CN101018974A - 具有反射板的led照明系统 - Google Patents

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Abstract

一种发光装置(8)包括一个或多个发光芯片(10)，其设置在印刷电路板(12)上，并发射波长范围主要在大约400纳米到470纳米之间的光。一种印刷电路板包括：(i)电绝缘板(14)；(ii)导电印刷电路(20)；以及(iii)具有过孔(24)的电绝缘阻焊膜(22)，通过该过孔，一个或多个发光芯片与所述印刷电路电接触。阻焊膜(22)在大约400纳米和大约470纳米之间具有至少60％以上的反射率。

Description

具有反射板的LED照明系统
技术领域
本发明涉及照明技术。更具体地，本发明涉及高强度发光二极管封装件、部件、装置等，并且将对其进行详细描述。然而，本发明也会获得与诸如垂直腔面发射激光器结合的其他固态发光器的应用。
背景技术
高亮度发光封装件通常使用多个发光二极管芯片、表面发射激光芯片、有机发光器芯片等。为了机械支持芯片以及使芯片电互连，在一些发光封装件中，将发光芯片设置在印刷电路板上。印刷电路板还可支持并电合并分立的电子部件、专用集成电路(ASIC)、可编程微处理器等，用于提供输入功率调节，光输出控制，静电放电保护或其他功能。
不利地，印刷电路板由于部分地吸收光的碰撞而造成光损耗。印刷电路板一般包括最上面的环氧树脂阻焊层，该阻焊层具有光刻限定的开口，通过该开口发光芯片或其他电子部件与印刷电路的焊盘电接触。在对于电子应用的传统印刷电路板中，对于其光学特性阻焊层不是最优的，因此反射性不是很好。
对于高亮度发光封装件，有时使用具有工业效应的白色阻焊膜(solder mask)的印刷电路板。这些白色阻焊膜包含反射可见光的白色滑石或另一种白色材料。白色阻焊膜与传统的蓝色或绿色阻焊膜相比显著改善了可见光的反射率。
此外，白色阻焊膜对于一些高亮度发光封装件具有一定的缺点。首先，虽然白色阻焊膜看起来具有高反射性，但发明人测量了这种板的反射率并且发现反射率在可见光谱区内仅为大约80％以下。如果由发光封装件产生的可见光中的50％碰撞印刷电路板，由于印刷电路板的吸收，反射率与约10％以上的光损耗相对应。
此外，在蓝光、紫光、和紫外线光谱区内，白色阻焊膜的反射率降低。发明人发现对小于约410nm波长的白色焊接板的反射率减小到60％以下。在某些发光封装件中，发射蓝光、紫光、或紫外线的宽能带隙发光芯片与将发射光转换为白色或另一种所选取可见光的磷光体相结合。在这种封装件中，大量的蓝光、紫光、或紫外线通常从磷光体反射向印刷电路板。白色阻焊膜对蓝光、紫光、或紫外线波长的光相对较低的反射率降低了这些封装件的光输出效率。
用于实现蓝光、紫光、或紫外线的高反射率的方法在于使用金属反射体。然而，由于阻焊膜接触或非常接近印刷电路和电子部件导线，所以很难将一般导电的金属反射体结合到阻焊膜中。
本发明旨在提供克服上述限制和其他问题的改进装置和方法。
发明内容
根据一个方面，公开了一种发光装置。一个或多个发光芯片设置在印刷电路板上，并且发射波长范围主要在大约400纳米至大约470纳米之间的光。该印刷电路板包括：(i)电绝缘板；(ii)导电印刷电路；以及(iii)具有过孔的电绝缘阻焊膜，通过该过孔使一个或多个发光芯片与所述印刷电路电接触。阻焊膜在大约400纳米和大约470纳米之间具有至少60％以上的反射率。
根据另一方面，提供了一种用于制造发光装置的方法。电绝缘板被提供有设置在其上的导电印刷电路。电绝缘阻焊膜设置在电绝缘板上。阻焊膜具有接入印刷电路的过孔，并且在大约400纳米和大约470纳米之间具有至少60％以上的反射率。一个或多个发光芯片设置在绝缘阻焊膜上。一个或多个发光芯片通过阻焊膜中的过孔与印刷电路电接触，并且发射波长范围主要在大约400纳米和大约470纳米之间的光。
根据又一方面，公开了一种发光装置。一个或多个发光芯片设置在印刷电路板上，并且发射波长范围主要在大约400纳米和大约470纳米之间的光。该印刷电路板包括：(i)电绝缘板；(ii)导电印刷电路；以及(iii)具有过孔的电绝缘阻焊膜，通过该过孔，一个或多个发光芯片与该印刷电路电接触。阻焊膜在大约400纳米和大约470纳米之间具有至少60％以上的反射率。将磷光体配置成使其被一个或多个发光芯片照射，并且响应于照射，发射波长范围主要在470纳米以上的光。相对配置磷光体和印刷电路板，使得一个或多个发光芯片发射的波长范围主要在大约400纳米和大约470纳米之间的一些光从磷光体反射到印刷电路板的阻焊膜上。
基于阅读和理解本说明书，对于本领域的普通技术人员来说，本发明的许多优点和好处将变得显而易见。
附图说明
本发明可以在各种元件和元件的排列中、以及在各种工艺过程和工艺过程的排列中体现。附图仅仅用于示出优选实施例的目的，并不构成对本发明的限制。在附图中，层厚度、涂层厚度、以及其他尺寸没有按比例画出。
图1示出了发光封装件的透视图。在图1中，去除壳体的一个侧壁以展示发光封装件内部的部件。
图2示出了图1的封装件的印刷电路板和电子部件的透视图。
图3示出了图1的封装件的印刷电路板和电子部件的分解透视图。
图4和图5示出了从两个不同的有利位置看到的图1的封装件的一个发光芯片的透视图。
图6示出了适用在图1的封装件中的阻焊膜一部分的截面图。
图7示出了适用在图1的封装件中的另一阻焊膜一部分的截面图。
具体实施方式
参考图1至图3，发光封装件8包括多个设置在印刷电路板12上的发光芯片10。示出的印刷电路板12包括电绝缘板14，其在示出的实施例中包括导电金属芯16和由玻璃纤维树脂或另一种电绝缘材料制成的绝缘层18。在一些实施例中，省略了导电金属芯16，例如，电绝缘板可以是玻璃纤维树脂板而不具有金属芯。导电印刷电路20(在图3中示出)设置在绝缘板14的绝缘层18上。阻焊膜22设置在绝缘板14上，并包括开口或过孔24(在图3中示出)，通过开口或过孔24，发光芯片10与印刷电路20电接触。可选地，一个或多个附加电子部件(例如，示例性的电子部件26)也设置在印刷电路板12上，并通过开口或过孔24与印刷电路20电接触。
在示出的实例中，电子部件26通过接触针30接收电功率，并且整流、转换、或以其它方式调节所接收的电功率，以产生提供给印刷电路20来操作发光芯片10的负载功率。可选地，电子部件26或另一个电子部件可以提供静电放电保护、可选切换(selectableswitching)等。电子部件26可具体化为专用集成电路(ASIC)、可编程微控制器或微处理器等。可选或附加地，电子部件可通过诸如电阻器、电感器、电容器、运算放大器、数字逻辑门等的分立部件具体化，这些分立部件通过印刷电路相互连接，以执行功率调节、切换、调光功能等。
在示出的实施例中，印刷电路板12的电绝缘板14是包括平面导电金属芯16(例如，铝片、铜箔等)和绝缘层18的金属芯板。例如，绝缘层18可以是玻璃纤维树脂片或涂层，其使印刷电路20与金属芯16绝缘。可选地，印刷电路20通过形成在绝缘层18中的过孔(未示出)在所选点处电接触金属芯16，使得金属芯16起到印刷电路20接地板的作用。金属芯16还扩散和/或消散由发光芯片10和一个或多个电子部件26所产生的热量。
