JP2000040590A - 有機ｅｌ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐熱性、耐候性が高く、リークやダークスポ
ットの発生が少なく、量産性が高く、低コスト化が可能
であり、さらには、発光効率が高く、輝度の高い有機Ｅ
Ｌ素子を提供する。 【解決手段】 本発明の有機ＥＬ素子は、ホール注入電
極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けられた１
種以上の有機層とを有し、前記ホール注入電極と前記有
機層との間に無機のホール注入層を有し、前記無機のホ
ール注入層は、ホウ素の酸化物および／または窒化物を
主成分とし、この主成分をＢＯ_xＮ_yと表したとき ０≦ｘ≦３／２、 ０≦ｙ≦１、 ｘ＋ｙ≧０．５ である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を用い
た有機ＥＬ素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機ＥＬ素子は、蛍光性有機化合物を含
む薄膜を、電子注入電極とホール注入電極とで挟んだ構
成を有し、前記薄膜に電子およびホールを注入して再結
合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、
このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）
を利用して発光する素子である。

【０００３】有機ＥＬ素子の特徴は、１０Ｖ前後の電圧
で数１００から数１００００cd/m²ときわめて高い輝度
の面発光が可能であり、また、蛍光物質の種類を選択す
ることにより青色から赤色までの発光が可能なことであ
る。

【０００４】ところで、有機ＥＬ素子として、ホール注
入電極にスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）透明電極
を使用し、ホール注入輸送層等用のホール注入輸送性化
合物にテトラアリーレンジアミン誘導体を使用した構成
のものが知られている（特開昭６３−２９５６９５号
等）。

【０００５】しかし、例えばＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テト
ラキス（−ｍ−ビフェニル）−１，１’−ビフェニル−
４，４’−ジアミンのようなテトラアリーレンジアミン
誘導体の層をＩＴＯ透明電極上に直接形成した場合、テ
トラアリーレンジアミン誘導体の結晶化や層の剥離によ
って発光寿命が十分でないという問題がある。

【０００６】このような問題に対処するために、ＩＴＯ
透明電極とテトラアリーレンジアミン誘導体を含有する
層との間に、ホール注入輸送性化合物でもある４，
４’，４”−トリス（−Ｎ−（−３−メチルフェニル）
−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡ
ＴＡ）を含有する層を設け、ホール注入効果を得るとと
もに、両層の密着性を改善することが行われている（特
開平４−３０８６８８号等）。しかしながら、例えば
４，４’，４”−トリス（−Ｎ−（−３−メチルフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミンはガラ
ス転移温度が８０℃程度であり、耐熱性が不十分であ
る。

【０００７】有機ＥＬ素子は、実用上、高い電界強度下
において使用されるものであって発熱からは逃れられな
いものであるため、上記の４，４’，４”−トリス（−
Ｎ−（−３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）
トリフェニルアミン等、有機材料の耐熱性の悪さは深刻
であり、これに起因して発光寿命が十分でないという問
題が生じる。また、これらの有機材料が劣化したり、そ
の界面における物性が悪化してくると、リークが発生し
たり、ダークスポットと称する非発光領域が発生、拡大
したりして、表示品質を著しく損ねてしまう。

【０００８】さらに、ホール注入層等に使用される有機
材料は比較的高価である。このため、大盤のディスプレ
イや、量産品への応用を考えた場合、コストの低減が重
要な問題となってくる。

【０００９】これらの問題を解決するために、有機層と
ホール注入電極との間に有機のホール注入層を設ける代
わりに無機のホール注入層を設けることが提案されてい
る。このような無機の注入層としては、例えば炭化ケイ
素が知られている。ホール注入層を、無機材料を用いた
層とすることにより、耐熱性が向上し、素子の寿命や耐
候性を向上させることができる。また、比較的高価な有
機物質と異なり、安価で入手しやすい無機材料を用いて
いるので、製造が容易となり、製造コストを低減するこ
とができる。さらに、無機材料をホール注入層に用いる
ことでＩＴＯ等のホール注入電極との接続性、接着性も
良好になる。また、熱拡散性が良好となり、素子の耐久
性や寿命が向上する。しかし、従来の有機のホール注入
層を有するものと比べて輝度の点で不十分であった。

【００１０】ところで、有機ＥＬ素子は、注入されたホ
ールと電子とが再結合することなく、発光層を通過して
しまうことが多く、発光効率が悪いという問題がある。
発光効率が悪いと、輝度の低下を招いてしまう。また、
一定以上の輝度を得るためには高い電圧をかけなければ
ならず、駆動電圧が高くなるのでリークが発生してしま
う。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、耐熱
性、耐候性が高く、リークやダークスポットの発生が少
なく、量産性が高く、低コスト化が可能であり、さらに
は、発光効率が高く、輝度の高い有機ＥＬ素子を提供す
ることである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、以下の本
発明により達成される。

【００１３】（１） ホール注入電極と、電子注入電極
と、これらの電極間に設けられた１種以上の有機層とを
有し、前記ホール注入電極と前記有機層との間に無機の
ホール注入層を有し、前記無機のホール注入層は、ホウ
素の酸化物および／または窒化物を主成分とし、この主
成分をＢＯ_xＮ_yと表したとき ０≦ｘ≦３／２、 ０≦ｙ≦１、 ｘ＋ｙ≧０．５ である有機ＥＬ素子。 （２） 前記ホール注入層がさらに炭素を２０ａｔ％以
下含有する上記（１）の有機ＥＬ素子。 （３） 前記ホール注入層の膜厚が０．３〜５nmである
上記（１）または（２）の有機ＥＬ素子。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬ素子は、ホール
注入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けら
れた１種以上の有機層とを有する。そして、ホール注入
電極と有機層との間に無機のホール注入層を有し、この
ホール注入層は、ホウ素の酸化物および／または窒化物
を主成分とし、この主成分をＢＯ_xＮ_yと表したとき ０≦ｘ≦３／２、好ましくは０．５≦ｘ≦１、 ０≦ｙ≦１、好ましくは０．２≦ｙ≦０．６、 ｘ＋ｙ≧０．５、好ましくは０．６≦ｘ＋ｙ≦１．４ である。そして、ホール注入層は、さらに、炭素を２０
ａｔ％以下含有していてもよい。

【００１５】ホール注入層の組成は化学分析で調べれば
よい。

【００１６】本発明では、無機のホール注入層を上記の
組成にしてワイドバンドギャップにすることにより、高
いホール注入機能が得られる。しかも、ホール注入層を
このような組成とすることにより、ホールと再結合する
ことなく発光層からホール注入層へ流れる電子が界面で
ブロックされるので、発光効率がさらに向上する。本発
明の有機ＥＬ素子は、従来の有機ホール注入層を有する
素子と同等の輝度が得られる。

【００１７】また、本発明の有機ＥＬ素子は、有機のホ
ール注入層に代えて無機のホール注入層を設けることに
より、耐熱性、耐候性が向上し、素子の長寿命化を図れ
る。また、比較的高価な有機物質ではなく、安価で入手
しやすい無機材料を用いているので、製造が容易とな
り、製造コストを低減することができる。さらには、電
極との接続性も良好になる。このため、リークやダーク
スポットの発生が少ない。

【００１８】無機のホール注入層は、さらに、炭素を２
０at％以下、好ましくは０．５〜２０at％、特に５〜１
０at％含有していてもよい。含有量がこれ以上になると
ホール注入機能が低下してくる。通常、炭素はホウ素の
炭化物の形で含有されている。

【００１９】ホール注入層は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒ
ｕ、ＧｅおよびＳｎのいずれか１種以上を含有してもよ
い。中でも、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｕを含有することが好まし
い。含有量は１０at％以下、好ましくは０．１〜１０at
％、特に０．５〜５at％であることが好ましい。含有量
がこれ以上になるとホール注入機能が低下してくる。２
種以上を併用する場合、合計の含有量は上記の範囲にす
ることが好ましい。

【００２０】無機のホール注入層には、他に、Ｈや、ス
パッタガスに用いるＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等を合計１
０at％以下含有していてもよい。

【００２１】なお、ホール注入層全体の平均値としてこ
のような組成であれば、膜厚方向に濃度勾配をもってい
てもよい。

【００２２】無機のホール注入層は、通常、アモルファ
ス状態である。

【００２３】無機のホール注入層の厚さは、０．３〜５
nm、特に０．５〜２nmであることが好ましい。ホール注
入層がこれより薄くても厚くても、ホール注入が十分に
は行われなくて輝度が低下してくる。

【００２４】発光光をホール注入電極側から取り出す構
成の場合、ホール注入層の発光光の透過率は、５０％以
上、特に８０％以上であることが好ましい。発光光の透
過率が低くなると、発光層からの発光自体が減衰され、
発光素子として必要な輝度が得られなくなってくる。

【００２５】また、このような無機のホール注入層と発
光層とを交互に２層以上積層することも好ましい。この
ような構成にすることによって、それぞれのホール注入
層で電子がブロッキングされるために、さらに発光効率
が向上し、輝度が向上する。この場合、発光層は、０．
２〜１０nm、特に１nm以下であることが好ましい。ホー
ル注入層の膜厚は上記の範囲でよい。

【００２６】無機のホール注入層は、プラズマＣＶＤ
法、スパッタ法で成膜することができるが、ＲＦスパッ
タ法で成膜することが好ましい。

【００２７】スパッタ法では、ターゲットとしては、通
常、ホール注入層の組成と同じものを用いる。成膜され
るホール注入層の組成はターゲットとほぼ同じものが得
られる。

【００２８】スパッタ時のスパッタガスの圧力は、０．
５〜５Paの範囲が好ましい。また、成膜中にスパッタガ
スの圧力を、前記範囲内で変化させることにより、濃度
勾配を有するホール注入層を容易に得ることができる。

【００２９】スパッタガスには、通常のスパッタ装置に
使用される不活性ガスが使用できる。中でも、Ａｒ、Ｋ
ｒ、Ｘｅのいずれか、あるいは、これらの少なくとも１
種以上のガスを含む混合ガスを用いることが好ましい。

【００３０】また、反応性スパッタを行ってもよく、反
応性ガスとしては、酸化物を形成する場合、Ｏ₂ 、ＣＯ
等が挙げられ、窒化物を形成する場合、Ｎ₂ 、ＮＨ₃ 、
ＮＯ、ＮＯ₂ 、Ｎ₂ Ｏ等が挙げられ、炭化物を形成する
場合、ＣＨ₄ 、Ｃ₂ Ｈ₂ 、Ｃ₂ Ｈ₄ 、ＣＯ等が挙げられ
る。これらの反応性ガスは単独で用いても、２種以上を
混合して用いてもよい。

【００３１】スパッタ法としては、ＲＦ電源を用いた高
周波スパッタ法を用いても、ＤＣスパッタ法を用いても
よいが、ＲＦスパッタ法が好ましい。成膜レートは０．
５〜１０nm／minの範囲が好ましい。

【００３２】本発明の有機ＥＬ素子の構成例を図１に示
す。図１に示されるＥＬ素子は、基板１上に、ホール注
入電極２、無機のホール注入層３、発光層４、電子注入
輸送層５、電子注入電極６を順次有する。なお、本発明
の有機ＥＬ素子は、図示例に限らず、種々の構成とする
ことができる。電子注入輸送層はなくてもよい。

【００３３】ホール注入電極としては、通常、ホール注
入電極側から発光した光を取り出す構造であるため、好
ましくは発光した光の透過率が８０％以上となるように
その材料および厚さを決定することが好ましい。具体的
には、例えば、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、Ｉ
ＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ
₂ 、Ｉｎ₂Ｏ₃ 等が挙げられるが、特にＩＴＯ、ＩＺＯ
が好ましい。Ｉｎ₂Ｏ₃ に対するＳｎＯ₂ の混合比は、
１〜２０wt％、特に５〜１２wt％が好ましい。Ｉｎ₂Ｏ
₃ に対するＺｎＯの混合比は、１〜２０wt％、特に５〜
１２wt％が好ましい。その他にＳｎ、Ｔｉ、Ｐｂ等が酸
化物の形で、酸化物換算にして１wt％以下含まれていて
もよい。ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十分行
える一定以上の厚さを有すればよく、通常、１０〜５０
０nm程度とすることが好ましい。素子の信頼性を向上さ
せるために駆動電圧が低いことが必要であるが、好まし
いものとして、１０〜３０Ω／□（膜厚５０〜３００n
m）のＩＴＯが挙げられる。実際に使用する場合には、
ＩＴＯ等のホール注入電極界面での反射による干渉効果
が、光取り出し効率や色純度を十分に満足するように、
電極の膜厚や光学定数を設定すればよい。

【００３４】ホール注入電極は、蒸着法等によっても形
成できるが、スパッタ法により形成することが好まし
い。ＩＴＯ、ＩＺＯ電極の形成にスパッタ法を用いる場
合、好ましくはＩｎ₂ Ｏ₃ にＳｎＯ₂ やＺｎＯをドープ
したターゲットを用いる。スパッタ法によりＩＴＯ透明
電極を成膜した場合、蒸着により成膜したものよりも発
光輝度の経時変化が少ない。スパッタ法としてはＤＣス
パッタが好ましく、その投入電力としては、０．１〜４
Ｗ／cm² の範囲が好ましい。特にＤＣスパッタ装置の電
力としては、好ましくは０．１〜１０Ｗ／cm²、特に
０．２〜５Ｗ／cm²の範囲が好ましい。また、成膜レー
トは２〜１００nm／min 、特に５〜５０nm／min の範囲
が好ましい。

