CN100587961C - 固体摄像装置及其制造方法和照相机 - Google Patents
固体摄像装置及其制造方法和照相机 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100587961C CN100587961C CN200710197170A CN200710197170A CN100587961C CN 100587961 C CN100587961 C CN 100587961C CN 200710197170 A CN200710197170 A CN 200710197170A CN 200710197170 A CN200710197170 A CN 200710197170A CN 100587961 C CN100587961 C CN 100587961C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solid
- imaging device
- state imaging
- insulating film
- photodiode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
- H10F39/024—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
- H10F39/026—Wafer-level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/811—Interconnections
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006332421 | 2006-12-08 | ||
| JP332421/06 | 2006-12-08 | ||
| JP106900/07 | 2007-04-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101197386A CN101197386A (zh) | 2008-06-11 |
| CN100587961C true CN100587961C (zh) | 2010-02-03 |
Family
ID=39547642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200710197170A Expired - Fee Related CN100587961C (zh) | 2006-12-08 | 2007-12-10 | 固体摄像装置及其制造方法和照相机 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP2008166677A (https=) |
| KR (1) | KR101496842B1 (https=) |
| CN (1) | CN100587961C (https=) |
| TW (1) | TW200834904A (https=) |
Families Citing this family (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009272596A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-11-19 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
| EP2109143B1 (en) | 2008-04-09 | 2013-05-29 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method thereof, and electronic device |
| JP4788742B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2011-10-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| JP5446484B2 (ja) * | 2008-07-10 | 2014-03-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置 |
| JP2010073902A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Sony Corp | イオン注入方法、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、並びに電子機器 |
| JP5521302B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2014-06-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
| JP5402083B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2014-01-29 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
| JP4873001B2 (ja) | 2008-12-10 | 2012-02-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、電子機器並びに半導体装置 |
| JP2010182765A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Sony Corp | 固体撮像装置および電子機器 |
| JP5375141B2 (ja) * | 2009-02-05 | 2013-12-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
| JP5423042B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2014-02-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP4856204B2 (ja) | 2009-03-24 | 2012-01-18 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP5332823B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-11-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置 |
| TWI411102B (zh) * | 2009-03-31 | 2013-10-01 | Sony Corp | 固態成像元件及成像裝置 |
| JP5332822B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-11-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置 |
| JP2010283145A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法、電子機器 |
| JP5446485B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2014-03-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置 |
| JP5564847B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2014-08-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
| KR101680899B1 (ko) * | 2009-09-02 | 2016-11-29 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
| JP5974425B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2016-08-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP5885401B2 (ja) | 2010-07-07 | 2016-03-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP5697371B2 (ja) | 2010-07-07 | 2015-04-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP5751766B2 (ja) | 2010-07-07 | 2015-07-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP5656484B2 (ja) | 2010-07-07 | 2015-01-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP5645513B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2014-12-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
| JP5643555B2 (ja) | 2010-07-07 | 2014-12-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
| JP2012038986A (ja) * | 2010-08-10 | 2012-02-23 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器 |
| EP2487717B1 (en) | 2011-02-09 | 2014-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion element, photoelectric conversion apparatus and image sensing system |
| JP5372102B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2013-12-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
| JP5888985B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2016-03-22 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
| JP5839807B2 (ja) | 2011-02-09 | 2016-01-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP5921129B2 (ja) | 2011-02-09 | 2016-05-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法 |
| JP5241902B2 (ja) | 2011-02-09 | 2013-07-17 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5709564B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5404732B2 (ja) | 2011-02-09 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
| US8742525B2 (en) * | 2011-03-14 | 2014-06-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
| JP4866972B1 (ja) | 2011-04-20 | 2012-02-01 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP4846878B1 (ja) | 2011-04-22 | 2011-12-28 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP6053382B2 (ja) | 2012-08-07 | 2016-12-27 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の製造方法。 |
| JP6308717B2 (ja) * | 2012-10-16 | 2018-04-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および撮像システム |