发光芯片10、一个或多个电子部件26、和印刷电路板12容纳在壳体36(在图1中示出)中。壳体36包括侧壁38、40和底部42，印刷电路12设置在底部上(在图1中省略了一个侧壁以展示发光封装件8的内部部件；相对于去除的侧壁设置另一个侧壁，并且在图1的透视图中是不可见的)。优选地，侧壁38、40具有反射内表面46。例如，侧壁38、40和底部42可以限定矩形金属盒，其除了提供反射内表面46外，还提供用于示例性金属芯印刷电路板12的散热器。壳体36的顶部48面向发光芯片10并且包括磷光板50。
在运行过程中，发光芯片10发射波长范围主要在大约400纳米和大约470纳米之间的蓝光、紫光或紫外光。所发射的蓝光、紫光、或紫外光照射磷光板50。响应于蓝光、紫光和紫外光的照射，设置在磷光板50上或散布在磷光板50中的磷光体发射波长范围主要大于470纳米的荧光或磷光。磷光板50对于荧光或磷光是透光的，使得发光封装件8由于荧光或磷光而输出光。
在一些实施例中，磷光体包含产生白色荧光或磷光的一种或多种成分。在其他实施例中，磷光体包含产生所选颜色或混合颜色的荧光或磷光的一种或多种成分。可选地，磷光板50对于由发光芯片10产生的蓝光、紫光、或紫外线照射也是透光的，所以发光封装件8的输出光是由磷光体输出的荧光或磷光以及由发光芯片10输出的直射光的组合光。例如，在一些实施例中，发光芯片10产生蓝色发射光，以及磷光体产生黄色光，从而在发光封装件8的输出中结合有混合的直射光和磷光体产生的光，以近似于白色光。侧壁38、40的反射内表面46将碰撞侧壁38、40的由发光芯片10产生的光反射向磷光板50，以改善光提取率。
在示出的实施例中，侧壁40包括电绝缘穿通开口52，通过该电绝缘穿通开口52，电子部件26的接触针30使电源与发光封装件8相连接。也可以使用其他功率输入配置，例如，母电源插座，硬接线电源电缆等。可选地，在发光封装件中包括电池(未示出)，从而不需要外部电源。
应该理解的是，壳体36只是一个实例。除矩形之外，壳体可具有其他形状，除磷化顶部之外或代替顶部，其还可以包括磷化侧壁，或者可以包括其他修改。在一些实施例中，壳体包括在发光芯片之上配置的磷化圆顶。发光封装件8还可以包括附加的或其他部件，例如，散热器、散热片、与磷光板50光结合的透镜或其他光学部件(用于将发光芯片的发射光汇聚在磷化窗(phosphorizedwindow)或磷化区上)等。
继续参照图1至图3并且还参照图4和图5，每个发光芯片10都可以是发光二极管、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、发光二极管或激光器的单片阵列、有机发光芯片等。在示出的实施例中，每个发光芯片10均包括倒装接合至底层封装板(sub-mount)62的半导体芯片60。底层封装板62包括使半导体芯片60和背面的焊盘64电连接的电过孔。示出的发光芯片10仅是一个实例，在其他实施例中，发光芯片可直接接合到没有底层封装板的印刷电路板12，或者可接合到底层封装板但使用丝焊与印刷电路板电接触，或者可倒装接合到底层封装板的焊盘(底层封装板焊盘通过丝焊与印刷电路板12电连接)等。
在一些实施例中，发光芯片是基于III族氮化物的发光二极管或激光器，其发射波长范围主要在大约400纳米和大约470纳米之间的光。可以使用其他的蓝光、紫光、或紫外线发光芯片，其发射波长范围主要在大约400纳米和470纳米之间的光。在一些实施例中，通过焊接使发光芯片10与印刷电路板12电连接。阻焊膜22将焊料保持在过孔24的区域中。在其他实施例中，使用热超声焊接、热压焊接、或其他焊接技术。不管使用的是锡焊或另一种焊接技术，阻焊膜22都保护印刷电路20不受磨损或其他物理损伤。
为了使光提取率最大化，将印刷电路板12的阻焊膜22构造成在大约400纳米和大约470纳米之间具有至少60％以上的反射率。这样，由发光芯片10发射的直接碰撞阻焊膜22(或从侧壁38、40和/或磷光板50反射出来然后碰撞阻焊膜22)的蓝光、紫光、或紫外线基本上被反射向磷光板50，以产生荧光或磷光。在一些优选实施例中，将印刷电路板12的阻焊膜22构造成在大约400纳米和大约470纳米之间具有至少约85％以上的反射率。在一些优选实施例中，将印刷电路板12的阻焊膜22构造成在大约400纳米和740纳米之间具有至少约85％以上的反射率，使得阻焊膜22还反射由面向印刷电路板12的照射磷光体产生的磷光或荧光。在一些优选实施例中，将印刷电路板12的阻焊膜22构造成在大约400纳米和基本跨越由磷光体发射的光的波长范围的上部波长(upperwavelength)(例如，对发射波长范围主要在500-650纳米的光的示例性磷光体，至少达到650纳米的上部波长)之间具有至少约85％以上的反射率。
参照图6，在一些实施例中，电绝缘阻焊膜22由耐光电绝缘粘合材料70(例如，感光环氧树脂、感光聚酰亚胺等)的膜形成，在其中散布有反射填充材料72的颗粒。例如，反射填充材料72的颗粒可以是钛氧化物(例如，氧化钛：TiO2)、铝氧化物(例如，氧化铝：Al2O3)、高折射率玻璃等。选取粘合材料70中填充材料72的浓度以及平均颗粒大小、平均颗粒形状等，以为阻焊膜22提供足够的反射率。如果导电填充材料的浓度稀释成足以保持阻焊膜22基本的电绝缘特性，则可采用导电填充材料。
在一个实例中，粘合材料是负感光环氧树脂，如下构造阻焊膜22。将感光环氧树脂的成分与填充材料72结合，以生成液态感光环氧树脂原料，其被作为膜设置在电绝缘板14上。合适的沉积方法包括喷涂、幕涂等。根据环氧树脂的类型，可执行无模硫化(softcure)，以部分硬化或固化感光环氧树脂膜。然而，对一些环氧树脂类型不采用无模硫化。在黄光照亮的光刻室或环境照明不使感光环氧树脂活化的其他环境中执行这些处理。
然后，通过阻挡过孔24区域内曝光的光掩模而光学暴露感光环氧树脂膜，来形成阻焊膜22的过孔24。使用只去除那些未曝光的感光环氧树脂膜区域的合适化学物质来显影光学暴露的感光环氧树脂膜，从而，去除未被曝光的过孔24的区域以打开过孔24。那些曝光区域是耐光的，并且不会被显影化学物质去除。根据感光环氧树脂的类型，可执行有模硫化(hard cure)来进一步凝固或硬化耐光的环氧树脂膜。
在一些实施例中，填充物72的浓度足够低，使得混合填充材料72不能显著改变感光粘合材料70的感光特性。在其他实施例中，结合填充材料72降低了感光粘合材料70的感光性。在这些实施例中，可增加感光粘合材料70中光敏剂的量以消除填充材料72的影响，或者可增加曝光和/或显影时间以弥补降低的感光性。典型地，阻焊膜22的厚度在大约12微米和75微米之间。对于相对较厚的阻焊膜，通常可减少填充材料72的浓度，同时保持期望的反射率。填充材料(例如，TiO2或Al2O3)在至少400纳米以下(更典型地至少在约350纳米以下)显示出大于约85％到90％的反射率。因此，对于充分高浓度的填充材料72，在大约400纳米和大约470纳米之间的波长范围内，可将阻焊膜22的反射率增加到约60％或约85％以上(取决于填充物浓度、颗粒的反射率特性等)。
