TWI739134B - 護膜黏著劑移除系統及方法 - Google Patents

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Abstract

本案揭露內容的實施例大致上包括用於從微影遮罩的表面移除黏著劑殘留物的設備和方法。尤其，本文所述的處理系統提供將溶劑輸送到微影遮罩之表面上的分立的複數個位置，以助於從該微影遮罩之表面移除黏著劑殘留物。在一個實施例中，一種處理基板的方法包括：將基板定位在處理系統的基板支撐件上，將複數個清潔單元中的多個個別的清潔單元密封到相應的複數個位置處的基板之表面，將清潔流體加熱到介於約50°C至約150°C之間的溫度，使該清潔流體流至該複數個清潔單元，然後從多個清潔單元流出，並且將該基板之該表面暴露於該複數個位置處的該清潔流體。

Description

護膜黏著劑移除系統及方法
本文描述的實施例大致上關於半導體元件製造之領域，且尤其是關於用於從微影遮罩（lithography mask）之表面移除黏著劑殘留物的方法和設備。
半導體元件製造通常包括在工件（例如矽晶圓）的表面上、表面上方、及表面中形成複數個互連的圖案化材料層。每一圖案化材料層是透過使用一系列製造製程形成，該製造製程包括圖案化工件表面或圖案化在該工件表面上設置的先前沉積的材料層。經常，使用微影製程圖案化工件表面或在工件表面上設置的先前沉積的材料層。典型的微影製程包括將形成在微影遮罩的表面上的圖案轉移到一阻劑（resist）層，該阻劑層塗佈工件表面或是塗佈設置於該工件表面上的先前沉積的材料層。
用在微影製程中的微影遮罩組件一般是包括微影遮罩和配置在該遮罩的圖案化表面上的保護性護膜（pellicle）。該護膜包括薄的透明隔膜，即護膜隔膜，當護膜固定到該微影遮罩時，該護膜隔膜在微影遮罩的圖案化表面上方延伸。護膜隔膜一般是安裝在護膜框架上，該護膜框架透過黏著劑（例如環氧樹脂）固定到微影遮罩的圖案化表面。該護膜隔膜保護微影遮罩的圖案化表面免於在調動期間受到接觸而因此刮傷，並且免於暴露至環境污染物，諸如灰塵。一般而言，護膜隔膜藉由護膜框架與微影遮罩之表面間隔開，使得當微影遮罩圖案轉移到基板上之阻劑層時，變得聚集在該護膜隔膜上的任何顆粒（例如，灰塵）不會處於焦點區域中。
期望護膜延長了微影遮罩的使用壽命，並且通常在與微影遮罩相關的清潔或翻新製程中替換護膜。一般而言，在清潔或翻新微影遮罩之前，將使用過的護膜與微影遮罩分開並且丟棄。來自用於將使用過的護膜框架固定到微影遮罩表面的黏著劑的殘留物經常在後續的遮罩之圖案化表面清潔之前移除，以防止黏著劑殘留物非期望地轉移到該圖案化表面。不幸的是，已經證實適用於下一代真空極紫外光（EUV）微影系統的相對低揮發性黏著劑難以從EUV微影遮罩表面移除且又不對微影遮罩表面造成損壞。
因此，本領域中需要用於從微影遮罩的表面移除黏著劑的改善的系統和方法。
本案揭露內容的實施例一般而言包括用於在清潔或翻新微影遮罩之前從微影遮罩的表面移除黏著劑殘留物的設備和方法。尤其，本文所述的處理系統提供將溶劑輸送到微影遮罩之表面上的選擇性位置，以助於從該表面移除黏著劑殘留物。
在一個實施例中，一種處理基板的方法包括：將該基板定位在處理系統的基板支撐件上；將複數個清潔單元的多個個別的清潔單元密封到相應的複數個位置處的該基板的表面；將清潔流體加熱至約50°C至約150°C之間的溫度；使清潔流體流至複數個清潔單元，然後從該複數個清潔單元流出；以及，將該基板之該表面暴露於該複數個位置處的該清潔流體。
在另一實施例中，一種電腦可讀媒體具有儲存在該媒體上的多個指令，以用於一種處理基板的方法。該方法包括：將該基板定位在處理系統的基板支撐件上；將複數個清潔單元的多個個別的清潔單元密封到相應的複數個位置處的該基板的表面；將清潔流體加熱至約50°C至約150°C之間的溫度；使清潔流體流至複數個清潔單元，然後從該複數個清潔單元流出；以及，將該基板之該表面暴露於該複數個位置處的該清潔流體。
