CN112384854A - 护膜粘合剂残留物移除系统和方法 - Google Patents

护膜粘合剂残留物移除系统和方法 Download PDF

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Abstract

本公开内容的实施方式大致上包括用于从光刻掩模的表面移除粘合剂残留物的设备和方法。具体地，本文所描述的处理系统提供将溶剂输送到光刻掩模的表面上的分立的多个位置，以有助于从所述光刻掩模的表面移除粘合剂残留物。在一个实施方式中，一种处理基板的方法包括：将基板定位在处理系统的基板支撑件上，将多个清洁单元中的个别的清洁单元于相应的多个位置处密封至基板的表面，将清洁流体加热到介于约50℃至约150℃之间的温度，使所述清洁流体流至所述多个清洁单元，然后从多个清洁单元流出，并且将所述基板的表面暴露于所述多个位置处的所述清洁流体。

Description

护膜粘合剂残留物移除系统和方法
技术领域
本文描述的实施方式大体涉及半导体器件制造的领域，且具体地，涉及用于从光刻掩模(lithography mask)的表面移除粘合剂残留物的方法和设备。
背景技术
半导体器件制造通常包括在工件(例如硅晶片)的表面上、表面上方、和表面中形成多个互连的图案化材料层。每一图案化材料层是通过使用一系列制造工艺形成的，所述制造工艺包括图案化工件表面或图案化在所述工件表面上设置的先前沉积的材料层。通常，使用光刻工艺图案化工件表面或在工件表面上设置的先前沉积的材料层。典型的光刻工艺包括将形成在光刻掩模的表面上的图案转移到抗蚀剂(resist)层，所述抗蚀剂层涂布工件表面或是涂布设置于所述工件表面上的先前沉积的材料层。
用在光刻工艺中的光刻掩模组件一般是包括光刻掩模和设置在所述掩模的图案化表面上的保护性护膜(pellicle)。所述护膜包括薄的透明隔膜(membrane)，即护膜隔膜，当护膜固定到所述光刻掩模时，所述护膜隔膜在光刻掩模的图案化表面上方延伸。护膜隔膜一般是安装在护膜框架上，所述护膜框架通过粘合剂(诸如环氧树脂)固定到光刻掩模的图案化表面。所述护膜隔膜保护光刻掩模的图案化表面免于在调动期间受到接触而因此刮伤，并且免于暴露至环境污染物，诸如灰尘。一般而言，护膜隔膜通过护膜框架与光刻掩模的表面间隔开，使得当光刻掩模图案转移到基板上的抗蚀剂层时，变得聚集在所述护膜隔膜上的任何颗粒(例如，灰尘)不会处于聚焦区域中。
期望护膜延长了光刻掩模的使用寿命，并且通常在与光刻掩模相关的清洁或翻新工艺中替换护膜。一般而言，在清洁或翻新光刻掩模之前，将使用过的护膜与光刻掩模分开并且丢弃。来自用于将使用的护膜框架固定到光刻掩模表面的粘合剂的残留物经常在后续的掩模的图案化表面清洁之前移除，以防止粘合剂残留物非期望地转移到所述图案化表面。不幸的是，已经证实适用于下一代真空极紫外光(EUV)光刻系统的相对低挥发性粘合剂难以从EUV光刻掩模表面移除且又不对光刻掩模表面造成损坏。
因此，本领域中需要用于从光刻掩模的表面移除粘合剂的改善的系统和方法。
发明内容
本公开内容的实施方式一般而言包括用于在清洁或翻新光刻掩模之前从光刻掩模的表面移除粘合剂残留物的设备和方法。具体地，本文所描述的处理系统提供将溶剂输送到光刻掩模的表面上的选择性位置，以助于从所述表面移除粘合剂残留物。
在一个实施方式中，一种处理基板的方法包括：将所述基板定位在处理系统的基板支撑件上；将多个清洁单元的个别的清洁单元于相应的多个位置处密封至所述基板的表面；将清洁流体加热至约50℃至约150℃之间的温度；使清洁流体流至多个清洁单元，然后从所述多个清洁单元流出；和将所述基板的所述表面暴露于所述多个位置处的所述清洁流体。
