CN100419446C - 半导体器件及其测试方法 - Google Patents

Abstract

在作为具有驱动液晶面板的栅极线的功能的半导体器件的LCD驱动器中，包括：使驱动栅极线的正电压和负电压的极性颠倒的Ex-OR电路6；能把用于驱动栅极线的输出电路控制为高阻抗状态的三态倒相电路9；用于控制Ex-OR电路6和三态倒相电路9的状态的至少一个测试控制端子TEST；在测试时只有栅极输出中的1端子为正电压VGH或负电压VGL输出，其他为高阻抗状态，实施多个栅极输出的同时测试。

Description

半导体器件及其测试方法

本申请以2003年12月3日日本专利申请No.JP2003-404691为优先权申请。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其测试方法，特别涉及对具有驱动液晶面板的栅极线的功能的LCD驱动器那样的半导体器件及其测试方法有效的技术。

背景技术

本发明者参照图16～图19说明作为本发明前提而研究的技术。图16是表示液晶面板和LCD驱动器的连接关系的图，图17是表示LCD驱动器和半导体测试装置的连接关系的图，图18是表示图17的倒相电路30的结构的图，图19是表示LCD驱动器的栅输出动作的图。

如图16所示，液晶面板500与驱动该液晶面板所必要的LCD驱动器连接在一起。在液晶面板500的各象素510上以图示的形式配置晶体管511和电容器512，图示的垂直方向的各晶体管的源极端子共享。同样，图示的水平方向的各晶体管的栅极端子也共享。

一般为了驱动液晶面板500，连接在源极共享端子上并且具有外加成为颜色显示信息的灰度电压的功能的源极驱动器501、连接在栅极共享端子上并且具有进行图示的水平方向的象素显示控制的功能的栅极驱动器502、具有生成使源极驱动器501和栅极驱动器502工作而必要的电压的功能的电源电路503成为必要。这些一般称作LCD驱动器，存在把源极驱动器501、栅极驱动器502、电源电路503分别个别集成化的情形，和把几个功能汇集而集成到一个芯片上的情形。

如图17所示，在实施电动作测试时，将具有驱动液晶面板的栅极共享端子所必需的功能的LCD驱动器(内置有电源电路的栅极驱动器)1f和半导体测试装置100连接，在该连接状态下，实施电动作测试。LCD驱动器1f的输出级的倒相电路(输出电路)30如图18所示，由电平移动电路40、p沟道晶体管50、n沟道晶体管51构成，成为按照输入电平H/L，从栅极输出端子Gx输出正电压VGH或负电压VGL的结构。

在图17中，LCD驱动器1f的栅极输出端子G1～Gn进行液晶面板的每1行(图16所示的水平方向的1列象素)的显示/不显示的控制。因此，如图19所示，即使LCD驱动器1f的计数值(设定状态)变化，多个栅极输出G1～Gn中也一定会有一个端子成为正电压VGH(显示电压)输出，其他成为负电压VGL(不显示电压)输出，排它地输出电压。

这样的LCD驱动器1f的测试如图17所示，把各栅极输出端子G1～Gn分别连接在半导体测试装置100的比较器103上，由半导体测试装置100判定各栅极输出端子G1～Gn的电压值是正电压VGH还是负电压VGL。而且LCD驱动器1f如果在图19所示的全部计数值(设定状态)状态下，从各栅极输出端子G1～Gn输出图示的电压值，就判断关于该LCD驱动器1f的栅极输出的功能没有不良，结束关于栅极输出的测试。

另一方面，存在着液晶面板向高精细方面发展、LCD驱动器的输出管脚数增加的倾向。以往的LCD驱动器的测试方法如上所述，把各栅极输出端子与半导体测试装置的比较器连接，进行测试。此外，同样还要从半导体测试装置对用于使LCD驱动器工作的输入管脚施加，所以还需要将半导体测试装置的通道数分配给输入管脚数。因此，需要具有通道多于LCD驱动器的输入输出管脚的半导体测试装置，例如在装有256通道的半导体测试装置中，无法测试栅极输出数为350管脚的LCD驱动器，存在无法用该半导体测试装置测试的问题。

在驱动搭载在移动电话等小型设备中的液晶面板的LCD驱动器中，为了设备的小型化，存在把驱动液晶面板所必要的全部功能(源极、栅极、电源电路)集成到一个芯片上的倾向，LCD驱动器的管脚数越来越增大。因此，有必要通过新购买搭载很多通道的高价半导体测试装置，购买半导体测试装置厂家销售的选项品，使半导体测试装置的通道数增加，因此无法降低LCD驱动器的制造成本。

