CN100502611C - 有机物场致发光器件 - Google Patents

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Abstract

公开了一种有机物场致发光器件,该有机物场致发光器件在第一电极和第二电极之间具有有机物多层结构,所述有机物多层结构包括:空穴注入层,形成在第一电极上,并且由至少一种选自有机材料的材料和至少一种选自无机材料的材料的混合物构成;空穴迁移层,在空穴注入层上至少具有一层空穴迁移层;以及发射层,形成在空穴迁移层上。

Description

有机物场致发光器件
技术领域
本发明涉及一种有机物EL(场致发光)器件,更具体的说,涉及一种有机物场致发光器件的空穴注入层。
背景技术
在有机物EL(场致发光)器件中,当电荷注入到形成在阴极和阳极之间的有机物发射层时,空穴和电子组成一对,空穴和电子对湮没,由此产生光。随着下一代显示器的开发,有机物场致发光器件由于其低电压和低功耗的特点,引起了人们的注意。
下面,将参照附图描述现有技术的有机物场致发光器件和形成有机物场致发光器件的方法。
图1示出了现有技术的有机物场致发光器件。首先,如图1所示,阳极2作为第一电极形成在透明衬底1上。同时,阳极2由ITO(铟锡氧化物)构成。然后,HIL(空穴注入层)3形成在阳极2上。在这种情况下,HIL3通常由铜酞菁(CuPc)构成。
然后,HTL(空穴迁移层)4形成在HIL3上。HTL4由N,N’-联苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-(1,1’联苯基)-4,4’-二胺(TPD)或者4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯基(NPD)构成。
下一步,有机物发射层5形成在HTL4上。同时,可以根据需要加入掺杂剂。然后,ETL(电子迁移层)6和EIL(电子注入层)7依次形成在有机物发射层5上。EIL7由LiF或Li2O构成。然后,阴极8作为第二电极形成在EIL7上,从而完成有机物场致发光器件的制造过程。
但是,现有技术的有机物场致发光器件具有如下缺点。
现有技术的有机物场致发光器件具有效率低和寿命短的问题。当以高电压的电流驱动现有技术的有机物场致发光器件时,在阳极2和HIL3之间产生热应力。于是,由于热应力,器件的寿命变短。
并且,由于用作HIL3的有机材料具有大的空穴迁移能力,空穴—电子电荷不平衡,导致降低了量子效率。也就是说,如果有机物场致发光器件要求低电压驱动,为了提高效率,必须提高量子效率。在这个方面,用作现有技术的HIL的有机物材料不适合于提高量子效率。
发明内容
因此,本发明旨在开发一种有机物场致发光器件,该器件能够基本上克服上述的由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种有机物场致发光器件以获得高的效率和长的寿命。
本发明的其它优点、目的和特征将在下面的说明书部分进行描述,通过下面的说明,本发明的其它优点、目的和特征将对本领域技术人员来说更加清楚,或者可以从本发明的实践中理解。本发明的其它优点、目的和特征可以通过在说明书和权利要求以及附图中描述的具体结构实现。
为了达到上述目的和其它优点,根据本发明的目的,提出了一种有机物场致发光器件,在第一电极和第二电极之间具有有机物多层结构,有机物多层结构包括:空穴注入层,形成在第一电极上,并且由至少一种选自有机材料的材料和至少一种选自无机材料的材料的混合物构成或者由一层由有机材料构成的第一层和一层由无机材料构成的第二层构成,或者由两层由有机材料构成的第一层和一层由无机材料构成的第二层构成,并且所述一层第二层淀积在所述两层第一层之间,或者由至少两层由有机材料构成的第一层和由至少两层由无机材料构成的第二层构成,并且第一层和第二层交替地淀积;空穴迁移层,在空穴注入层上具有至少一层空穴迁移层;以及发射层,形成在空穴迁移层上;其中空穴注入层的有机材料为选自芳族胺中的任意一种;以及空穴注入层的无机材料由选自周期表中的第1A、2A、3A、4A族中的元素的卤化物或氧化物中的任意一种构成。
并且,有机物场致发光器件包括:电子迁移层,形成在发射层上;以及电子注入层,形成在电子迁移层上。
