TW202215679A - 螢光體基板的製造方法及發光基板的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種螢光體基板的製造方法，該螢光體基板搭載至少1個發光元件，該螢光體基板的製造方法特徵為包含：電路圖案層形成步驟，其於絕緣基板的一面，形成與該至少1個發光元件接合的電路圖案層；螢光體層形成步驟，其於該絕緣基板的一面側形成螢光體層，該螢光體層包含以該至少1個發光元件的發光為激發光時的發光峰值波長在可見光範圍內的螢光體；以及支持層形成步驟，其在該絕緣基板與該螢光體層之間，形成支持層，該支持層為不包含該螢光體的膜層，且支持該螢光體層；螢光體層形成步驟，將該螢光體層堆疊於該支持層。

Description

螢光體基板的製造方法及發光基板的製造方法
本發明係關於一種螢光體基板的製造方法以及發光基板的製造方法。
於專利文獻1，揭示了一種具備搭載了發光元件 [ LED（light-emitting diode，發光二極體）元件 ] 的基板的LED照明器具。該LED照明器具，於基板的表面設置反射材料，以令發光效率提高。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 中國專利公開106163113號公報
[發明所欲解決的問題]
然而，當為專利文獻1所揭示之構造時，並無法利用反射材料將LED照明器具所發出之光線調整成與發光元件所發出之光線相異的發光顏色的光線，且對應眩光問題的對策並不充分。
本發明之目的在於提供一種螢光體基板，其在搭載了發光元件時可減少發光元件所發出之光線的眩光。 [解決問題的手段]
本發明之第1實施態樣的螢光體基板的製造方法，係搭載至少1個發光元件的螢光體基板的製造方法，其特徵為包含：電路圖案層形成步驟，其於絕緣基板的一面，形成與該至少1個發光元件接合的電路圖案層；螢光體層形成步驟，其於該絕緣基板的一面側形成螢光體層，該螢光體層包含以該至少1個發光元件的發光為激發光時的發光峰值波長在可見光範圍內的螢光體；以及支持層形成步驟，其在該絕緣基板與該螢光體層之間形成支持層，該支持層為不包含該螢光體的膜層，且支持該螢光體層；螢光體層形成步驟，將該螢光體層堆疊於該支持層。
本發明之第2實施態樣的螢光體基板的製造方法，係前述螢光體基板的製造方法，其中，在該螢光體層形成步驟中，以該螢光體層的厚度比該支持層的厚度更薄的方式，將該螢光體層堆疊於該支持層。
本發明之第3實施態樣的螢光體基板的製造方法，係前述螢光體基板的製造方法，其中，該支持層形成步驟，形成含有白色顏料的單層構造層，作為該支持層。
本發明之第4實施態樣的螢光體基板的製造方法，係前述螢光體基板的製造方法，其中，該支持層形成步驟，更在該電路圖案層中的該至少1個發光元件所接合的部分以外的部分也形成該支持層。
本發明之第5實施態樣的螢光體基板的製造方法，係前述螢光體基板的製造方法，其中，該支持層形成步驟，於該絕緣基板的一面形成不含白色顏料的基層，接著將與該螢光體層鄰接並含有該白色顏料的鄰接層堆疊於該基層。
本發明之第6實施態樣的螢光體基板的製造方法，係前述螢光體基板的製造方法，其中，該支持層形成步驟，將該鄰接層的厚度形成得比該基層的厚度更薄。
本發明之第7實施態樣的螢光體基板的製造方法，係前述螢光體基板的製造方法，其中，該支持層形成步驟，更在該電路圖案層中的該至少1個發光元件所接合的部分以外的部分也形成該鄰接層。
本發明之第8實施態樣的螢光體基板的製造方法，係前述螢光體基板的製造方法，其中，該螢光體，係由複數個螢光體粒子所構成；該白色顏料，係由複數個白色粒子所構成；該複數個螢光體粒子的利用雷射繞射散射法所測定到的體積基準的中位粒徑D 50（亦即D1 50），與該複數個白色粒子的利用雷射繞射散射法所測定到的體積基準的中位粒徑D 50（亦即D2 50），具有下述（式2）的關係：（式2）0.8≦D2 50／D1 50≦1.2。
本發明之第9實施態樣的螢光體基板的製造方法，係前述螢光體基板的製造方法，其中，該支持層形成步驟與該螢光體層形成步驟，以堆疊於該支持層的該螢光體層的外表面比該電路圖案層的外表面位於該絕緣基板的厚度方向的更外側的方式，分別形成該支持層與該螢光體層。
本發明之第10實施態樣的螢光體基板的製造方法，係前述螢光體基板的製造方法，其中，該至少1個發光元件，為複數個發光元件。
本發明之第1實施態樣的發光基板的製造方法，包含：該螢光體基板的製造方法；以及接合步驟，其將該至少1個發光元件接合於該電路圖案層。
本發明之第2實施態樣的發光基板的製造方法，如前述發光基板的製造方法，其中，該接合步驟，在該螢光體層形成步驟之後實行。
≪概要≫ 針對作為本發明之一例的第1～第5實施態樣，依照其記載順序，進行說明。然後，針對該等實施態樣之變化實施例，進行說明。另外，在以下之說明所參照的所有圖式中，會對相同的構成要件附上相同的符號，並省略適當說明。
≪第1實施態樣≫ 以下，針對第1實施態樣，一邊參照圖1A～圖5，一邊進行說明。首先，針對本實施態樣之發光基板10的構造以及功能，一邊參照圖1A～圖1C，一邊進行說明。接著，針對本實施態樣之發光基板10的製造方法，一邊參照圖3A～圖3E，一邊進行說明。接著，針對本實施態樣之發光基板10的發光動作，一邊參照圖4，一邊進行說明。 接著，針對本實施態樣之功效，一邊參照圖4、圖5等，一邊進行說明。另外，本實施態樣之螢光體基板30，為本實施態樣之發光基板10的構成要件，故會在本實施態樣之發光基板10的構造以及功能的說明之中，進行說明。
＜第1實施態樣之發光基板的構造以及功能＞ 圖1A係本實施態樣之發光基板10的俯視圖（從表面31A側觀察的圖式），圖1B係本實施態樣之發光基板10的仰視圖（從背面33A側觀察的圖式）。圖1C，係圖1A的1C－1C切斷線所切斷之發光基板10的部分剖面圖。本實施態樣之發光基板10，從表面31A側以及背面33A側觀察，例如為矩形。另外，本實施態樣之發光基板10，具備：複數個發光元件20、螢光體基板30、連接器、驅動IC（integrated circuit，積體電路）等電子零件（圖式省略）。亦即，本實施態樣之發光基板10，係於螢光體基板30搭載了複數個發光元件20以及上述電子零件者。本實施態樣之發光基板10，具有「若透過連接器從外部電源（圖式省略）供電，便會發光」的功能。因此，本實施態樣之發光基板10，例如，係用來作為照明裝置（圖式省略）等之中的主要光學零件。
另外，雖在之後的說明中會詳細進行說明，惟本實施態樣之螢光體基板30以及發光基板10的基本構造，分別如以下所述。
・本實施態樣之螢光體基板的基本構造 本實施態樣之螢光體基板30，係搭載了至少1個發光元件20的螢光體基板30，其特徵為包含：絕緣層32（絕緣基板的一例）；電路圖案層34，其配置於絕緣層32的表面31（一面的一例），並與至少1個發光元件20接合；螢光體層36，其配置於絕緣層32的表面31側，且包含以至少1個發光元件20的發光為激發光時的發光峰值波長在可見光範圍內的螢光體；以及支持層35，其配置在絕緣層32與螢光體層36之間，且為並未包含該螢光體在內的膜層，並支持螢光體層36。
・本實施態樣之發光基板的基本構造 另外，本實施態樣之發光基板10，包含：具有前述基本構造的螢光體基板30；以及至少1個發光元件20。
〔複數個發光元件〕 複數個發光元件20，各自為例如組裝了覆晶LED（light-emitting diode，發光二極體）22（以下稱為LED22）的CSP（chip scale package，晶片級封裝）（參照圖1C）。複數個發光元件20，如圖1A所示的，在遍及螢光體基板30的表面31A側的全部規則地並排的狀態下，搭載於螢光體基板30。各發光元件20所發出之光線的相關色溫，例如為3018K。另外，在本實施態樣中，藉由使用散熱器（圖式省略）或冷卻風扇（圖式省略），在複數個發光元件20的發光動作時實行散熱（冷卻），以將螢光體基板30例如從常溫收斂到50℃～100℃。另外，LED22的接合位準JL，設定在比螢光體層36的表面的位準更高的位置。在此，補充說明在本說明書中數值範圍所使用之「～」的定義，例如「50℃～100℃」，係指「50℃以上100℃以下」的意思。亦即，在本說明書中數值範圍所使用之「～」，係指「『～』之前的記載部分以上且『～』之後的記載部分以下」的意思。
〔螢光體基板〕 圖2A，係本實施態樣之螢光體基板30的圖式，其係將支持層35以及螢光體層36省略並圖示之的俯視圖（從表面31A側觀察的圖式）。圖2B，係本實施態樣之螢光體基板30的俯視圖（從表面31A側觀察的圖式）。另外，本實施態樣之螢光體基板30的仰視圖，與從背面33A側觀察發光基板10的圖式相同。另外，本實施態樣之螢光體基板30的部分剖面圖，與從圖1C的部分剖面圖將發光元件20除去時的圖式相同。亦即，本實施態樣之螢光體基板30，從表面31A側以及背面33A側觀察，例如為矩形。另外，雖於圖2A圖示出後述複數個電極對34A以及複數個電極對34A以外之部分（亦即配線部分34B）的範圍，惟實際上，兩者係形成於同一平面（外表面），故在如圖2A之將支持層35以及螢光體層36除去的圖式中，兩者的界線並不存在。然而，圖2A，為了將兩者的位置關係明確化，於便宜作法上，係繪示為置入了複數個電極對34A以及配線部分34B的符號的圖式。
本實施態樣之螢光體基板30，具備：絕緣層32、電路圖案層34、支持層35、螢光體層36，以及背面圖案層38（參照圖1B、圖1C、圖2A以及圖2B）。在圖2A中支持層35以及螢光體層36雖省略，惟螢光體層36，如圖2B所示的，例如配置於絕緣層32的表面31側。具體而言，螢光體層36，如圖1C所示的，例如，配置成覆蓋支持層35的絕緣層32的相反側的面以及電路圖案層34的後述複數個電極對34A以外的部分。另外，支持層35，配置於絕緣層32的表面31之中的配置了電路圖案層34的部分以外的部分，且配置於絕緣層32與螢光體層36之間（參照圖1C以及圖3E）。
另外，於螢光體基板30，如圖1B以及圖2A所示的，在四個角附近的4個部位以及中央附近的2個部位的合計6個部位，形成了貫通孔39。6個部位的貫通孔39，在螢光體基板30以及發光基板10的製造時係用來作為定位孔。另外，6個部位的貫通孔39，係用來作為確保傳導至（發光）燈具殼體的散熱功效（防止基板翹曲以及浮起）的安裝用螺栓孔。另外，本實施態樣之螢光體基板30，如後所述的，係對在絕緣板的兩面設置了銅箔層的兩面板（以下稱為母板MB，參照圖3A）進行蝕刻等加工所製得者。作為該母板MB的一例，可列舉出利昌工業股份有限公司製的CS－3305A。
〈絕緣層〉 以下，針對本實施態樣之絕緣層32的主要特徵進行說明。形狀，如前所述的，例如從表面31側以及背面33側觀察為矩形。材質，例如為包含雙馬來醯亞胺樹脂以及玻璃布在內的絕緣材質。厚度，例如為100μm。縱方向以及橫方向的熱膨脹係數（CTE，coefficient of thermal expansion），各自例如在50℃～100℃的範圍內為10ppm／℃以下。另外，若從另一觀點來看，縱方向以及橫方向的熱膨脹係數（CTE），各自例如為6ppm／K。該數值，與本實施態樣之發光元件20的情況大致相等（90％～110％，亦即±10％以內）。玻璃轉移溫度，例如，比300℃更高。儲存彈性係數，例如，在100℃～300℃的範圍內，比1.0×10 10Pa更大，比1.0×10 11Pa更小。縱方向以及橫方向的彎曲彈性係數，例如，各自在常態下為35GPa以及34GPa。縱方向以及橫方向的熱彎曲彈性係數，例如，在250℃時為19GPa。吸水率，例如，在23℃的溫度環境下放置24小時為0.13％。相對介電常數，例如，在1MHz常態下，為4.6。介質損耗因數，例如，在1MHz常態下，為0.010。
〈電路圖案層〉 本實施態樣之電路圖案層34，係設置於絕緣層32的表面31的金屬層，例如為銅箔層（Cu製的膜層），與連接器（圖式省略）所接合之端子37導通。然後，電路圖案層34，將透過連接器從外部電源（圖式省略）所供給之電力，在構成發光基板10的狀態下，供給到複數個發光元件20。因此，電路圖案層34的一部分，成為複數個發光元件20所各自接合的複數個電極對34A。亦即，電路圖案層34，配置於絕緣層32的表面31，並與各發光元件20連接。另外，若從另一觀點來看，電路圖案層34，配置於絕緣層32的表面31，並以各電極對34A的外表面（亦即接合面34A1）與各發光元件20連接。
另外，如前所述的，複數個發光元件20遍及絕緣層32的表面31側的全部規則地並排（參照圖1A），故複數個電極對34A亦遍及表面31側的全部規則地並排（參照圖2A）。在此，在本說明書中，係將電路圖案層34中的複數個電極對34A以外的部分稱為配線部分34B。另外，將配線部分34B的外表面稱為非接合面34B1（電路圖案層34的外表面中的接合面34A1以外的部分）。非接合面34B1，係電路圖案層34中的與所有的發光元件20接合的部分以外的部分。另外，從表面31側觀察，相對於絕緣層32的表面31，電路圖案層34所占的比例（電路圖案層34的專有面積），例如，在絕緣層32的表面31的60％以上（參照圖2A）。另外，在本實施態樣中，電路圖案層34的厚度例如為175μm。然而，在各圖中，電路圖案層34的厚度、絕緣層32的厚度、螢光體層36的厚度等的關係並非如其尺寸所示者。
〈支持層〉 本實施態樣之支持層35，如前所述的，配置於絕緣層32的表面31中的配置了電路圖案層34的部分以外的部分，且支持螢光體層36的一部分（參照圖1C以及圖3E）。在此，支持層35所支持之螢光體層36的一部分，係指「螢光體層36之中的配置於電路圖案層34的外表面的部分以外的部分」的意思。另外，如圖1C、圖3E等所示的，支持層35的厚度，例如，係設定成與電路圖案層34的厚度相同，惟不限於此，亦可設定成較薄，相反地亦可設定成較厚。
本實施態樣之支持層35，與後述螢光體層36相異，不含螢光體（複數個螢光體粒子的集合體），例如，含有白色顏料（複數個白色粒子的集合體）與黏結劑，為複數個白色粒子分散於該黏結劑的絕緣層。另外，本實施態樣之支持層35，例如，為單層構造。在此，複數個白色粒子，例如為氧化鈦，亦可為氧化鈣等其他白色粒子。另外，黏結劑，例如，為環氧類、丙烯酸酯類、矽酮類等的黏結劑，只要是具有與阻銲劑所包含之黏結劑相等的絕緣性者即可。另外，如前所述的，支持層35，配置在絕緣層32與螢光體層36之間（參照圖1C、圖3E等）。另外，關於支持層35含有白色顏料的技術上的意義，會在後述第1實施態樣的功效的說明之中，進行說明。
〈螢光體層〉 本實施態樣之螢光體層36，如圖2B以及圖3E所示的，例如，配置於支持層35的絕緣層32的相反側的面（圖式上側的面），以及，電路圖案層34中的非接合面34B1。若從另一觀點來看，螢光體層36，係以留下電路圖案層34的電極對34A，並覆蓋絕緣層32的表面31側的方式配置。在本實施態樣中，從表面31側觀察，相對於絕緣層32的表面31，螢光體層36所占的比例，例如，相對於絕緣層32的表面31的面積在80％以上。另外，螢光體層36中的絕緣層32的厚度方向的外側的面（外表面），比電路圖案層34中的絕緣層32的厚度方向的外側的面（外表面），位於該厚度方向的更外側（參照圖1C以及圖3E）。另外，螢光體層36中的配置於支持層35的部分的外表面以及配置於電路圖案層34的部分的外表面，例如，位於同一高度，亦即位於絕緣層32的厚度方向上的同一位置（參照圖3E）。
本實施態樣之螢光體層36，例如，包含後述的螢光體（複數個螢光體粒子的集合體）與黏結劑，為複數個螢光體粒子分散於該黏結劑的絕緣層。螢光體層36所包含之螢光體，具有以各發光元件20的發光為激發光而被激發的性質。具體而言，本實施態樣之螢光體，具有以發光元件20的發光為激發光時的發光峰值波長在可見光範圍內的性質。另外，該黏結劑，例如，為環氧類、丙烯酸酯類、矽酮類等的黏結劑，只要是具有與阻銲劑所包含之黏結劑相等的絕緣性者即可。
在此，在本說明書中，係將螢光體層36所包含之複數個螢光體粒子的利用雷射繞射散射法所測定到的體積基準的中位粒徑（D 50）記載為D1 50。另外，將前述支持層35所包含之複數個白色粒子的利用雷射繞射散射法所測定到的體積基準的中位粒徑（D 50）記載為D2 50。如是，在本實施態樣之螢光體基板30中，D1 50與D2 50，例如，具有下述的（式1）的關係。 （式1）0.8≦D2 50／D1 50≦1.2 亦即，在本實施態樣中，係設定成構成白色顏料的複數個白色粒子的中位粒徑（D 50）相對於構成螢光體的複數個螢光體粒子的中位粒徑（D 50）在80％以上且120％以下的範圍內。
（螢光體的具體例） 在此，本實施態樣之螢光體層36所包含的螢光體，例如，係從含有Eu的α型矽鋁氮氧化物螢光體、含有Eu的β型矽鋁氮氧化物螢光體、含有Eu的CASN（CaAlSiN 3:Eu 2 ＋）螢光體以及含有Eu的SCASN [（Sr,Ca）AlSiN 3:Eu 2 ＋] 螢光體構成之群組所選出的至少1種螢光體。另外，前述螢光體，為本實施態樣中的一例，亦可為前述螢光體以外的螢光體，例如YAG（Y 3Al 5O 12:Ce 3 ＋）、LuAG（Lu 3Al 5O 12:Ce 3 ＋）、BOS [ （Ba,Sr） 2SiO 4:Eu 2 ＋] 等其他可見光激發螢光體。
含有Eu的α型矽鋁氮氧化物螢光體，以一般式：M xEu ySi 12 －（ m ＋ n ）Al （ m ＋ n ）O nN 16 － n表示之。上述一般式中，M為從Li、Mg、Ca、Y以及鑭系元素（其中，La與Ce除外）構成之群組所選出的至少包含Ca在內的1種以上的元素，當M的價數為a時，ax＋2y＝m，x為0＜x≦1.5，0.3≦m＜4.5，0＜n＜2.25。
含有Eu的β型矽鋁氮氧化物螢光體，為「將二價的銪（Eu 2 ＋）固溶於以一般式：Si 6 － zAl zO zN 8 － z（z＝0.005～1）表示的β型矽鋁氮氧化物中，以作為發光中心」的螢光體。
另外，關於氮化物螢光體，可列舉出含有Eu的CASN螢光體、含有Eu的SCASN螢光體等。
含有Eu的CASN螢光體，例如，為「以式CaAlSiN 3:Eu 2 ＋表示之，以Eu 2 ＋為活化劑，以由鹼土類矽氮化物所構成之結晶為母體」的紅色螢光體。另外，在本說明書中的含有Eu的CASN螢光體的定義中，係排除了含有Eu的SCASN螢光體。
含有Eu的SCASN螢光體，例如，為「以式（Sr,Ca）AlSiN 3:Eu 2 ＋表示之，以Eu 2 ＋為活化劑，以由鹼土類矽氮化物構成之結晶為母體」的紅色螢光體。
〈背面圖案層〉 本實施態樣之背面圖案層38，係設置於絕緣層32的背面33的金屬層，例如為銅箔層（Cu製的膜層）。背面圖案層38，如圖1B所示的，為「沿著絕緣層32的長邊方向直線狀並排的複數個矩形部分的列，沿著短邊方向並排複數列」的膜層。另外，相鄰的2列之間，係以在長邊方向上將位相錯開的狀態配置之。另外，背面圖案層38，例如，為獨立浮動層。另外，背面圖案層38，例如，從絕緣層32的厚度方向觀察，與配置於表面31的電路圖案層34的80％以上的區域重疊。
以上，為關於本實施態樣之發光基板10以及螢光體基板30的構造的說明。
＜第1實施態樣之發光基板的製造方法＞ 接著，針對本實施態樣之發光基板10的製造方法，一邊參照圖3A～圖3E，一邊進行說明。本實施態樣之發光基板10的製造方法，包含第1步驟、第2步驟、第3步驟、第4步驟以及第5步驟，各步驟依照其記載順序實行之。
另外，雖在之後的說明中會詳細進行說明，惟本實施態樣之螢光體基板30的製造方法以及發光基板10的製造方法的基本構成，分別如以下所述。
・螢光體基板之製造方法的基本構成 本實施態樣之螢光體基板30的製造方法，包含：第1步驟（電路圖案層形成步驟），其於絕緣層32（絕緣基板的一例）的表面31（一面的一例），形成與至少1個發光元件20接合的電路圖案層34；第3步驟（螢光體層形成步驟），其於絕緣層32的表面31側，形成螢光體層36，該螢光體層36包含螢光體，該螢光體的以至少1個發光元件20的發光為激發光時的發光峰值波長在可見光範圍內；以及第2步驟（支持層形成步驟），其在絕緣層32與螢光體層36之間，形成不包含該螢光體且支持螢光體層36的支持層35；螢光體層形成步驟，於支持層35堆疊螢光體層36。
・發光基板之製造方法的基本構成 本實施態樣之發光基板10的製造方法，包含：前述本實施態樣之螢光體基板30的製造方法；以及第5步驟（接合步驟），其將至少1個發光元件20接合於電路圖案層34。
〔第1步驟〕 圖3A，係表示第1步驟的開始時以及結束時的圖式。第1步驟（電路圖案層形成步驟的一例），係「於母板MB（亦即絕緣層32）的表面31側形成電路圖案層34，並於背面33側形成背面圖案層38」的步驟。本步驟，例如係使用遮罩圖案（圖式省略）進行蝕刻而實行之。
〔第2步驟〕 圖3B，係表示第2步驟的開始時以及結束時的圖式。第2步驟（支持層形成步驟的一例），係「在絕緣層32與第3步驟所形成的螢光體層36之間形成支持層35，其不包含螢光體且支持第3步驟所形成的螢光體層36」的步驟。在本步驟中，對絕緣層32的表面31中的配置了電路圖案層34的部分以外的部分塗布白色塗料（圖式省略），以形成支持層35。在此，白色塗料，係在構成支持層35的白色顏料（複數個白色粒子的集合體）以及黏結劑中加入了溶劑的塗料，所塗布之白色塗料層在硬化後會成為支持層35。其結果，在本步驟結束之後，便形成了含有白色顏料的單層構造層作為支持層35。另外，在本步驟中，係以「硬化後的白色塗料層的厚度，亦即支持層35的厚度，比電路圖案層34的厚度更薄」的方式，塗布白色塗料。另外，本步驟所形成之支持層35，可在絕緣層32的厚度方向上塗布1次白色塗料而形成之，亦可塗布複數次而形成之。
〔第3步驟〕 圖3C，係表示第3步驟的開始時以及結束時的圖式。第3步驟（螢光體層形成步驟的一例），係「於絕緣層32的表面31側，塗布螢光體塗料（圖式省略），以形成螢光體層36」的步驟。具體而言，在本步驟中，係於第2步驟所形成之支持層35的外表面以及電路圖案層34的外表面塗布螢光體塗料。亦即，在本步驟中，係於支持層35堆疊螢光體層36的一部分。另外，在本步驟中，螢光體層36係形成於支持層35的外表面以及電路圖案層34的外表面，惟螢光體層36，例如，係以其外表面平坦的方式形成。另外，在本步驟中，係以「螢光體層36中的配置於支持層35的外表面的部分的厚度，比支持層35的厚度更薄」的方式，形成螢光體層36。
