KR102574883B1 - 펠리클 접착제 잔류물 제거 시스템 및 방법들 - Google Patents

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Abstract

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 리소그래피 마스크의 표면으로부터 접착제 잔류물들을 제거하기 위한 장치 및 방법들을 포함한다. 특히, 본 명세서에서 설명되는 처리 시스템들은 리소그래피 마스크 표면 상의 별개의 복수의 위치들로의 용매의 전달을 제공하여 그 리소그래피 마스크 표면으로부터의 접착제 잔류물의 제거를 가능하게 한다. 일 실시예에서, 기판을 처리하는 방법은 처리 시스템의 기판 지지부 상에 기판을 포지셔닝하는 단계, 복수의 세정 유닛들의 개개의 세정 유닛들을 대응하는 복수의 위치들에서 기판의 표면에 밀폐시키는 단계, 약 50℃ 내지 약 150℃의 온도로 세정 유체를 가열하는 단계, 세정 유체를 복수의 세정 유닛들로 유동시키고 그 후, 복수의 세정 유닛들로부터 유동시키는 단계, 및 복수의 위치들에서 세정 유체에 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함한다.

Description

펠리클 접착제 잔류물 제거 시스템 및 방법들
[0001] 본 명세서에서 설명되는 실시예들은 일반적으로 반도체 디바이스 제조 분야에 관한 것으로, 특히 리소그래피 마스크의 표면으로부터 접착제 잔류물들을 제거하는 데 사용되는 방법들 및 장치에 관한 것이다.
[0002] 반도체 디바이스 제조는 통상적으로, 가공물, 예컨대 실리콘 웨이퍼의 표면 상에, 위에 그리고 내에 복수의 상호 연결 패터닝된 재료 층들을 형성하는 것을 포함한다. 패터닝된 재료 층들 각각은 가공물 표면 또는 가공물 표면 상에 배치된 이전에 증착된 재료 층들을 패터닝하는 것을 포함하는 일련의 제조 프로세스들을 사용하여 형성된다. 종종, 가공물 표면 또는 가공물 표면 상에 배치된 이전에 증착된 재료 층들은 리소그래피 프로세스를 사용하여 패터닝된다. 통상의 리소그래피 프로세스는 리소그래피 마스크의 표면 상에 형성된 패턴을, 가공물 표면을 코팅하는 또는 가공물 표면 상에 배치된 이전에 증착된 재료 층들을 코팅하는 레지스트 층으로 전사하는 것을 포함한다.
[0003] 리소그래피 프로세스에 사용되는 리소그래피 마스크 어셈블리는 통상적으로, 리소그래피 마스크 및 리소그래피 마스크의 패터닝된 표면 위에 배치된 보호용 펠리클(pellicle)을 포함한다. 펠리클은 얇은 투명 멤브레인, 즉 펠리클이 리소그래피 마스크에 고정될 때 리소그래피 마스크의 패터닝된 표면 위로 연장되는 펠리클 멤브레인을 포함한다. 펠리클 멤브레인은 통상적으로, 에폭시 수지와 같은 접착제에 의해 리소그래피 마스크의 패터닝된 표면에 고정되는 펠리클 프레임 상에 장착된다. 펠리클 멤브레인은 리소그래피 마스크의 패터닝된 표면이 접촉되어 이로써 취급 중에 긁히는 것을 방지하고, 먼지와 같은 환경 오염물들에 노출되는 것을 방지한다. 통상적으로, 펠리클 멤브레인은 펠리클 프레임에 의해 리소그래피 마스크의 표면으로부터 이격되어, 리소그래피 마스크 패턴이 기판 상의 레지스트 층으로 전사될 때 리소그래피 마스크 위에 모이는 어떠한 입자들, 예컨대 먼지도 초점 필드에 있지 않다.
[0004] 펠리클들은 바람직하게는 리소그래피 마스크의 유효 수명을 연장하고 일반적으로는 리소그래피 마스크와 관련된 세정 또는 재정비 프로세스들 동안 교체된다. 통상적으로, 사용된 펠리클은 리소그래피 마스크로부터 분리되고 리소그래피 마스크의 세정 또는 재정비 전에 폐기된다. 사용된 펠리클 프레임을 리소그래피 마스크 표면에 고정하는 데 사용된 접착제로부터의 잔류물들은 종종, 마스크의 패터닝된 표면의 후속 세척 전에 제거되어 마스크 표면으로의 접착제 잔류물의 바람직하지 않은 전사를 방지한다. 공교롭게도, 차세대 진공 EUV(extreme ultra violet) 리소그래피 시스템들에 사용하기에 적합한 상대적으로 낮은 휘발성의 접착제들은 EUV 리소그래피 마스크 표면들에 손상을 일으키지 않으면서 그러한 표면들로부터 제거하기 어려운 것으로 입증되었다.
[0005] 이에 따라, 당해 기술분야에서는 리소그래피 마스크의 표면으로부터 접착제를 제거하기 위한 개선된 시스템들 및 방법들이 필요하다.
[0006] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 리소그래피 마스크의 세정 또는 재정비 전에 리소그래피 마스크의 표면으로부터 접착제 잔류물들을 제거하기 위한 장치 및 방법들을 포함한다. 특히, 본 명세서에서 설명되는 처리 시스템들은 리소그래피 마스크 표면 상의 선택적 위치들로의 용매의 전달을 제공하여 그 리소그래피 마스크 표면으로부터의 접착제 잔류물의 제거를 가능하게 한다.