并且,空穴注入层的有机材料由以下的化学式1表示:
化学式1
Figure C200480023377D00081
并且,化学式1中的‘n’为1至4的正数,Ar1、Ar2、Ar3中的至少任意一个选自取代的或未取代的芳族基。
并且,Ar1、Ar2、Ar3中的至少任意一个为苯基、萘基、联苯基、亚联苯基、菲基、芴基、三联苯基、蒽基中的一种。并且Ar1、Ar2、Ar3的取代基为甲基、乙基、丙基、t-丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、二甲基胺、二乙基胺、苯基、氟、氯、溴、联苯胺中的一种。
并且空穴注入层的有机材料为下面的化学式2—7中的任意一个
化学式2
Figure C200480023377D00091
化学式3
Figure C200480023377D00092
化学式4
Figure C200480023377D00093
化学式5
Figure C200480023377D00094
化学式6
Figure C200480023377D00101
化学式7
Figure C200480023377D00102
同时,卤化物为LiF、NaF、KF、RbF、CsF和FrF中的任意一种。氧化物为Li2O、Na2O、K2O、BeO、MgO、CaO、B2O3、Al2O3和SiO2中的任意一种。
并且,第一层和第二层每一层的厚度为0.1nm至10nm,同时,空穴注入层的总厚度为0.2nm至300nm。
并且,空穴注入层由至少一种选自有机材料的材料和至少一种选自无机材料的材料的混合物构成。
同时,混合物的有机材料X和无机材料Y的组分之比为1-100比1,或者1比1-100。
并且,混合物的有机材料组合物的X值在厚度方向渐变,或者无机材料组合物的Y值在厚度方向渐变。
同时,在与第一电极结合的地方的有机材料组合物的X值为0,在与空穴迁移层结合的地方X=1,从而在与第一电极结合的地方到与空穴迁移层结合的地方之间保持1>X>0。
同时,无机材料组合物的Y值在与第一电极结合的地方Y=0,在与空穴迁移层结合的地方Y=1,从而,在与第一电极结合的地方到与空穴迁移层结合的地方之间保持1>Y>0。
同时,空穴注入层由两层形成,各层由不同的材料构成。
应当理解上述的概述和下面的详细描述都是示例性的,旨在更好地理解要求保护的本发明。
附图说明
本申请包括附图为了更好地理解本发明并且附图构成本申请的一部分。附图示出了本发明的(多个)实施例,与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1示出了普通有机物场致发光器件;
图2和图3示出了根据本发明的有机物场致发光器件;
图4示出了显示根据本发明的有机物场致发光器件效率的曲线图;
图5示出了显示根据本发明的有机物场致发光器件寿命的曲线图。
具体实施方式
下面将更详细地描述本发明的优选实施例,其示例在附图中示出。相同的附图标记用于表示相同或相似的部件。
下面,将参照附图描述根据本发明优选实施例的有机物场致发光器件。
图2和图3示出了根据本发明的有机物场致发光器件。如图2和3所示,阳极12作为第一电极形成在透明衬底11上。同时,阳极12由ITO(铟锡氧化物)构成。
然后,HIL(空穴注入层)13形成在阳极12上。同时,HIL13由至少一种选自有机材料的材料和至少一种选自无机材料的材料的混合物构成。在这种状态下,HIL13的有机材料可以是选自芳族胺中的任意一种,其用下面的化学式表示:
化学式1
Figure C200480023377D00121
(这里,n为1至4的正数,Ar1、Ar2、Ar3中的至少任意一个选自取代的或未取代的芳族基)。
并且,Ar1、Ar2、Ar3中的至少任意一个可以是:苯基、萘基、联苯基、亚联苯基、菲基、芴基、三联苯基、蒽基中的一种。然后,Ar1、Ar2、Ar3的取代基可以是:甲基、乙基、丙基、t-丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、二甲基胺、二乙基胺、苯基、氟、氯、溴、联苯胺中的一种。
例如,HIL13的有机材料是下面的化学式2-7中的任意一个。
化学式2
Figure C200480023377D00131