〔第4步驟〕 圖3D，係表示第4步驟的開始時以及結束時的圖式。第4步驟，係「將螢光體層36的一部分除去，令電路圖案層34的所有的接合面34A1露出」的步驟。在此，當螢光體塗料的黏結劑例如為熱硬化性樹脂時，係在利用加熱令螢光體塗料硬化之後，用2維雷射加工裝置（圖式省略）對螢光體層36中的各接合面34A1上的部分選擇性地照射雷射光。其結果，螢光體層36中的各接合面34A1上的部分被剝離，各接合面34A1露出。以上所述之結果，可製造出本實施態樣之螢光體基板30。另外，本步驟，除了上述的方法之外，例如，亦可利用以下的方法實行之。當螢光體塗料的黏結劑例如為UV（ultraviolet，紫外線）硬化性樹脂（感光性樹脂）時，係將遮罩圖案覆蓋於與各接合面34A1重疊的部分（塗料開口部），並以UV光進行曝光，令該遮罩圖案以外的部分因為UV光而硬化，然後利用樹脂除去液將非曝光部（未硬化部）去除，以令各接合面34A1露出。之後，一般而言，會加熱以實行後硬化（after cure）步驟（照相顯影法）。另外，亦可取代第3步驟以及第4步驟，而使用預先設定了開口部的網版遮罩（圖式省略）並利用網版印刷形成螢光體層36（網版印刷法）。此時，只要堵住網版遮罩中的與接合面34A1重疊的部分的螢光體塗料開口部即可。在本步驟結束之後，便製造出螢光體基板30。
〔第5步驟〕 圖3E，係表示第5步驟的開始時以及結束時的圖式。第5步驟（接合步驟的一例），係將複數個發光元件20搭載於螢光體基板30的步驟。本步驟，係將銲錫膏SP印刷於螢光體基板30的螢光體層36被除去成凹狀而露出的各接合面34A1，並在令複數個發光元件20的各電極對齊於各接合面34A1的狀態下，將銲錫膏SP熔解。之後，令銲錫膏SP冷卻固化，各發光元件20便接合於各電極對34A（各接合面34A1）。另外，本步驟，例如，利用迴銲步驟而實行之。在本步驟結束之後，便製造出發光基板10。
以上，係關於本實施態樣之發光基板10的製造方法的說明。
＜第1實施態樣之發光基板的發光動作＞ 接著，針對本實施態樣之發光基板10的發光動作，一邊參照圖4，一邊進行說明。在此，圖4，係用以說明本實施態樣之發光基板10的發光動作的圖式。
首先，在令複數個發光元件20作動的作動開關（圖式省略）導通（ON）之後，開始透過連接器（圖式省略）從外部電源（圖式省略）對電路圖案層34供電，複數個發光元件20便放射狀地發散射出光線L，該光線L的一部分到達螢光體基板30的表面31A。更具體而言，發光元件20的LED22的發光，係在LED22的接合位準JL（亦即PN接合面）（參照圖1C）。以下，區分射出之光線L的行進方向並針對光線L的移動進行說明。
各發光元件20所射出之光線L的一部分，並未射入螢光體層36而係射出到外部。此時，光線L的波長，仍與從各發光元件20射出時的光線L的波長相同。
另外，各發光元件20所射出之光線L的一部分之中的LED22自身的光線，射入螢光體層36。在此，前述的「光線L的一部分之中的LED22自身的光線」，係指所射出的光線L之中的並未因為各發光元件20（CSP自身）的螢光體而轉換顏色的光線，亦即，LED22自身的光線 [ 例如藍色（波長在470nm附近）的光線 ] 。然後，在LED22自身的光線L碰到分散於螢光體層36的螢光體之後，螢光體被激發而發出激發光。在此，螢光體被激發的理由，乃是因為分散於螢光體層36的螢光體，係使用對藍色的光線具有激發峰值的螢光體（可見光激發螢光體）的關係。伴隨於此，光線L的能量的一部分使用於螢光體的激發，因此光線L喪失一部分能量。其結果，光線L的波長便被轉換（波長轉換）。例如，根據螢光體層36的螢光體的種類（例如當螢光體使用紅色系CASN時），光線L的波長會變長（例如650nm等）。
另外，螢光體層36的激發光雖存在原態地從螢光體層36射出的部分，惟一部分的激發光會射向下側的電路圖案層34，另外，一部分的激發光會射向下側的支持層35。然後，射向電路圖案層34的激發光，會被電路圖案層34反射而射出到外部。如以上所述的，當螢光體的激發光的波長在600nm以上時，電路圖案層34即便為Cu，仍可期望反射效果。另外，根據螢光體層36的螢光體的種類，光線L的波長雖會與前述的例子不同，惟無論為何等情況，光線L的波長均會被轉換。例如，當激發光的波長小於600nm時，若電路圖案層34或其表面例如為Ag（鍍金），便可期望反射效果。相對於此，射向支持層35的激發光，會被支持層35的白色顏料反射而射出到外部。此時，便可提高可見光的全波長範圍內的反射效果。
如以上所述的，各發光元件20所射出之光線L（各發光元件20放射狀地射出之光線L），分別經由如上所述的複數條光學路徑與上述激發光一起照射到外部。因此，當螢光體層36所包含之螢光體的發光波長，與發光元件20（CSP）中的封裝（或覆蓋）LED22的螢光體的發光波長相異時，本實施態樣之發光基板10，會令各發光元件20射出時的光線L的光束，成為包含與各發光元件20射出時的光線L的波長相異的波長的光線L在內的光線L的光束，而與上述激發光一起照射出去。例如，本實施態樣之發光基板10，係照射發光元件20射出之光線（波長）與螢光體層36射出之光線（波長）的合成光。
相對於此，當螢光體層36所包含之螢光體的發光波長，與發光元件20（CSP）中的封裝（或覆蓋）LED22的螢光體的發光波長相同時（同一相關色溫時），本實施態樣之發光基板10，會令各發光元件20射出時的光線L的光束，成為包含與各發光元件20射出時的光線L的波長相同的波長的光線L在內的光線L的光束，而與上述激發光一起照射出去。
以上，係關於本實施態樣之發光基板10的發光動作的說明。
＜第1實施態樣之功效＞ 接著，針對本實施態樣之功效，一邊參照圖式，一邊進行說明。
〔第1功效〕 針對第1功效，將本實施態樣與以下所說明之比較態樣（參照圖5）作比較並進行說明。在此，在比較態樣的說明中，當使用與本實施態樣相同的構成要件等時，會對該構成要件等使用與本實施態樣相同的名稱、符號等。圖5，係用以說明比較態樣之發光基板10a的發光動作的圖式。比較態樣之發光基板10a（搭載複數個發光元件20的基板30a），除了並未具備螢光體層36此點以外，與本實施態樣之發光基板10（螢光體基板30）為相同構造。
當為比較態樣之發光基板10a時，從各發光元件20射出並射入基板30a的表面31A的光線L，其波長並未被轉換，而是被反射或散射。因此，當為比較態樣之基板30a時，並無法調整成「當搭載了發光元件20時，與發光元件20所發出之光線相異的發光顏色」的光線。亦即，當為比較態樣的發光基板10a時，並無法調整成與發光元件20所發出之光線相異的發光顏色的光線。
相對於此，當為本實施態樣時，從絕緣層32的厚度方向觀察，在絕緣層32的表面31側，且在與各發光元件20的各接合面34A1的周圍，配置了螢光體層36。因此，從各發光元件20放射狀射出之光線L的一部分，射入螢光體層36，被螢光體層36轉換波長，並照射到外部。此時，從各發光元件20放射狀射出之光線L的一部分，射入螢光體層36，激發螢光體層36所包含之螢光體，而產生激發光。
因此，若根據本實施態樣之螢光體基板30，當搭載了發光元件20時，可將螢光體基板30所發出之光線L調整成與發光元件20所發出之光線L相異的發光顏色的光線。伴隨於此，若根據本實施態樣之發光基板10，便可將螢光體基板30所發出之光線L，調整成與發光元件20所發出之光線L相異的發光顏色的光線L。從另一觀點來看，若根據本實施態樣之發光基板10，便可對外部照射與發光元件20所發出之光線L相異的發光顏色的光線L。