在另一個實施例中，一種處理系統包括：基板支撐件，配置在處理空間中；及流體分配組件，面向該基板支撐件的基板接收表面。該流體分配組件包括：支撐軸桿，具有入口和出口；歧管，耦接該支撐軸桿；以及複數個清潔單元，耦接該歧管。在此，當該基板支撐件和該流體分配組件以基板處理模式配置時，該等清潔單元之多個個別的清潔單元密封至待處理的基板。
本案揭露內容的實施例大致上包括用於在清潔或翻新微影遮罩之前從微影遮罩的表面移除黏著劑殘留物的設備和方法。尤其，本文所述的處理系統提供將溶劑輸送到微影遮罩之表面上的選擇性位置，以助於從該表面移除黏著劑殘留物。
圖1A是根據一個實施例的示範性微影遮罩組件的概略等角視圖。圖1B是沿線1B-1B截取的圖1A中的微影遮罩組件的概略剖面視圖。一般而言，微影遮罩組件100包括微影遮罩101和護膜102，該護膜102透過黏著劑綴斑（adhesive patch）103固定至微影遮罩101，該等黏著劑綴斑103插置於該微影遮罩101及護膜102之間。在一些實施例中，微影遮罩101設置成與極紫外光（EUV）微影處理系統一起使用，並且特徵為有基板104、配置在基板104上的反射多層堆疊105、配置在反射多層堆疊105上的覆蓋層107及配置在覆蓋層107上的吸收劑層108。在一些實施例中，基板104包括低熱膨脹材料（LTEM），例如鈦摻雜的熔融氧化矽（fused silica）。在一些實施例中，反射多層堆疊105包括複數個重複的金屬層和矽層，例如複數個重複的Mo層和Si層，即複數個Mo/Si層。在一些實施例中，反射多層堆疊105包括多於約40個金屬和矽的交替層，且厚度介於約200nm和約250nm之間。在一些實施例中，吸收劑層108由包括鉭（Ta）的材料形成，諸如TaBO層、TaBN層、或上述材料層之多層堆疊，例如，配置在TaBN層上的TaBO層。在一些實施例中，吸收劑層108的厚度介於約50nm和約80nm之間。在一些實施例中，覆蓋層107由釕（Ru）形成，並且具有介於約1nm和約5nm之間的厚度，例如約2.5nm。
在此，吸收劑層108具有穿過該吸收劑層108形成的複數個開口109，該吸收劑層108形成微影遮罩101的圖案化表面。在此，該等個開口109之多個個別開口延伸穿過吸收劑層108，而暴露配置在該吸收劑層108下方的覆蓋層107。在其他實施例中，該等開口109的多個個別開口進一步延伸穿過覆蓋層107，而暴露配置在該覆蓋層107下方的反射多層堆疊105。在一些實施例中，微影遮罩101包括一或多個黑邊框開口106，即，延伸穿過吸收劑層108、覆蓋層107、和反射多層堆疊105的一或多個開口。
一般而言，護膜102包括薄的（例如，厚度>200nm）透明隔膜（在此為護膜隔膜110），該隔膜延伸遍及護膜框架111上且藉由插置在護膜框架111及該隔膜之間的黏著劑層（圖中未示）固定到護膜框架111。在此，護膜隔膜110與微影遮罩101的表面間隔一距離A。護膜框架111與微影遮罩101的表面隔著黏著劑綴斑103的厚度，在此為距離B，該距離B小於約1mm，諸如約10μm至約500μm。在此，黏著劑綴斑103直接配置在基板104的表面上。在其他實施例中，黏著劑綴斑103直接配置在反射多層堆疊105的表面上。在其他實施例中，黏著劑綴斑103直接配置於吸收劑層108的表面上。
當微影遮罩圖案轉移到工件上的阻劑層時，護膜隔膜110與微影遮罩101的表面的間隔期望防止顆粒（例如，灰塵，會變成聚集在該護膜隔膜110上）處於聚焦區域中。將護膜框架111與微影遮罩的表面間隔開期望地允許清潔氣體（例如空氣）在護膜和微影遮罩之間流動。護膜和微影遮罩之間的氣體的自由流動期望地防止在真空EUV微影製程期間隔膜的相對表面上的不相等的壓力，不相等的壓力可能導致脆弱的護膜隔膜110破裂。在本文的實施例中，用於將護膜102固定到微影遮罩101之表面的黏著劑綴斑103呈多個綴斑的形式配置在分立的複數個位置處，諸如靠近護膜框架111的轉角。例如，在一些實施例中，微影遮罩的剖面有正方形的形狀，其中該微影遮罩的每一側具有長度C，該長度C介於約100mm和約300mm之間，例如約150mm。護膜框架111的側邊以距離D配置在微影遮罩101的側邊內側，當在與該側邊正交的角度測量時，該距離D介於約0mm和約30mm之間。在此，複數個黏著劑綴斑103配置在框架的轉角處，且具有介於約70mm和約140mm之間的中心至中心的間距F。