在另一实施方式中，一种计算机可读介质具有存储在所述介质上的多个指令，以用于一种处理基板的方法。所述方法包括：将所述基板定位在处理系统的基板支撑件上；将多个清洁单元的个别的清洁单元于相应的多个位置处密封至所述基板的表面；将清洁流体加热至约50℃至约150℃之间的温度；使清洁流体流至多个清洁单元，然后从所述多个清洁单元流出；和将所述基板的所述表面暴露于所述多个位置处的所述清洁流体。
在另一个实施方式中，一种处理系统包括：基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理容积中；和流体分配组件，所述流体分配组件面向所述基板支撑件的基板接收表面。所述流体分配组件包括：支撑轴，所述支撑轴具有入口和出口；歧管，所述歧管耦接至所述支撑轴；和多个清洁单元，所述多个清洁单元耦接至所述歧管。在此，当所述基板支撑件和所述流体分配组件以基板处理模式设置时，所述清洁单元的个别的清洁单元被密封至待处理的基板。
附图说明
因此，能够详细理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式(其中一些于附图中说明)而获得上文简要概述的本公开内容的更具体的描述。然而，应注意，附图仅说明本公开内容的典型实施方式，因此不应认为是对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其他等效实施方式。
图1A是根据一个实施方式的示例性光掩模组件的示意性等角视图。
图1B是沿线1B-1B截取的图1A中所示的光掩模组件的截面图。
图2A是根据一个实施方式的处理系统的示意性截面图，所述处理系统被配置为实行本文所阐述的方法。
图2B是根据一个实施方式的沿线2B-2B截取的图2A中所示的流体分配组件的截面图。
图2C是根据一个实施方式的图2A中所示的处理系统的一部分的截面的放大视图。
图3是流程图，阐述根据一个实施方式的从基板表面清洁粘合剂残留物的方法。
为了助于理解，已尽可能地使用相同的附图标记表示附图中共有的相同元件。预期一个实施方式的元件和特征可有利地并入其他实施方式中而无需进一步叙述。
具体实施方式
本公开内容的实施方式大致上包括用于在清洁或翻新光刻掩模之前从光刻掩模的表面移除粘合剂残留物的设备和方法。具体地，本文所描述的处理系统提供将溶剂输送到光刻掩模的表面上的选择性位置，以助于从所述表面移除粘合剂残留物。
图1A是根据一个实施方式的示例性光刻掩模组件的示意性等角视图。图1B是沿线1B-1B截取的图1A中的光刻掩模组件的示意性截面图。一般而言，光刻掩模组件100包括光刻掩模101和护膜102，所述护膜102通过粘合剂缀斑(adhesive patch)103固定至光刻掩模101，所述粘合剂缀斑103插置于所述光刻掩模101与护膜102之间。在一些实施方式中，光刻掩模101被配置成与极紫外光(EUV)光刻处理系统一起使用，并且特征为有基板104、设置在基板104上的反射多层堆叠105、设置在反射多层堆叠105上的覆盖层107和设置在覆盖层107上的吸收剂层108。在一些实施方式中，基板104包括低热膨胀材料(LTEM)，诸如钛掺杂的熔融氧化硅(fused silica)。在一些实施方式中，反射多层堆叠105包括多个重复的金属层和硅层，诸如多个重复的Mo层和Si层，即多个Mo/Si层。在一些实施方式中，反射多层堆叠105包括多于约40个金属和硅的交替层，且厚度介于约200nm和约250nm之间。在一些实施方式中，吸收剂层108由包括钽(Ta)的材料形成，诸如TaBO层、TaBN层、或上述材料层的多层堆叠，例如，设置在TaBN层上的TaBO层。在一些实施方式中，吸收剂层108的厚度介于约50nm和约80nm之间。在一些实施方式中，覆盖层107由钌(Ru)形成，并且具有介于约1nm和约5nm之间的厚度，例如约2.5nm。
在此，吸收剂层108具有穿过所述吸收剂层108形成的多个开口109，所述吸收剂层108形成光刻掩模101的图案化表面。在此，所述开口109的个别开口延伸穿过吸收剂层108，以暴露设置在所述吸收剂层108下方的覆盖层107。在其他实施方式中，所述开口109的个别开口进一步延伸穿过覆盖层107，以暴露设置在所述覆盖层107下方的反射多层堆叠105。在一些实施方式中，光刻掩模101包括一个或多个黑边框开口106，即，延伸穿过吸收剂层108、覆盖层107、和反射多层堆叠105的一个或多个开口。
一般而言，护膜102包括薄的(例如，厚度＜200nm)透明隔膜(在此为护膜隔膜110)，所述隔膜延伸遍及护膜框架111上且通过插置在护膜框架111与所述隔膜之间的粘合剂层(未示出)固定到护膜框架111。在此，护膜隔膜110与光刻掩模101的表面间隔一距离A。护膜框架111与光刻掩模101的表面隔着粘合剂缀斑103的厚度，在此为距离B，所述距离B小于约1mm，诸如约10μm至约500μm之间。在此，粘合剂缀斑103直接设置在基板104的表面上。在其他实施方式中，粘合剂缀斑103直接设置在反射多层堆叠105的表面上。在其他实施方式中，粘合剂缀斑103直接设置于吸收剂层108的表面上。
当光刻掩模图案转移到工件上的抗蚀剂层时，护膜隔膜110与光刻掩模101的表面的间隔期望防止会变成聚集在所述护膜隔膜110上的颗粒(例如，灰尘)处于聚焦区域中。将护膜框架111与光刻掩模的表面间隔开期望地允许清洁气体(例如空气)在护膜和光刻掩模之间流动。护膜和光刻掩模之间的气体的自由流动期望地防止在真空EUV光刻工艺期间隔膜的相对表面上的不相等的压力，不相等的压力可能导致脆弱的护膜隔膜110破裂。在本文的实施方式中，用于将护膜102固定到光刻掩模101的表面的粘合剂缀斑103呈多个缀斑的形式设置在分立的(discrete)多个位置处，诸如靠近护膜框架111的转角。例如，在一些实施方式中，光刻掩模的截面具有正方形的形状，其中所述光刻掩模的每一侧边具有长度C，所述长度C介于约100mm和约300mm之间，例如约150mm。护膜框架111的侧边以距离D设置在光刻掩模101的侧边内侧，当以与所述侧边正交的角度测量时，所述距离D介于约0mm和约30mm之间。在此，多个粘合剂缀斑103设置在框架的转角处，且具有介于约70mm和约140mm之间的中心至中心的间距F。
包括护膜框架111的护膜102通常在光刻掩模101的使用寿命期间被更换(由于在护膜隔膜110的前侧和后侧表面上的颗粒的累积，对护膜隔膜110的损坏)或是在光刻掩模101的其他修复或翻新处理期间更换。当从光刻掩模101的表面移除使用的护膜102时，来自粘合剂缀斑103的至少一些非期望的残留物会留在光刻掩模的表面上处于与所述缀斑103相应的分立的多个位置处。不幸的是，在后续清洁或翻新工艺中，残留在光刻掩模表面上的非期望残留物会转移到光刻掩模表面的其他区域。非期望地转移的残留物可能会使掩模无法使用或是增加清洁或翻新掩模的成本和复杂度。再者，未移除的残留物会造成光刻掩模表面与随后安装的护膜的隔膜之间的距离A有非期望的变动，从而导致与上述情况相关的工艺缺陷或使翻新的掩模组件无法使用。因此，本文的实施方式提供了图2A至图2C中描述的处理系统和图3中阐述的方法，所述处理系统和方法有助于从光刻掩模上的多个选定位置移除非期望的粘合剂残留物。
图2A是根据一个实施方式的配置为实行本文所阐述的方法的处理系统的示意性截面图。图2B是根据一个实施方式的沿线2B-2B截取的图2A中所示的流体分配组件的截面图。图2C是根据一个实施方式的图2A中所示的处理系统的一部分的截面的放大视图。
在此，处理系统200包括主体201、盖202、一个或多个侧壁203、和基部204，上述部件共同界定处理容积205的边界。设置在处理容积205中的基板支撑件206设置在支撑轴207上，所述支撑轴207延伸通过基部204。处理系统200被配置为助于将基板208(诸如图1A至图1B中描述的光刻掩模101)传送通过所述一个或多个侧壁203中的开口209而至基板支撑件206和离开基板支撑件206。在一些实施方式中，在基板处理期间，利用门210密封开口209。