〔第2功效〕 針對第2功效，將本實施態樣與比較態樣（參照圖5）作比較並進行說明。當為比較態樣時，如圖5所示的，因為各發光元件20的配置間隔，照射到外部的光線L會發生光斑。在此，光線L的光斑越大，眩光越大。相對於此，本實施態樣之螢光體基板30的表面31A側，如圖2B所示的，於各接合面34A1以外的部分，全面設置螢光體層36。因此，在本實施態樣之發光基板10中，從各接合面34A1的周圍（各發光元件20的周圍）也會產生激發光。因此，若根據本實施態樣，相較於比較態樣，更可縮小眩光。另外，本功效，在螢光體層36以遍及絕緣層32全面的方式設置時，具體而言，在「從表面31側觀察，相對於絕緣層32的表面31，螢光體層36所占比例在表面31的80％以上」時，更加顯著。
〔第3功效〕 當為本實施態樣時，螢光體層36的一部分被支持層35所支持（參照圖1C以及圖3E）。在此，由於構成支持層35的白色顏料比構成螢光體層36的螢光體更低廉，故用以形成支持層35的白色塗料比螢光體塗料更低廉。因此，本實施態樣之螢光體基板30，比支持層35由螢光體層36所形成的態樣，更低廉。伴隨於此，本實施態樣之螢光體基板30的製造方法，相較於支持層35由螢光體層36所形成之螢光體基板的製造方法，螢光體基板30的製造成本更低廉。另外，當為本實施態樣之發光基板10時，考慮到複數個LED22發光時的發熱以及被激發之螢光體層36的發熱的影響，例如，會將電路圖案層34的厚度設定成比通常的電路基板更厚（例如175μm）。因此，當為本實施態樣時，係將螢光體層36的外表面設定成比電路圖案層34的外表面更靠絕緣層32的厚度方向的外側。本功效，在如本實施態樣之以上所述的構造時，更為顯著。
〔第4功效〕 另外，當為本實施態樣時，如前所述的，螢光體層36的厚度比支持層35的厚度更薄。因此，本實施態樣之螢光體基板30，比螢光體層36的厚度在支持層35的厚度以下的態樣，更低廉。伴隨於此，本實施態樣之螢光體基板30的製造方法，相較於螢光體層36的厚度在支持層35的厚度以下的螢光體基板的製造方法，螢光體基板30的製造成本更低廉。
〔第5功效〕 當為本實施態樣時，如前所述的，支持層35含有白色顏料。因此，若根據本實施態樣，便可提高成為可見光的激發光其全波長範圍的反射效果。
〔第6功效〕 當為本實施態樣時，D1 50與D2 50，具有下述（式1）的關係。 （式1）0.8≦D2 50／D1 50≦1.2 根據以上的構造，各層的微粒子（複數個螢光體粒子以及複數個白色粒子）的中位粒徑的差設定成比較小。因此，在本實施態樣之螢光體基板30中，支持層35與螢光體層36的熱膨脹係數（CTE）的差較小，其結果，便可減低於該等膜層的界面所產生的應力。
以上，係關於本實施態樣之功效的說明。另外，以上，係關於第1實施態樣的說明。
≪第2實施態樣≫ 接著，針對第2實施態樣，一邊參照圖6以及圖7A～圖7D，一邊進行說明。以下，僅針對本實施態樣中的與第1實施態樣（參照圖1C、圖3A～圖3E等）相異的部分，進行說明。
＜第2實施態樣的構造＞ 本實施態樣之螢光體基板30A（參照圖6），相對於第1實施態樣之螢光體基板30（參照圖1C），在「支持層35亦配置於電路圖案層34的非接合面34B1」此點，有所不同。另外，支持層35，雖形成於絕緣層32的表面31的一部分以及電路圖案層34的非接合面34B1，惟其外表面平坦。
＜第2實施態樣之螢光體基板的製造方法＞ 接著，針對本實施態樣之螢光體基板30A的製造方法，一邊參照圖7A～圖7D，一邊進行說明。本實施態樣之發光基板10A的製造方法，包含：第1步驟、第2步驟、第3步驟、第4步驟以及第5步驟，各步驟依照其記載順序實行之。
〔第1步驟〕 本步驟，與第1實施態樣者相同（援用圖3A）。
〔第2步驟〕 圖7A，係表示第2步驟的開始時以及結束時的圖式。第2步驟（支持層形成步驟的一例），係「在絕緣層32與第3步驟所形成的螢光體層36之間，形成不含螢光體且支持第3步驟所形成之螢光體層36的支持層35」的步驟。在本步驟中，係以「於絕緣層32的表面31中的配置了電路圖案層34的部分以外的部分以及電路圖案層34的外表面的全部區域塗布白色塗料（圖式省略，與第1實施態樣者相同），且外表面的全部區域均平坦」的方式，形成支持層35。在本步驟結束之後，便形成了含有白色顏料的單層構造層作為支持層35。
〔第3步驟〕 圖7B，係表示第3步驟的開始時以及結束時的圖式。第3步驟（螢光體層形成步驟的一例），係「於絕緣層32的表面31側，塗布螢光體塗料（圖式省略），形成螢光體層36」的步驟。具體而言，在本步驟中，係於第2步驟所形成之支持層35的外表面塗布螢光體塗料。
〔第4步驟〕 圖7C，係表示第4步驟的開始時以及結束時的圖式。第4步驟，係「將螢光體層36的一部分以及支持層35的一部分除去，以令電路圖案層34的所有的接合面34A1露出」的步驟。露出接合面34A1的步驟，係在與第1實施態樣相同的步驟中，適當選擇雷射光照射除去法、照相印刷法、網版印刷法等方法而實行之。在本步驟結束之後，便製造出螢光體基板30A。
〔第5步驟〕 圖7D，係表示第5步驟的開始時以及結束時的圖式。第5步驟（接合步驟的一例），係將複數個發光元件20搭載於螢光體基板30的步驟。該步驟，與第1實施態樣的圖3E所說明之步驟同樣，利用迴銲處理，將銲錫膏SP印刷於各接合面34A1，並將複數個發光元件20搭載、接合於各接合面34A1。在本步驟結束之後，便製造出發光基板10A。
以上，係關於本實施態樣之發光基板10A的製造方法的說明。
＜第2實施態樣之發光基板的發光動作＞ 接著，針對本實施態樣之發光基板10A的發光動作進行說明。本實施態樣之發光基板10A的發光動作，基本上與第1實施態樣者相同。然而，本實施態樣之發光基板10A，與第1實施態樣者相異，其電路圖案層34中的非接合面34B1被支持層35所被覆。因此，螢光體層36的激發光之中的射向電路圖案層34的激發光，被支持層35所反射。
以上，係關於本實施態樣之發光基板10A的發光動作的說明。
＜第2實施態樣之功效＞ 當為本實施態樣時，與為第1實施態樣時相異，螢光體層36的全部區域被含有白色顏料的支持層35所支持。因此，若根據本實施態樣，便可在螢光體層36的全部區域中，提高成為可見光的激發光其全波長範圍的反射效果。本實施態樣之其他功效，與為第1實施態樣時相同。
以上，係關於本實施態樣之功效的說明。另外，以上係關於第2實施態樣的說明。
≪第3實施態樣≫ 接著，針對第3實施態樣，一邊參照圖8以及圖9A～圖9E，一邊進行說明。以下，僅針對本實施態樣中的與第2實施態樣（參照圖6等）相異的部分，進行說明。
＜第3實施態樣之構造＞ 本實施態樣之螢光體基板30B（參照圖8），相對於第2實施態樣之螢光體基板30A（參照圖6），在支持層35B為多層構造此點，有所不同。具體而言，本實施態樣之支持層35B，係由第1層35B1（基層的一例）與第2層35B2（鄰接層的一例）所構成。第1層35B1，配置於絕緣層32的表面31中的形成了電路圖案層34的部分以外的部分。然後，第1層35B1的厚度，比電路圖案層34的厚度更薄。第2層35B2，配置於第1層35B1以及電路圖案層34的非接合面34B1。在此，第1層35B1，係不含白色顏料的膜層，例如係從第1實施態樣以及第2實施態樣的支持層35將白色顏料除去的膜層。另外，第2層35B2，其一部分配置在第1層35B1與螢光體層36之間，剩下的另一部分配置在電路圖案層34與螢光體層36之間。亦即，第2層35B2，係與螢光體層36鄰接的膜層。第2層35B2，係含有白色顏料的膜層，例如與第1實施態樣以及第2實施態樣的支持層35為相同材質。第2層35B2的厚度，例如比第1層35B1的厚度更薄。根據以上的構造，第1層35B1，係配置在絕緣層32與第2層35B2之間。另外，本實施態樣之支持層35B的厚度，例如比螢光體層36的厚度更薄。
