JP2008227173A - パターン形成方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】レジストプロセスにおける現像後のフッティング量を効果的に削減することが可能なパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】パターン形成方法は、レジスト塗布、現像装置内に配置され、被加工膜11が形成された半導体基板10の表面上に、加熱した洗浄液12を供給して洗浄する工程と、前記被加工膜11の表面上から前記洗浄液12を除去する工程と、前記洗浄液12の除去後に前記被加工膜11上にレジスト膜14を形成する工程と、前記レジスト膜14を露光する工程と、前記レジスト膜14を現像する工程とを含む。
【選択図】 図3
【解決手段】パターン形成方法は、レジスト塗布、現像装置内に配置され、被加工膜11が形成された半導体基板10の表面上に、加熱した洗浄液12を供給して洗浄する工程と、前記被加工膜11の表面上から前記洗浄液12を除去する工程と、前記洗浄液12の除去後に前記被加工膜11上にレジスト膜14を形成する工程と、前記レジスト膜14を露光する工程と、前記レジスト膜14を現像する工程とを含む。
【選択図】 図3
Description
本発明は、半導体リソグラフィー工程におけるパターン形成方法および基板処理装置に関するものである。
近年、半導体デバイスの高集積化に伴い、製造プロセスに要求される配線及び分離幅は、非常に微細化されている。一般的に、微細パターンの形成は、フォトリソグラフィー技術により、レジストパターンを形成し、その後、形成したレジストパターンをマスクとして、下地膜のエッチングする方法により行われている。
また、微細パターンの形成方法においては、KrF光やArF光のDUV(Deep UltraViolet:遠紫外線)光を用いたフォトリソグラフィー技術が適用され、DUVリソグラフィー技術において重要となる化学増幅型レジストの開発が近年活発に進められている。化学増幅型レジストは、露光光によりレジスト中に含まれる光酸発生剤から発生した酸により官能基を反応させ、現像処理によりパターンを形成する、酸を触媒とした感光性樹脂膜である。
しなしながら、パターンの微細化に伴い、従来のパターン形成方法では、基板上に付着した雰囲気中のコンタミ(レジストに影響を与える塩基性物質)や前工程で基板洗浄に用いる洗浄液による塩基性物質の基板への付着等の影響により、レジスト中で発生した酸が失活してしまう。これに起因して現像後のレジストパターンのボトム形状がフッティングになってしまう(例えば、非特許文献1参照。)。この形状不良によって、所望のパターン寸法が得られないという問題が無視できなくなってきている。
この対策として塩基性物質の影響に依存性が少ないレジスト材料の開発が望まれるが(例えば、特許文献1参照。)、レジスト材料面からの改善アプローチのみでは大幅な改善は困難で、使用するレジスト材料の選択を誤った場合の影響が大きいという問題などもあり、他の手段が望まれていた。
特開2006−323181号公報
Kim R. Dean et al.,"Investigation of deep-ultraviolet photoresists on TiN substrates",Proc. SPIE Vol.2438, pp.514-528 (1995)
本発明は、レジストプロセスにおける現像後のフッティング量を効果的に削減することが可能なパターン形成方法及び基板処理装置を提供する。
この発明の第1の態様に係るパターン形成方法は、レジスト塗布、現像装置内に配置され、被加工膜が形成された半導体基板の表面上に、加熱した洗浄液を供給して洗浄する工程と、前記被加工膜の表面上から前記洗浄液を除去する工程と、前記洗浄液の除去後に前記被加工膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程とを含む。
この発明の第2の態様に係るパターン形成方法は、レジスト塗布、現像装置内に配置され、被加工膜が形成された半導体基板の表面上に、加熱した第1の洗浄液を供給して洗浄する工程と、前記被加工膜の表面上に前記第1の洗浄液より温度が低い第2の洗浄液を供給することにより前記第1の洗浄液と置換する工程と、前記被加工膜の表面上から前記第2の洗浄液を除去する工程と、前記第2の洗浄液の除去後に前記被加工膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程とを含む。
この発明の第3の態様に係る基板処理装置は、被処理基板を洗浄するための洗浄液を加熱する加熱機構と、前記被処理基板の表面に加熱された前記洗浄液を供給して洗浄する洗浄機構と、前記被処理基板の表面から前記洗浄液を除去する除去機構とを備えた洗浄ユニットと、前記被処理基板の表面にレジスト膜を塗布する塗布ユニットとを具備する。
本発明によれば、レジストプロセスにおける現像後のフッティング量を効果的に削減することが可能なパターン形成方法及び基板処理装置を提供できる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図面において、対応する部分には対応する符号を付し、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で示している。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態に関わるKrF光を用いたパターン形成方法を図1乃至図3を用いて説明する。
本発明の第1の実施形態に関わるKrF光を用いたパターン形成方法を図1乃至図3を用いて説明する。
本実施形態においては、レジスト膜を形成する工程の基板前処理洗浄工程として被処理基板表面に第1の洗浄液として加熱処理した純水を供給し、洗浄したのち、第2の洗浄液として洗浄の補助および基板を冷却する為に常温の液温とした純水に置換し、乾燥する。
図1は、本実施形態に係る基板処理装置であるレジスト塗布、現像装置に備えられた洗浄機構100の様子を示す。図2は、図1を水平方向から見た図である。本実施形態において洗浄機構100およびそれを含んだ洗浄ユニット200は、洗浄後にレジスト膜を塗布するレジスト塗布ユニット(図示せず)、さらにそのレジスト膜を現像する現像ユニット(図示せず)を備えた塗布・現像装置(図示せず)内に組み込まれている。図3は、本実施形態に係るレジストプロセスにおけるパターン形成方法を示す断面図である。
図1及び図2に示す洗浄機構100は、カップ101、カップ101内のモーター125に接続され吸引により半導体基板10を保持可能なバキュームチャック102、二つの洗浄液供給ノズル104、105を備えた洗浄液供給器103等から構成される。また、図1に示すように、洗浄ユニット200内には、さらに現像液供給器120及び現像液供給ノズル121が備えられて、同一処理装置内で一括して洗浄・塗布・現像処理が可能に構成されている。
洗浄機構100が備えられた図2に示す洗浄ユニット200内の雰囲気は、ケミカルフィルター(図示せず)でエア中の塩基性物質等のコンタミ(汚染物質)が除去されるように制御されている。また、洗浄ユニット200を含んだレジスト塗布、現像装置(図示せず)内の雰囲気も、ケミカルフィルターでエア中の塩基性物質等のコンタミが除去されるように制御されている。
洗浄液供給器103に備えられた二つの洗浄液供給ノズル104及び105は、洗浄液供給器103を介してそれぞれ配管106及び107に接続されている。ノズル104からは、活水器110及び温度調節器108を経た第1の洗浄液12が供給され、ノズル105からは、活水器111及び温度調節器109を経た第2の洗浄液13が供給される。
温度調節器108及び109は配管106及び107を通る第1及び第2の洗浄液12、13を加熱及び温度調節することが可能である。また、活水器110及び111は配管106及び107を通る第1及び第2の洗浄液12、13に赤外線を吸収させて活性化することが可能である。
なお、図1においては第1及び第2の洗浄液12、13用に、ノズル104及び105、配管106及び107、温度調節器108及び109、活水器110及び111をそれぞれ設けたが、それぞれ1つずつ1系統だけ備えて、第1及び第2の洗浄液12、13で兼用することも可能である。
洗浄液供給器103は、それに接続された配管106及び107等と共に移動することが可能な機構となっている。従って、洗浄液供給器103を移動してノズル104或いは105を半導体基板10の中央の上にセンタリングさせて、第1或いは第2の洗浄液を半導体基板10上に供給することができる。
洗浄機構100を備えたこのレジスト塗布、現像装置においては、半導体基板10を洗浄後も、塩基性物質等のコンタミが除去されるように雰囲気制御された環境下で、塗布ユニットにおいてレジストを塗布することが可能である。また、レジスト塗布後の現像工程も塗布・現像装置内の雰囲気制御された環境下で実行可能な構成になっている。