在此，处理系统200进一步包括设置在基板支撑件206上方的流体分配组件211。流体分配组件211的特征在于流体分配轴212、耦接至流体分配轴212的歧管215、和耦接至歧管215的多个清洁单元216。在一些实施方式中，诸如在处理容积保持在真空条件的实施方式中，流体分配轴212通过盖202密封式设置。例如，在一些实施方式中，波纹管(bellow)(未示出)在处理容积205内侧或外侧环绕流体分配轴212。在这些实施方式的一些实施方式中，处理容积205流体耦接至真空，诸如流体耦接至一个或多个专用的真空泵。
在此，流体通过入口213进入流体分配组件211，并且通过出口214离开流体分配组件211。歧管215使用多个分配导管217将通过入口213接收的流体分配到多个清洁单元216，分配导管217设置成在所述歧管215与所述清洁单元216之间流体连通。歧管215进一步使用多个返回导管225将从多个清洁单元216收回的流体引导到出口214，所述返回导管225设置成在所述歧管215与所述清洁单元216之间流体连通。
在一些实施方式中，歧管215包括多个臂250(在图2B中示出)，所述臂250从所述臂250的中心轴线径向延伸到相应的多个清洁单元216。在此，多个臂250的每一者具有形成在所述臂250中的返回导管225和设置在所述返回导管225中的分配导管217，诸如具有开口的管(tube)，所述开口穿过所述管形成。在其他实施方式中，歧管215具有任何其它适合的形状，以有助于通过分别设置和形成于所述歧管215中的多个分配导管217和返回导管225实现多个清洁单元216与分配轴之间的流体连通。在一些实施方式中，入口213包括管，所述管具有穿过所述管设置的开口，并且多个分配导管217使用蛛形配件(spider fitting)251(在图2B中示出)流体耦接至入口213。
在此，多个清洁单元216(在图2C中进一步描述)定位在基板208的表面上的相应的多个位置上方。在此，多个位置中的每一位置都具有设置在所述位置上的待移除的粘合剂残留物244(在图2C中示出)。在此，当处理系统200中的部件以基板处理模式(如图所示)设置时，多个清洁单元216被密封至基板208的表面。将部件以基板处理模式定位包括下述一者或两者：使用第一致动器226或第二致动器227中的一者或两者升高支撑轴207或降低流体分配轴212，所述第一致动器226和第二致动器227分别耦接至所述支撑轴207和流体分配轴212。在一些实施方式中，流体分配轴212使用柔性耦接件229(诸如万向(gimbal)耦接件)密封地耦接至歧管215，以有助于将多个清洁单元密封至基板208。
在一些实施方式中，支撑轴207可绕垂直轴线旋转，所述垂直轴线设置成穿过所述支撑轴207。在那些实施方式中，将部件以基板处理模式定位包括旋转支撑轴，直到设置在基板上的粘合剂残留物缀斑期望地与多个清洁单元216对齐为止。
在此，入口213流体耦接至一个或多个流体源，例如清洁流体源218(即溶剂)、冲洗流体源220(诸如去离子水或异丙醇(IPA))、和干燥气体源223(诸如清洁干燥空气(CDA)或N2)。将来自相应流体源218、220和223的清洁流体、冲洗流体、和干燥气体使用阀222选择性输送到入口213，所述阀222设置在流体耦接于流体源和入口213之间的导管上，或连至入口213的导管。在一些实施方式中，处理系统200进一步包括加热器219，所述加热器219设置在清洁流体源218和入口213之间并且与清洁流体源218和入口213流体连通。在一些实施方式中，清洁流体源218是容器，且清洁流体从出口214循环至所述清洁流体源218中。在一些实施方式中，加热器219是水浴或油浴，在所述水浴或油浴中设置有清洁流体容器，或者所述加热器是壳管式热交换器。在一些实施方式中，使用阀222分别将冲洗流体或干燥气体从出口214引导至汲引口(drain)224或排放口(exhaust)221，所述阀222设置在流体耦接于所述出口214与所述汲引口224或排放口221之间的导管上。