| JP6190175B2 (ja) * | 2013-06-19 | 2017-08-30 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2015029011A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2016225324A (ja) * | 2013-10-31 | 2016-12-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP6192598B2 (ja) * | 2014-06-19 | 2017-09-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
| JP6577724B2 (ja) * | 2015-03-13 | 2019-09-18 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| US10038026B2 (en) | 2015-06-25 | 2018-07-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Bond pad structure for bonding improvement |
| US20170170215A1 (en) * | 2015-12-15 | 2017-06-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device structure with anti-acid layer and method for forming the same |
| TWI593093B (zh) * | 2015-12-22 | 2017-07-21 | 力晶科技股份有限公司 | 半導體元件及其製造方法 |
| US10319765B2 (en) * | 2016-07-01 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device having an effective pixel region, an optical black region and a dummy region each with pixels including a photoelectric converter |
| JP6895724B2 (ja) | 2016-09-06 | 2021-06-30 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
| US10256266B2 (en) * | 2017-04-05 | 2019-04-09 | Omnivision Technologies, Inc. | Chip-scale image sensor package and associated method of making |
| CN107195646B (zh) * | 2017-04-06 | 2020-06-09 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种图像传感器及其制造方法 |
| JP2018200955A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および、移動体 |
| KR102734210B1 (ko) | 2017-10-04 | 2024-11-26 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 전자 장치 |
| US11031358B2 (en) * | 2018-03-01 | 2021-06-08 | Marvell Asia Pte, Ltd. | Overhang model for reducing passivation stress and method for producing the same |
| CN111034400B (zh) * | 2019-12-23 | 2022-06-03 | 塔里木大学 | 一种圆盘钩齿耙式起膜装置 |
| CN115588676B (zh) * | 2022-10-17 | 2024-12-17 | 武汉新芯集成电路股份有限公司 | 图像传感器及其制作方法 |
| CN117497551B (zh) * | 2023-12-25 | 2024-04-30 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 图像传感器及其制备方法 |
| CN119555204A (zh) * | 2024-12-13 | 2025-03-04 | 苏州镓港半导体有限公司 | 一种光传感器及可见光多色探测器 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08139300A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-05-31 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| KR20000041461A (ko) * | 1998-12-22 | 2000-07-15 | 김영환 | 개선된 이미지센서 제조방법 |
| JP3959734B2 (ja) | 2001-12-28 | 2007-08-15 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP2003282851A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP4117545B2 (ja) | 2002-12-25 | 2008-07-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP4120543B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2008-07-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| US6861686B2 (en) * | 2003-01-16 | 2005-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Structure of a CMOS image sensor and method for fabricating the same |
| KR100524200B1 (ko) * | 2003-01-16 | 2005-10-26 | 삼성전자주식회사 | 이미지 소자 및 그 제조 방법 |
| KR100504563B1 (ko) * | 2004-08-24 | 2005-08-01 | 동부아남반도체 주식회사 | 이미지 센서 제조 방법 |
| JP2006222270A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Sony Corp | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
| KR100595329B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2006-07-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| WO2006115142A1 (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像素子およびその製造方法ならびに光導波路形成装置 |
-
2007
- 2007-04-16 JP JP2007106900A patent/JP2008166677A/ja active Pending
- 2007-11-13 TW TW096142893A patent/TW200834904A/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-11-29 KR KR20070123033A patent/KR101496842B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-10 CN CN200710197170A patent/CN100587961C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-06-01 JP JP2009132561A patent/JP5639748B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200834904A (en) | 2008-08-16 |
| JP5639748B2 (ja) | 2014-12-10 |
| KR101496842B1 (ko) | 2015-02-27 |
| JP2008166677A (ja) | 2008-07-17 |
| CN101197386A (zh) | 2008-06-11 |
| TWI362108B (https=) | 2012-04-11 |
| JP2009194402A (ja) | 2009-08-27 |
| KR20080053193A (ko) | 2008-06-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100587961C (zh) | 固体摄像装置及其制造方法和照相机 | |
| EP1930950B1 (en) | Solid-state image pickup device, method for manufacturing solid-state image pickup device, and camera | |
| CN101159278B (zh) | 图像感应元件及其系统芯片半导体结构 | |
| KR101587898B1 (ko) | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 | |
| JP5521302B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
| CN101951470B (zh) | 固态成像器件和成像装置 | |
| US12224296B2 (en) | Image sensor including a pixel separation structure | |
| JP2008192951A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2011023409A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP4971616B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JP2012186396A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| CN101009295A (zh) | 固体摄像装置及其制造方法 | |
| JPH10189936A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP5332822B2 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置 | |
| JP2006191000A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP5332823B2 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置 | |
| JP2008066409A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP7008054B2 (ja) | 光電変換装置および機器 | |
| KR20050105586A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| JP2008283070A (ja) | 撮像素子 | |
| JP4751717B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| KR20240133030A (ko) | 이미지 센서 및 제조방법 | |
| JP2006222366A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100203 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |