CN100501988C - 引线框架、半导体器件及其制造方法以及注射模具 - Google Patents
引线框架、半导体器件及其制造方法以及注射模具 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100501988C CN100501988C CNB2006100753919A CN200610075391A CN100501988C CN 100501988 C CN100501988 C CN 100501988C CN B2006100753919 A CNB2006100753919 A CN B2006100753919A CN 200610075391 A CN200610075391 A CN 200610075391A CN 100501988 C CN100501988 C CN 100501988C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resin
- lead frame
- cast gate
- semiconductor device
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 115
- 238000002347 injection Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 327
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 327
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 118
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 42
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 35
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 10
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49565—Side rails of the lead frame, e.g. with perforations, sprocket holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01087—Francium [Fr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供了一种引线框架,其适当设置在注射模具中,且密封树脂沿树脂流RF从流道部分注入。密封树脂通过浇口部分注入到腔中(相应于树脂密封部分的注射模具的空间),从而通过用树脂密封半导体元件芯片而成型树脂密封部分,其中相应于所述浇口部分形成的浇口树脂部分后来被切割并除去。在引线框架中相应于浇口树脂部分(注射模具的浇口部分)的平面表面上形成变形部分(孔),从而变形部分允许浇口树脂部分容易地与密封树脂一起被除去。
Description
技术领域
本发明涉及一种能够可靠除去已经形成为相应于注射模具的浇口部分的树脂浇口部分的密封树脂的引线框架,涉及一种采用此引线框架的半导体器件,以及涉及一种制造这样的半导体器件的方法,还涉及一种能够用于制造这种半导体器件的注射模具。
背景技术
通常,公知具有通过用透明树脂密封而成型的树脂密封部分的半导体器件,例如光学传感器和光学拾取器,其包括具有安装在引线框架上或安装在金属导线衬底上作为光学半导体元件芯片的光接收元件芯片的器件。
图12是示出用树脂密封常规半导体器件的方法的示意性部分的截面图。该半导体器件以透视图示出,省略了阴影部分。
通过采用例如Ag胶把引线框架81连接到光接收元件芯片82,并采用例如Au线作为结合线83来进一步连接作为引线框架81一部分的引线端子81t和光接收元件芯片82,从而将光接收元件芯片82安装在引线框架81上。当然,可以在引线框架81上安装彼此分离的多个光接收元件芯片82。
接着,为了采用透明树脂来用树脂密封光接收元件芯片82,通过把引线框架81和光接收元件芯片82保持在注射模具(此后称为模具)之间,更具体地为上模具85与下模具86之间,然后通过透明树脂的注射进行注射成型(成型步骤),从而形成树脂密封部分87。
用于此成型步骤的模具设置有相通地连接彼此相邻的光接收元件芯片82的浇口部分88,以形成相应于多个光接收元件芯片82的每一个的树脂密封部分87。因此,与树脂密封部分87紧密接触的浇口树脂部分89与树脂密封部分87一起形成,相应于浇口部分88。通过同时树脂成型多个光接收元件芯片82,可以实现批量生产,然而由于实现完整的产品需要转换到用作半导体器件的单个单元,因此浇口树脂部分89被除去。
图13(A)和13(B)是图示出如何除去在常规半导体器件的成型步骤中形成的浇口树脂部分的示意性截面图。图13(A)示出如何用浇口切割穿孔器(punch)除去浇口树脂部分,且图13(B)示出除去后的状态。例如在JP2002-184928A中描述了这样的常规实例。
在图13(A)所示的情况,浇口切割穿孔器91沿箭头所示方向向下压,从而浇口树脂部分92被切割并从半导体器件的树脂密封部分94移除。然而,在用透明树脂密封的半导体器件中,由于透明树脂的弹性大于通常用于半导体器件例如集成电路的黑树脂的弹性,浇口树脂部分92变得更难以断裂,这可能引起不成功的切割并可能导致树脂进入浇口切割穿孔器91与树脂密封部分94之间的空隙。
在图13(B)所示的情况,浇口切割穿孔器91沿箭头所示方向返回,且保持未被切割的浇口树脂部分92因其自身弹性而回到其初始状态,从而一些浇口树脂部分92作为树脂剩余物保留。由于浇口树脂部分92上的树脂剩余物引起树脂密封部分94的缺陷形状,该缺陷形状会在后续步骤中导致问题并会影响可靠性,需要例如用空气吹的额外步骤(吹掉树脂的步骤)。
此外,当浇口树脂部分92被切割时,因为浇口切割穿孔器91的滑动和切割位置的移位,浇口树脂部分92有时没有被切掉,导致半导体器件的树脂密封部分94上的树脂剩余物。
因此,由于浇口树脂部分92上的树脂剩余物会在制造工艺中引起问题,存在需要除去树脂剩余物的额外步骤(吹掉树脂步骤)的问题,这使得难以提高生产效率,并可能引起产量下降。
发明内容
考虑到上述问题而完成本发明,且本发明的一个目的是提供一种引线框架,其中通过在引线框架中形成提高浇口树脂部分与引线框架之间的接触并能防止浇口树脂部分上发生树脂剩余物的变形部分,浇口树脂部分(的密封树脂)能以可靠方式除去。
本发明的另一目的是提供一种具有简化制造步骤的半导体器件,其中通过采用具有改进接触性质的浇口树脂部分的引线框架而防止浇口树脂部分上发生树脂剩余物。
本发明的再一目的是提供一种用于制造具有简化的制造步骤的半导体器件的方法,该方法通过使用具有改进接触性质的浇口树脂部分的引线框架而防止浇口树脂上发生树脂剩余物。
本发明的再一目的是提供一种制造半导体器件的方法,其中通过在注射模具的浇口树脂部分上提供收缩使得浇口树脂部分可以容易地破坏而防止或减少浇口树脂部分上的树脂剩余物。
本发明的再一目的是提供一种用于制造半导体器件的方法,其中通过采用在注射模具的浇口部分表面上提供纹理而形成在浇口树脂部分表面上的纹理,防止浇口切割穿孔器的滑动及减少浇口树脂部分上的切割位置的移位,从而防止或减少树脂剩余物。
本发明的再一目的是提供一种注射模具,采用其可以通过在注射模具的浇口部分上提供收缩使得浇口树脂部分可以容易地破坏而防止或减少浇口树脂部分上的树脂剩余物。
本发明的再一目的是提供一种注射模具,其通过在注射模具的浇口部分表面上提供纹理而防止在浇口树脂部分上的浇口切割穿孔器的滑动和减少浇口树脂部分上的切割位置的移位,从而防止或减少树脂剩余物。
为了解决上述问题,根据本发明的引线框架是其上安装半导体芯片且其树脂成型部分是通过经注射模具的浇口部分注射密封树脂而成型的,引线框架包括相应于形成在浇口部分上的浇口树脂部分的变形部分。
在此结构中,相应于引线框架的浇口部分而形成的浇口树脂部分的接触面积增大了,从而浇口树脂部分与引线框架处于接合状态,从而可以提高浇口树脂部分(密度树脂)与引线框架之间的接触,并由于当除去浇口树脂部分时,浇口树脂部分的密封树脂也被可靠除去,从而消除浇口树脂部分保持仍附着到半导体器件的情况。
优选根据本发明的引线框架中,变形部分是孔。
在此结构中,采用简单的结构扩大了接触面积,且加强了接合状态,使得可以提高密封树脂与引线框架之间的接触。
优选在根据本发明的引线框架中,变形部分是通孔。
此结构使得能以更可靠的方式提高密封树脂与引线框架之间的接触。
优选在根据本发明的引线框架中,变形部分是一个或多个凹槽。
在此结构中,引线框架关于浇口树脂部分处的密封树脂的接触面积进一步扩大了,且处于接合状态的面积扩大了,使得可以进一步提高密封树脂与引线框架之间的接触。
优选在根据本发明的引线框架中,凹槽沿与密封树脂注射方向交叉的方向形成。
在此结构中,密封树脂关于引线框架的接合状态进一步加强了,使得可以进一步提高密封树脂与引线框架之间的接触。
优选在根据本发明的引线框架中,变形部分是一个或多个突起。
在此结构中,引线框架关于浇口树脂部分的密封树脂的接触面积扩大了,使得可以提高密封树脂与引线框架之间的接触。
优选在根据本发明的引线框架中,突起形成在位置上与切割端部对准的位置,该切割端部是切割浇口树脂部分的范围的边缘。
在此结构中,在突起上浇口树脂部分具有较小的密封树脂厚度,从而在突起位置浇口树脂部分更容易破坏,使得可以在相应于突起定位的切割端部以可靠方式除去浇口树脂部分的密封树脂。因此,可以减少半导体器件外部尺度的变化。