＜第3實施態樣之螢光體基板的製造方法＞ 接著，針對本實施態樣之螢光體基板30B的製造方法，一邊參照圖9A～圖9E，一邊進行說明。本實施態樣之發光基板10B的製造方法，包含：第1步驟、第2步驟、第3步驟、第4步驟以及第5步驟，各步驟依照其記載順序實行之。
〔第1步驟〕 本步驟，與第1實施態樣者相同（援用圖3A）。
〔第2步驟〕 圖9A係表示第2步驟的開始時以及前半的結束時的圖式，圖9B係表示第2步驟的前半的結束時（後半的開始時）以及後半的結束時（結束時）的圖式。第2步驟（支持層形成步驟的一例），係在絕緣層32與第3步驟所形成的螢光體層36之間，形成支持層35B（第1層35B1以及第2層35B2）的步驟。亦即，本步驟（支持層形成步驟的一例），係「於絕緣層32形成不含螢光體且支持第3步驟所形成之螢光體層36的支持層35B」的步驟。本步驟，分成圖9A所示之前半的步驟，以及圖9B所示之後半的步驟。
在前半的步驟中，係於絕緣層32的表面31中的配置了電路圖案層34的部分以外的部分，塗布成為第1層35B1的本體的塗料（圖式省略），以形成第1層35B1（參照圖9A）。接著，在後半的步驟中，係於前半的步驟所形成之第1層35B1以及電路圖案層34的非接合面34B1的外表面的全部區域，塗布成為第2層35B2的本體的白色塗料（圖式省略，與第1實施態樣者相同），以形成外表面的全部區域均平坦的第2層35B2（參照圖9B）。然後，在本步驟結束之後，便於絕緣層32的表面31中的配置了電路圖案層34的部分以外的部分，形成了具有多層構造的支持層35B（第1層35B1以及第2層35B2）。
〔第3步驟〕 圖9C，係表示第3步驟的開始時以及結束時的圖式。第3步驟（螢光體層形成步驟的一例），係「在絕緣層32的表面31側，塗布螢光體塗料（圖式省略），以形成螢光體層36」的步驟。具體而言，在本步驟中，係在第2步驟所形成之支持層35B的外表面（第2層35B2的外表面）塗布螢光體塗料（圖式省略）。
〔第4步驟〕 圖9D，係表示第4步驟的開始時以及結束時的圖式。第4步驟，係「將螢光體層36的一部分以及支持層35B的一部分除去，以令電路圖案層34的所有的接合面34A1露出」的步驟。令接合面34A1露出的步驟，係在與第1、第2實施態樣相同的步驟中，適當選擇雷射光照射除去法、照相印刷法、網版印刷法等方法而實行之。在本步驟結束之後，便製造出螢光體基板30B。
〔第5步驟〕 圖9E，係表示第5步驟的開始時以及結束時的圖式。第5步驟（接合步驟的一例），係將複數個發光元件20搭載於螢光體基板30B的步驟。該步驟，與第1以及第2實施態樣的圖3E、圖7D所說明之步驟同樣，利用迴銲處理，將銲錫膏SP印刷於各接合面34A1，並將複數個發光元件20搭載、接合於各接合面34A1。在本步驟結束之後，便製造出發光基板10B。
以上，係關於本實施態樣之發光基板10B的製造方法的說明。
＜第3實施態樣之發光基板的發光動作＞ 本實施態樣之發光基板10B的發光動作，基本上與第2實施態樣者相同。以上，係關於本實施態樣之發光基板10B的發光動作的說明。
＜第3實施態樣之功效＞ 本實施態樣之螢光體基板30B，與第2實施態樣之螢光體基板30A（參照圖6）同樣，螢光體層36的全部區域被含有白色顏料的支持層35B所支持。具體而言，螢光體層36配置在構成支持層35B的第2層35B2上。因此，若根據本實施態樣，便可在螢光體層36的全部區域中，提高成為可見光的激發光的全波長範圍的反射效果。另外，本實施態樣之螢光體基板30B，與第2實施態樣之螢光體基板30A（參照圖6）相異，支持層35B的下側的部分係由不含白色顏料的第1層35B1所構成。因此，本實施態樣之螢光體基板30B，比第2實施態樣之螢光體基板30A更低廉。本實施態樣之其他功效，與第1實施態樣以及第2實施態樣者相同。以上，係關於本實施態樣之功效的說明。
以上，係關於第3實施態樣的說明。
≪第4實施態樣≫ 接著，針對第4實施態樣，一邊參照圖10以及圖11A～圖11E，一邊進行說明。以下，僅針對本實施態樣中的與第2實施態樣（參照圖6等）相異的部分，進行說明。
＜第4實施態樣之構造＞ 本實施態樣之螢光體基板30C（參照圖10），與第2實施態樣之螢光體基板30A（參照圖6）相異，電路圖案層34的接合面34A1比非接合面34A2位於絕緣層32的厚度方向更外側。換言之，當為本實施態樣時，與為第2實施態樣時相異，各電極對34A比配線部分34B更向絕緣層32的厚度方向外側突出。
＜第4實施態樣之螢光體基板的製造方法＞ 接著，針對本實施態樣之螢光體基板30C的製造方法，一邊參照圖11A～圖11E，一邊進行說明。本實施態樣之發光基板10C的製造方法，包含：第1步驟、第2步驟、第3步驟、第4步驟以及第5步驟，各步驟依照其記載順序實行之。
〔第1步驟〕 圖11A，係表示第1步驟的開始時以及結束時的圖式。第1步驟，係「於母板MB的表面31側形成電路圖案層34，並於背面33側形成背面圖案層38」的步驟。另外，當在本步驟形成電路圖案層34時，首先係在母板MB的表面31側，例如藉由使用遮罩圖案（圖式省略）並進行蝕刻，以形成從厚度方向觀察與電路圖案層34相同形狀的圖案。接著，例如藉由使用遮罩圖案（圖式省略）並進行蝕刻，以對該圖案的一部分（相當於配線部分34B的部分）實行半蝕刻（蝕刻到厚度方向的中途部位）。
〔第2步驟〕 圖11B，係表示第2步驟的開始時以及前半的結束時的圖式。第2步驟（支持層形成步驟的一例），係「在絕緣層32與第3步驟所形成的螢光體層36之間，形成支持層35C」的步驟。在本步驟中，係在絕緣層32的表面31中的配置了電路圖案層34的部分以外的部分以及電路圖案層34的非接合面34B1的外表面的全部區域塗布白色塗料（圖式省略，與第1實施態樣者相同），以形成支持層35C。此時，在本步驟中，係在所有的電極對34A比配線部分34B的外表面更突出的狀態下，將支持層35C的外表面設置成全部區域均平坦。在本步驟結束之後，便形成了含有白色顏料的單層構造層作為支持層35C。
〔第3步驟〕 圖11C，係表示第3步驟的開始時以及結束時的圖式。第3步驟（螢光體層形成步驟的一例），係「於絕緣層32的表面31側，塗布螢光體塗料（圖式省略），以形成螢光體層36」的步驟。具體而言，在本步驟中，係於第2步驟所形成之支持層35C的外表面，塗布螢光體塗料（圖式省略）。此時，在本步驟中，係以所有的電極對34A均被螢光體層36被覆的方式，形成螢光體層36。
〔第4步驟〕 圖11D，係表示第4步驟的開始時以及結束時的圖式。第4步驟，係「將螢光體層36的一部分除去，以令電路圖案層34的所有的接合面34A1露出」的步驟。令接合面34A1露出的步驟，係在與第1～第3實施態樣相同的步驟中，適當選擇雷射光照射除去法、照相印刷法、網版印刷法等方法而實行之。在本步驟結束之後，便製造出螢光體基板30C。