[0007] 일 실시예에서, 기판을 처리하는 방법은 처리 시스템의 기판 지지부 상에 기판을 포지셔닝하는 단계, 복수의 세정 유닛들의 개개의 세정 유닛들을 대응하는 복수의 위치들에서 기판의 표면에 밀폐시키는 단계, 약 50℃ 내지 약 150℃의 온도로 세정 유체를 가열하는 단계, 세정 유체를 복수의 세정 유닛들로 유동시키고 그 후, 복수의 세정 유닛들로부터 유동시키는 단계, 및 복수의 위치들에서 세정 유체에 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함한다.
[0008] 다른 실시예에서, 컴퓨터 판독 가능 매체 상에는 기판을 처리하는 방법을 위한 명령들이 저장된다. 이 방법은 처리 시스템의 기판 지지부 상에 기판을 포지셔닝하는 단계, 복수의 세정 유닛들의 개개의 세정 유닛들을 대응하는 복수의 위치들에서 기판의 표면에 밀폐시키는 단계, 약 50℃ 내지 약 150℃의 온도로 세정 유체를 가열하는 단계, 세정 유체를 복수의 세정 유닛들로 유동시키고 그 후, 복수의 세정 유닛들로부터 유동시키는 단계, 및 복수의 위치들에서 세정 유체에 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함한다.
[0009] 다른 실시예에서, 처리 시스템은 처리 볼륨 내에 배치된 기판 지지부, 및 기판 지지부의 기판 수용면을 향하는 유체 분배 어셈블리를 포함한다. 유체 분배 어셈블리는 유입구 및 유출구를 갖는 지지 샤프트, 지지 샤프트에 결합된 매니폴드(manifold), 및 매니폴드에 결합된 복수의 세정 유닛들을 포함한다. 여기서, 기판 지지부 및 유체 분배 어셈블리가 기판 처리 모드로 배치될 때, 세정 유닛들의 개개의 세정 유닛들은 처리될 기판에 밀폐된다.
[0010] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0011] 도 1a는 일 실시예에 따른 예시적인 포토마스크 어셈블리의 개략적인 등각도이다.
[0012] 도 1b는 1B-1B 선을 따라 절취된 도 1a에 도시된 포토마스크 어셈블리의 단면도이다.
[0013] 도 2a는 일 실시예에 따라, 본 명세서에서 제시되는 방법들을 실시하도록 구성된 처리 시스템의 개략적인 단면도이다.
[0014] 도 2b는 일 실시예에 따른, 2B-2B 선을 따라 절취된 도 2a에 도시된 유체 분배 어셈블리의 단면도이다.
[0015] 도 2c는 일 실시예에 따른, 도 2a에 도시된 처리 시스템의 일부의 단면 확대도이다.
[0016] 도 3은 일 실시예에 따라, 기판의 표면으로부터 접착제 잔류물을 세정하는 방법을 제시하는 흐름도이다.
[0017] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 가리키는 데, 가능한 경우, 동일한 참조 부호들이 사용되었다. 한 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가 언급 없이 다른 실시예들에 유리하게 포함될 수 있다는 것이 고려된다.
[0018] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 리소그래피 마스크의 세정 또는 재정비 전에 리소그래피 마스크의 표면으로부터 접착제 잔류물들을 제거하기 위한 장치 및 방법들을 포함한다. 특히, 본 명세서에서 설명되는 처리 시스템들은 리소그래피 마스크 표면 상의 선택적 위치들로의 용매의 전달을 제공하여 그 리소그래피 마스크 표면으로부터의 접착제 잔류물의 제거를 가능하게 한다.
[0019] 도 1a는 일 실시예에 따른 예시적인 리소그래피 마스크 어셈블리의 개략적인 등각도이다. 도 1b는 1B-1B 선을 따라 절취된 도 1a의 리소그래피 마스크 어셈블리의 개략적인 단면도이다. 통상적으로, 리소그래피 마스크 어셈블리(100)는 리소그래피 마스크(101)와 펠리클(102)을 포함하는데, 펠리클(102)은 리소그래피 마스크(101)와 펠리클(102) 사이에 개재된 복수의 접착 패치들(103)에 의해 리소그래피 마스크(101)에 고정된다. 일부 실시예들에서, 리소그래피 마스크(101)는 EUV(extreme ultra violet) 리소그래피 처리 시스템에 사용하도록 구성되며, 기판(104), 기판(104) 상에 배치된 반사성 다층 스택(105), 반사성 다층 스택(105) 상에 배치된 캡핑(capping) 층(107), 및 캡핑 층(107) 상에 배치된 흡수제 층(108)을 특징으로 한다. 일부 실시예들에서, 기판(104)은 티타늄 도핑된 용융 실리카와 같은 LTEM(low thermal expansion material)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 반사성 다층 스택(105)은 복수의 반복되는 Mo 및 Si 층들, 즉 복수의 Mo/Si 층들과 같은 복수의 반복되는 금속 및 실리콘 층들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 반사성 다층 스택(105)은 약 40개보다 많은 금속 및 실리콘 교대 층들을 포함하며, 약 200㎚ 내지 약 250㎚의 두께를 갖는다. 일부 실시예들에서, 흡수제 층(108)은 탄탈륨(Ta)을 포함하는 재료, 이를테면 TaBO 층, TaBN 층 또는 이들의 다층 스택, 예를 들어 TaBN 층 상에 배치된 TaBO 층으로 형성된다. 일부 실시예들에서, 흡수제 층(108)은 약 50㎚ 내지 약 80㎚의 두께를 갖는다. 일부 실시예들에서, 캡핑 층(107)은 루테늄(Ru)으로 형성되며 약 1㎚ 내지 약 5㎚, 예를 들어 약 2.5㎚의 두께를 갖는다.