参考图7，在一些实施例中，电绝缘阻焊膜22由多层镜面反射片80形成。例如使用激光切割、机械打孔等将开口切入薄片80以限定过孔24，并将多层镜面反射片80粘合至或固定至电绝缘板14。反射片80包括层叠的反射绝缘层，其中，绝缘层包括具有不同折射率、不同双折射特性、或其他不同光学特性的介质材料的交替层。选择层的厚度和光学特性，以在大约400纳米和大约470纳米之间的波长范围内(优选地，在大约400纳米和大约740纳米之间的波长范围内)中提供高的叠层反射率。
在一些实施例中，多层镜面反射片80是具有工业效应的反射片，例如，VM2000反射膜或VikuitiTM增强型镜面反射薄或(从3M，St.Paul，MN得到的)。由VM2000或VikuitiTM增强型镜面反射膜形成的阻焊膜已被发明人测量在400纳米和740纳米之间具有85％以上的反射率，同时对膜正面和背面都测到高反射率。相反地，测量传统的白色阻焊膜对可见光具有约80％的反射率，对波长在约430纳米以下的光具有约70％以下的反射率，对波长在大约410纳米以下的光具有60％以下的反射率。
发光封装件8通过磷光板50的波长转换产生可见光。在其他预期的实施例中，发光封装件是蓝光、紫光、或紫外光光源，其发射由发光芯片产生的波长范围主要在大约400纳米和大约470纳米之间的直射光。在这些实施例中，光学器件、侧壁、透镜、覆盖玻璃等一般会反射波长范围主要在大约400纳米和大约470纳米之间的一些直射光或使其改变方向，以射向印刷电路板的阻焊膜。因此，本文中公开的在至少大约400纳米和大约470纳米之间具有高反射性的阻焊膜的优势在于这些不使用磷光体的蓝光、紫光、或紫外光光源。
已经参照优选实施例描述了本发明。很显然，其他人在阅读并理解了前面的详细描述后，可以作出修改和改变。旨在将本发明理解为包括所有这些范围内的修改和改变，因为它们处于权利要求书或其对等物的范畴之内。

Claims (22)

1.一种发光装置，包括：
一个或多个发光芯片，其发射波长范围主要在大约400纳米和大约470纳米之间的光；以及
印刷电路板，其上设置有所述一个或多个发光芯片，所述印刷电路板包括：(i)电绝缘板，(ii)导电印刷电路，以及(iii)具有过孔的电绝缘阻焊膜，通过所述过孔，所述一个或多个发光芯片与所述印刷电路电接触，所述阻焊膜在大约400纳米和大约470纳米之间具有至少60％以上的反射率。
2.根据权利要求1所述的发光装置，进一步包括：
壳体，其内部设置有所述一个或多个发光芯片和所述印刷电路板，所述壳体包括磷光体，将所述磷光体配置成被所述一个或多个发光芯片照射，并且响应于所述照射，发射波长范围主要在470纳米以上的光，所述磷光体和所述印刷电路板相对配置，使得由所述一个或多个发光芯片发射的波长范围主要在大约400纳米和470纳米之间的至少一部分光从所述磷光体反射到所述印刷电路板的所述阻焊膜上。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述阻焊膜在大约400纳米和大约470纳米之间具有至少约85％以上的反射率。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述阻焊膜在大约400纳米和大约740纳米之间具有至少约60％以上的反射率。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述阻焊膜在大约400纳米和大约740纳米之间具有至少约85％以上的反射率。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述阻焊膜包括：电绝缘粘合材料；以及
填充材料，散布在所述粘合材料中，所述填充材料在大约400纳米和大约470纳米之间具有至少约85％以上的反射率。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其中，所述电绝缘粘合材料是耐光材料。
8.根据权利要求6所述的发光装置，其中，所述粘合材料是耐光环氧树脂和耐光聚酰亚胺之一。
9.根据权利要求6所述的发光装置，其中，所述填充材料是钛氧化物和铝氧化物之一。
10.根据权利要求6所述的发光装置，其中，所述填充材料是TiO2和Al2O3之一。
11.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述电绝缘阻焊膜包括：
多层镜面反射片。
12.根据权利要求11所述的发光装置，其中，所述多层镜面反射片包括：
层叠的反射介电层，由具有不同折射率、不同双折射特性、或其他不同光学特性的介电材料的交替层形成。
13.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述电绝缘板包括：
金属层；以及
电绝缘层，设置在所述金属层的至少一侧上，所述印刷电路设置在所述电绝缘层上。
14.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述印刷电路板的所述导电印刷电路和所述电绝缘板包括多个电绝缘层和多个印刷电路层。
15.一种发光装置的制造方法，所述方法包括：
设置电绝缘板，其上设置有导电印刷电路；
在所述电绝缘板上设置电绝缘阻焊膜，所述阻焊膜具有接入所述印刷电路的过孔，所述阻焊膜在大约400纳米和大约470纳米之间具有至少60％以上的反射率；以及
在所述绝缘阻焊膜上设置一个或多个发光芯片，所述一个或多个发光芯片通过所述阻焊膜中的所述过孔与所述印刷电路电接触，所述一个或多个发光芯片发射波长范围主要在大约400纳米和大约470纳米之间的光。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述设置电绝缘板包括：
设置金属芯；
将绝缘层设置在所述金属芯上；
将导电层设置在所述绝缘层上；以及
图样化所述导电层，以限定所述导电印刷电路。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述设置电绝缘阻焊膜包括：
将感光环氧树脂的成分与反射填充材料结合，以生成环氧树脂原材料，所述反射填充材料在400纳米和470纳米之间具有至少约85％以上的反射率；
将所述环氧树脂原料设置在所述电绝缘板上，以限定环氧树脂阻焊层；以及
在环氧树脂阻焊层中通过光刻形成接入所述印刷电路的所述过孔。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，将所述环氧树脂原料设置在所述电绝缘板上包括：通过喷涂和幕涂中的一种，设置所述环氧树脂原料。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述设置电绝缘阻焊膜包括：
在所述电绝缘板上形成感光阻焊层，所述感光阻焊层包括粘合剂和反射填充物，并在400纳米和470纳米之间具有至少约85％以上的反射率；以及
在所述感光阻焊层中通过光刻形成接入所述印刷电路的所述过孔。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，所述设置电绝缘阻焊膜包括：
将接入所述印刷电路的所述过孔切入电绝缘多层镜面反
射片中，以限定所述阻焊膜；以及
将所述阻焊膜粘附至所述电绝缘板。
21.一种发光装置，包括：
一个或多个发光芯片，发射波长范围主要在大约400纳米和大约470纳米之间的光；
印刷电路板，其上设置有所述一个或多个发光芯片，所述印刷电路板包括：(i)电绝缘板，(ii)导电印刷电路，以及(iii)具有过孔的电绝缘阻焊膜，通过所述过孔，所述一个或多个发光芯片与所述印刷电路电接触，所述阻焊膜在大约400纳米和大约470纳米之间具有至少60％以上的反射率；以及磷光体，将所述磷光体配置成使其被所述一个或多个发光芯片照射，并且响应于所述照射，发射波长范围主要在470纳米以上的光，相对配置所述磷光体和所述印刷电路板，使得由所述一个或多个发光芯片发射的波长范围主要在大约400纳米和大约470纳米之间的至少一部分光从所述磷光体反射到所述印刷电路板的所述阻焊膜上。
22.根据权利要求21所述的发光装置，其中，所述阻焊膜在大约400纳米和基本上跨越由所述磷光体发射的光的波长范围的上部波长之间具有至少85％以上的反射率。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102537822A (zh) * 2010-10-05 2012-07-04 通用汽车环球科技运作有限责任公司 汽车前照灯

Families Citing this family (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
JP4568133B2 (ja) * 2004-03-30 2010-10-27 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置および光装置
JP4062703B2 (ja) * 2004-04-28 2008-03-19 スタンレー電気株式会社 照明ユニット
JP2007081234A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Toyoda Gosei Co Ltd 照明装置
JP2009525614A (ja) * 2006-01-31 2009-07-09 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー コンプライアントなフォイル構造を有するｌｅｄ照明アセンブリ
US7710045B2 (en) * 2006-03-17 2010-05-04 3M Innovative Properties Company Illumination assembly with enhanced thermal conductivity
US7824075B2 (en) * 2006-06-08 2010-11-02 Lighting Science Group Corporation Method and apparatus for cooling a lightbulb
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
KR20080037269A (ko) * 2006-10-25 2008-04-30 엘지전자 주식회사 냉장고용 조명장치
TW200821694A (en) * 2006-11-01 2008-05-16 Au Optronics Corp Reflective light source device and manufacture method thereof
US9178121B2 (en) * 2006-12-15 2015-11-03 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for light emitting diodes
US7806560B2 (en) * 2007-01-31 2010-10-05 3M Innovative Properties Company LED illumination assembly with compliant foil construction
JP4945264B2 (ja) * 2007-02-26 2012-06-06 三洋電機株式会社 オープンショーケース
US20080203948A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Unity Opto Technology Co., Ltd. Lighting device
EP2135001A1 (de) * 2007-04-16 2009-12-23 Goodrich Lighting Systems GmbH Farbverstellbare led-leuchte, insbesondere zur fahrzeuginnenbeleuchtung
EP2160082B1 (en) * 2007-05-18 2018-07-04 Denka Company Limited Metal base circuit board
TWI452716B (zh) * 2007-06-08 2014-09-11 Formosa Epitaxy Inc Gallium nitride based light emitting diode and manufacturing method thereof
WO2009000282A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-31 Lioris B.V. High voltage led lighting system
US7922354B2 (en) * 2007-08-13 2011-04-12 Everhart Robert L Solid-state lighting fixtures
US20090086484A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Johnson Stephen G Small form factor downlight system
KR101345384B1 (ko) * 2007-11-16 2013-12-24 삼성전자주식회사 도광 부재와 이를 적용한 조명장치 및 도광 부재의제조방법
US8042976B2 (en) * 2007-11-30 2011-10-25 Taiyo Holdings Co., Ltd. White hardening resin composition, hardened material, printed-wiring board and reflection board for light emitting device
US8118447B2 (en) 2007-12-20 2012-02-21 Altair Engineering, Inc. LED lighting apparatus with swivel connection
US7712918B2 (en) 2007-12-21 2010-05-11 Altair Engineering , Inc. Light distribution using a light emitting diode assembly
US7717591B2 (en) * 2007-12-27 2010-05-18 Lumination Llc Incorporating reflective layers into LED systems and/or components
CN101925772B (zh) * 2008-01-22 2016-09-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有led和包括发光材料的透射支架的照明器件
AT506384B1 (de) * 2008-02-07 2013-05-15 Schrutek Elmar Ing Beleuchtungskörper
US8360599B2 (en) 2008-05-23 2013-01-29 Ilumisys, Inc. Electric shock resistant L.E.D. based light
KR101518457B1 (ko) * 2008-06-12 2015-05-12 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 실장용 연성인쇄회로기판
US7976196B2 (en) 2008-07-09 2011-07-12 Altair Engineering, Inc. Method of forming LED-based light and resulting LED-based light
US7946729B2 (en) 2008-07-31 2011-05-24 Altair Engineering, Inc. Fluorescent tube replacement having longitudinally oriented LEDs
US8674626B2 (en) 2008-09-02 2014-03-18 Ilumisys, Inc. LED lamp failure alerting system
US8256924B2 (en) 2008-09-15 2012-09-04 Ilumisys, Inc. LED-based light having rapidly oscillating LEDs
US8214084B2 (en) 2008-10-24 2012-07-03 Ilumisys, Inc. Integration of LED lighting with building controls
US8324817B2 (en) 2008-10-24 2012-12-04 Ilumisys, Inc. Light and light sensor
US7938562B2 (en) 2008-10-24 2011-05-10 Altair Engineering, Inc. Lighting including integral communication apparatus
US8653984B2 (en) 2008-10-24 2014-02-18 Ilumisys, Inc. Integration of LED lighting control with emergency notification systems
US8901823B2 (en) 2008-10-24 2014-12-02 Ilumisys, Inc. Light and light sensor
US8444292B2 (en) 2008-10-24 2013-05-21 Ilumisys, Inc. End cap substitute for LED-based tube replacement light
JP4572994B2 (ja) * 2008-10-28 2010-11-04 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
US8556452B2 (en) 2009-01-15 2013-10-15 Ilumisys, Inc. LED lens
US8362710B2 (en) 2009-01-21 2013-01-29 Ilumisys, Inc. Direct AC-to-DC converter for passive component minimization and universal operation of LED arrays
US8664880B2 (en) 2009-01-21 2014-03-04 Ilumisys, Inc. Ballast/line detection circuit for fluorescent replacement lamps
WO2010099278A2 (en) * 2009-02-26 2010-09-02 Corning Incorporated Apparatus for forming glass with edge directors and methods
DE202009018419U1 (de) * 2009-03-09 2011-08-17 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit verbesserter Lichtleistung
US20100245259A1 (en) * 2009-03-25 2010-09-30 Honeywell International Inc. Small screen display with a data filtering and sorting user interface
DE102009019412A1 (de) * 2009-04-29 2010-11-04 Fa. Austria Technologie & Systemtechnik Ag Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit LEDs und gedruckter Reflektorfläche sowie Leiterplatte, hergestellt nach dem Verfahren
US8184230B2 (en) * 2009-05-08 2012-05-22 Honeywell International Inc. High efficiency backlight assembly for flat panel display assembly and method for the manufacture thereof
US8330381B2 (en) 2009-05-14 2012-12-11 Ilumisys, Inc. Electronic circuit for DC conversion of fluorescent lighting ballast
US8299695B2 (en) 2009-06-02 2012-10-30 Ilumisys, Inc. Screw-in LED bulb comprising a base having outwardly projecting nodes
EP2446715A4 (en) 2009-06-23 2013-09-11 Ilumisys Inc LIGHTING DEVICE COMPRISING LEDS AND CUTTING POWER SUPPLY CONTROL SYSTEM
US20120218773A1 (en) * 2009-09-25 2012-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor luminaire
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
WO2011086760A1 (ja) * 2010-01-12 2011-07-21 シャープ株式会社 Ｌｅｄ基板、バックライトユニットおよび液晶表示装置
TWM393643U (en) * 2010-01-15 2010-12-01 Idolite Technology Corp LED device with coating structure
US9631782B2 (en) * 2010-02-04 2017-04-25 Xicato, Inc. LED-based rectangular illumination device
EP2553320A4 (en) 2010-03-26 2014-06-18 Ilumisys Inc LED LAMP COMPRISING A THERMOELECTRIC GENERATOR
WO2011119958A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Altair Engineering, Inc. Inside-out led bulb
WO2011119907A2 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Altair Engineering, Inc. Led light tube with dual sided light distribution
US8454193B2 (en) 2010-07-08 2013-06-04 Ilumisys, Inc. Independent modules for LED fluorescent light tube replacement
US8596813B2 (en) 2010-07-12 2013-12-03 Ilumisys, Inc. Circuit board mount for LED light tube
WO2012024009A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Light emitting diode assembly and thermal control blanket and methods relating thereto
US8853723B2 (en) 2010-08-18 2014-10-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Light emitting diode assembly and thermal control blanket and methods relating thereto
US8506105B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Generla Electric Company Thermal management systems for solid state lighting and other electronic systems
EP2633227B1 (en) 2010-10-29 2018-08-29 iLumisys, Inc. Mechanisms for reducing risk of shock during installation of light tube
US20130228276A1 (en) * 2010-11-10 2013-09-05 Kuo-Kuang Chang Method for manufacturing cover plate and method for manufacturing encapsulated light-emitting diode using the cover plate
US20150062915A1 (en) * 2013-09-05 2015-03-05 Cree, Inc. Light emitting diode devices and methods with reflective material for increased light output
US8870415B2 (en) 2010-12-09 2014-10-28 Ilumisys, Inc. LED fluorescent tube replacement light with reduced shock hazard
KR101167461B1 (ko) * 2010-12-27 2012-07-31 삼성전기주식회사 레이져 네비게이션 모듈
JP2014501438A (ja) 2010-12-29 2014-01-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 遠隔蛍光式ｌｅｄ装置のための蛍光反射板組立体
US20120199386A1 (en) * 2011-02-04 2012-08-09 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board
BR112013022101A2 (pt) * 2011-03-03 2016-12-06 Koninkl Philips Nv conjunto de placa de circuito
US20120229990A1 (en) * 2011-03-08 2012-09-13 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board and method for manufacturing multilayer printed wiring board
EP2500623A1 (en) 2011-03-18 2012-09-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for providing a reflective coating to a substrate for a light-emitting device
US9072171B2 (en) 2011-08-24 2015-06-30 Ilumisys, Inc. Circuit board mount for LED light
JP5848976B2 (ja) 2012-01-25 2016-01-27 新光電気工業株式会社 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法