【００３５】スパッタガスとしては、特に制限するもの
ではなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。このよ
うなスパッタガスのスパッタ時における圧力としては、
通常０．１〜２０Pa程度でよい。

【００３６】電子注入電極としては、低仕事関数の物質
が好ましく、例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚ
ｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む２成分、３成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａ
ｇ：０．１〜５０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．０１
〜１２at％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）、
Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：０．０１〜２０at％）等が好まし
い。また、特にこれらの酸化物、さらには酸化リチウム
を用いることが好ましい。電子注入電極を酸化物とする
ことにより、ＩＴＯ等の酸化物であるホール注入電極と
対になった酸化物で有機層を囲むようになり、耐候性が
向上する。電子注入電極は蒸着法やスパッタ法で形成す
ることが可能であるが、蒸着法が好ましい。

【００３７】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすればよく、０．１nm以上、
好ましくは１nm以上とすればよい。また、その上限値に
は特に制限はないが、通常膜厚は１〜５００nm程度とす
ればよい。

【００３８】本発明の有機ＥＬ素子は、電子注入電極の
上、つまり有機層と反対側に保護電極を設けてもよい。
保護電極を設けることにより、電子注入電極が外気や水
分等から保護され、構成薄膜の劣化が防止され、電子注
入効率が安定し、素子寿命が飛躍的に向上する。また、
この保護電極は、非常に低抵抗であり、電子注入電極の
抵抗が高い場合には配線電極としての機能も有する。こ
の保護電極は、Ａｌ、Ａｌおよび遷移金属（ただしＴｉ
を除く）、Ｔｉまたは窒化チタン（ＴｉＮ）のいずれか
１種または２種以上を含有し、これらを単独で用いた場
合、それぞれ保護電極中に少なくとも、Ａｌ：９０〜１
００at％、Ｔｉ：９０〜１００at％、ＴｉＮ：９０〜１
００mol％程度含有されていることが好ましい。また、
２種以上用いるときの混合比は任意であるが、ＡｌとＴ
ｉの混合では、Ｔｉの含有量は１０at％以下が好まし
い。また、これらを単独で含有する層を積層してもよ
い。特にＡｌ、Ａｌおよび遷移金属は、後述の配線電極
として用いた場合、良好な効果が得られ、ＴｉＮは耐腐
食性が高く、封止膜としての効果が大きい。ＴｉＮは、
その化学量論組成から１０％程度偏倚していてもよい。
さらに、Ａｌおよび遷移金属の合金は、遷移金属、特に
Ｓｃ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｄ，Ｔａ，Ｃｕ，Ｓｉ，Ｃ
ｒ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｐｄ，ＰｔおよびＷ等を、好ま
しくはこれらの総計が１０at％以下、さらには５at％以
下、特に２at％以下含有していてもよい。遷移金属の含
有量は少ないほど、配線材として機能させた場合の薄膜
抵抗は下げられる。

【００３９】保護電極の厚さは、電子注入効率を確保
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは５０nm以
上、さらには１００nm以上、特に１００〜１０００nmの
範囲が好ましい。保護電極層が薄すぎると、その効果が
得られず、また、保護電極層の段差被覆性が低くなって
しまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一方、
保護電極層が厚すぎると、保護電極層の応力が大きくな
るため、ダークスポットの成長速度が速くなってしま
う。なお、配線電極として機能させる場合の厚さは、電
子注入電極の膜厚が薄いために膜抵抗が高く、これを補
う場合には、通常１００〜５００nm程度、その他の配線
電極として機能される場合には１００〜３００nm程度で
ある。

【００４０】電子注入電極と保護電極とを併せた全体の
厚さとしては、特に制限はないが、通常１００〜１００
０nm程度とすればよい。

【００４１】上記電子注入電極、保護電極を蒸着法で形
成する場合、真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０^-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。

【００４２】電子注入電極、保護電極をスパッタ法で形
成する場合、スパッタ時のスパッタガスの圧力は、０．
１〜１Paの範囲が好ましい。スパッタガスは、通常のス
パッタ装置に使用される不活性ガスが使用できる。

【００４３】スパッタ法としてはＲＦ電源を用いた高周
波スパッタ法や、ＤＣスパッタ法等の中から好適なスパ
ッタ法を用いて成膜すればよい。スパッタ装置の電力と
しては、好ましくはＤＣスパッタで０．１〜１０Ｗ／cm
²、ＲＦスパッタで１０〜１０Ｗ／cm²の範囲である。ま
た、成膜レートは５〜１００nm／min、特に１０〜５０n
m／minの範囲が好ましい。

【００４４】電子注入電極は、マスク蒸着、または、膜
形成後にエッチングするなどの方法でパターニングし、
これによって、素子分離を行い、所望の発光パターンを
得る。

【００４５】次に、本発明のＥＬ素子に設けられる有機
層について述べる。

【００４６】発光層は、ホール（正孔）および電子の輸
送機能、ホールと電子の再結合により励起子を生成させ
る機能を有する。発光層には、比較的電子的にニュート
ラルな化合物を用いることが好ましい。

【００４７】また、必要により設けられるホール輸送層
は、無機ホール注入層からのホールの注入を容易にする
機能、ホールを安定に輸送する機能および電子を妨げる
機能を有するものであり、電子注入輸送層は、電子注入
電極からの電子の注入を容易にする機能、電子を安定に
輸送する機能およびホールを妨げる機能を有するもので
ある。これらの層は、発光層に注入されるホールや電子
を増大・閉じこめさせ、再結合領域を最適化させ、発光
効率を改善する。

【００４８】発光層の厚さ、ホール輸送層の厚さおよび
電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものではな
く、形成方法によっても異なるが、通常５〜５００nm程
度、特に１０〜３００nmとすることが好ましい。

【００４９】ホール輸送層の厚さおよび電子注入輸送層
の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層の
厚さと同程度または１／１０〜１０倍程度とすればよ
い。電子の注入層と輸送層とを分ける場合は、注入層は
１nm以上、輸送層は１nm以上とするのが好ましい。この
ときの注入層、輸送層の厚さの上限は、通常、注入層で
５００nm程度、輸送層で５００nm程度である。このよう
な膜厚については、注入輸送層を２層設けるときも同じ
である。

【００５０】有機ＥＬ素子の発光層には、発光機能を有
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６９
２号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも１種が挙げられる。また、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム等の８−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特開平８−１２６００号の
フェニルアントラセン誘導体、特開平８−１２９６９号
のテトラアリールエテン誘導体等を用いることができ
る。

【００５１】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は０．０１〜２０wt％、さらには０．
１〜１５wt％であることが好ましい。ホスト物質と組み
合わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長
特性を変化させることができ、長波長に移行した発光が
可能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。

【００５２】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。

【００５３】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］等がある。

【００５４】また、８−キノリノールまたはその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム(III)
、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（オルト−
クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（メタークレゾラト）アルミニウム
(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ
−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル
−８−キノリノラト）（オルト−フェニルフェノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラト）（メタ−フェニルフェノラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）（２，３−ジメチルフェノ
ラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラト）（２，６−ジメチルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（３，４−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジメ
チルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２，６−ジフェニルフェノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ト）（２，４，６−トリフェニルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（２，３，６−トリメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，
３，５，６−テトラメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（１−ナ
フトラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）
（オルト−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，
４−ジメチル−８−キノリノラト）（メタ−フェニルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジメチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８
−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−エチ
ル−８−キノリノラト）（パラ−クレゾラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キ
ノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウ
ム(III) 、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリ
ノラト）（オルト−クレゾラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−６−トリフルオロメチル−８−キノ
リノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(III) 等が
ある。

【００５５】このほか、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キ
ノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（４−エチル−
２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス（４−エチル−２−メチル−８−キノ
リノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４
−メトキシキノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス（２−メチル−４−メトキシキノリノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（５−シアノ−２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−５−トリフルオ
ロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル
−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 等であっても
よい。

【００５６】このほかのホスト物質としては、特開平８
−１２６００号のフェニルアントラセン誘導体、特開平
８−１２９６９号のテトラアリールエテン誘導体なども
好ましい。

【００５７】また、発光層は、必要に応じて、少なくと
も１種のホール注入輸送性化合物と少なくとも１種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層におけるドーパントの含有
量は、ホール注入輸送性化合物と電子注入輸送性化合物
との合計量に対して０．０１〜２０wt％、さらには０．
１〜１５wt％とすることが好ましい。

【００５８】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。

【００５９】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物には、例えば、特開昭６３−２９５６９５号公報、特
開平２−１９１６９４号公報、特開平３−７９２号公
報、特開平５−２３４６８１号公報、特開平５−２３９
４５５号公報、特開平５−２９９１７４号公報、特開平
７−１２６２２５号公報、特開平７−１２６２２６号公
報、特開平８−１００１７２号公報、ＥＰ０６５０９５
５Ａ１等に記載されている各種有機化合物を用いること
ができる。例えば、テトラアリールベンジシン化合物
（トリアリールジアミンないしトリフェニルジアミン：
ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カル
バゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘
導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリ
チオフェン等である。これらの化合物は、１種のみを用
いても、２種以上を併用してもよい。

【００６０】ホール注入輸送性の化合物としては、強い
蛍光を持ったアミン誘導体、例えばトリフェニルジアミ
ン誘導体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合
環を持つアミン誘導体を用いるのが好ましい。

【００６１】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いることが好まし
い。また、フェニルアントラセン誘導体、テトラアリー
ルエテン誘導体を用いるのも好ましい。オキサジアゾー
ル誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジ
ン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導
体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用いることができ
る。これらの化合物は、１種のみを用いても、２種以上
を併用してもよい。

【００６２】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物／電子注入輸送性化合物の重量
比が、１／９９〜９９／１、さらに好ましくは１０／９
０〜９０／１０、特に好ましくは２０／８０〜８０／２
０程度となるようにすることが好ましい。

【００６３】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には１〜８５nmとすることが好まし
く、さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmとすること
が好ましい。

【００６４】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。

【００６５】特に発光層として好ましいものに、８−キ
ノリノールまたはその誘導体を配位子とするアルミニウ
ム錯体と、テトラアリールベンジシン化合物に、ルブレ
ン、クマリン等の蛍光物質をドープした混合層が挙げら
れる。８−キノリノールまたはその誘導体を配位子とす
るアルミニウム錯体と、テトラアリールベンジシン化合
物との混合比は上記の範囲内であることが好ましい。ル
ブレン等のドーピング蛍光物質は、この混合層に対し、
０．０１〜２０mol％であることが好ましい。

【００６６】また、ホール輸送層には、例えば、特開昭
６３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４号
公報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４６８
１号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平５−
２９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公報、
特開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００１７
２号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されている
各種有機化合物を用いることができる。例えば、テトラ
アリールベンジシン化合物（トリアリールジアミンない
しトリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミ
ン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオ
キサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。これ
らの化合物は、１種のみを用いても、２種以上を併用し
てもよい。２種以上を併用するときは、別層にして積層
したり、混合したりすればよい。

【００６７】また、必要に応じて設けられる電子注入輸
送層には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム
（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールまたはその誘導体を
配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導
体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニ
ルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用い
ることができる。電子注入輸送層は発光層を兼ねたもの
であってもよく、このような場合はトリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム等を使用することが好ましい。電
子注入輸送層の形成は、発光層と同様に、蒸着等によれ
ばよい。

【００６８】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を２層以上設け
るときも同様である。

【００６９】有機ＥＬ構造体各層を成膜した後に、Ｓｉ
Ｏ_X 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素重
合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよい。
保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の厚さ
は５０〜１２００nm程度とする。保護膜は、前記の反応
性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着法、Ｐ
ＥＣＶＤ法等により形成すればよい。

【００７０】さらに、素子の有機層や電極の酸化を防い
だり、機械的ダメージから保護するために、素子上に封
止板を設けることが好ましい。封止板は、湿気の侵入を
防ぐために、接着性樹脂等を用いて接着し密封する。封
止ガスは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ₂等の不活性ガス等が好まし
い。また、この封止ガスの水分含有量は、１００ppm以
下、より好ましくは１０ppm以下、特には１ppm以下であ
ることが好ましい。この水分含有量に下限値は特にない
が、通常０．１ppm程度である。

【００７１】封止板の材料としては、好ましくは平板状
であって、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材
料が挙げられるが、特にガラスが好ましい。このような
ガラス材として、例えば、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカ
リガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、
シリカガラス等のガラス組成のものが好ましい。また、
その製板方法としては、ロールアウト法、ダウンロード
法、フュージョン法、フロート法等が好ましい。ガラス
材の表面処理法としては、研磨加工処理、ＳｉＯ₂バリ
ヤーコート処理等が好ましい。これらの中でも、フロー
ト法で製板されたソーダ石灰ガラスで、表面処理の無い
ガラス材が安価に使用でき、好ましい。封止板として
は、ガラス板以外にも、金属板、プラスチック板等を用
いることもできる。

【００７２】封止板の高さを調整する手段としては、特
に制限されるものではないが、スペーサーを用いること
が好ましい。スペーサーを用いることにより、安価で、
容易に所望の高さを得ることができる。スペーサーの材
料としては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、ガラスビー
ズ、ガラスファイバー等が挙げられ、特にガラスビーズ
等が好ましい。スペーサーは、通常、粒径の揃った粒状
物であるが、その形状は特に限定されるものではなく、
スペーサーとしての機能に支障のないものであれば種々
の形状であってもよい。その大きさとしては、円換算の
直径が１〜２０μm 、より好ましくは１〜１０μm 、特
に２〜８μm が好ましい。このような直径のものは、粒
長１００μm 以下程度であることが好ましく、その下限
は特に規制されるものではないが、通常１μm 程度であ
る。

【００７３】なお、封止板に凹部を形成した場合には、
スペーサーは使用しても、使用しなくてもよい。使用す
る場合の好ましい大きさとしては、前記範囲でよいが、
特に２〜８μm の範囲が好ましい。

【００７４】スペーサーは、予め封止用接着剤中に混入
されていても、接着時に混入してもよい。封止用接着剤
中におけるスペーサーの含有量は、好ましくは０．０１
〜３０wt％、より好ましくは０．１〜５wt％である。

【００７５】接着剤としては、安定した接着強度が保
て、気密性が良好なものであれば特に限定されるもので
はないが、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ
樹脂接着剤を用いることが好ましい。

【００７６】基板材料としては特に限定するものではな
く、積層する有機ＥＬ構造体の電極の材質等により適宜
決めることができ、例えば、Ａｌ等の金属材料や、ガラ
ス、石英や樹脂等の透明ないし半透明材料、あるいは不
透明であってもよく、この場合はガラス等のほか、アル
ミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表
面酸化などの絶縁処理を施したもの、フェノール樹脂等
の熱硬化性樹脂、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂な
どを用いることができる。

【００７７】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。

【００７８】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等
で用いられているカラーフィルターを用いればよいが、
有機ＥＬ素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。

【００７９】また、ＥＬ素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。

【００８０】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしてもよい。

【００８１】蛍光変換フィルター膜は、ＥＬ発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。

【００８２】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いればよく、ＥＬ発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物（サブフタロシアニ
ン等も含む）・ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水
素系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・
クマリン系化合物等を用いればよい。

【００８３】バインダーは、基本的に蛍光を消光しない
ような材料を選べばよく、フォトリソグラフィー・印刷
等で微細なパターニングが出来るようなものが好まし
い。また、ＩＴＯ、ＩＺＯの成膜時にダメージを受けな
いような材料が好ましい。

【００８４】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要のない場合は用いなくてもよ
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べばよい。

【００８５】有機層の形成には、均質な薄膜が形成でき
ることから、真空蒸着法を用いることが好ましい。真空
蒸着法を用いた場合、アモルファス状態または結晶粒径
が０．１μm 以下の均質な薄膜が得られる。

【００８６】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０^-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。

【００８７】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。

【００８８】本発明の有機ＥＬ素子は、通常、直流駆動
型のＥＬ素子として用いられるが、交流駆動またはパル
ス駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、２〜２
０V程度とされる。

【００８９】

【実施例】次に、本発明の実施例を示し、本発明をより
具体的に説明する。

【００９０】＜実施例１＞コーニング社製７０５９ガラ
ス基板上に、スパッタ法でＩＴＯ透明電極薄膜を１００
nmの厚さに成膜し、パターニングした。このＩＴＯ透明
電極が形成されたガラス基板を、中性洗剤、アセトン、
エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中か
ら引き上げて乾燥し、ＵＶ／Ｏ₃ 洗浄した。

【００９１】次いで、ＢＯ₁をターゲットとして、ＲＦ
スパッタ法により、無機のホール注入層を成膜速度１nm
／minで、２nmの厚さに成膜した。このときのスパッタ
ガスはＡｒ１００sccm、Ｏ₂１０sccmで、動作圧は０．
５Paとした。また、投入電力は周波数１３．５６MHzで
１００Ｗとした。成膜したホール注入層の組成は、ター
ゲットと同じであった。

【００９２】次に、槽内を１×１０^-4Pa以下まで減圧
し、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（ｍ−ビフェニ
ル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（Ｔ
ＰＤ）と、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム
（Ａｌｑ３）と、ルブレンとを、全体の蒸着速度０．２
nm/secとして４０nmの厚さに蒸着し、発光層とした。Ｔ
ＰＤ：Ａｌｑ３＝１：１（重量比）、この混合物に対し
てルブレンを０．５mol％とした。

【００９３】次いで、減圧を保ったまま、トリス（８−
キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を蒸着速度
０．２nm/secとして３０nmの厚さに蒸着し、電子注入輸
送層とした。

【００９４】そして、減圧を保ったまま、ＡｌＬｉを蒸
着速度０．２nm／minで、５nmの厚さに蒸着し、電子注
入電極とした。

【００９５】さらに、減圧を保ったまま、Ａｌターゲッ
トを用いたＤＣスパッタ法により、スパッタガスにはＡ
ｒを用い、スパッタ圧力０．３PaにてＡｌ配線電極を２
００nmの厚さに成膜した。

【００９６】最後にガラス封止板を貼り合わせ、有機Ｅ
Ｌ素子とした。

【００９７】また、比較サンプルとして、無機のホール
注入層を成膜する代わりに、ポリチオフェンを蒸着速度
０．１nm／secで１０nmの厚さに蒸着してホール注入層
とし、ＴＰＤを蒸着速度０．１nm／secで２０nmの厚さ
に蒸着してホール輸送層とした他は上記と同様にして比
較例の有機ＥＬ素子を作製した。

【００９８】作製した本発明の有機ＥＬ素子、比較例の
有機ＥＬ素子を６０℃、１０mA／cm² の定電流駆動し
た。その結果、本発明の有機ＥＬ素子は５００時間後で
も初期輝度に対して９０％以上の輝度を保っていた。比
較例の有機ＥＬ素子は５００時間で初期輝度の７０％以
下まで劣化した。また、比較例の有機ＥＬ素子はリーク
電流の発生やダークスポットの発生・成長が見られた
が、本発明の有機ＥＬ素子は、リーク電流の発生も、ダ
ークスポットの発生も見られなかった。

【００９９】＜実施例２＞無機のホール注入層の組成を
ＢＮ_0.5とした他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素
子を作製した。

【０１００】そして、この有機ＥＬ素子を実施例１と同
様に６０℃、１０mA／cm² の定電流駆動し、寿命特性を
測定したところ、５００時間後でも初期輝度に対して９
０％以上の輝度を保っていた。

【０１０１】＜実施例３＞無機のホール注入層の組成を
ＢＯ₁Ｎ_0.2とした他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ
素子を作製した。

【０１０２】そして、この有機ＥＬ素子を実施例１と同
様に６０℃、１０mA／cm² の定電流駆動し、寿命特性を
測定したところ、５００時間後でも初期輝度に対して９
０％以上の輝度を保っていた。

【０１０３】＜実施例４＞無機のホール注入層の組成を
ＢＯ_0.8Ｎ_0.4にＣ５at％を添加したものとした他は、実
施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

【０１０４】そして、この有機ＥＬ素子を実施例１と同
様に６０℃、１０mA／cm² の定電流駆動し、寿命特性を
測定したところ、５００時間後でも初期輝度に対して９
０％以上の輝度を保っていた。

【０１０５】また、ホール注入層の組成を、ＢＯ₁にＣ
５at％を添加したもの、ＢＮ_0.5にＣ３at％を添加した
ものに代えても、５００時間後でも初期輝度に対して９
０％以上の輝度を保っていた。

【０１０６】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、耐熱
性、耐候性が高く、リークやダークスポットの発生が少
なく、量産性が高く、低コスト化が可能であり、さらに
は、発光効率が高く、輝度の高い有機ＥＬ素子を実現で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】有機ＥＬ素子の構成例を示す概略断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 基板 ２ ホール注入電極 ３ ホール注入層 ４ 発光層 ５ 電子注入輸送層 ６ 電子注入電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三橋 悦央 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB06 AB12 AB14 AB18 BB00 BB01 BB06 CA01 CA02 CA05 CB01 DA00 DA01 DB03 EB00 FA01

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ホール注入電極と、電子注入電極と、こ
   れらの電極間に設けられた１種以上の有機層とを有し、 前記ホール注入電極と前記有機層との間に無機のホール
   注入層を有し、 前記無機のホール注入層は、ホウ素の酸化物および／ま
   たは窒化物を主成分とし、この主成分をＢＯ_xＮ_yと表し
   たとき ０≦ｘ≦３／２、 ０≦ｙ≦１、 ｘ＋ｙ≧０．５ である有機ＥＬ素子。
2. 【請求項２】 前記ホール注入層がさらに炭素を２０ａ
   ｔ％以下含有する請求項１の有機ＥＬ素子。
3. 【請求項３】 前記ホール注入層の膜厚が０．３〜５nm
   である請求項１または２の有機ＥＬ素子。