[0020] 여기서, 복수의 개구들(109)이 관통하여 형성된 흡수제 층(108)이 리소그래피 마스크(101)의 패터닝된 표면을 형성한다. 여기서, 개구들(109)의 개개의 개구들은 흡수제 층(108)을 관통하여 연장되어 흡수제 층(108) 밑에 배치된 캡핑 층(107)을 노출시킨다. 다른 실시예들에서, 개구들(109)의 개개의 개구들은 캡핑 층(107)을 관통하여 추가로 연장되어 캡핑 층(107) 밑에 배치된 반사성 다층 스택(105)을 노출시킨다. 일부 실시예들에서, 리소그래피 마스크(101)는 하나 이상의 검은색 테두리의 개구들(106), 즉 흡수제 층(108), 캡핑 층(107) 및 반사성 다층 스택(105)을 관통하여 연장되는 하나 이상의 개구들을 포함한다.
[0021] 통상적으로, 펠리클(102)은 얇은(예컨대, 두께가 200㎚ 미만인) 투명 멤브레인, 여기서는 펠리클 멤브레인(110)을 포함하는데, 펠리클 멤브레인(110)은 펠리클 프레임(111)에 걸쳐 연장되며 펠리클 멤브레인(110)과 펠리클 프레임(111) 사이에 개재된 (도시되지 않은) 접착제 층에 의해 펠리클 프레임(111)에 고정된다. 여기서, 펠리클 멤브레인(110)은 리소그래피 마스크(101)의 표면으로부터 일정 거리(A)만큼 이격된다. 펠리클 프레임(111)은 접착 패치들(103)의 두께, 여기서는 약 1㎜ 미만, 이를테면 약 10㎛ 내지 약 500㎛의 거리(B)만큼 리소그래피 마스크(101)의 표면으로부터 이격된다. 여기서, 접착 패치들(103)은 기판(104)의 표면 상에 직접 배치된다. 다른 실시예들에서, 접착 패치들(103)은 반사성 다층 스택(105)의 표면 상에 직접 배치된다. 다른 실시예들에서, 접착 패치들(103)은 흡수제 층(108)의 표면 상에 직접 배치된다.
[0022] 리소그래피 마스크(101)의 표면으로부터 펠리클 멤브레인(110)을 이격시키는 것은 바람직하게는, 리소그래피 마스크 패턴이 가공물 상의 레지스트 층으로 전사될 때, 리소그래피 마스크의 표면 위에 모이는 입자들, 예컨대 먼지가 초점 필드에 있는 것을 방지한다. 리소그래피 마스크의 표면으로부터 펠리클 프레임(111)을 이격시키는 것은 바람직하게는, 펠리클과 리소그래피 마스크 사이에 세정 가스, 예컨대 공기가 유동할 수 있게 한다. 펠리클과 리소그래피 마스크 사이의 자유로운 가스 유동은 바람직하게는, 깨지기 쉬운 펠리클 멤브레인(110)을 파열시킬 수 있는 진공 EUV 리소그래피 프로세스 동안 멤브레인의 반대쪽 표면에 대한 불균등한 압력들을 방지한다. 본 명세서의 실시예들에서, 펠리클(102)을 리소그래피 마스크(101)의 표면에 고정시키는 데 사용되는 접착 패치들(103)은 이를테면, 펠리클 프레임(111)의 모서리들에 근접한 별개의 복수의 위치들에서 패치들에 배치된다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 리소그래피 마스크는 정사각형 형상의 단면을 갖는데, 여기서 리소그래피 마스크의 각각의 면은 약 100㎜ 내지 약 300㎜, 예를 들어 약 150㎜의 길이(C)를 갖는다. 펠리클 프레임(111)의 면들은 리소그래피 마스크(101)의 면들에 직교하는 각도들에서 측정될 때 약 0㎜ 내지 약 30㎜의 거리(D)만큼 리소그래피 마스크(101)의 면들의 내측으로 배치된다. 여기서, 복수의 접착 패치들(103)은 프레임의 모서리들에 배치되고 약 70㎜ 내지 약 140㎜의 중심 간 간격(F)을 갖는다.
[0023] 펠리클 프레임(111)을 포함하는 펠리클(102)은 펠리클 멤브레인(110)의 전면 및 후면 표면들 상의 입자들의 축적, 그에 대한 손상으로 인해 리소그래피 마스크(101)의 유효 수명 동안 또는 리소그래피 마스크(101)의 다른 수리 또는 재정비 처리 동안 종종 교체된다. 사용된 펠리클(102)이 리소그래피 마스크(101)의 표면으로부터 제거될 때, 접착 패치들(103)로부터의 적어도 일부 바람직하지 않은 잔류물이 그에 대응하는 별개의 복수의 위치들에서 리소그래피 마스크의 표면에 남을 것이다. 공교롭게도, 리소그래피 마스크의 표면에 남아 있는 바람직하지 않은 잔류물은 후속 세정 또는 재정비 프로세스들 동안 리소그래피 마스크 표면의 다른 영역들로 전사될 것이다. 바람직하지 않게 전사된 잔류물은 마스크를 사용 불가능하게 할 수 있거나 마스크를 세정 또는 재정비하는 비용 및 복잡성을 증가시킬 수 있다. 또한, 제거되지 않은 잔류물은 리소그래피 마스크 표면과 후속 장착된 펠리클의 멤브레인 간 거리(A)의 바람직하지 않은 변화를 야기하여, 그러한 변화와 관련된 프로세스 결함들을 유발하거나 재정비된 마스크 어셈블리를 사용 불가능하게 할 수 있다. 따라서 본 명세서의 실시예들은 리소그래피 마스크 상의 복수의 선택된 위치들로부터의 바람직하지 않은 접착제 잔류물의 제거를 가능하게 하는, 도 2a - 도 2c에서 설명되는 처리 시스템 및 도 3에서 제시되는 방법들을 제공한다.