优选在根据本发明的引线框架中,突起形成在切割端部与树脂密封部分之间。
此结构使得能以可靠方式除去切割端部与树脂密封部分之间的浇口树脂部分的密封树脂。
优选在根据本发明的引线框架中,变形部分形成在相应于注射模具的浇口部分的平面表面上。此结构使得可以具有以可靠方式作用的变形部分。
根据本发明的半导体器件是这样的半导体器件,其包括安装在引线框架上的半导体元件芯片,和通过经注射模具的浇口部分注入密封树脂而用树脂密封来密封所述半导体元件芯片的树脂密封部分,其中该引线框架是上面所述的引线框架。
此结构中,可以防止有浇口树脂部分的密封树脂所引起的树脂剩余物的发生,使得可以消除对吹掉树脂步骤的需要并实现具有简化制造步骤的半导体器件。
优选在根据本发明的半导体器件中,密封树脂是透明树脂。
此结构使得可以实现浇口树脂部分上没有树脂剩余物的半导体器件,即使当采用具有强弹性的透明树脂进行密封时。
优选在根据本发明的半导体器件中,半导体元件芯片是光学半导体元件芯片。
此结构使得可以实现其中防止浇口树脂部分上发生树脂剩余物的光学半导体器件,并实现具有提供的制造产量的高可靠光学半导体器件。
根据本发明的制造半导体器件的方法是这样的用于制造半导体器件的方法,其包括在引线框架上安装半导体元件芯片,通过仅注射模具的浇口部分注入密封树脂而采用树脂密封半导体元件芯片,并除去形成在浇口部分的浇口树脂部分处的密封树脂,其中该引线框架是上面所述的引线框架。
此结构中,可以提高浇口树脂部分(密封树脂)与引线框架的接触,并在除去浇口树脂部分时以可靠方式除去密封树脂,这使得可以防止在完成除去浇口树脂部分的步骤之后在半导体器件上发生树脂剩余物。
优选在根据本发明用于制造半导体器件的方法中,浇口部分沿与密封树脂的注射方向交叉的方向上具有收缩。
此结构中,浇口树脂部分在收缩位置更容易破坏,使得能以可靠方式防止和减少浇口树脂部分上的树脂剩余物的发生。
优选在根据本发明制造半导体器件的方法中,浇口树脂在其表面上具有纹理。
此结构中,纹理形成在浇口树脂部分的表面上,从而当除去浇口树脂部分时防止浇口树脂部分上的浇口切割穿孔器的滑动,使得能以可靠方式在精确位置除去浇口树脂部分,并防止和减少树脂剩余物的发生。
优选在根据本发明制造半导体器件的方法中,浇口部分相应于引线框架的平面表面之一而设置。
此结构使得可以注射具有所需的密封压力的密封树脂并以精确控制的方式实现采用树脂的密封。
优选在根据本发明制造半导体器件的方法中,密封树脂是透明树脂。
此结构使得可以实现即使在使用具有强弹性的透明树脂进行用树脂的密封时,在浇口树脂部分上不发生树脂剩余物。
优选在根据本发明制造半导体器件的方法中,半导体元件芯片是光学半导体元件芯片。
此结构中,防止了光学半导体的浇口树脂部分上的树脂剩余物,使得能实现在制造步骤中具有有限问题并具有提高的制造产量的高可靠的光学半导体器件。
根据本发明的注射模具是这样的注射模具,其中通过从浇口部分注射密封树脂而把已经安装在引线框架上的半导体元件芯片树脂密封,且其中浇口部分具有收缩。
此结构中,浇口树脂部分在收缩处更容易破坏,使得可以实现能防止和减少浇口树脂部分的树脂剩余物的发生的注射模具。
根据本发明的注射模具是这样的注射模具,其中安装在引线框架上的半导体元件芯片是通过从浇口部分注射的密封树脂而树脂密封的,其中浇口部分在其表面具有纹理。
此结构中,防止了浇口树脂部分上浇口切割穿孔器的滑动,并减少了浇口树脂部分上切割位置的移位,使得可以实现其中防止和减少了树脂剩余物的发生的注射模具。
附图说明
图1是使用根据本发明实施例1的引线框架形成树脂密封部分之后的半导体器件的平面图;
图2是图1沿箭头标示的X-X所截取的示意性截面图,示出了放大图;
图3是使用根据本发明实施例2的引线框架形成树脂密封部分之后的半导体器件的平面图;
图4是图3沿箭头标示的X-X所截取的示意性截面图,示出了放大图;
图5是使用根据本发明实施例3的引线框架形成树脂密封部分之后的半导体器件的平面图;
图6是图5沿箭头标示的X-X所截取的示意性截面图,示出了放大图;
图7是图5和6的示意性截面图,示出了改进实例的放大图;
图8是图5和6的示意性截面图,示出了另一改进实例的放大图;
图9是根据本发明实施例4的树脂密封部分形成之后的半导体器件的平面图;
图10是根据本发明实施例5的树脂密封部分形成之后的半导体器件的平面图;
图11是图10沿箭头标示的X-X所截取的示意性截面图,示出了放大图;
图12是示出用树脂密封半导体器件的常规方法的示意性部分的截面图;
图13(A)和13(B)是解释在常规半导体器件的成型步骤中形成的浇口树脂部分如何被浇口切割穿孔器除去的示意性截面图;图13(A)示出了如何用浇口切割穿孔器除去浇口树脂部分,且图13(B)示出了除去后的状态。
具体实施方式
此后,将参考附图描述本发明的实施例。
实施例1