一般而言，使用耦接至处理系统200的系统控制器230有助于处理系统200的操作和控制。系统控制器230包括可编程中央处理单元(CPU 231)，所述CPU可与存储器232(例如，非易失性存储器(non-volatile memory))和支持电路233一起操作。传统的支持电路233耦接至CPU 231并且包括耦接至处理系统200的各种部件的高速缓冲存储器、时钟电路、输入/输出子系统、电源、和类似物、及上述各者的组合，而有助于处理系统200的控制。CPU231是工业设施中使用的任何形式的通用计算机处理器之一，例如可编程逻辑控制器(PLC)，用于控制处理系统200的各种部件和子处理器。存储器232耦接至CPU 231，所述存储器232是非暂时性，并且一般是容易取得的存储器的中的一种或多种，诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘驱动器、硬盘、或任何其他形式的本地或远程的数字存储。
在此，存储器232是含有指令的计算机可读存储介质(例如，非易失性存储器)的形式，当由CPU 231执行时，这些指令有助于处理系统200的操作。存储器232中的指令是程序产品的形式，诸如实现本公开内容的方法的程序。程序代码可符合许多不同编程语言中的任何一种。在一个示例中，本公开内容可以实现为存储在计算机可读存储介质上以与计算机系统一起使用的程序产品。程序产品的程序界定实施方式的功能(包括本文描述的方法)。
说明性计算机可读存储介质包括但不限于：(i)不可写入存储介质(例如，计算机内的只读存储装置，诸如CD-ROM驱动器可读取的CD-ROM光盘、闪速存储器(flash memory)、ROM芯片或任何类型的固态非易失性半导体存储器)，在所述介质上永久地存储信息；和(ii)可写入存储介质(例如，软盘驱动器或硬盘驱动器内的软盘，或任何类型的固态随机存取半导体存储器)，在所述介质上存储有可修改的信息。当携带引导本文所述方法的功能的计算机可读指令时，这种计算机可读存储介质是本公开内容的实施方式。在一些实施方式中，本文描述的方法或所述方法的多个部分是由一种或多种专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(field-programmable gate array，FPGA)或其他类型的硬件实现方式来执行。在一些其他实施方式中，本文描述的工艺由软件程序、ASIC、FPGA和/或其他类型的硬件实现方式的组合来执行。
图2C是根据一个实施方式的图2A的一部分的放大图，显示清洁单元216的截面。在此，清洁单元216包括外侧的第一导管240以及在所述第一导管240内延伸的内侧的第二导管241。一般而言，第二导管241的端部以距离H由第一导管240的端部向内凹陷，所述距离H在约1mm和约20mm之间。在此，第一导管240的内径G大于设置在基板208的表面上的待移除的粘合剂残留物244的直径，诸如在约1mm和约20mm之间。在基板处理期间，设置在第一导管240的端部处的垫圈243(诸如O形环、波纹管、或刮刷封环(wiper seal))接触基板208并将清洁单元216的端部密封至基板208。例如。在一些实施方式中，垫圈243通过形成于设置在基板208上的层中的开口接触基板208的表面，诸如图1B中描述的基板104的表面。在其他实施方式中，垫圈243通过在吸收剂层108中形成的开口接触反射多层堆叠105的表面。当清洁单元216的端部密封至基板208时，即，当处理系统的部件以基板处理模式设置时，第一导管240、第二导管241和由垫圈243围绕的基板208的部分将共同界定流体流动路径242。
图3是流程图，阐述从基板表面上的多个位置清洁粘合剂残留物的方法，所述基板诸如图1A至图1B中描述的光刻掩模101。在活动301处，方法300包括将基板定位在处理系统的基板支撑件上，诸如图2A-2C中描述的处理系统200。
在活动302处，方法300包括将多个清洁单元的端部在相应的多个位置处密封至基板的表面。在此，将多个清洁单元的端部密封至基板的表面包括下述一者或两者：升高基板支撑件或降低流体分配组件，直到设置在清洁单元上的多个垫圈密封地接触基板的表面为止。
在活动303处，方法300包括使清洁流体流过多个清洁单元。在一些实施方式中，清洁流体包含有机溶剂。举例而言，在一些实施方式中，清洁流体包含下述的其中一者或组合：二甲基亚砜；1-苯氧基丙-2-醇(1-phenoxypropan-2-ol)；1-甲基-2-吡咯烷酮(1-methyl-2-pyrrolidinone)；2-苯氧乙醇；支链、乙氧基化4-壬基苯酚；二氯甲烷；二甲基甲酰胺；二氯甲烷；甲醇；或加氢处理的轻质馏出物(加氢处理的石油馏出物)。在一些实施方式中，清洁流体包含表1中阐明的组成物A-D的其中一种或组合。
表1
Figure BDA0002892241290000091
在活动304处，方法300包括将基板的表面暴露于多个位置处的清洁流体。在一些实施方式中，方法300进一步包括，将清洁流体加热至约50℃至约160℃之间，诸如约50℃至约150℃之间，或约90℃至约150℃之间。在一些实施方式中，方法300进一步包括将清洁流体再循环到清洁流体源容器。在一些实施方式中，方法300进一步包括使冲洗流体流动到多个清洁单元并且将基板的表面暴露于多个位置处的冲洗剂。在一些实施方式中，方法300进一步包括使干燥气体流到多个清洁单元并且将基板的表面暴露于多个位置处的干燥气体。
通常，垫圈会具有设置在所述垫圈上的一些残留清洁流体，当清洁单元与基板分离时，这些清洁流体可能会非期望地滴落到基板上。因此，为了防止滴落，在一些实施方式中，方法300进一步包括在将清洁单元从基板的表面分开的同时，维持清洁单元上的真空。
本文所描述的方法和处理系统有利地提供将溶剂输送到EUV光刻掩模表面上的选择性位置，以有助于从所述表面移除护膜粘合剂残留物。此外，因为本文使用的溶剂会对EUV光刻掩模的吸收剂层造成非期望的损坏，所以将溶剂输送到选择性位置有助于使用相对侵蚀性(aggressive)的溶剂从光刻掩模移除护膜粘合剂，而不会对掩模上所设置的脆弱图案化表面造成非期望的损坏。
虽然前述内容针对本公开内容的实施方式，但可在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计出本公开内容的其他和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围由所附权利要求书确定。

Claims (15)

1.一种处理基板的方法，包括：
将基板定位在处理系统的基板支撑件上；
将多个清洁单元的个别的清洁单元于相应的多个位置处密封至所述基板的表面；
将清洁流体加热至约50℃至约150℃之间的温度；
使所述清洁流体流至所述多个清洁单元，然后从所述多个清洁单元流出；和
将所述基板的所述表面暴露于所述多个位置处的所述清洁流体。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁流体包括下述之一者：二甲基亚砜、1-苯氧基丙-2-醇、1-甲基-2-吡咯烷酮、2-苯氧乙醇、4-壬基苯酚、二氯甲烷、二甲基甲酰胺、二氯甲烷、甲醇、石油馏出物、或上述流体的组合。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述基板包括：
多层堆叠，所述多层堆叠包括多个重复的金属层和硅层；和