[0024] 도 2a는 일 실시예에 따라, 본 명세서에서 제시되는 방법들을 실시하도록 구성된 처리 시스템의 개략적인 단면도이다. 도 2b는 일 실시예에 따른, 2B-2B 선을 따라 절취된 도 2a에 도시된 유체 분배 어셈블리의 단면도이다. 도 2c는 일 실시예에 따른, 도 2a에 도시된 처리 시스템의 일부의 단면을 클로즈업한 도면이다.
[0025] 여기서, 처리 시스템(200)은 본체(201), 덮개(202), 하나 이상의 측벽들(203) 및 베이스(204)를 포함하며, 이들은 집합적으로 처리 볼륨(205)의 경계들을 정의한다. 처리 볼륨(205) 내에 배치된 기판 지지부(206)는 베이스(204)를 관통하여 연장되는 지지 샤프트(207) 상에 배치된다. 처리 시스템(200)은 하나 이상의 측벽들(203)의 개구(209)를 통해 기판 지지부(206)로 그리고 기판 지지부(206)로부터 도 1a - 도 1b에서 설명된 리소그래피 마스크(101)와 같은 기판(208)의 이송을 가능하게 하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 개구(209)는 기판 처리 동안 도어(210)로 밀폐된다.
[0026] 여기서, 처리 시스템(200)은 기판 지지부(206) 위에 배치된 유체 분배 어셈블리(211)를 더 포함한다. 유체 분배 어셈블리(211)는 유체 분배 샤프트(212), 유체 분배 샤프트(212)에 결합된 매니폴드(215), 및 매니폴드(215)에 결합된 복수의 세정 유닛들(216)을 특징으로 한다. 일부 실시예들에서, 이를테면 처리 볼륨이 진공 상태로 유지되는 실시예들에서, 유체 분배 샤프트(212)는 덮개(202)를 통해 밀폐식으로 배치된다. 예를 들어, 일부 실시예들에서 (도시되지 않은) 벨로우즈(bellows)가 처리 볼륨(205) 내부에서 또는 외부에서 유체 분배 샤프트(212)를 둘러싼다. 그러한 실시예들 중 일부에서, 처리 볼륨(205)은 진공에, 이를테면 하나 이상의 전용 진공 펌프들에 유체 결합된다.
[0027] 여기서, 유체들은 유입구(213)를 통해 유체 분배 어셈블리(211)로 들어가고 유출구(214)를 통해 유체 분배 어셈블리(211)를 빠져나간다. 매니폴드(215)는 유입구(213)를 통해 받은 유체들을 복수의 세정 유닛들(216) 사이에서 유체 연통하게 배치된 복수의 분배 도관들(217)을 사용하여 복수의 세정 유닛들(216)에 분배한다. 매니폴드(215)는 추가로, 다시 복수의 세정 유닛들(216)로부터 받은 유체들을 복수의 세정 유닛들(216) 사이에서 유체 연통하게 배치된 복수의 복귀 도관들(225)을 사용하여 유출구(214)로 안내한다.
[0028] 일부 실시예들에서, 매니폴드(215)는 자신의 중심 축으로부터 각각의 복수의 세정 유닛들(216)까지 반경 방향으로 연장되는 (도 2b에 도시된) 복수의 암들(250)을 포함한다. 여기서 복수의 암들(250) 각각은 암들(250) 내부에 형성된 복귀 도관(225) 및 복귀 도관(225)에 배치된 분배 도관(217), 이를테면 복귀 도관(225)을 관통하여 형성된 개구를 가진 튜브를 포함한다. 다른 실시예들에서, 매니폴드(215)는 매니폴드(215) 내에 각각 배치되고 형성된 복귀 도관들(225) 및 복수의 분배 도관들(217)을 통한, 복수의 세정 유닛들(216)과 분배 샤프트 간의 유체 연통을 가능하게 하기에 적합한 임의의 다른 형상이다. 일부 실시예들에서, 유입구(213)는 유입구(213)를 관통하여 배치된 개구를 갖는 튜브를 포함하고, 복수의 분배 도관들(217)은 (도 2b에 도시된) 스파이더 피팅(spider fitting)(251)을 사용하여 유입구(213)에 유체 결합된다.
[0029] 여기서, (도 2c에서 추가 설명되는) 복수의 세정 유닛들(216)은 기판(208)의 표면 상의 대응하는 복수의 위치들 위에 포지셔닝된다. 여기서, 복수의 위치들 각각에는 그 위에 (도 2c에 도시된) 제거될 접착제 잔류물(244)이 배치된다. 여기서, 복수의 세정 유닛들(216)은, 처리 시스템(200)의 컴포넌트들이 (도시된 바와 같이) 기판 처리 모드로 배치될 때, 기판(208)의 표면에 밀폐된다. 기판 처리 모드에서 컴포넌트들을 포지셔닝하는 것은 지지 샤프트(207) 및 유체 분배 샤프트(212)에 각각 결합된 제1 액추에이터(226) 또는 제2 액추에이터(227) 중 하나 또는 둘 다를 사용하여 지지 샤프트(207)를 올리는 것 또는 유체 분배 샤프트(212)를 낮추는 것 중 하나 또는 둘 다를 포함한다. 일부 실시예들에서, 유체 분배 샤프트(212)는 기판(208)에 대한 복수의 세정 유닛들의 밀폐를 가능하게 하기 위해 짐벌 결합과 같은 가요성 결합(229)을 사용하여 매니폴드(215)에 밀폐식으로 결합된다.
[0030] 일부 실시예들에서, 지지 샤프트(207)는 이를 관통하여 배치된 수직 축을 중심으로 회전 가능하다. 그러한 실시예들에서, 기판 처리 모드에서 컴포넌트들을 포지셔닝하는 것은, 기판 상에 배치된 접착제 잔류물 패치들이 바람직하게는 복수의 세정 유닛들(216)과 정렬될 때까지, 지지 샤프트를 회전시키는 것을 포함한다.
[0031] 여기서, 유입구(213)는 하나 이상의 유체 소스들, 이를테면 세정 유체 소스(218), 즉 용매, 린스 유체 소스(220), 이를테면 탈이온수 또는 IPA(isopropyl alcohol), 및 건조 가스 소스(223), 이를테면 CDA(clean dry air) 또는 N2에 유체 결합된다. 각각의 유체 소스들(218, 220, 223)로부터의 세정 유체, 린스 유체 및 건조 가스는 유체 소스와 유입구(213) 사이에 유체 결합된 도관들 또는 유입구(213)로 이어지는 도관 상에 배치된 밸브들(222)을 사용하여 유입구(213)로 선택적으로 전달된다. 일부 실시예들에서, 처리 시스템(200)은 세정 유체 소스(218)와 유입구(213) 사이에 배치되고 이들과 유체 연통하는 히터(219)를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 세정 유체 소스(218)는 용기이고 세정 유체가 유출구(214)로부터 용기 안으로 재순환된다. 일부 실시예들에서, 히터(219)는 내부에 세정 유체 용기가 배치된 수조 또는 오일 배스, 또는 셸(shell) 및 튜브형 열 교환기이다. 일부 실시예들에서, 린스 유체 또는 건조 가스는 각각 유출구(214)로부터 드레인(224) 또는 배출구(221)로, 이들 사이에 유체 결합된 도관들 상에 배치된 밸브들(222)을 사용하여 안내된다.
[0032] 통상적으로, 처리 시스템(200)의 동작 및 제어는 처리 시스템(200)에 결합된 시스템 제어기(230)를 사용하여 가능하게 된다. 시스템 제어기(230)는 메모리(232)(예컨대, 비휘발성 메모리) 및 지원 회로들(233)과 함께 동작 가능한 프로그래밍 가능한 중앙 처리 유닛(CPU(231))을 포함한다. 지원 회로들(233)은 종래 방식으로 CPU(231)에 결합되고, 처리 시스템(200)의 다양한 컴포넌트들에 결합되어 이들의 제어를 가능하게 하는 캐시, 클록 회로들, 입력/출력 서브시스템들, 전원 공급 장치들 등, 및 이들의 조합들을 포함한다. CPU(231)는 처리 시스템(200)의 다양한 컴포넌트들 및 서브-프로세서들을 제어하기 위해 산업 환경에서 사용되는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서 중 하나, 이를테면 PLC(programmable logic controller)이다. CPU(231)에 결합된 메모리(232)는 비-일시적이며 통상적으로는, 쉽게 입수할 수 있는 메모리들, 이를테면 RAM(random access memory), ROM(read only memory), 플로피 디스크 드라이브, 하드 디스크, 또는 로컬 또는 원격인 임의의 다른 형태의 디지털 저장소 중 하나 이상이다.
[0033] 여기서, 메모리(232)는 CPU(231)에 의해 실행될 때, 처리 시스템(200)의 동작을 가능하게 하는 명령들을 포함하는 컴퓨터 판독 가능 저장 매체(예컨대, 비휘발성 메모리)의 형태이다. 메모리(232) 내의 명령들은 본 개시내용의 방법들을 구현하는 프로그램과 같은 프로그램 제품의 형태이다. 프로그램 코드는 다수의 상이한 프로그래밍 언어들 중 임의의 언어에 부합할 수 있다. 일례로, 본 개시내용은 컴퓨터 시스템과 함께 사용할 컴퓨터 판독 가능 저장 매체 상에 저장된 프로그램 제품으로서 구현될 수 있다. 프로그램 제품의 프로그램(들)은 (본 명세서에서 설명되는 방법들을 포함하는) 실시예들의 기능들을 정의한다.
[0034] 예시적인 컴퓨터 판독 가능 저장 매체들은: (ⅰ) 정보가 영구적으로 저장되는 기록이 불가능한 저장 매체들(예컨대, 컴퓨터 내의 판독 전용 메모리 디바이스들, 이를테면 CD-ROM 드라이브에 의해 판독 가능한 CD-ROM 디스크들, 플래시 메모리, ROM 칩들 또는 임의의 타입의 고체 상태 비휘발성 반도체 메모리); 및 (ⅱ) 변경 가능한 정보가 저장되는 기록 가능한 저장 매체들(예컨대, 디스켓 드라이브 또는 하드 디스크 드라이브 내의 플로피 디스크들 또는 임의의 타입의 고체 상태 랜덤 액세스 반도체 메모리)를 포함하지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 이러한 컴퓨터 판독 가능 저장 매체들은 본 명세서에서 설명되는 방법들의 기능들을 지시하는 컴퓨터 판독 가능 명령들을 전달할 때, 본 개시내용의 실시예들이다. 일부 실시예들에서, 본 명세서에서 설명되는 방법들 또는 이들의 부분들은 하나 이상의 ASIC(application specific integrated circuit)들, FPGA(field-programmable gate array)들, 또는 다른 타입들의 하드웨어 구현들에 의해 수행된다. 일부 다른 실시예들에서, 본 명세서에서 설명되는 프로세스들은 소프트웨어 루틴들, ASIC(들), FPGA들 및/또는 다른 타입들의 하드웨어 구현들의 조합에 의해 수행된다.
[0035] 도 2c는 일 실시예에 따른, 세정 유닛(216)의 단면을 도시하는 도 2a의 일부의 확대도이다. 여기서, 세정 유닛(216)은 제1 외측 도관(240) 및 제1 도관(240) 내에서 연장되는 제2 내측 도관(241)을 포함한다. 통상적으로, 제2 도관(241)의 단부는 약 1㎜ 내지 약 20㎜의 거리(H)만큼 제1 도관(240)의 단부의 내측으로 리세스된다. 여기서, 제1 도관(240)은 기판(208)의 표면 상에 배치된 제거될 접착제 잔류물(244)의 직경보다 큰, 이를테면 약 1㎜ 내지 약 20㎜의 내부 직경(G)을 갖는다. 기판 처리 중에, 제1 도관(240)의 단부에 배치된 O-링, 벨로우즈 또는 와이퍼씰(wiper seal)과 같은 개스킷(gasket)(243)이 기판(208)과 접촉하고 세정 유닛(216)의 단부를 기판(208)에 밀폐시킨다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 개스킷(243)은 도 1b에서 설명되는 기판(104)의 표면과 같은 기판(208)의 표면과, 그 표면 위에 배치된 층들에 형성된 개구를 통해 접촉한다. 다른 실시예들에서, 개스킷(243)은 흡수제 층(108)에 형성된 개구들을 통해 반사성 다층 스택(105)의 표면과 접촉한다. 세정 유닛(216)의 단부가 기판(208)에 밀폐될 때, 즉 처리 시스템의 컴포넌트들이 기판 처리 모드로 배치될 때, 제1 도관(240), 제2 도관(241), 및 개스킷(243)으로 둘러싸인 기판(208)의 일부가 집합적으로 유체 유동 경로(242)를 정의할 것이다.
[0036] 도 3은 도 1a - 도 1b에서 설명된 리소그래피 마스크(101)와 같은 기판의 표면 상의 복수의 위치들로부터 접착제 잔류물을 세정하는 방법을 제시하는 흐름도이다. 동작(301)에서, 이 방법(300)은 도 2a - 도 2c에서 설명된 처리 시스템(200)과 같은 처리 시스템의 기판 지지부 상에 기판을 포지셔닝하는 단계를 포함한다.
[0037] 동작(302)에서, 이 방법(300)은 복수의 세정 유닛들의 단부들을 대응하는 복수의 위치들에서 기판의 표면에 밀폐시키는 단계를 포함한다. 여기서, 복수의 세정 유닛들의 단부들을 기판의 표면에 밀폐시키는 단계는, 세정 유닛들 상에 배치된 복수의 개스킷들이 기판의 표면에 밀폐식으로 접촉할 때까지, 기판 지지부를 올리는 단계 또는 유체 분배 어셈블리를 낮추는 단계 중 하나 또는 둘 다를 포함한다.
[0038] 동작(303)에서, 이 방법(300)은 복수의 세정 유닛들을 통해 세정 유체를 유동시키는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 세정 유체는 유기 용매를 포함한다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 세정 유체는 디메틸 설폭사이드; 1-페녹시프로판-2-올; 1-메틸-2-피롤리디논; 2-페녹시에탄올; 4-노닐페놀, 분지, 에톡실레이티드; 디클로로메탄; 디메틸포름아미드; 디클로로메탄; 메탄올; 또는 수소 처리된 경질 증류물(수소 처리된 석유 증류물) 중 하나 또는 이들의 조합을 포함한다. 일부 실시예들에서, 세정 유체는 표 1에 제시된 조성들(A-D) 중 하나 또는 이들의 조합을 포함한다.
조성 화학물질 vol.%
A 디메틸 설폭사이드 75 - 95
1-페녹시프로판-2-올 5 - 25
B 1-메틸-2-피롤리디논 75 - 95
2-페녹시에탄올 5-20
C 4-노닐페놀,분지,에톡실레이티드 0.5-2
디클로로메탄 5-95
디메틸포름아미드 5-95
D 디클로로메탄 60-90
메탄올 5-20
수소 처리된 경질 증류물 0.5-5
[0039] 동작(304)에서, 이 방법(300)은 복수의 위치들에서 세정 유체에 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 이 방법(300)은 세정 유체를 약 50℃ 내지 약 160℃, 이를테면 약 50℃ 내지 약 150℃, 또는 약 90℃ 내지 약 150℃로 가열하는 단계를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 이 방법(300)은 세정 유체를 세정 유체 소스 용기로 재순환시키는 단계를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 이 방법(300)은 복수의 세정 유닛들에 린스 유체를 유동시키는 단계, 및 복수의 위치들에서 린스제에 기판의 표면을 노출시키는 단계를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 이 방법(300)은 복수의 세정 유닛들에 건조 가스를 유동시키는 단계, 및 복수의 위치들에서 건조 가스에 기판의 표면을 노출시키는 단계를 더 포함한다.
[0040] 통상적으로, 개스킷은 그 위에 배치된 일부 잔여 세정 유체를 가질 것이며, 이러한 잔여 세정 유체는 세정 유닛들이 기판으로부터 분리될 때 바람직하지 않게 기판 상에 방울방울 떨어질 수 있다. 따라서 방울방울 떨어지는 것을 방지하기 위해, 일부 실시예들에서, 이 방법(300)은 기판의 표면으로부터 세정 유닛들을 분리하는 동안 세정 유닛들에서 진공을 유지하는 단계를 더 포함한다.
[0041] 본 명세서에서 설명되는 방법들 및 처리 시스템들은 EUV 리소그래피 마스크 표면 상의 선택적 위치들로의 용매의 전달을 유리하게 제공하여 그 리소그래피 마스크 표면으로부터의 펠리클 접착제 잔류물의 제거를 가능하게 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용매들은 EUV 리소그래피 마스크의 흡수제 층에 바람직하지 않은 손상을 일으킬 수 있기 때문에, 선택적 위치들로 용매를 전달하는 것은, 리소그래피 마스크 상에 배치된 깨지기 쉬운 패터닝된 표면들에 바람직하지 않은 손상을 일으키지 않으면서 상대적으로 공격적인 용매들을 사용하여 리소그래피 마스크로부터의 펠리클 접착제의 제거를 가능하게 한다.
[0042] 전술한 내용은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 기본 범위를 벗어나지 않으면서 본 개시내용의 다른 실시예들 및 추가 실시예들이 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (18)

  1. 처리 시스템의 기판 지지부 상에 기판을 포지셔닝하는 단계로서, 처리 시스템은,
    집합적으로 처리 볼륨을 정의하는, 덮개, 하나 이상의 측벽들, 및 베이스;
    처리 볼륨을 진공 소스에 유체 결합시키는 도관;
    처리 볼륨 내에 배치된 기판 지지부;
    기판 지지부의 기판 수용 표면을 향하는 유체 분배 어셈블리로서,
    유입구 및 유출구를 갖는 분배 샤프트;
    분배 샤프트에 결합된 매니폴드(manifold); 및
    매니폴드에 결합된 복수의 세정 유닛들을 포함하고,
    세정 유닛들 각각은 제1 단부를 갖는 제1 도관, 제1 단부 상에 배치된 개스킷(gasket), 및 제1 도관 내에 배치된 제2 도관을 포함하고, 제2 도관은 제1 단부로부터 리세스되는 제2 단부를 갖는, 유체 분배 어셈블리; 및
    지지 샤프트로서, 기판 지지부는 지지 샤프트 상에 배치되고, 지지 샤프트는 처리 시스템의 베이스를 관통하여 이동 가능하게 배치되는, 지지 샤프트를 포함하는 단계;
    복수의 세정 유닛들이 기판 지지부 상에 배치된 기판의 대응하는 복수의 위치들과 정렬될 때까지, 지지 샤프트를 회전시키는 단계;
    복수의 세정 유닛들의 제1 단부를 기판 지지부 상에 배치된 기판의 표면에 대해 동시에 밀폐시키기 위해 기판 지지부 및 유체 분배 어셈블리 중 하나 또는 둘 다를 서로를 향해 이동시키는 단계;
    복수의 세정 유닛들을 대응하는 복수의 위치들에서 기판의 표면에 밀폐시키는 단계;
    50℃ 내지 150℃의 온도로 세정 유체를 가열하는 단계;
    세정 유체를 복수의 세정 유닛들로 유동시키고 그 후 복수의 세정 유닛들로부터 유동시키는 단계; 및
    대응하는 복수의 위치들에서 세정 유체에 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하는, 기판을 처리하는 방법.
  2. 제1 항에 있어서, 세정 유체는 디메틸 설폭사이드, 1-페녹시프로판-2-올, 1-메틸-2-피롤리디논, 2-페녹시에탄올, 4-노닐페놀, 디클로로메탄, 디메틸포름아미드, 디클로로메탄, 메탄올, 석유 증류물, 또는 이들의 조합 중 하나를 포함하는, 기판을 처리하는 방법.
  3. 제1 항에 있어서, 기판은,
    복수의 반복되는 금속 및 실리콘 층들을 포함하는 다층 스택; 및
    다층 스택 상에 배치된 패터닝된 흡수제 층을 포함하는, 기판을 처리하는 방법.
  4. 제1 항에 있어서, 제1 도관과 제2 도관은 분배 샤프트의 유입구에서 유출구로 연장되는 유체 유동 경로의 일부를 정의하는, 기판을 처리하는 방법.
  5. 제1 항에 있어서, 복수의 세정 유닛들을 기판의 표면에 밀폐시키는 단계는, 복수의 세정 유닛들의 각 세정 유닛의 개스킷이 기판의 표면에 밀폐식으로 접촉할 때까지, 기판 지지부를 올리는 단계를 포함하는, 기판을 처리하는 방법.
  6. 제1 항에 있어서, 복수의 세정 유닛들을 기판의 표면에 밀폐시키는 단계는, 복수의 세정 유닛들의 각 세정 유닛의 개스킷이 기판의 표면에 밀폐식으로 접촉할 때까지, 유체 분배 어셈블리를 낮추는 단계를 포함하는, 기판을 처리하는 방법.