图1是使用根据本发明实施例1的引线框架形成树脂密封部分后的半导体器件的平面图。图2是图1沿箭头标示的X-X所截取的示意性截面图,示出了放大图。
半导体器件通常通过安装步骤、成型步骤和除去浇口树脂部分的步骤(和分离引线框架的步骤)而制造。在安装步骤中,引线框架11具有使用例如Ag胶连接到其上的半导体芯片(未示出),且构成引线框架11的一部分的引线端子11t通过接合线例如Au线连接到半导体芯片。因此,半导体元件芯片安装在引线框架11上。
接着,引线框架11在注射模具(未示出)中适当定位,且密封树脂沿树脂流RF从流道部分12注入。由于设置浇口部分13以接触引线框架11的一个平面表面,密封树脂可以以所需的密封压力注入,且可以精确控制树脂密封。
在成型步骤中,密封树脂通过浇口部分13注入到腔(相应于树脂密封部分15的注射成型空间),从而通过用树脂密封半导体元件芯片而形成树脂密封部分15。未示出树脂密封部分15内部的引线框架11的状态。
当树脂密封部分15成型时浇口树脂部分13r相应于浇口部分13形成,从而实现图1和2所示的状态。由于浇口树脂部分13r是对于单个半导体器件非必需的部分,其在除去浇口树脂部分的后续步骤中被浇口切割穿孔器22适当除去(见图7和8)。
引线框架11具有形成在其一个平面表面上的变形部分,其相应于浇口树脂部分13r(注射模具的浇口部分13)。在此实施例中,孔16设置为变形部分。这样,实现了其中变形部分可以关于浇口树脂部分13r可靠作用的结构。
通过把密封树脂流进孔16,浇口树脂部分13r到达完全成型的状态。因此,由于浇口树脂部分13r关于引线框架11的接触面积变大,且浇口树脂部分13r实现了与引线框架11接合的状态,所以可以提高浇口树脂部分13r(密封树脂)与引线框架11之间的接触。
由于浇口树脂部分13r与引线框架11之间的接触提高了,当浇口树脂部分13r和相应位置的引线框架11被除去时,浇口树脂部分13r的密封树脂与引线框架11一起可靠除去(除去浇口树脂部分的步骤)。
因此,防止了浇口树脂部分13r的密封树脂附着到树脂密封部分15,造成树脂剩余物。因此,常规所需的吹掉树脂的步骤变得不再必要,且可以防止制造工艺中的问题,使得可以提高制造产量和生产效率,并实现减小其外部尺度中的变化的高可靠的半导体器件。
由于浇口树脂部分13r被可靠除去,可以实现没有树脂剩余物的半导体器件,即使具有更强弹性的透明树脂用作密封树脂。因此,本发明适合于要求使用透明树脂的树脂密封的光学半导体器件。
此外,由于半导体元件芯片可以是光学半导体元件芯片,所以可以实现防止树脂剩余物的高可靠的光学半导体器件,且可以提高光学半导体器件的产量。
虽然孔16可以处于不穿透引线框架11的深度,通过使其成为通孔,能够以简单结构进一步扩大接触面积,可以实现更强接合状态,且可以进一步提高浇口树脂部分13r和引线框架11之间的接触。更具体地,孔16可以通过适当蚀刻或穿孔引线框架11的表面而容易地形成。
实施例2
图3是使用本发明实施例2的引线框架形成密封树脂部分之后的半导体器件的平面图。图4是图3沿箭头标示的X-X所截取的示意性截面图,示出放大图。图3和4示出了其中当树脂密封部分15成型时浇口树脂部分13r相应于浇口部分13形成的状态。在实施例2中,同样的参考标号用于与实施例1相同的结构元件,且省略其进一步的详细描述。
引线框架11设置有凹槽18作为相应于浇口树脂部分13r的变形部分。因此,由于通过使密封树脂流进凹槽18,浇口树脂部分13r达到实现成型的状态,浇口树脂部分13r关于引线框架11的接触面积变得甚至大于采用孔16时的接触面积。且由于浇口树脂部分13r与引线框架11接合,可以进一步提高浇口树脂部分13r(密封树脂)与引线框架11之间的接触。
由于浇口树脂部分13r(密封树脂)与引线框架11之间的接触得到提高,所以当浇口树脂部分13r(和相应位置的引线框架11)被除去时,浇口树脂部分13r的密封树脂被与引线框架11一起除去。因此,可以防止树脂密封部分15附着到浇口树脂部分13r,造成树脂剩余物。因此,常规所需的吹掉树脂的步骤变得不再必要,且可以防止制造工艺中的问题,使得可以提高制造产量并实现高可靠的半导体器件。
通过沿与密封树脂的注射方向交叉的方向形成凹槽18,可以进一步提高接合状态并进一步提高接触。可以通过适当蚀刻或穿孔引线框架11的表面而容易地形成凹槽18。
实施例3
图5是采用根据本发明实施例3的引线框架形成树脂密封部分之后的半导体器件的平面图。图6是图5沿箭头标示的X-X所截取的示意性截面图。图5和6示出了当树脂密封部分15成型时浇口树脂部分相应于浇口部分13形成的状态。在实施例3中,相同的参考标号用于与实施例1和2相同的结构元件,且省略其进一步的详细解释。
引线框架11设置有突起20作为相应于浇口树脂部分13r的变形部分。更优选从透视图中具有沿凹槽18的相同方向的脊形的突起20,其可以放大操作效果。通过从相对侧适当冲压引线框架11,可以容易地形成突起20。