包括護膜框架111的護膜102經常在微影遮罩101的使用壽命期間被更換（由於在護膜隔膜110的前側和後側表面上的顆粒的累積，對護膜隔膜110的損壞）或是在微影遮罩101的其他修復或翻新處理期間更換。當從微影遮罩101的表面移除使用的護膜102時，來自黏著劑綴斑103的至少一些非期望的殘留物會留在微影遮罩的表面上處於與該綴斑103相應的分立的複數個位置處。不幸的是，在後續清潔或翻新製程中，殘留在微影遮罩表面上的非期望殘留物會轉移到微影遮罩表面的其他區域。非期望地轉移的殘留物可能會使遮罩無法使用或是增加清潔或翻新遮罩的成本和複雜度。再者，未移除的殘留物能造成微影遮罩表面與隨後安裝的護膜的隔膜之間的距離A有非期望的變動，從而導致與上述情況相關的製程缺陷或使翻新的遮罩組件無法使用。因此，本文的實施例提供了圖2A至圖2C中描述的處理系統和圖3中提出的方法，該處理系統與方法助於從微影遮罩上的複數個選定位置移除非期望的黏著劑殘留物。
圖2A是根據一個實施例的設置為實行本文提出之方法的處理系統的概略剖面視圖。圖2B是根據一個實施例的沿線2B-2B截取的圖2A中所示的流體分配組件的剖視圖。圖2C是根據一個實施例的圖2A中所示的處理系統的一部分的剖面的放大視圖。
在此，處理系統200包括主體201、蓋202、一或多個側壁203、及基部204，上述部件共同界定處理空間205的邊界。配置在處理空間205中的基板支撐件206配置在支撐軸桿207上，該支撐軸桿207延伸通過基部204。處理系統200設置為助於將基板208（例如圖1A至圖1B中描述的微影遮罩101）傳送通過該一或多個側壁203中的開口209而至基板支撐件206及離開基板支撐件206。在一些實施例中，在基板處理期間，以門210密封開口209。
在此，處理系統200進一步包括配置在基板支撐件206上方的流體分配組件211。流體分配組件211的特徵在於流體分配軸桿212、耦接流體分配軸桿212的歧管215、及耦接歧管215的複數個清潔單元216。在一些實施例中，諸如在處理空間保持在真空條件的實施例中，流體分配軸桿212透過蓋202密封式配置。例如，在一些實施例中，伸縮囊(圖中未示)在處理空間205內側或外側環繞流體分配軸桿212。在這些實施例的其中一些中，處理空間205流體耦接真空，諸如流體耦接一或多個專用的真空泵。
在此，流體透過入口213進入流體分配組件211，並且透過出口214離開流體分配組件211。歧管215使用複數個分配導管217將透過入口213接收的流體分配到複數個清潔單元216，導管217配置成在該歧管215與該等清潔單元216之間流體連通。歧管215進一步使用複數個返回導管225將從複數個清潔單元216收回的流體引導到出口214，該等返回導管225配置成在該歧管215與該等清潔單元216之間流體連通。
在一些實施例中，歧管215包括複數個臂250(在圖2B中顯示)，該等臂250從該等臂250的中心軸線徑向延伸到相應的複數個清潔單元216。在此，複數個臂250的每一者具有形成在該等臂250中的返回導管225和配置在該返回導管225中的分配導管217，諸如具有一開口的管，該開口穿過該管形成。在其他實施例中，歧管215具有任何其它適合的形狀，以助於透過分別配置及形成於該歧管215中的複數個分配導管217與返回導管225達成複數個清潔單元216與分配軸桿之間的流體連通。在一些實施例中，入口213包括一管，該管具有穿過該管配置的開口，並且複數個分配導管217使用蛛形配件（spider fitting）251（顯示於圖2B中）流體耦接入口213。