本実施形態に係るパターン形成方法を以下に説明する。
まず、図1に示すように、200nm膜厚のSiN膜11が形成された半導体基板10をバキュームチャック102に載置する。
そして、バキュームチャック102によって回転させられている半導体基板10上のSiN膜11の上に、例えばノズル104から第1の洗浄液12を10分間供給する。図3(a)は、供給された第1の洗浄液12が半導体基板10に回転によって、SiN膜11の表面上に十分広がった状態を示す。第1の洗浄液12は、例えば、温度調節器108によって加熱処理されて水温65℃となった純水12である。
第1の洗浄液12を10分間供給することにより、前工程の終了時からの引き置き時間の間にSiN膜11に付着してしまったアミン等の塩基性物質を洗浄除去することができる。このアミン等の塩基性物質は、この後のレジスト塗布、露光及び現像工程の後にフッティングの原因となるコンタミである。
次に、半導体基板10を回転させたまま、今度は、例えばノズル105から第2の洗浄液13をSiN膜11の上に供給することにより、図3(b)に示すように、第1の洗浄液12と置換する。第2の洗浄液13は、例えば、温度調節器109によって温度調節されて水温25℃の常温にされた純水である。この場合、第2の洗浄液13は水温25℃の常温になっているのであれば、必ずしも温度調節器109によって温度調節される必要はない。
水温65℃の純水である第1の洗浄液12と置換した水温25℃の純水である第2の洗浄液13によって、半導体基板10を3分間洗浄および冷却する。ここで半導体基板10を冷却するのは、半導体基板10の温度が第1の洗浄液12からの熱によって高められたままであると、この後のレジスト塗布工程において、レジスト膜の形成を均一かつ良好に実行できなくなるからである。
次に、半導体基板10を回転させるスピン乾燥によって、図3(c)に示すように、第2の洗浄液13を除去する。
次に、図3(d)に示すように、半導体基板10上に、化学増幅型レジスト膜14を回転塗布法を用いて形成する。このとき、半導体基板10はバキュームチャック102に載置したまま、ノズル104或いはノズル105からレジスト薬液を塗布してもよいし、図示せぬ別のノズルからレジスト薬液を塗布してもよい。また、或いは、塩基性物質等のコンタミが除去されるように雰囲気制御された環境下であるならば、装置内の別の場所に半導体基板10を移動してレジスト塗布を実行してもよい。
ここでは、化学増幅型レジスト14としてKrF光用化学増幅型ポジレジスト材料を用いて420nmの膜厚で成膜した。
以下、レジストプロセスにおける化学増幅型レジスト14のパターン形成方法について具体的に説明する。
まず、透過率6%の位相シフト型露光用マスク(図示せず)を介し、NA0.85 KrFエキシマレーザーを用い、縮小投影露光装置を用いてマスクに形成された180nmのラインアンドスペース(Line and Space)パターンをレジスト膜14に転写する(図示せず)。
次に、ポストベーク(PEB:Post Exposure Bake)として、基板10を130℃、60secの条件で加熱処理し、露光光により化学増幅型レジスト14内に発生した酸を触媒にして露光領域をアルカリ可溶領域にする。
そして、TMAH(TetraMethylAmmonium Hydroxide)2.38%現像液を被処理基板上に供給し、60秒間現像処理する(図示せず)。
最後に、現像後、被処理基板を回転させながら常温の純水を供給し、現像液から純水へ置換を行うことによりレジスト溶解反応を停止させる。引き続き、純水によりレジスト溶解生成物の洗浄除去を行うリンス処理を60秒間行い、図3(e)に示す180nmのラインアンドスペースパターン15を得る。
以上の工程により得られたレジストパターン15をTop-DownSEM観察し、レジストパターンボトムのフッティング16の量を測定した結果、レジスト15の側壁エッジ部から約5nmの裾引きが発生していることが確認できた。
なお、上記実施形態においては、第1の洗浄液及び第2の洗浄液共に純水を用いたが、いずれか一方、或いは両方に、純水に赤外線を吸収させて活性化した活性水を用いた上で同様な温度調節を行って使用してもよい。即ち、図1の活水器110或いは111において第1の洗浄液或いは第2の洗浄液を活性化してから温度調節してもよい。また、活性化と温度調節の順番は図1とは異なって逆であってもよい。
ここで、活性水を用いる理由は以下の通りである。一般に水の分子は複数個がかたまってクラスターを形成しているが、赤外線を照射して活性化することによりクラスターを分解することができる。このように活性化された純水は、通常の純水よりも洗浄効果が高いからである。
また、上記実施形態においては、第1の洗浄液12の供給によってコンタミの洗浄除去の後に、第1の洗浄液12を常温の第2の洗浄液13と置換することにより第1の洗浄液12を洗い流すと同時に半導体基板10をクーリングしているが、第2の洗浄液13を用いなくてもよい。
即ち、置換する洗浄工程を削減しても、レジストパターン形成後にパターンボトムの裾引き量を減少させる基板洗浄効果が得られる範囲で、且つ、次の工程のレジスト塗布工程で塗布不良が発生しないのであれば、洗浄液を置換して基板を洗浄および冷却する処理工程は省略しても構わない。
従って例えば、第1の洗浄液12の供給によるコンタミの洗浄除去の後に、そのまま半導体基板10を回転させるスピン乾燥によって、第1の洗浄液12を除去してもよい。そしてその後、第1の洗浄液12によって加熱された半導体基板10を冷却するためのクーリング処理を同じく塩基性物質等のコンタミが除去されるように雰囲気制御された環境下において行った後に、レジスト塗布を行ってレジスト膜を形成する。
以上説明した本実施形態の変形例においても、本実施形態と同様あるいはそれ以上の効果が得られる。
本実施形態と比較するために、従来の方法を用いて、微細パターンを形成した場合について以下に説明する。
従来の方法では、図4(a)に示すように、半導体基板10の上に200nm膜厚のSiN膜を積層した後に、特に洗浄等の処理を行わずに、図4(b)に示すように、化学増幅型レジスト膜14を回転塗布法を用いて形成する。
ここで、化学増幅型レジスト14としてKrF光用化学増幅型ポジレジスト材料を用いて420nmの膜厚で成膜した。
以下、露光及び現像を含んだ、化学増幅型レジスト14のパターン形成方法については本実施形態と同様である。純水によるリンス処理の後に、図4(c)に示す180nmラインアンドスペースパターン17を得る。
以上の工程により得られたレジストパターン17をTop-DownSEM観察し、レジストボトムのフッティング18の量を測定した結果、レジスト17の側壁エッジ部から約30nmの裾引きが発生していることが確認できた。
このことより、従来方法に比べて、レジスト塗布前の基板洗浄として温水リンスを行う本実施形態に係るパターン形成方法によって、レジストパターンに発生する裾引き(フッティング)量を大幅に減少できることがわかる。
SiN膜に特に顕著に吸着するアミン等の塩基性物質に対する対策としては、従来は、上記したように、レジスト塗布前には特に洗浄等の処理を行わずに、塗布するレジスト材としてアミン耐性の強い、即ちアミンによって失活しないレジストを選択することがなされてきた。しかしながら、このアプローチではパターンの微細化に対処するのが難しくなってきていた。
本実施形態のパターン形成方法においては、半導体基板上に形成された被加工膜の表面上に、レジスト塗布前に、加熱した洗浄液を供給して洗浄することにより、アミン等の塩基性物質を除去して、効果的にフッティング量を削減することが可能となる。
レジストパターンのフッティングは最終的なパターン寸法精度の劣化につながり、フッティングがひどい場合には、最悪の場合、パターンの形成が不可能になることもある。
従って、本実施形態のパターン形成方法によって、パターンが微細化した場合においても、上記問題点を回避してパターンの寸法精度の向上を図ることができる。
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態に関わるパターン形成方法を図1及び図3を用いて説明する。
本発明の第2の実施形態に関わるパターン形成方法を図1及び図3を用いて説明する。
まず、図1に示すように、200nm膜厚のSiN膜11が形成された半導体基板10をバキュームチャック102に載置する。
本実施形態においては、バキュームチャック102によって回転させられている半導体基板10上のSiN膜11の上に、ノズル104から第1の洗浄液12を供給する時間が20分間である(図3(a))。それ以外の条件及び工程は全て第1の実施形態と同じである。
最終的には、第1の実施形態と同様に、図3(e)に示すような180nmラインアンドスペースパターン15を得る。得られたレジストパターン15をTop-DownSEM観察し、レジストパターンボトムのフッティング16の量を測定した結果、レジスト15の側壁エッジ部から約5nmの裾引きが発生していることが確認できた。
即ち、本実施形態のパターン形成方法においても、第1の実施形態と同様な効果が得られることがわかった。
また、本実施形態においても、第1の洗浄液及び第2の洗浄液のいずれか一方、或いは両方に、純水に赤外線を吸収させて活性化した活性水を用いた上で同様な温度調節を行って使用してもよい。即ち、図1の活水器110或いは111において第1の洗浄液或いは第2の洗浄液を活性化してから温度調節してもよい。また、活性化と温度調節の順番は図1とは異なって逆であってもよい。
或いはまた、置換する洗浄工程を削減しても、レジストパターン形成後にパターンボトムの裾引き量を減少させる基板洗浄効果が得られる範囲で、且つ、次の工程のレジスト塗布工程で塗布不良が発生しないのであれば、洗浄液を置換して基板を洗浄および冷却する処理工程は省略しても構わない。
従って例えば、第1の洗浄液12の供給によるコンタミの洗浄除去の後に、そのまま半導体基板10を回転させるスピン乾燥によって、第1の洗浄液12を除去してもよい。そしてその後、第1の洗浄液12によって加熱された半導体基板10を冷却するためのクーリング処理を同じく塩基性物質等のコンタミが除去されるように雰囲気制御された環境下において行った後に、レジスト塗布を行ってレジスト膜を形成する。
以上説明した本実施形態の変形例においても、本実施形態と同様あるいはそれ以上の効果が得られる。
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態に関わるパターン形成方法を図1及び図5を用いて説明する。
本発明の第3の実施形態に関わるパターン形成方法を図1及び図5を用いて説明する。
本実施形態においては、レジスト膜を形成する工程の基板前処理洗浄工程として被処理基板表面に第1の洗浄液として加熱処理した活性水を供給し、洗浄したのち、第2の洗浄液として洗浄の補助および基板を冷却する為に常温の液温とした純水に置換し、乾燥する。
図5は、本実施形態に係るレジストプロセスにおけるパターン形成方法を示す断面図である。
まず、図1に示すように、200nm膜厚のSiN膜11が形成された半導体基板10をバキュームチャック102に載置する。
そして、バキュームチャック102によって回転させられている半導体基板10上のSiN膜11の上に、例えばノズル104から第1の洗浄液50を10分間供給する。図5(a)は、供給された第1の洗浄液50が半導体基板10に回転によって、SiN膜11の表面上に十分広がった状態を示す。
本実施形態において、第1の洗浄液50は、活水器110によって赤外線を吸収させられて活性化した活性水が、温度調節器108によって加熱処理されて水温30℃となった純水50である。
第1の洗浄液50を10分間供給することにより、前工程の終了時からの引き置き時間の間にSiN膜11に付着してしまったアミン等の塩基性物質を洗浄除去することができる。
次に、半導体基板10を回転させたまま、今度は、例えばノズル105から第2の洗浄液13をSiN膜11の上に供給することにより、図5(b)に示すように、第1の洗浄液50と置換する。第2の洗浄液13は、例えば、温度調節器109によって温度調節されて水温25℃の常温にされた純水である。この場合、第2の洗浄液13は水温25℃の常温になっているのであれば、必ずしも温度調節器109によって温度調節される必要はない。
水温30℃の活性水である第1の洗浄液50と置換した水温25℃の純水である第2の洗浄液13によって、半導体基板10を3分間洗浄および冷却する。
以下の工程は、第1及び第2の実施形態と同じである。
最終的には、第1及び第2の実施形態と同様に、図5(e)に示すような180nmラインアンドスペースパターン15を得る。得られたレジストパターン15をTop-DownSEM観察し、レジストパターンボトムのフッティング16の量を測定した結果、レジスト15の側壁エッジ部から約5nmの裾引きが発生していることが確認できた。
即ち、本実施形態のパターン形成方法においても、第1及び第2の実施形態と同様な効果が得られることがわかった。
本実施形態においても、第2の洗浄液として、純水に赤外線を吸収させて活性化した活性水を用いた上で同様な温度調節を行って使用してもよい。即ち、図1の活水器111において第2の洗浄液を活性化してから温度調節してもよい。また、第1或いは第2の洗浄液共に、活性化と温度調節の順番は図1とは異なって逆であってもよい。
或いはまた、置換する洗浄工程を削減しても、レジストパターン形成後にパターンボトムの裾引き量を減少させる基板洗浄効果が得られる範囲で、且つ、次の工程のレジスト塗布工程で塗布不良が発生しないのであれば、洗浄液を置換して基板を洗浄および冷却する処理工程は省略しても構わない。
従って例えば、第1の洗浄液50の供給によるコンタミの洗浄除去の後に、そのまま半導体基板10を回転させるスピン乾燥によって、第1の洗浄液50を除去してもよい。そしてその後、第1の洗浄液50によって加熱された半導体基板10を冷却するためのクーリング処理を同じく塩基性物質等のコンタミが除去されるように雰囲気制御された環境下において行った後に、レジスト塗布を行ってレジスト膜を形成する。
以上説明した本実施形態の変形例においても、本実施形態と同様あるいはそれ以上の効果が得られる。
第1及び第2の実施形態においては、レジスト塗布前の基板洗浄として、半導体基板の被処理面に65℃の水温で10分間、あるいは20分間の純水を供給して洗浄を行ったが、水温条件、洗浄時間はこれに限らない。加熱処理により常温より高く沸点未満の水温範囲条件で、レジストパターン形成後にパターンボトムの裾引き(フッティング)量を減少させる基板洗浄効果が得られる範囲で、適宜最適な水温と洗浄時間条件を選択すれば良い。
第3の実施形態においては、レジスト塗布前の基板洗浄として、半導体基板の被処理面に30℃の水温で10分間の活性化させた純水を供給して洗浄を行ったが、水温条件、洗浄時間はこれに限らない。加熱処理により常温より高く沸点未満の水温条件で、レジストパターン形成後にパターンボトムの裾引き(フッティング)量を減少させる基板洗浄効果が得られる範囲で、適宜最適な水温と洗浄時間条件を選択すれば良い。
上記実施形態においては、レジスト塗布前の基板洗浄として半導体基板の被処理面に加熱処理した純水、あるいは活性化させた純水により所望の時間で洗浄したのち、半導体基板を回転させながら基板上に水温25℃の純水あるいは活性化させた純水を供給し、加熱処理した純水あるいは活性化させた純水と置換して3分間洗浄した。しかし、置換する洗浄液と洗浄時間はこれに限定されず、レジストパターン形成後にパターンボトムの裾引き(フッティング)量を減少させる基板洗浄効果が得られる範囲で、適宜最適な置換する洗浄液と洗浄時間条件を選択すれば良い。
上記実施形態においては、レジスト膜としてKrFレジスト膜を用い、露光装置としてKrF露光装置を用いた例を示したが、本発明の実施はこれに限られるものではない。g線、i線、ArF、F2、EUV、電子ビーム等に感度を有するレジスト膜と、それぞれに対応した露光装置を用いることが可能である。
以上説明したように本実施形態においては、レジストパターン形成方法において、レジスト膜を形成する工程の前処理の洗浄工程として半導体基板の被処理面に第1の洗浄液として加熱処理した純水あるいは赤外線の波長を吸収させて活性化した純水を供給して洗浄する。その後、第1の洗浄液を、ただちに除去する、或いは洗浄の補助および基板を冷却する為の第2の洗浄液である常温の液温である純水あるいは活性水と置換し、その後半導体基板の被処理面を乾燥させる。これにより、基板表面に付着したコンタミを効率的に除去することが可能となる。
その結果、従来報告されているパターン形成方法に対してレジストパターン、ボトム部のフッティング形状不良の発生を抑制することが可能となる。
なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。更に、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
10…半導体基板、11…SiN膜、12、50…第1の洗浄液、13…第2の洗浄液、
14…化学増幅型レジスト、15、17…ラインアンドスペースパターン、
16、18…フッティング、100…洗浄機構、101…カップ、
102…バキュームチャック、103…洗浄液供給器、
104、105…洗浄液供給ノズル、106、107…配管、
108、109…温度調節器、110、111…活水器、120…現像液供給器、
121…現像液供給ノズル、125…モーター、200…洗浄ユニット。
14…化学増幅型レジスト、15、17…ラインアンドスペースパターン、
16、18…フッティング、100…洗浄機構、101…カップ、
102…バキュームチャック、103…洗浄液供給器、