JP2013153068A (ja) 2012-01-25 2013-08-08 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法
US9989235B2 (en) * 2012-01-25 2018-06-05 Philips Lighting Holding B.V. LED module and luminaire comprising said module
JP6096413B2 (ja) 2012-01-25 2017-03-15 新光電気工業株式会社 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法
JP6230777B2 (ja) * 2012-01-30 2017-11-15 新光電気工業株式会社 配線基板、配線基板の製造方法、及び発光装置
US9184518B2 (en) 2012-03-02 2015-11-10 Ilumisys, Inc. Electrical connector header for an LED-based light
TWM443813U (en) * 2012-03-06 2012-12-21 Winsky Technology Ltd Illumination device
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
WO2014008463A1 (en) 2012-07-06 2014-01-09 Ilumisys, Inc. Power supply assembly for led-based light tube
CN104603519B (zh) 2012-07-06 2016-08-24 通用电气照明解决方案有限责任公司 线性灯具
US9271367B2 (en) 2012-07-09 2016-02-23 Ilumisys, Inc. System and method for controlling operation of an LED-based light
JP2014063600A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Mitsubishi Electric Corp 線状光源装置
US9285084B2 (en) 2013-03-14 2016-03-15 Ilumisys, Inc. Diffusers for LED-based lights
DE202013101823U1 (de) * 2013-04-26 2014-07-29 Zumtobel Lighting Gmbh Plattenförmiges Reflektorelement für LED-Platine
KR101510938B1 (ko) * 2013-05-09 2015-04-17 주식회사 올릭스 평판형 엘이디 조명장치
US9267650B2 (en) 2013-10-09 2016-02-23 Ilumisys, Inc. Lens for an LED-based light
US9574717B2 (en) 2014-01-22 2017-02-21 Ilumisys, Inc. LED-based light with addressed LEDs
US9510400B2 (en) 2014-05-13 2016-11-29 Ilumisys, Inc. User input systems for an LED-based light
CN105221975A (zh) * 2014-06-17 2016-01-06 深圳市斯迈得光电子有限公司 一种远程激发技术结构led光源
DE102014110960A1 (de) * 2014-08-01 2016-02-04 GOM - Gesellschaft für Optische Meßtechnik mbH Messeinrichtung zum dreidimensionalen optischen Vermessen von Objekten mit einem topometrischen Sensor sowie Verwendung eines Multi-Laserchip-Bauelementes
JP6361385B2 (ja) * 2014-09-04 2018-07-25 日亜化学工業株式会社 回路基板およびこれを用いた発光装置
CN104470310B (zh) * 2014-12-04 2017-07-28 天水华天微电子股份有限公司 开关电源引线结构及开关电源引线的装配方法
KR102352411B1 (ko) * 2015-01-20 2022-01-18 현대모비스 주식회사 차량 램프용 led 패키지
CN205790070U (zh) * 2015-01-20 2016-12-07 现代摩比斯株式会社 用于车灯的led封装
KR102497180B1 (ko) * 2015-03-11 2023-02-08 코닌클리케 필립스 엔.브이. 발광 디바이스 냉각
US10161568B2 (en) 2015-06-01 2018-12-25 Ilumisys, Inc. LED-based light with canted outer walls
CN106369367A (zh) * 2015-07-23 2017-02-01 晶元光电股份有限公司 发光装置
US10211188B2 (en) * 2016-12-01 2019-02-19 Cheng Chang TransFlexDisplay Corp. Method for making an LED module and module made thereof
CN113707036A (zh) * 2020-05-22 2021-11-26 北京芯海视界三维科技有限公司 发光模组、显示模组、显示屏及显示器
US11526051B2 (en) 2021-04-16 2022-12-13 Apple Inc. Displays with direct-lit backlight units
US11333924B1 (en) 2021-04-16 2022-05-17 Apple Inc. Displays with direct-lit backlight units
US11513392B1 (en) 2021-09-23 2022-11-29 Apple Inc. Direct-lit backlight units with optical films

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB950475A (en) * 1958-11-19 1964-02-26 Ass Elect Ind Improvements in electric discharge lamps
JPS6284024A (ja) * 1985-10-09 1987-04-17 Ichimaru Fuarukosu Kk 結合組織繊維加水分解物から抽出してなる繊維芽細胞増殖促進剤
JPS6375057A (ja) * 1986-09-19 1988-04-05 Showa Denko Kk 樹脂混合物
US6210862B1 (en) * 1989-03-03 2001-04-03 International Business Machines Corporation Composition for photoimaging
US5122905A (en) 1989-06-20 1992-06-16 The Dow Chemical Company Relective polymeric body
US5094788A (en) 1990-12-21 1992-03-10 The Dow Chemical Company Interfacial surface generator
US5269995A (en) 1992-10-02 1993-12-14 The Dow Chemical Company Coextrusion of multilayer articles using protective boundary layers and apparatus therefor
US5389324A (en) 1993-06-07 1995-02-14 The Dow Chemical Company Layer thickness gradient control in multilayer polymeric bodies
US5882774A (en) 1993-12-21 1999-03-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Optical film
US6101032A (en) 1994-04-06 2000-08-08 3M Innovative Properties Company Light fixture having a multilayer polymeric film
JP3329573B2 (ja) 1994-04-18 2002-09-30 日亜化学工業株式会社 Ｌｅｄディスプレイ
US5699188A (en) 1995-06-26 1997-12-16 Minnesota Mining And Manufacturing Co. Metal-coated multilayer mirror
US6080467A (en) 1995-06-26 2000-06-27 3M Innovative Properties Company High efficiency optical devices
US5785404A (en) 1995-06-29 1998-07-28 Siemens Microelectronics, Inc. Localized illumination device
US5976424A (en) 1996-07-31 1999-11-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for making multilayer optical films having thin optical layers
JPH1152570A (ja) * 1997-08-05 1999-02-26 Mitsui Chem Inc 感光性樹脂組成物
US6157490A (en) 1998-01-13 2000-12-05 3M Innovative Properties Company Optical film with sharpened bandedge
KR100371936B1 (ko) * 1998-09-25 2003-02-14 시티즌 도케이 가부시키가이샤 액정표시장치
US6208466B1 (en) 1998-11-25 2001-03-27 3M Innovative Properties Company Multilayer reflector with selective transmission
US6222207B1 (en) * 1999-05-24 2001-04-24 Lumileds Lighting, U.S. Llc Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip
US6161910A (en) * 1999-12-14 2000-12-19 Aerospace Lighting Corporation LED reading light
EP1393374B1 (en) * 2001-05-26 2016-08-24 GE Lighting Solutions, LLC High power led lamp for spot illumination
JP2002374007A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP3760900B2 (ja) * 2001-09-06 2006-03-29 セイコーエプソン株式会社 導光装置、電気光学装置及び電子機器
JP2003177528A (ja) * 2001-09-21 2003-06-27 Tamura Kaken Co Ltd 感光性樹脂組成物及びプリント配線板
JP4006578B2 (ja) * 2002-03-22 2007-11-14 サンユレック株式会社 ２側面発光型ｌｅｄの製造方法
US20030193055A1 (en) 2002-04-10 2003-10-16 Martter Robert H. Lighting device and method
US6945672B2 (en) 2002-08-30 2005-09-20 Gelcore Llc LED planar light source and low-profile headlight constructed therewith
JP2004119634A (ja) * 2002-09-25 2004-04-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
DK1568254T3 (da) * 2002-11-19 2008-06-23 Dan Friis Lyssystem eller lyskilde baseret på lysdioder
DE602004016987D1 (de) * 2003-05-05 2008-11-20 Lumination Llc Verfahren und gerät für led-leistenlampensysteme

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102537822A (zh) * 2010-10-05 2012-07-04 通用汽车环球科技运作有限责任公司 汽车前照灯
CN102537822B (zh) * 2010-10-05 2016-01-27 通用汽车环球科技运作有限责任公司 汽车前照灯

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