在此，複數個清潔單元216（在圖2C中進一步描述）定位在基板208的表面上的相應的複數個位置上。在此，複數個位置中的每一位置都具有配置在該位置上的待移除的黏著劑殘留物244（圖2C中所示）。在此，當處理系統200中的組件以基板處理模式（如圖所示）配置時，複數個清潔單元216密封到基板208的表面。將部件定位在基板處理模式中包括下述一者或兩者：使用第一致動器226或第二致動器227中的一者或兩者升高支撐軸桿207或降低流體分配軸桿212，該第一致動器226及第二致動器227分別耦接該支撐軸桿207及流體分配軸桿212。在一些實施例中，流體分配軸桿212使用可撓耦接件229（諸如萬向（gimbal）耦接件）密封耦接歧管215，以助於將複數個清潔單元密封到基板208。
在一些實施例中，支撐軸桿207可繞垂直軸線旋轉，該垂直軸線配置成穿過該支撐軸桿207。在那些實施例中，將部件定位在基板處理模式中包括旋轉支撐軸桿，直到配置在基板上的黏著劑殘留物綴斑期望地與複數個清潔單元216對齊為止。
在此，入口213流體耦接一或多個流體源，例如清潔流體源218（即溶劑）、沖洗流體源220（諸如去離子水或異丙醇（IPA））、及乾燥氣體源223（諸如清潔乾燥空氣（CDA）或N2 ）。來自各別流體源218、220和223的清潔流體、沖洗流體、和乾燥氣體使用閥222選擇性輸送到入口213，該閥222配置在流體耦接於流體源和入口213之間的導管上，或連至入口213的導管。在一些實施例中，處理系統200進一步包括加熱器219，該加熱器219配置在清潔流體源218和入口213之間並且與清潔流體源218和入口213流體連通。在一些實施例中，清潔流體源218是容器，且清潔流體從出口214循環至該清潔流體源218中。在一些實施例中，加熱器219是水浴或油浴，在該水浴或油浴中配置有清潔流體容器，或者該加熱器是殼管式熱交換器。在一些實施例中，使用閥222各別將沖洗流體或乾燥氣體從出口214引導至汲引口224或排口221，該閥222配置在流體耦接於該出口214與該汲引口224或排口221的導管上。
一般而言，使用耦接處理系統200的系統控制器230助於處理系統200的操作和控制。系統控制器230包括可程式化的中央處理單元（CPU 231），該CPU可與記憶體232（例如，非揮發性記憶體）和支援電路233一起操作。習知支援電路233耦接CPU 231並且包括耦接處理系統200之各種部件的高速緩衝儲存器、時脈電路、輸入/輸出子系統、電源供應器、及類似物、及上述各者之組合，而助於處理系統200之控制。 CPU 231是工業設施中使用的任何形式的通用電腦處理器之一，例如可程式化邏輯控制器（PLC），用於控制處理系統200的各種部件和子處理器。記憶體232耦接CPU 231，該記憶體232是非暫存性，並且一般是容易取得的記憶體的一或多種，諸如隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、軟碟、硬碟機、或任何其他形式的本地端或遠端的數位儲存器。
在此，記憶體232是含有指令的電腦可讀儲存媒體（例如，非揮發性記憶體）的形式，當由CPU 231執行時，該等指令助於處理系統200的操作。記憶體232中的指令是程式產品之形式，諸如實現本案揭露內容的方法的程式。程式碼可符合許多不同程式語言中的任何一種。在一個範例中，本案揭露內容可以實現為儲存在電腦可讀儲存媒體上以與電腦系統一起使用的程式產品。程式產品之程式界定實施例的功能（包括本文描述的方法）。
說明性電腦可讀儲存媒體包括但不限於：（i）不可寫入儲存媒體（例如，電腦內的唯讀記憶體裝置，諸如CD-ROM機可讀的CD-ROM碟、快閃記憶體、ROM晶片或任何類型的固態非揮發性半導體記憶體），在該媒體上永久地儲存訊息；（ii）可寫入儲存媒體（例如，磁碟機中的軟碟片或硬碟機，或任何類型的固態隨機存取半導體記憶體），在該媒體上儲存有可修改的訊息。當攜帶引導本文所述方法的功能的電腦可讀指令時，這種電腦可讀儲存媒體是本案揭露內容的實施例。在一些實施例中，本文描述的方法或該方法之多個部分是由一或多種專用積體電路（ASIC）、現場可程式化邏輯閘陣列（FPGA）或其他類型的硬體實現方式來執行。在一些其他實施例中，本文描述的製程由軟體常式、ASIC、FPGA及/或其他類型的硬體實現方式的組合來執行。