化学式3
Figure C200480023377D00132
化学式4
Figure C200480023377D00133
化学式5
Figure C200480023377D00134
化学式6
化学式7
Figure C200480023377D00142
同时,HIL13可以由选自周期表中的1A、2A、3A和4A族的元素的卤化物或氧化物中的任意一种构成。同时,卤化物可以是:LiF、NaF、KF、RbF、CsF或FrF。并且,氧化物可以是Li2O、Na2O、K2O、BeO、MgO、CaO、B2O3、Al2O3或SiO2
同时,HIL13可以由至少一层由有机材料构成的第一层、至少一层由无机材料构成的第二层构成。在这种状态下,多层第一和第二层交替地淀积。并且,每层的厚度大约在0.1nm至10nm。同时,HIL13的总厚度大约为0.2nm至300nm。
并且,HIL13可以由至少一种选自有机材料的材料和至少一种选自无机材料的材料的混合物构成。也就是说,HIL13通过共同淀积混合有机和无机材料的方法而形成。在这种情况下,无机材料占混合物的1-90%。同时,HIL13保持在总厚度大约在0.2nm至300nm。
在有机和无机材料混合的情况下,有机材料组合物的X值可以在厚度方向渐变,或者无机材料组合物的Y值在厚度方向渐变。也就是说,在与阳极12结合的地方的有机材料组合物的X值为0,在与HTL(空穴迁移层)14结合的地方X=1,从而在与阳极12结合的地方到与HTL14结合的地方之间保持1>X>0。并且,无机材料组合物的Y值在与阳极12结合的地方Y=0,在与HTL14结合的地方Y=1,从而,在与阳极12结合的地方到与HTL14结合的地方之间保持1>Y>0。同时,要求将HIL13的总厚度保持在大约0.2nm至300nm的范围内。
因此,HIL13由有机材料和无机材料的混合物构成。因此,能够降低在HIL13和阳极12之间的热应力,由于空穴的迁移能力降低,保持空穴—电子电荷平衡,从而有机物场致发光器件获得高的效率和长的寿命。
在本发明的优选实施例中,HIL13的有机材料使用:NPD(4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-联苯基,HIL13的无机材料使用:LiF。同时,NPD与LiF的比例为5到1。并且,HIL13的厚度大约为30nm。
然后,在HIL13上形成HTL14。HTL14由N,N’-联苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-(1,1’联苯基)-4,4’-二胺(TPD)或4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-联苯基(NPD)构成。如图2所示,HTL14可以形成为双层结构,具有第一和第二HTL14a和14b。或者,如图3所示,HTL14可以形成为单层结构。如果HTL14具有两层,各层由不同的材料构成。
在本发明的优选实施例中,第一HTL14a由NPD(4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-联苯基)构成,厚度大约为35nm。在第一HTL14a上,形成第二HTL14b,所述第二HTL14b由NPD(4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-联苯基)构成,厚度大约为40nm。然后,有机物发射层15形成在HTL14上,厚度大约为25nm。在这种情况下,可以根据需要添加掺杂剂。为了发出绿光,coumine派生物(C545T)以大约1%的比例掺杂到Alq3-(8-羟基喹啉铝)中。下一步,ETL(空穴迁移层)16和EIL(电子注入层)17依次形成在有机物发射层15上。ETL由Alq3-(8-羟基喹啉铝)构成,厚度大约为35nm,EIL17由LiF构成,厚度大约为0.5nm。同时,根据器件的类型,ETL16和EIL17可以省略。然后,阴极作为第二电极形成在EIL17上,从而制造出有机物场致发光器件。同时,阴极18可以由铝A1构成,厚度大约为200nm。