由于浇口树脂部分13r到达密封树脂成型的状态以围绕突起20,所以浇口树脂部分13r关于引线框架11的接触面积扩大了,且可以实现浇口树脂部分13r接合引线框架11的状态,这使得可以提高浇口树脂部分13r(密封树脂)与引线框架11之间的接触。
由于浇口树脂部分13r(密封树脂)与引线框架11之间的接触提高了,所以当浇口树脂部分13r(和相应位置的引线框架11)被除去时,浇口树脂部分13r的密封树脂可以与引线框架11一起被可靠除去,这防止了由于浇口树脂部分13r的密封树脂附着到树脂密封部分15而导致的树脂剩余物。因此,由于常规所需的吹掉树脂的步骤变得不再必要,且防止了制造工艺中的问题,可以提高产量且可以实现高可靠半导体器件。
图7是示出图5和6的改进实例的放大图的示意性截面图。浇口树脂部分13r被设置在切割端部24的浇口切割穿孔器22切割并除去,该切割端部是浇口树脂部分13r的密封树脂被除去(除去浇口树脂部分的步骤)的范围的边缘。
浇口树脂部分13r的密封树脂的厚度较小且密封树脂在相应于突起20的位置容易被破坏。因此,通过形成与切割端部24对准的突起20,浇口树脂部分13r在突起20(切割端部24)的位置更容易被破坏,且能够可靠除去浇口树脂部分的密封树脂。
换言之,由于浇口树脂部分13r的切割端部24在突起20的位置被分开,所以可以减少在除去浇口树脂部分13r之后半导体器件(树脂密封部分15)外部尺度的变化。
图8是在放大图中示出图5和6的改进实例的示意性截面图。
突起20形成在切割端部24与树脂密封部分15的端部位置之间,其中切割端部是通过用于切割并除去浇口树脂部分13r的浇口切割穿孔器22分开的。换言之,突起20形成在切割端部24之外的位置。
通过采用此结构,可以通过突起20更容易地除去位于切割端部24与树脂密封部分15之间的浇口树脂部分13r的密封树脂,使得可以可靠减少附着到树脂密封部分15的树脂剩余物。
当然,在实施例1到3中,变形部分的形状和变形部分的位置可以适当调整。
实施例4
图9是根据本发明实施例4的树脂密封部分的形成之后的半导体器件的平面图。在实施例4中,同样的参考标号用于与实施例1到3中相同的结构元件且省略其进一步的详细描述。
引线框架11适当设置在注射模具中,且密封树脂沿树脂流RF从流道部分12注射。所注射的密封树脂通过浇口部分13被注射进腔中,从而半导体元件芯片被树脂密封,且树脂密封部分15形成(成型步骤),且通过同时成型浇口树脂部分13r而实现图9所示的状态。
由于注射模具的浇口部分13设置有相应于收缩26的收缩部分,所以浇口树脂部分13e具有形成在其上的收缩26。由于浇口树脂部分13r具有收缩26,所以密封树脂在收缩26处更容易被破坏,且当浇口树脂部分13r在除去浇口树脂部分的步骤中被除去时,浇口树脂部分13r的密封树脂与引线框架11一起被可靠除去。换言之,防止由于附着到树脂密封部分15的浇口树脂部分13r所导致的树脂剩余物。
虽然引线框架11可以是根据本发明的引线框架11或常规的引线框架,更希望采用根据本发明的引线框架11。
实施例5
图10是根据本发明实施例5的树脂密封部分的形成之后的半导体器件的平面图。图11是图10沿箭头标示的X-X所截取的示意性截面图,示出了放大图。在实施例5中,同样的参考标号用于与实施例1到4中相同的结构元件且省略其进一步的详细描述。
引线框架11适当设置在注射模具中,且密封树脂沿树脂流RF从流道部分12注射。所注射的密封树脂通过浇口部分13被注射进腔中,从而半导体元件芯片被树脂密封,且树脂密封部分15形成(成型步骤),且通过同时成型浇口树脂部分13r而实现图10和11所示的状态。
由于注射模具的浇口部分13具有相应于其表面(关于面对浇口树脂部分13r处的浇口切割穿孔器22的表面)上的纹理28的纹理部分,浇口树脂部分13r具有形成在其表面(面对浇口切割穿孔器22的表面)上的纹理28。
通过在浇口树脂部分13r的表面上成型纹理28,可以防止浇口切割穿孔器22的尖端表面在浇口树脂部分13r的表面上滑动以及浇口树脂部分的切割位置的移位,使得可以防止并减少树脂剩余物的产生。此外,可以可靠减少半导体器件的外部尺度的变化。
引线框架11可以与实施例4中的相同。
如在上面每个实施例中所述的,采用根据本发明的引线框架,由于提供了提高浇口树脂部分与引线框架之间接触的变形部分,所以可以产生防止浇口树脂部分上的树脂剩余物的发生以及实现物树脂剩余物的半导体器件的效果。
此外,采用根据本发明的半导体器件,通过使用具有提高的浇口树脂部分的接触的引线框架,可以产生通过防止浇口树脂部分上的树脂剩余物的产生而简化制造工艺的效果和实现具有减小的外部尺度变化的高可靠的半导体器件的效果。
此外,采用根据本制造半导体器件的方法,通过使用具有提高的浇口树脂部分接触的引线框架,可以产生通过防止浇口树脂部分上的树脂剩余物的产生而简化制造工艺和实现具有减小的外部尺度变化的高可靠的半导体器件的效果。