作为解决该问题的方法，在专利文献1(特开平10-26655号公报)中提出在被测试元件和半导体测试装置之间设置切换开关的技术。具体而言，该切换开关根据来自半导体测试装置内的CPU的切换信号，一边依次切换半导体测试装置内的比较器和半导体器件的输出管脚的各连接，一边进行测试。因此，即使半导体器件的输出管脚数超过半导体测试装置的通道数，也能进行测试。

可是，当使用所述专利文献1所述的技术，对输出管脚数超过半导体测试装置的通道的半导体器件进行测试时，一边用开关依次切换，一边进行测试，所以与以往相比，引起测试时间的增大，导致测试成本上升。例如在具有350管脚的栅极输出的LCD驱动器的栅极输出测试中，使用专利文献1的技术，使用半导体测试装置的10通道进行测试时，需要以往的35倍的测试时间。因此，产生无法降低半导体器件的制造成本的问题。

发明内容

鉴于所述问题，本发明的目的在于：提供汇集多个输出管脚，能用比半导体器件的输出管脚少的半导体测试装置的通道数能同时进行多个输出管脚的测试的半导体器件及其测试方法。特别是其目的在于：提供适合于具有驱动液晶面板的栅极线的功能的LCD驱动器的半导体器件及其测试方法。

本发明中代表性发明的概要如下。

即本发明应用于具有驱动液晶面板的栅极线的功能的半导体器件，具有：使驱动栅极线的正电压和负电压的极性颠倒的极性颠倒电路；能把用于驱动栅极线的输出电路控制为高阻抗状态的状态设定电路；用于控制极性颠倒电路和状态设定电路的状态的至少一个控制端子。

此外，本发明应用于具有驱动液晶面板的栅极线的功能的半导体器件，具有：使驱动栅极线的正电压和负电压的极性颠倒的极性颠倒电路；能把用于驱动栅极线的输出电路控制为高阻抗状态的晶体管；用于控制极性颠倒电路和晶体管的状态的至少一个控制端子。

此外，本发明应用于具有驱动液晶面板的栅极线的功能的半导体器件的测试方法，把驱动栅极线的多个输出端子的输出控制为正电压输出以及高阻抗状态、或负电压输出以及高阻抗状态，通过设置在半导体器件内部或外部的电阻电路网，用比半导体器件的输出端子数还少的半导体测试装置的通道数进行半导体器件的多个输出端子的测试。

如果简单说明由本申请中描述的发明中代表性的发明取得的效果，则如下所述。

(1)能用比半导体器件的多个输出管脚数还少的半导体测试装置的通道数进行多个输出管脚的同时测试。

(2)能有效利用通道数比半导体器件的管脚数总和还少的半导体测试装置。

附图说明

下面简要说明附图。

图1是表示实施例1的LCD驱动器结构的图；

图2是表示实施例1的测试时的等效电路的图；

图3是表示实施例1中，假定故障时的等效电路的图；

图4是表示实施例1中的控制信号的设定状态的图；

图5是表示实施例1中的测试控制电路的真值表的图；

图6A和图6B是表示实施例1中，测试时的动作的图，图6A对应于测试模式(1)，图6B对应于测试模式(2)；

图7是表示实施例1中，减小电路规模的例子的LCD驱动器的结构的图；

图8是表示实施例1中，图7的倒相电路的电路结构的图；

图9是表示实施例2的LCD驱动器的结构的图；

图10A和图10B是表示实施例2中测试时的等效电路的图，图10A表示计数值为1时的等效电路，图10B表示计数值为1以外时的等效电路；

图11是表示在实施例2中，没必要再设定比较电压的例子的LCD驱动器结构的图；

图12是表示实施例2的测试模式的图；

图13是表示实施例3的LCD驱动器结构的图；

图14是表示实施例3的测试时的等效电路的图；

图15是表示实施例4的LCD驱动器结构的图；

图16是表示在作为本发明的前提而研究的技术中，液晶面板和LCD驱动器的连接关系的图；

图17是表示在作为本发明的前提而研究的技术中，LCD驱动器和半导体测试装置的连接关系的图；

图18是表示在作为本发明的前提而研究的技术中，图17的倒相电路结构的图；

图19是表示在作为本发明的前提而研究的技术中，LCD驱动器的栅输出动作的图；

图20是实施例5的倒相电路的结构图。

具体实施方式

下面参照附图详细说明本发明实施例。须指出的是，在用于说明实施例的全部附图中，对于具有同一功能的构件，原则上使用相同的符号，并省略重复的说明。

(实施例1)

