步骤：1)在衬底表面镀一层铝膜；2)在铝膜的上表面镀一层防反光膜；3)在防反光膜的上表面涂抹光刻胶，并进行曝光形成图案；4)对暴露在图案中的防反光膜和铝膜进行蚀刻；5)去除光刻胶和防反光膜。本发明提供了一种在叉指换能器制造过程中提高曝光效果的方法和叉指换能器的制造方法，有效解决铝膜反光带来的曝光图案不稳定的问题。
Description
技术领域
本发明涉及滤波器，尤其涉及声表面滤波器。
背景技术
叉指换能器为声表面滤波器制造流程中的关键层次,一般分为剥离与干刻两种做法,在干刻做法中,若直接在Al上做光刻流程,因Al的高反射性,严重影响曝光的结果。
发明内容
本发明所要解决的主要技术问题是提供一种在叉指换能器制造过程中提高曝光效果的方法和叉指换能器的制造方法，有效解决铝膜反光带来的曝光图案不稳定的问题。
为了解决上述的技术问题，本发明提供了一种在叉指换能器制造过程中提高曝光效果的方法：在衬底上镀一层铝膜，在铝膜的上表面再镀一层防反射膜。
在一较佳实施例中：所述防反射膜的材质为TiN或者TiN+SiON。
在一较佳实施例中：所述防反射膜以溅镀方式镀在铝膜的上表面。
本发明还提供了一种叉指换能器的制造方法，包括如下步骤：
1)在衬底表面镀一层铝膜；
2)在铝膜的上表面镀一层防反光膜；
3)在防反光膜的上表面涂抹光刻胶，并进行曝光形成图案；
4)对暴露在图案中的防反光膜和铝膜进行蚀刻；
5)去除光刻胶和防反光膜。
在一较佳实施例中：所述防反射膜的材质为TiN或者TiN+SiON。
在一较佳实施例中：在步骤5中，使用含H2O和CF4的离子气体去除光刻胶和防反光膜。
在一较佳实施例中：所述离子气体中H2O与CF4的含量比例小于2.5。
在一较佳实施例中：所述防反射膜以溅镀方式镀在铝膜的上表面。
相较于现有技术，本发明的技术方案具备以下有益效果：
本发明提供的一种在叉指换能器制造过程中提高曝光效果的方法，传统的制造方法中由于没有防反射层，因为铝膜的稿反射性，在曝光过程中入射光在铝膜处发生反光，从而使得光刻胶的曝光位置不准确，影响图形的准确性。而本发明通过在铝膜表面覆盖一层防反光膜，从而避免了在曝光的过程中，由于铝膜的高反射特性造成了曝光图案不稳定的问题。
光刻胶底层材料的特性，例如颜色,颗粒均匀性等会影响光刻的解析度,解析度是指机台所能形成的最小线宽。因此解析度的高低直接决定了能够做到的最小图形的大小，通过增加防反光膜，就可以大大增加光刻解析度，从而可增加光刻工艺的稳定度,在工艺过程中，可以承受的工艺窗口的变化范围也就增加了。
本发明还提供了一种叉指换能器的制造方法，使用含H2O和CF4的离子气体去除光刻胶和防反光膜，使得最终得到的叉指换能器的结构与传统做法相同，并不会因为增加了防反光膜就对叉指换能器的结构和性能造成不利的影响。
附图说明
图1-4为本发明优选实施例1中叉指换能器的生产流程示意图。
具体实施方式
下文结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案做进一步说明：
实施例1
参考图1-4，一种叉指换能器的制造方法，包括如下步骤：
1)在衬底1表面镀一层铝膜2；
2)在铝膜2的上表面镀一层防反光膜3；
3)在防反光膜3的上表面涂抹光刻胶4，并进行曝光形成图案；
4)对暴露在图案中的防反光膜3和铝膜2进行蚀刻；
5)去除光刻胶4和防反光膜3。
本实施例中，所述防反射膜的材质为TiN+SiON。
在步骤4之后的步骤5，是为了去除剩余的光刻胶4。在步骤4中，蚀刻过程中会有部分蚀刻生成物残留于晶圆的表面，蚀刻生成物会大大影响光刻胶去除的效果,若加入适量的含H2O和CF4的离子气体,可有效改善去光阻的效果。进一步测试发现,当CF4过多时，离子气体开始对TiN有蚀刻的效果,另外含F的例子气体可用于蚀刻SiON。本专利提出利用TiN+SiON作为防反射层,并于蚀刻后去光阻的步骤将其去除，如此可保有叉指换能器的结构。
本发明提供的一种在叉指换能器制造过程中提高曝光效果的方法，通过在铝膜2表面覆盖一层防反光膜3，从而避免了在曝光的过程中，由于铝膜2的高反射特性造成了曝光图案不稳定的问题。
本发明还提供了一种叉指换能器的制造方法，使用含H2O和CF4的离子气体去除光刻胶4和防反光膜3，使得最终得到的叉指换能器的结构与传统做法相同，并不会因为增加了防反光膜3就对叉指换能器的结构和性能造成不利的影响。
此外，所述离子气体中H2O与CF4的含量比例小于2.5。H2O和CF4的比率低于2.5时，对TiN+SiON才有足够的刻蚀率去去除，如果H2O的含量大时,CF4的浓度低时,离子气体对TiN+SiON几乎没有蚀刻效果。
实施例2
本实施例与实施例1的区别在于，防反射膜的材质为TiN，其余部分与实施例1相同，不再赘述。
以上仅为本发明的优选实施例，但本发明的范围不限于此，本领域的技术人员可以容易地想到本发明所公开的变化或技术范围。替代方案旨在涵盖在本发明的范围内。因此，本发明的保护范围应由权利要求的范围确定。
Claims (8)
1.一种在叉指换能器制造过程中提高曝光效果的方法，其特征在于：在衬底上镀一层铝膜，在铝膜的上表面再镀一层防反射膜。
2.根据权利要求1所述的一种在叉指换能器制造过程中提高曝光效果的方法，其特征在于：所述防反射膜的材质为TiN或者TiN+SiON。
3.根据权利要求2所述的一种在叉指换能器制造过程中提高曝光效果的方法，其特征在于：所述防反射膜以溅镀方式镀在铝膜的上表面。
4.一种叉指换能器的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
1)在衬底表面镀一层铝膜；
2)在铝膜的上表面镀一层防反光膜；
3)在防反光膜的上表面涂抹光刻胶，并进行曝光形成图案；
4)对暴露在图案中的防反光膜和铝膜进行蚀刻；
5)去除光刻胶和防反光膜。
5.根据权利要求4所述的一种叉指换能器的制造方法，其特征在于：所述防反射膜的材质为TiN或者TiN+SiON。
6.根据权利要求5所述的一种叉指换能器的制造方法，其特征在于：在步骤5中，使用含H2O和CF4的离子气体去除光刻胶和防反光膜。
7.根据权利要求6所述的一种叉指换能器的制造方法，其特征在于：所述离子气体中H2O与CF4的含量比例小于2.5。
8.根据权利要求5所述的一种叉指换能器的制造方法，其特征在于：所述防反射膜以溅镀方式镀在铝膜的上表面。
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