此外,采用根据本发明的注射模具,由于在浇口部分上设置了收缩,可以更容易地破坏浇口树脂部分并防止或减少浇口树脂部分上树脂剩余物的发生。更具体而言,由于在浇口部分表面上提供纹理,可以防止浇口树脂部分上的浇口切割穿孔器,并减少浇口树脂部分的切割位置的移位,使得可以防止和减少树脂剩余物。
可以不脱离本发明的精神和实质特征而以其他不同形式实施和实践本发明。因此,上述实施例仅作为示意性的且不是限制性的。本发明的范畴由权利要求而不是上面的说明书限定。本发明旨在包括所有在权利要求的等同范围内的变化和改进。
Claims (23)
1、一种其上安装了半导体芯片的引线框架,其树脂成型部分是通过经注射模具的浇口部分注入密封树脂而成型的,其中相应于所述浇口部分形成的浇口树脂部分后来被切割并除去,所述引线框架包括:
变形部分,其形成在相应于所述浇口树脂部分的引线框架的平面表面上,从而所述变形部分允许所述浇口树脂部分和所述引线框架容易地与所述密封树脂一起被除去。
2、根据权利要求1所述的引线框架,其中所述变形部分是孔。
3、根据权利要求2所述的引线框架,其中所述孔是通孔。
4、根据权利要求1所述的引线框架,其中所述变形部分是一个或多个凹槽。
5、根据权利要求4所述的引线框架,其中所述凹槽沿与所述密封树脂注入方向交叉的方向形成。
6、根据权利要求1所述的引线框架,其中所述变形部分是一个或多个突起。
7、根据权利要求6所述的引线框架,其中所述突起形成在位置上与切割端部对准的位置,所述切割端部是切割所述浇口树脂部分的范围的边缘。
8、根据权利要求6所述的引线框架,其中所述突起形成在所述切割端部与所述树脂密封部分之间。
9、一种半导体器件,包括:
半导体元件芯片,安装在引线框架上,和
树脂密封部分,其通过经注射模具的浇口部分注入密封树脂而采用树脂密封来密封所述半导体元件芯片,
其中所述引线框架是根据权利要求1到8中的任何一个的引线框架。
10、根据权利要求9所述的半导体器件,其中所述密封树脂是透明树脂。
11、根据权利要求10所述的半导体器件,其中所述半导体元件芯片是光学半导体元件芯片。
12、一种制造半导体器件的方法,包括:
在引线框架上安装半导体元件芯片,
通过经注射模具的浇口部分注入密封树脂而采用树脂密封所述半导体芯片,和
除去位于浇口树脂部分处的密封树脂,其中所述浇口树脂部分相应于所述浇口部分形成,
其中所述引线框架是根据权利要求1到8的任何一个所述的引线框架。
13、根据权利要求12所述的制造半导体器件的方法,其中所述浇口部分在与密封树脂注入方向交叉的方向上具有收缩。
14、根据权利要求12或13所述的制造半导体器件的方法,其中所述浇口部分在其表面上具有纹理。
15、根据权利要求12所述的制造半导体器件的方法,其中所述浇口部分相应于所述引线框架的平面表面之一设置。
16、根据权利要求12或13所述的制造半导体器件的方法,其中所述密封树脂是透明树脂。
17、根据权利要求14所述的制造半导体器件的方法,其中所述密封树脂是透明树脂。
18、根据权利要求15所述的制造半导体器件的方法,其中所述密封树脂是透明树脂。
19、根据权利要求16所述的制造半导体器件的方法,其中所述半导体元件芯片是光学半导体元件芯片。
20、根据权利要求17所述的制造半导体器件的方法,其中所述半导体元件芯片是光学半导体元件芯片。
21、根据权利要求18所述的制造半导体器件的方法,其中所述半导体元件芯片是光学半导体元件芯片。
22、一种注射模具,其中安装在引线框架上的半导体元件芯片是通过从浇口部分注入密封树脂而树脂密封的,且
其中所述浇口部分具有收缩,使得浇口树脂部分在收缩处容易被破坏。
23、一种注射模具,其中安装在引线框架上的半导体元件芯片是通过从浇口部分注入密封树脂而树脂密封的,且
其中所述浇口部分在其面对浇口切割器的表面上具有纹理,使得浇口树脂部分防止浇口切割器在该表面滑动。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP113334/05 | 2005-04-11 | ||
JP2005113334A JP2006294857A (ja) | 2005-04-11 | 2005-04-11 | リードフレーム、半導体装置、半導体装置の製造方法および射出成型用金型 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1848422A CN1848422A (zh) | 2006-10-18 |
CN100501988C true CN100501988C (zh) | 2009-06-17 |
Family