圖2C是根據一個實施例的圖2A的一部分的放大圖，顯示清潔單元216的剖面。在此，清潔單元216包括外側的第一導管240以及在該第一導管240內延伸的內側的第二導管241。一般而言，第二導管241的一端部以一距離H由第一導管240的端部向內凹陷，該距離H在約1mm和約20mm之間。在此，第一導管240的內徑G大於配置在基板208的表面上的待移除的黏著劑殘留物244的直徑，諸如在約1mm和約20mm之間。在基板處理期間，配置在第一導管240的端部處的墊圈243（諸如O形環、伸縮囊、或刮刷封環）接觸基板208並將清潔單元216的端部密封到基板208。例如。在一些實施例中，墊圈243透過形成於配置在基板208上的層中的開口接觸基板208的表面，例如圖1B中描述的基板104的表面。在其他實施例中，墊圈243透過在吸收劑層108中形成的開口接觸反射多層堆疊105的表面。當清潔單元216的端部密封到基板208時，即，當處理系統的部件以基板處理模式配置時，第一導管240、第二導管241和由墊圈243圍繞的基板208的部分將共同界定流體流動路徑242。
圖3是流程圖，闡述從基板表面上的複數個位置清潔黏著劑殘留物的方法，該基板諸如圖1A至圖1B中描述的微影遮罩101。在活動301處，方法300包括將基板定位在處理系統的基板支撐件上，例如圖2A-2C中描述的處理系統200。
在活動302，方法300包括在對應的複數個位置處將複數個清潔單元的端部密封到基板的表面。在此，將複數個清潔單元的端部密封到基板的表面包括下述一者或兩者：升高基板支撐件或降低流體分配組件，直到配置在清潔單元上的複數個墊圈密封地接觸基板的表面為止。
在活動303，方法300包括使清潔流體流過複數個清潔單元。在一些實施例中，清潔流體包含有機溶劑。舉例而言，在一些實施例中，清潔流體包含下述之其中一者或組合：二甲基亞碸；1-苯氧基丙-2-醇；1-甲基-2-四氫吡咯酮；2-苯氧乙醇；分枝、乙氧基化4-壬基苯酚；二氯甲烷；二甲基甲醯胺；二氯甲烷；甲醇；或加氫處理的輕質餾出物（加氫處理的石油餾出物）。在一些實施例中，清潔流體包含表1中提出的組成物A-D的其中一種或組合。 表1
Figure 108125913-A0304-0001
在活動304，方法300包括將基板的表面暴露於複數個位置處的清潔流體。在一些實施例中，方法300進一步包括，將清潔流體加熱至約50°C至約160°C之間，諸如約50°C至約150°C之間，或約90°C至約150°C之間。在一些實施例中，方法300進一步包括將清潔流體再循環到清潔流體源容器。在一些實施例中，方法300進一步包括使沖洗流體流動到複數個清潔單元並且將基板的表面暴露於複數個位置處的沖洗劑。在一些實施例中，方法300進一步包括使乾燥氣體流到複數個清潔單元並且將基板的表面暴露於複數個位置處的乾燥氣體。
通常，墊圈會具有配置在該墊圈上的一些殘留清潔流體，當清潔單元與基板分離時，這些清潔流體可能會非期望地滴落到基板上。因此，為了防止滴落，在一些實施例中，方法300進一步包括在將清潔單元從基板之表面分開的同時，維持清潔單元上的真空。
本文所述的方法和處理系統有利地提供將溶劑輸送到EUV微影遮罩表面上的選擇性位置，以助於從該表面移除護膜黏著劑殘留物。此外，因為本文使用的溶劑會對EUV微影遮罩的吸收劑層造成非期望的損壞，所以將溶劑輸送到選擇性位置有助於使用相對侵蝕性的溶劑從微影遮罩移除護膜黏著劑，而不會對遮罩上所配置的脆弱圖案化表面造成非期望的損壞。
雖然前述內容針對本案揭露內容的實施例，但可在不脫離本案揭露內容的基本範疇的情況下設計本案揭露內容的其他和進一步的實施例，並且本案揭露內容的範圍由所附申請專利範圍所決定。
100:微影遮罩組件 101:微影遮罩 102:護膜 103:黏著劑綴斑 104:基板 105:反射多層堆疊 106:黑邊框開口 107:覆蓋層 108:吸收劑層 109:開口 110:隔膜 111:框架 200:處理系統 201:主體 202:蓋 203:側壁 204:基部 205:處理空間 206:基板支撐件 207:支撐軸桿 208:基板 209:開口 210:門 211:流體分配組件 212:流體分配軸桿 213:入口 214:出口 215:歧管 216:清潔單元 217:分配導管 218:清潔流體源 219:加熱器 220:沖洗流體源 221:排口 222:閥 223:乾燥氣體源 224:汲引口 225:返回導管 226:第一致動器 227:第二致動器 229:可撓耦接件 230:系統控制器 231:CPU 232:記憶體 233:支援電路 240:第一導管 241:第二導管 242:流動路徑 243:墊圈 244:黏著劑殘留物 250:臂 251:蛛形配件 300:方法 301-304:活動
因此，能夠詳細理解本案揭露內容的上述特徵的方式，可透過參考實施例（其中一些於附圖中說明）而獲得上紋簡要概述的本案揭露內容的更特定的描述。然而，應注意，附圖僅說明本案揭露內容的典型實施例，因此不應認為是對本案接露內容之範圍的限制，因為本案揭露內容可允許其他等效實施例。
圖1A是根據一個實施例的示範性光罩組件的概略等角視圖。
圖1B是沿線1B-1B截取的圖1A中所示的光罩組件的剖面視圖。
圖2A是根據一個實施例的處理系統的概略剖面視圖，該處理系統設置為實行本文提出之方法。
圖2B是根據一個實施例的沿線2B-2B截取的圖2A中所示的流體分配組件的剖視圖。
圖2C是根據一個實施例的圖2A中所示的處理系統的一部分的剖面的放大視圖。
圖3是流程圖，闡述根據一個實施例的從基板表面清潔​​黏著劑殘留物的方法。
為了助於瞭解，只要可能則使用相同的元件符號表示附圖中共通的相同元件。考量一個實施例的元件和特徵可有利地併入其他實施例中而無需贅述。
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國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
200:處理系統
201:主體
202:蓋
203:側壁
204:基部
205:處理空間
206:基板支撐件
207:支撐軸桿
208:基板
209:開口
210:門
211:流體分配組件
212:流體分配軸桿
213:入口
214:出口
215:歧管
216:清潔單元
217:分配導管
218:清潔流體源
219:加熱器
220:沖洗流體源
221:排口
222:閥
223:乾燥氣體源
224:汲引口
225:返回導管
226:第一致動器
227:第二致動器
229:可撓耦接件
230:系統控制器
231:CPU
232:記憶體
233:支援電路
242:流動路徑

Claims (18)

  1. 一種處理基板的方法，包括：將一基板定位在一處理系統的一基板支撐件上；將複數個清潔單元的多個個別的清潔單元密封到相應的複數個位置處的該基板的一表面；將一清潔流體加熱至約50℃至約150℃之間的溫度；使該清潔流體流至複數個清潔單元，然後從該複數個清潔單元流出；以及，將該基板之該表面暴露於該複數個位置處的該清潔流體，其中該處理系統包括：該基板支撐件，配置在一處理空間中；及一流體分配組件，面向該基板支撐件的一基板接收表面，該流體分配組件包括：一分配軸桿，具有一入口與一出口；一歧管，耦接該分配軸桿；及該複數個清潔單元，耦接該歧管。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該清潔流體包括下述之一者：二甲基亞碸(dimethyl sulfoxide)、1-苯氧基丙-2-醇、1-甲基-2-四氫吡咯酮、2-苯氧乙醇、4-壬基苯酚、二氯甲烷、二甲基甲醯胺、二氯甲 烷、甲醇、石油餾出物、或上述流體之組合。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該基板包括：一多層堆疊，包括複數個重複的金屬層與矽層；及一圖案化吸收劑層，配置在該多層堆疊上。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該複數個清潔單元之每一者包括：一第一導管；一第二導管，配置在該第一導管中，其中該第二導管的一端部從該第一導管的一端部凹陷；及一墊圈，配置在該第一導管的該端部上。