图案化吸收剂层，所述图案化吸收剂层设置在所述多层堆叠上。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述处理系统包括：
所述基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理容积中；和
流体分配组件，所述流体分配组件面向所述基板支撑件的基板接收表面，所述流体分配组件包括：
分配轴，所述分配轴具有入口和出口；
歧管，所述歧管耦接至所述分配轴；和
所述多个清洁单元，所述多个清洁单元耦接至所述歧管。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述多个清洁单元的每一者包括：
第一导管；
第二导管，所述第二导管设置在所述第一导管中，其中所述第二导管的端部从所述第一导管的端部凹陷；和
垫圈，所述垫圈设置在所述第一导管的所述端部上。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述第一导管和所述第二导管界定从所述分配轴的所述入口延伸到所述出口的流体流动路径的一部分。
7.一种计算机可读介质，所述计算机可读介质上存储有多个指令，所述指令用于：
处理基板的方法，所述方法包括：
将所述基板定位在处理系统的基板支撑件上；
将多个清洁单元于相应的多个位置处密封至所述基板的表面；
将清洁流体加热至约50℃至约150℃之间的温度；
使所述清洁流体流至所述多个清洁单元，然后从所述多个清洁单元流出；和
将所述基板的所述表面暴露于所述多个位置处的所述清洁流体。
8.如权利要求7所述的计算机可读介质，其中所述处理系统包括：
所述基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理容积中；和
流体分配组件，所述流体分配组件面向所述基板支撑件的基板接收表面，所述流体分配组件包括：
分配轴，所述分配轴具有入口和出口；
歧管，所述歧管耦接至所述分配轴；和
所述多个清洁单元，所述多个清洁单元耦接至所述歧管。
9.如权利要求8所述的计算机可读介质，其中所述多个清洁单元之一或多者包括：
第一导管；
第二导管，所述第二导管设置在所述第一导管中，其中所述第二导管的端部从所述第一导管的端部凹陷；和
垫圈，所述垫圈设置在所述第一导管的所述端部上。
10.如权利要求9所述的计算机可读介质，其中所述第一导管和所述第二导管界定从所述分配轴的所述入口延伸到所述出口的流体流动路径的一部分。
11.一种处理系统，包括：
基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理容积中；和
流体分配组件，所述流体分配组件面向所述基板支撑件的基板接收表面，所述流体分配组件包括：
分配轴，所述分配轴具有入口和出口；
歧管，所述歧管耦接至所述分配轴；和
多个清洁单元，所述多个清洁单元耦接至所述歧管，其中
当所述基板支撑件与所述流体分配组件以基板处理模式设置时，所述多个清洁单元的每一者变成密封至待处理的基板。
12.如权利要求11所述的处理系统，进一步包括支撑轴，其中所述基板支撑件设置在所述支撑轴上，并且其中所述支撑轴可移动地设置成穿过所述处理系统的基部。
13.如权利要求11所述的处理系统，进一步包括流体加热器，所述流体加热器设置成与所述分配轴的所述入口流体连通。
14.如权利要求11所述的处理系统，其中所述多个清洁单元之一或多者包括：
第一导管；
第二导管，所述第二导管设置在所述第一导管中，其中所述第二导管的端部从所述第一导管的端部凹陷；和
垫圈，所述垫圈设置在所述第一导管的所述端部上。
15.如权利要求14所述的处理系统，其中所述第一导管和所述第二导管界定从所述分配轴的所述入口延伸到所述出口的流体流动路径的一部分。
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