ID=37077908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2006100753919A Expired - Fee Related CN100501988C (zh) | 2005-04-11 | 2006-04-11 | 引线框架、半导体器件及其制造方法以及注射模具 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060267162A1 (zh) |
JP (1) | JP2006294857A (zh) |
CN (1) | CN100501988C (zh) |
TW (1) | TW200707689A (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9659843B2 (en) | 2014-11-05 | 2017-05-23 | Infineon Technologies Ag | Lead frame strip with molding compound channels |
WO2016072012A1 (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
DE102015113438B4 (de) * | 2015-08-14 | 2021-07-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Trägersubstrat für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil |
CN108745799A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-11-06 | 四川旭茂微科技有限公司 | 一种矩阵式焊接框架及其使用方法 |
JP6986539B2 (ja) * | 2019-11-25 | 2021-12-22 | Towa株式会社 | 樹脂成形済リードフレームの製造方法、樹脂成形品の製造方法、及びリードフレーム |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4862246A (en) * | 1984-09-26 | 1989-08-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device lead frame with etched through holes |
US4862586A (en) * | 1985-02-28 | 1989-09-05 | Michio Osada | Lead frame for enclosing semiconductor chips with resin |
US5391439A (en) * | 1990-09-27 | 1995-02-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Leadframe adapted to support semiconductor elements |
US6303985B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-10-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor lead frame and package with stiffened mounting paddle |
JP3552613B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2004-08-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | モールド装置及びモールディング方法 |
JP3602453B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2004-12-15 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US7264456B2 (en) * | 2001-10-10 | 2007-09-04 | Micron Technology, Inc. | Leadframe and method for reducing mold compound adhesion problems |
JP3666594B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2005-06-29 | ローム株式会社 | パッケージ型電子部品におけるリード端子の切断方法 |
US7315077B2 (en) * | 2003-11-13 | 2008-01-01 | Fairchild Korea Semiconductor, Ltd. | Molded leadless package having a partially exposed lead frame pad |