图4示出了一曲线图,比较了根据本发明的有机物场致发光器件的效率和现有技术中的效率,图5示出了一曲线图,示出了根据本发明的有机物场致发光器件的寿命和现有技术中的寿命。在图4和图5的现有技术的情况下,仅仅使用有机材料NPD作为HIL(空穴注入层)。
如图4所示,本发明的发光度大于现有技术中的发光度。也就是说,在相同的电流密度(mA/cm2)的情况下,本发明的亮度大于现有技术的亮度。
如图5所示,在电流密度为50mA/cm2时,本发明的工作时间大于现有技术的工作时间。
当在5000nits的条件下,比较有机物场致发光器件的效率,本发明获得的量子效率大约为21.1cd/A,现有技术获得的量子效率大约为13.7cd/A。
当在50mA/cd2的条件下,比较有机物场致发光器件的寿命时,本发明获得的工作时间大约为100小时,现有技术获得的工作时间大约为40小时。
如上所述,根据本发明的有机物场致发光器件具有如下优点。
工业实用性
在根据本发明的有机物场致发光器件中,通过减少阳极和HIL之间的热应力能够获得高的发光度和长的寿命。
并且,保持空穴—电子电荷平衡,使得能够提高量子效率,从而提高有机物场致发光器件的效率。
对于本领域技术人员很明显能够对本发明做出各种改进或变化。因此,只要这些改进和变化在所附的权利要求和它们的等同物的范围内,本发明应当覆盖上述改进和变化。

Claims (9)

1.一种有机物场致发光器件,在第一电极和第二电极之间具有有机物多层结构,有机物多层结构包括:
空穴注入层,形成在第一电极上,并且由至少一种选自有机材料的材料和至少一种选自无机材料的材料的混合物构成或者由一层由有机材料构成的第一层和一层由无机材料构成的第二层构成,或者由两层由有机材料构成的第一层和一层由无机材料构成的第二层构成,并且所述一层第二层淀积在所述两层第一层之间,或者由至少两层由有机材料构成的第一层和由至少两层由无机材料构成的第二层构成,并且第一层和第二层交替地淀积;
空穴迁移层,在空穴注入层上具有至少一层空穴迁移层;以及
发射层,形成在空穴迁移层上;
其中空穴注入层的有机材料为选自芳族胺中的任意一种;以及
空穴注入层的无机材料由选自周期表中的第1A、2A、3A、4A族中的元素的卤化物或氧化物中的任意一种构成。
2.根据权利要求1所述的有机物场致发光器件,还包括:
电子迁移层,形成在发射层上;以及
电子注入层,形成在电子迁移层上。
3.根据权利要求1所述的有机物场致发光器件,其中,空穴注入层的有机材料由以下的化学式1表示,
化学式1
Figure C200480023377C00021
其中,化学式1中的‘n’为1至4的正数,Ar1、Ar2、Ar3中的至少任意一个选自取代的或未取代的芳族基。
4.根据权利要求3所述的有机物场致发光器件,其中,Ar1、Ar2、Ar3中的至少任意一个为苯基、萘基、联苯基、亚联苯基、菲基、芴基、三联苯基、蒽基中的一种。
5.根据权利要求3所述的有机物场致发光器件,其中,Ar1、Ar2、Ar3的取代基为甲基、乙基、丙基、t-丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、二甲基胺、二乙基胺、苯基、氟、氯、溴、联苯胺中的一种。
6.根据权利要求1所述的有机物场致发光器件,其中空穴注入层的有机材料为下面的化学式2-7中的任意一个。
化学式2
Figure C200480023377C00031
化学式3
Figure C200480023377C00032
化学式4
Figure C200480023377C00033
化学式5
化学式6
Figure C200480023377C00042
化学式7
Figure C200480023377C00043
7.根据权利要求1所述的有机物场致发光器件,其中,卤化物为LiF、NaF、KF、RbF、CsF和FrF中的任意一种。
8.根据权利要求1所述的有机物场致发光器件,其中,氧化物为Li2O、Na2O、K2O、BeO、MgO、CaO、B2O3、Al2O3和SiO2中的任意一种。
9.根据权利要求1所述的有机物场致发光器件,第一层和第二层每一层的厚度为0.1nm至10nm,同时,空穴注入层的总厚度为0.2nm至300nm。
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