  5. 如請求項4所述之方法，其中該第一導管與該第二導管界定從該分配軸桿的該入口延伸到該出口的一流體流動路徑的一部分。
  6. 如請求項4所述之方法，其中將該複數個清潔單元的多個個別的清潔單元密封至該基板之該表面包括：升高該基板支撐件，直到該等清潔單元的每一者的該等墊圈密封地接觸該基板的該表面為止。
  7. 如請求項4所述之方法，其中將該複數個清潔單元的多個個別的清潔單元密封至該基板之該表面包括：降下該流體分配組件，直到該等清潔單元的每一者的該等墊圈密封地接觸該基板的該表面為止。
  8. 一種電腦可讀媒體，該電腦可讀媒體上儲存有 多個指令，該等指令用於：一處理一基板的方法，包括：將該基板定位在一處理系統的一基板支撐件上；將複數個清潔單元密封到相應的複數個位置處的該基板的一表面；將一清潔流體加熱至約50℃至約150℃之間的溫度；使該清潔流體流至複數個清潔單元，然後從該複數個清潔單元流出；以及，將該基板之該表面暴露於該複數個位置處的該清潔流體，其中該處理系統包括：該基板支撐件，配置在一處理空間中；及一流體分配組件，面向該基板支撐件的一基板接收表面，該流體分配組件包括：一分配軸桿，具有一入口與一出口；一歧管，耦接該分配軸桿；及該複數個清潔單元，耦接該歧管。
  9. 如請求項8所述之電腦可讀媒體，其中該複數個清潔單元之一或多者包括：一第一導管；一第二導管，配置在該第一導管中，其中該第二導 管的一端部從該第一導管的一端部凹陷；及一墊圈，配置在該第一導管的該端部上。
  10. 如請求項9所述之電腦可讀媒體，其中該第一導管與該第二導管界定從該分配軸桿的該入口延伸到該出口的一流體流動路徑的一部分。
  11. 如請求項10所述之電腦可讀媒體，其中將該複數個清潔單元的多個個別的清潔單元密封至該基板之該表面包括：升高該基板支撐件，直到該等清潔單元的每一者的該等墊圈密封地接觸該基板的該表面為止。
  12. 如請求項10所述之電腦可讀媒體，其中將該複數個清潔單元的多個個別的清潔單元密封至該基板之該表面包括：降下該流體分配組件，直到該等清潔單元的每一者的該等墊圈密封地接觸該基板的該表面為止。
  13. 一種處理系統，包括：一基板支撐件，配置在一處理空間中；及一流體分配組件，面向該基板支撐件的一基板接收表面，該流體分配組件包括：一分配軸桿，具有一入口與一出口；一歧管，耦接該分配軸桿；及複數個清潔單元，耦接該歧管，其中 當該基板支撐件與該流體分配組件以一基板處理模式配置時，該複數個清潔單元之每一者變成密封至一待處理的基板。
  14. 如請求項13所述之處理系統，進一步包括一支撐軸桿，其中該基板支撐件配置在該支撐軸桿上，且其中該支撐軸桿可移動式配置成穿過該處理系統的一基部。
  15. 如請求項13所述之處理系統，進一步包括一致動器，該致動器耦接該分配軸桿。
  16. 如請求項13所述之處理系統，進一步包括一流體加熱器，該流體加熱器配置成與該分配軸桿的該入口流體連通。
  17. 如請求項13所述之處理系統，其中該複數個清潔單元的一或多者包括：一第一導管；一第二導管，配置在該第一導管中，其中該第二導管的一端部從該第一導管的一端部凹陷；及一墊圈，配置在該第一導管的該端部上。
  18. 如請求項17所述之處理系統，其中該第一導管與該第二導管界定從該分配軸桿的該入口延伸到該出口的一流體流動路徑的一部分。
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