-
2005
- 2005-04-11 JP JP2005113334A patent/JP2006294857A/ja active Pending
-
2006
- 2006-03-13 TW TW095108422A patent/TW200707689A/zh unknown
- 2006-04-11 US US11/402,427 patent/US20060267162A1/en not_active Abandoned
- 2006-04-11 CN CNB2006100753919A patent/CN100501988C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200707689A (en) | 2007-02-16 |
US20060267162A1 (en) | 2006-11-30 |
JP2006294857A (ja) | 2006-10-26 |
CN1848422A (zh) | 2006-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100501988C (zh) | 引线框架、半导体器件及其制造方法以及注射模具 | |
KR20070112095A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
US6341549B2 (en) | Trimming apparatus having punches with air flow routes for removal of gate scraps | |
JP2010021374A (ja) | 半導体パッケージ | |
KR100714884B1 (ko) | 반도체 장치 제조용 금형 | |
JPH08244074A (ja) | 樹脂封止用金型装置 | |
KR100767194B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP2704321B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
JP6237919B2 (ja) | リードフレーム、半導体装置の製造方法 | |
JP3722240B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止装置及び製造方法 | |
JPH088375A (ja) | 半導体装置およびその製造に使用されるリードフレーム並びに金型 | |
JP3039188B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JPH10135375A (ja) | 半導体装置ならびに半導体装置の製造方法および製造装置 | |
JP2973901B2 (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
JPH09307046A (ja) | 金型及び該金型を用いたタイバ−切断方法 | |
KR100640556B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP2011192683A (ja) | 半導体装置用パッケージ、半導体装置およびそれらの製造方法 | |
KR20010038119A (ko) | 비지에이 패키지용 몰딩 장치 | |
TWI728528B (zh) | 記憶卡結構及其製造方法 | |
KR101562773B1 (ko) | 사이드뷰 led 패키지 및 그것의 몸체를 성형하기 위한 금형 세트 및 방법 | |
KR100653041B1 (ko) | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 | |
US6852574B1 (en) | Method of forming a leadframe for a semiconductor package | |
JP6984808B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4207671B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
TW201707165A (zh) | 半導體裝置及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090617 Termination date: 20140411 |