〔第5步驟〕 圖11E，係表示第5步驟的開始時以及結束時的圖式。第5步驟（接合步驟的一例），係將複數個發光元件20搭載於螢光體基板30C的步驟。該步驟，與第1～第3實施態樣的圖3E、圖7D、圖9E所說明的步驟同樣，利用迴銲處理，將銲錫膏SP印刷於各接合面34A1，並將複數個發光元件20搭載、接合於各接合面34A1。在本步驟結束之後，便製造出發光基板10C。
以上，係關於本實施態樣之發光基板10C的製造方法的說明。
＜第4實施態樣之發光基板的發光動作＞ 本實施態樣之發光基板10C的發光動作，基本上與第2實施態樣者相同。以上，係關於本實施態樣之發光基板10C的發光動作的說明。
＜第4實施態樣之功效＞ 本實施態樣之功效，與第1實施態樣、第2實施態樣以及第3實施態樣者相同。以上，係關於本實施態樣之功效的說明。
以上，係關於第4實施態樣的說明。
≪第5實施態樣≫ 接著，針對第5實施態樣，一邊參照圖12以及圖13A～圖13E，一邊進行說明。以下，僅針對本實施態樣中的與第4實施態樣（參照圖10等）相異的部分，進行說明。
＜第5實施態樣之構造＞ 本實施態樣之螢光體基板30D（參照圖12），與第4實施態樣之螢光體基板30C（參照圖10）相異，在支持層35D為多層構造此點，有所不同。具體而言，本實施態樣之支持層35D，係由第1層35D1（基層的一例）與第2層35D2（鄰接層的一例）所構成。第1層35D1，配置於絕緣層32的表面31中的形成了電路圖案層34的部分以外的部分。然後，第1層35D1的厚度，比電路圖案層34的厚度更薄。第2層35D2，配置於第1層35D1以及電路圖案層34的非接合面34B1。在此，第1層35D1，係不含白色顏料的膜層，例如，與第3實施態樣之第1層35B1為相同膜層。另外，第2層35D2，其一部分配置在第1層35D1與螢光體層36之間，剩下的另一部分配置在電路圖案層34與螢光體層36之間。亦即，第2層35D2，係與螢光體層36鄰接的膜層。第2層35D2，係含有白色顏料的膜層，例如與第3實施態樣的第2層35B2為相同材質。第2層35D2的厚度，例如比第1層35D1的厚度更薄。根據以上的構造，第1層35D1，配置在絕緣層32與第2層35D2之間。另外，本實施態樣之支持層35D的厚度，例如比螢光體層36的厚度更薄。
＜第5實施態樣之螢光體基板的製造方法＞ 接著，針對本實施態樣之螢光體基板30D的製造方法，一邊參照圖13A～圖13E，一邊進行說明。本實施態樣之發光基板10D的製造方法，包含：第1步驟、第2步驟、第3步驟、第4步驟以及第5步驟，各步驟依照其記載順序實行之。
〔第1步驟〕 本步驟，與第4實施態樣者相同（援用圖11A）。
〔第2步驟〕 圖13A係表示第2步驟的開始時以及前半的結束時的圖式，圖13B係表示第2步驟的前半的結束時（後半的開始時）以及後半的結束時（結束時）的圖式。第2步驟（支持層形成步驟的一例），係「在絕緣層32與第3步驟所形成的螢光體層36之間，形成支持層35D」的步驟。亦即，本步驟，係「於絕緣層32形成不含螢光體且支持第3步驟所形成之螢光體層36的支持層35D」的步驟。本步驟，分成圖13A所示之前半的步驟，以及圖13B所示之後半的步驟。
在前半的步驟中，於絕緣層32的表面31中的配置了電路圖案層34的部分以外的部分，塗布成為第1層35D1的本體的塗料（圖式省略），以形成第1層35D1（參照圖13A）。接著，在後半的步驟中，於前半的步驟所形成之第1層35D1以及電路圖案層34的非接合面34B1的外表面的全部區域，塗布成為第2層35D2的本體的白色塗料（圖式省略，與第1實施態樣者相同），以形成第2層35D2（參照圖13B）。此時，在本步驟中，係在所有的電極對34A比第1層35D1的外表面更從絕緣層32的外表面突出的狀態下，將支持層35D的外表面設置成全部區域均平坦。在本步驟結束之後，便形成了多層構造的支持層35D。
〔第3步驟〕 圖13C，係表示第3步驟的開始時以及結束時的圖式。第3步驟（螢光體層形成步驟的一例），係「在絕緣層32的表面31側，塗布螢光體塗料（圖式省略），以形成螢光體層36」的步驟。本步驟，基本上係以與第4實施態樣者相同的方式實行之。
〔第4步驟〕 圖13D，係表示第4步驟的開始時以及結束時的圖式。第4步驟，係「將螢光體層36的一部分除去，以令電路圖案層34的所有的接合面34A1露出」的步驟。令接合面34A1露出的步驟，係在與第1～第4實施態樣相同的步驟中，適當選擇雷射光照射除去方法、照相印刷法、網版印刷法等方法而實行之。在本步驟結束之後，便製造出螢光體基板30D。
〔第5步驟〕 圖13E，係表示第5步驟的開始時以及結束時的圖式。第5步驟（接合步驟的一例），係將複數個發光元件20搭載於螢光體基板30D的步驟。該步驟，與第1～第4實施態樣之圖3E、圖7D、圖9E、圖11E所說明的步驟同樣，利用迴銲處理，將銲錫膏SP印刷於各接合面34A1，並將複數個發光元件20搭載、接合於各接合面34A1。在本步驟結束之後，便製造出發光基板10D。
以上，係關於本實施態樣之發光基板10D的製造方法的說明。
＜第5實施態樣之發光基板的發光動作＞ 本實施態樣之發光基板10D的發光動作，基本上與第2實施態樣者相同。以上，係關於本實施態樣之發光基板10D的發光動作的說明。
＜第5實施態樣之功效＞ 本實施態樣之螢光體基板30D，與第4實施態樣之螢光體基板30C（參照圖10）相異，支持層35D的下側部分係由不含白色顏料的第1層35D1所構成。因此，本實施態樣之螢光體基板30D，比第4實施態樣之螢光體基板30C更低廉。本實施態樣之其他功效，與第1實施態樣、第2實施態樣、第3實施態樣以及第4實施態樣者相同。以上，係關於本實施態樣之功效的說明。
以上，係關於第5實施態樣的說明。
如以上所述的，係針對本發明，以前述的各實施態樣為例，進行說明，惟本發明並非僅限於前述各實施態樣。在本發明之技術範圍內，例如，亦包含如下所述的態樣（變化實施例）。
例如，在各實施態樣之說明中，係以CSP作為發光元件20的一例。然而，發光元件20的一例亦可為CSP以外者。例如，亦可為僅搭載了覆晶者。另外，亦可應用於COB（chip on board，板載晶片）裝置的基板本體。
另外，在各實施態樣之說明中，係將複數個發光元件20搭載於螢光體基板30，而發光基板10具備複數個發光元件20。然而，若考慮前述第1功效所說明之機制，可知發光元件20即使為1個仍可發揮第1功效。因此，螢光體基板30所搭載之發光元件20的數量只要至少為1個即可。亦即，發光基板10所搭載之發光元件20只要至少為1個即可。
另外，在各實施態樣之說明中，螢光體層36中的絕緣層32的厚度方向外側的面，相較於電路圖案層34，位於該厚度方向更外側（參照圖1C、圖3D等）。然而，若考慮前述第1功效所說明之機制，螢光體層36中的絕緣層32的厚度方向外側的面，亦可與電路圖案層34的接合面34A1在該厚度方向上為同一面，或是相較於接合面34A1位於該厚度方向更內側的位置。
另外，在各實施態樣之說明中，係於螢光體基板30的背面33側具備背面圖案層38（參照圖1B）。然而，若考慮前述第1功效所說明之機制，亦可並未於螢光體基板30的背面33側具備背面圖案層38。
另外，在本實施態樣之說明中，螢光體層36，係配置於絕緣層32以及電路圖案層34的表面31側中的複數個電極對34A以外的部分（參照圖2B）。然而，螢光體層36，亦可並未配置於遍及螢光體基板30的表面31側中的複數個電極對34A以外的部分的全部區域。