104、105…洗浄液供給ノズル、106、107…配管、
108、109…温度調節器、110、111…活水器、120…現像液供給器、
121…現像液供給ノズル、125…モーター、200…洗浄ユニット。
Claims (5)
- レジスト塗布、現像装置内に配置され、被加工膜が形成された半導体基板の表面上に、加熱した洗浄液を供給して洗浄する工程と、
前記被加工膜の表面上から前記洗浄液を除去する工程と、
前記洗浄液の除去後に前記被加工膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を露光する工程と、
前記レジスト膜を現像する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記洗浄液は、純水、或いは純水を活性化させた活性水である
ことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 - レジスト塗布、現像装置内に配置され、被加工膜が形成された半導体基板の表面上に、加熱した第1の洗浄液を供給して洗浄する工程と、
前記被加工膜の表面上に前記第1の洗浄液より温度が低い第2の洗浄液を供給することにより前記第1の洗浄液と置換する工程と、
前記被加工膜の表面上から前記第2の洗浄液を除去する工程と、
前記第2の洗浄液の除去後に前記被加工膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を露光する工程と、
前記レジスト膜を現像する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記第1の洗浄液は、純水、或いは純水を活性化させた活性水であり、
前記第2の洗浄液は、純水、或いは純水を活性化させた活性水である
ことを特徴とする請求項3に記載のパターン形成方法。 - 被処理基板を洗浄するための洗浄液を加熱する加熱機構と、前記被処理基板の表面に加熱された前記洗浄液を供給して洗浄する洗浄機構と、前記被処理基板の表面から前記洗浄液を除去する除去機構とを備えた洗浄ユニットと、
前記被処理基板の表面にレジスト膜を塗布する塗布ユニットと
を具備することを特徴とした基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007063802A JP2008227173A (ja) | 2007-03-13 | 2007-03-13 | パターン形成方法および基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007063802A JP2008227173A (ja) | 2007-03-13 | 2007-03-13 | パターン形成方法および基板処理装置 |
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JP2008227173A true JP2008227173A (ja) | 2008-09-25 |
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Family Applications (1)
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JP2007063802A Pending JP2008227173A (ja) | 2007-03-13 | 2007-03-13 | パターン形成方法および基板処理装置 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2008227173A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187928A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
-
2007
- 2007-03-13 JP JP2007063802A patent/JP2008227173A/ja active Pending
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JP2011187928A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
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