  7. 기판을 처리하는 방법을 위한 명령들이 저장된 컴퓨터 판독 가능 매체로서,
    방법은,
    처리 시스템의 기판 지지부 상에 기판을 포지셔닝하는 단계로서, 처리 시스템은,
    집합적으로 처리 볼륨을 정의하는, 덮개, 하나 이상의 측벽들, 및 베이스;
    처리 볼륨을 진공 소스에 유체 결합시키는 도관;
    처리 볼륨 내에 배치된 기판 지지부;
    기판 지지부의 기판 수용 표면을 향하는 유체 분배 어셈블리로서,
    유입구 및 유출구를 갖는 분배 샤프트;
    분배 샤프트에 결합된 매니폴드(manifold); 및
    매니폴드에 결합된 복수의 세정 유닛들을 포함하고,
    세정 유닛들 각각은 제1 단부를 갖는 제1 도관, 제1 단부 상에 배치된 개스킷(gasket), 및 제1 도관 내에 배치된 제2 도관을 포함하고, 제2 도관은 제1 단부로부터 리세스되는 제2 단부를 갖는, 유체 분배 어셈블리; 및
    지지 샤프트로서, 기판 지지부는 지지 샤프트 상에 배치되고, 지지 샤프트는 처리 시스템의 베이스를 관통하여 이동 가능하게 배치되는, 지지 샤프트를 포함하는 단계;
    복수의 세정 유닛들이 기판 지지부 상에 배치된 기판의 대응하는 복수의 위치들과 정렬될 때까지, 지지 샤프트를 회전시키는 단계;
    복수의 세정 유닛들의 제1 단부를 기판 지지부 상에 배치된 기판의 표면에 대해 동시에 밀폐시키기 위해 기판 지지부 및 유체 분배 어셈블리 중 하나 또는 둘 다를 서로를 향해 이동시키는 단계;
    복수의 세정 유닛들을 대응하는 복수의 위치들에서 기판의 표면에 밀폐시키는 단계;
    50℃ 내지 150℃의 온도로 세정 유체를 가열하는 단계;
    세정 유체를 복수의 세정 유닛들로 유동시키고 그 후 복수의 세정 유닛들로부터 유동시키는 단계; 및
    대응하는 복수의 위치들에서 세정 유체에 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하는, 컴퓨터 판독 가능 매체.
  8. 제7 항에 있어서, 제1 도관과 제2 도관은 분배 샤프트의 유입구에서 유출구로 연장되는 유체 유동 경로의 일부를 정의하는, 컴퓨터 판독 가능 매체.
  9. 제8 항에 있어서, 복수의 세정 유닛들을 기판의 표면에 밀폐시키는 것은, 복수의 세정 유닛들의 각 세정 유닛의 개스킷이 기판의 표면에 밀폐식으로 접촉할 때까지, 기판 지지부를 올리는 것을 포함하는, 컴퓨터 판독 가능 매체.
  10. 제8 항에 있어서, 복수의 세정 유닛들을 기판의 표면에 밀폐시키는 것은, 복수의 세정 유닛들의 각 세정 유닛의 개스킷이 기판의 표면에 밀폐식으로 접촉할 때까지, 유체 분배 어셈블리를 낮추는 것을 포함하는, 컴퓨터 판독 가능 매체.
  11. 집합적으로 처리 볼륨을 정의하는, 덮개, 하나 이상의 측벽들, 및 베이스;
    처리 볼륨에 유체 결합된 도관으로서, 도관은 진공 소스에 유체 결합되도록 구성되는, 도관;
    처리 볼륨 내에 배치된 기판 지지부;
    기판 지지부의 기판 수용 표면을 향하는 유체 분배 어셈블리로서,
    유입구 및 유출구를 갖는 분배 샤프트;
    분배 샤프트에 결합된 매니폴드(manifold); 및
    매니폴드에 결합된 복수의 세정 유닛들을 포함하고,
    복수의 세정 유닛들의 각 세정 유닛은 제1 단부를 갖는 제1 도관, 제1 단부 상에 배치된 개스킷(gasket), 및 제1 도관 내에 배치된 제2 도관을 포함하고, 제2 도관은 제1 단부로부터 리세스되는 제2 단부를 갖는, 유체 분배 어셈블리; 및
    지지 샤프트로서, 기판 지지부는 지지 샤프트 상에 배치되고, 지지 샤프트는 처리 시스템의 베이스를 관통하여 이동 가능하게 배치되는, 지지 샤프트를 포함하고;
    지지 샤프트가, 복수의 세정 유닛들이 기판 지지부 상에 배치된 기판의 대응하는 복수의 위치들과 정렬될 때까지, 회전하도록 구성되고;
    복수의 세정 유닛들의 제1 단부를 기판 지지부 상에 배치된 기판의 표면에 대해 동시에 밀폐시키기 위해, 기판 지지부 및 유체 분배 어셈블리 중 하나 또는 둘 다가 서로를 향해 이동하도록 구성되는, 처리 시스템.
  12. 제11 항에 있어서, 분배 샤프트에 결합되고 분배 샤프트를 낮추거나 올리는 액추에이터를 더 포함하는, 처리 시스템.
  13. 제11 항에 있어서, 분배 샤프트의 유입구와 유체 연통하게 배치된 유체 히터를 더 포함하는, 처리 시스템.
  14. 제11 항에 있어서, 제1 도관과 제2 도관은 분배 샤프트의 유입구에서 유출구로 연장되는 유체 유동 경로의 일부를 정의하는, 처리 시스템.
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