另外，在各實施態樣之說明中，在製造螢光體基板30以及發光基板10時，係使用利昌工業股份有限公司製的CS－3305A作為母板MB，進行說明。然而，其僅為一例，亦可使用不同的母板MB。例如，亦可為不遵照利昌工業股份有限公司製的CS－3305A的絕緣層厚度、銅箔厚度等標準規格者，而係使用（尤其是）銅箔厚度更厚者。
另外，各實施態樣之發光基板10（亦包含其變化實施例），可與其他構成要件組合，而應用於照明裝置。此時之其他構成要件，為供給用以令發光基板10的發光元件20發光的電力的電源等。
另外，在第3實施態樣中，支持層35B，係以第1層35B1與第2層35B2構成之2層構造作為多層構造，進行說明。然而，只要支持層35B包含含有白色顏料的膜層在內，具有多層構造的支持層35B亦可為3層以上的構造。關於此點，在第5實施態樣中亦相同。
本申請案，以2020年8月28日提出申請之日本專利申請案特願2020－144298號為基礎主張優先權，在此攝入其全部揭示內容。
1C-1C:切斷線 10,10a,10A,10B,10C,10D:發光基板 20:發光元件 22:LED 30,30A,30B,30C,30D:螢光體基板 30a:基板 31,31A:表面 32:絕緣層 33,33A:背面 34:電路圖案層 34A:電極對 34A1:接合面 34A2:非接合面 34B:配線部分 34B1:非接合面 35,35B,35C,35D:支持層 35B1,35D1:第1層 35B2,35D2:第2層 36:螢光體層 37:端子 38:背面圖案層 39:貫通孔 L:光線 JL:接合位準 MB:母板 SP:銲錫膏
[圖1A] 係第1實施態樣之發光基板的俯視圖。 [圖1B] 係第1實施態樣之發光基板的仰視圖。 [圖1C] 係圖1A的1C－1C切斷線所切斷之發光基板的部分剖面圖。 [圖2A] 係第1實施態樣之螢光體基板（省略螢光體層以及支持層）的俯視圖。 [圖2B] 係第1實施態樣之螢光體基板的俯視圖。 [圖3A] 係第1實施態樣之發光基板的製造方法的第1步驟的說明圖。 [圖3B] 係第1實施態樣之發光基板的製造方法的第2步驟的說明圖。 [圖3C] 係第1實施態樣之發光基板的製造方法的第3步驟的說明圖。 [圖3D] 係第1實施態樣之發光基板的製造方法的第4步驟的說明圖。 [圖3E] 係第1實施態樣之發光基板的製造方法的第5步驟的說明圖。 [圖4] 係用以說明第1實施態樣之發光基板的發光動作的圖式。 [圖5] 係用以說明比較態樣之發光基板的發光動作的圖式。 [圖6] 係第2實施態樣之發光基板的部分剖面圖。 [圖7A] 係第2實施態樣之發光基板的製造方法的第2步驟的說明圖。 [圖7B] 係第2實施態樣之發光基板的製造方法的第3步驟的說明圖。 [圖7C] 係第2實施態樣之發光基板的製造方法的第4步驟的說明圖。 [圖7D] 係第2實施態樣之發光基板的製造方法的第5步驟的說明圖。 [圖8] 係第3實施態樣之發光基板的部分剖面圖。 [圖9A] 係第3實施態樣之發光基板的製造方法的第2步驟的前半的說明圖。 [圖9B] 係第3實施態樣之發光基板的製造方法的第2步驟的後半的說明圖。 [圖9C] 係第3實施態樣之發光基板的製造方法的第3步驟的說明圖。 [圖9D] 係第3實施態樣之發光基板的製造方法的第4步驟的說明圖。 [圖9E] 係第3實施態樣之發光基板的製造方法的第5步驟的說明圖。 [圖10] 係第4實施態樣之發光基板的部分剖面圖。 [圖11A] 係第4實施態樣之發光基板的製造方法的第1步驟的後半的說明圖。 [圖11B] 係第4實施態樣之發光基板的製造方法的第2步驟的說明圖。 [圖11C] 係第4實施態樣之發光基板的製造方法的第3步驟的說明圖。 [圖11D] 係第4實施態樣之發光基板的製造方法的第4步驟的說明圖。 [圖11E] 係第4實施態樣之發光基板的製造方法的第5步驟的說明圖。 [圖12] 係第5實施態樣之發光基板的部分剖面圖。 [圖13A] 係第5實施態樣之發光基板的製造方法的第2步驟的前半的說明圖。 [圖13B] 係第5實施態樣之發光基板的製造方法的第2步驟的後半的說明圖。 [圖13C] 係第5實施態樣之發光基板的製造方法的第3步驟的說明圖。 [圖13D] 係第5實施態樣之發光基板的製造方法的第4步驟的說明圖。 [圖13E] 係第5實施態樣之發光基板的製造方法的第5步驟的說明圖。
10:發光基板
20:發光元件
22:LED
30:螢光體基板
31,31A:表面
32:絕緣層
33,33A:背面
34:電路圖案層
34A:電極對
34A1:接合面
34B:配線部分
34B1:非接合面
35:支持層
36:螢光體層
38:背面圖案層
JL:接合位準
SP:銲錫膏

Claims (12)

  1. 一種螢光體基板的製造方法，該螢光體基板搭載至少1個發光元件， 該螢光體基板的製造方法包含： 電路圖案層形成步驟，其於絕緣基板的一面，形成與該至少1個發光元件接合的電路圖案層； 螢光體層形成步驟，其於該絕緣基板的一面側形成螢光體層，該螢光體層包含以該至少1個發光元件的發光為激發光時的發光峰值波長在可見光範圍內的螢光體；以及 支持層形成步驟，其在該絕緣基板與該螢光體層之間形成支持層，該支持層為不包含該螢光體的膜層，且支持該螢光體層； 該螢光體層形成步驟，將該螢光體層堆疊於該支持層。
  2. 如請求項1之螢光體基板的製造方法，其中， 在該螢光體層形成步驟中，以該螢光體層的厚度比該支持層的厚度更薄的方式，將該螢光體層堆疊於該支持層。
  3. 如請求項1或2之螢光體基板的製造方法，其中， 該支持層形成步驟，形成含有白色顏料的單層構造層，作為該支持層。
  4. 如請求項3之螢光體基板的製造方法，其中， 該支持層形成步驟，更在該電路圖案層中的該至少1個發光元件所接合的部分以外的部分，也形成該支持層。
  5. 如請求項2之螢光體基板的製造方法，其中， 該支持層形成步驟，於該絕緣基板的一面形成不含白色顏料的基層，接著將與該螢光體層鄰接並含有該白色顏料的鄰接層堆疊於該基層。
  6. 如請求項5之螢光體基板的製造方法，其中， 該支持層形成步驟，將該鄰接層的厚度形成得比該基層的厚度更薄。
  7. 如請求項5之螢光體基板的製造方法，其中， 該支持層形成步驟，更在該電路圖案層中的該至少1個發光元件所接合的部分以外的部分，也形成該鄰接層。
  8. 如請求項5之螢光體基板的製造方法，其中， 該螢光體，係由複數個螢光體粒子所構成； 該白色顏料，係由複數個白色粒子所構成； 該複數個螢光體粒子的利用雷射繞射散射法所測定到的體積基準的中位粒徑D 50（亦即D1 50），與該複數個白色粒子的利用雷射繞射散射法所測定到的體積基準的中位粒徑D 50（亦即D2 50），具有下述（式2）的關係： （式2）0.8≦D2 50／D1 50≦1.2。
  9. 如請求項3之螢光體基板的製造方法，其中， 該支持層形成步驟與該螢光體層形成步驟，以堆疊於該支持層的該螢光體層的外表面比該電路圖案層的外表面位於該絕緣基板的厚度方向的更外側的方式，分別形成該支持層與該螢光體層。
  10. 如請求項1之螢光體基板的製造方法，其中， 該至少1個發光元件，為複數個發光元件。
  11. 一種發光基板的製造方法，包含： 如請求項1至10項中任一項所記載的螢光體基板的製造方法；以及 接合步驟，其將該至少1個發光元件接合於該電路圖案層。
  12. 如請求項11之發光基板的製造方法，其中， 該接合步驟，係在該螢光體層形成步驟之後實行。
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