参照图1～图8说明本发明的半导体器件的实施例1的LCD驱动器。图1是表示LCD驱动器结构的图，图2是表示测试时的等效电路的图，图3是表示假定有故障时的等效电路的图，图4是表示控制信号的设定状态的图，图5是表示测试控制电路的真值表的一例的图，图6是表示测试时的动作的图，图7是减小电路规模的例子的LCD驱动器结构的图，图8是表示图7的倒相电路的电路结构的图。

本实施例1的LCD驱动器是应用于前面所述的图16所示的驱动液晶面板所必要的源极驱动器、栅极驱动器、电源电路中连接在栅极共享端子上的、具有进行水平方向的象素的显示控制的功能的栅极驱动器，与前面所述的图17所示的LCD驱动器的不同点在于：如图1所示，把输出级的倒相电路的输出变更为能切换为高阻抗状态的三态倒相电路(状态设定电路)9，在译码电路5和锁存电路7之间设置Ex-OR电路(极性颠倒电路)6，并设置了用于控制它们的测试控制电路(控制电路)2和测试控制端子(控制端子)TEST。

因此，在本实施例的LCD驱动器中，细节如后所述，在用半导体测试装置进行测试时，栅极输出中只有1个端子为正电压VGH或负电压VGL输出，其他为高阻抗状态，通过电阻电路网把多个栅极输出汇集起来，用比栅极输出数还少的半导体测试装置的通道数就能对多个栅极输出同时进行测试。

即本实施例1的LCD驱动器1由以下部分构成：连接在测试控制端子TEST上的测试控制电路2；连接在该测试控制电路2上、把输入信号输入的接口电路/寄存器3；连接在该接口电路/寄存器3上的计数器4；与该计数器4并联的多个译码电路(DEC)5；连接在各译码电路5上、输入来自测试控制电路2的信号M的多个Ex-OR电路6；连接在各Ex-OR电路6上，与时钟CLK同步的多个锁存电路7；连接在各锁存电路7上、由来自测试控制电路2的设定信号EnH/EnL控制的多个三态倒相电路9；连接在电源端子Vcc上、产生正电压VGH和负电压VGL的电源电路11。

在该LCD驱动器1中，输入信号是包含用于转移到液晶面板的下一行的象素显示的信息的信号，根据把驱动液晶面板的各功能集成在同一芯片上或集成在不同芯片上，存在从内部电路输入的情形和从外部输入的情形。该输入信号通过接口电路/寄存器3输入到计数器4，按照输入信号的变化，计数器4的值增加，输出到译码电路5。然后，在译码电路5中，按照计数器4的值，通过Ex-OR电路6、锁存电路7、三态倒相电路9，在常规动作(图4)时，进行输出，使各栅极输出端子G1～Gn变为VGH/VGL(输入电平L/H)的输出电压。在这种常规动作时，来自测试控制电路2的信号M是“H”(高电平)，EnH是“L”(低电平)、EnL是“H”。后面将描述测试模式的动作。

Ex-OR电路6是使驱动液晶面板的栅极线的正电压和负电压的极性颠倒的极性颠倒电路，三态倒相电路9是能把用于驱动栅极线的输出电路控制为高阻抗状态的状态设定电路。须指出的是，锁存电路(D-双稳态多谐振荡器电路)7是为了在液晶面板的每行象素的显示期间内保持译码电路5的输出值而设置的。

三态倒相电路9的结构是所谓的时钟控制式倒相电路，如图2所示，由电平移动电路40、构成通常的倒相电路的高压p沟道晶体管50和60、高压n沟道晶体管51和61构成。在该三态倒相电路9中，通过对晶体管60和61的栅极端子(EnH/EnL)输入H/L的信号，如图4所示，能按照输入电平H/L，控制为高阻抗状态。

须指出的是，使用电平移动电路40和高压晶体管的目的如下所述。即栅极输出电压VGH/VGL例如为+16.5/-16.5V，是比用于使LCD驱动器1工作的电源电压Vcc高数倍的电压，所以p沟道晶体管50、60和n沟道晶体管51，61使用即使外加VGH到VGL的电压即33V电压(通常为大于它的电压)时，也能保证动作的高压晶体管。

图2所示的用圆标记包围的晶体管50、60和51、61表示使用高压晶体管。高压晶体管比通过外加常规的电源电压来确保工作的通常的晶体管尺寸大。因此，如图2所示，设置电平移动电路40，对于在电平移动电路40前级的电路使用常规的晶体管，对在电平移动电路40后级的电路使用高压晶体管，从而减小LCD驱动器1的芯片面积。

当进行测试时，如图4所示的测试模式(1)那样，设对三态倒相电路9的设定信号EnH＝EnL＝L。这时如果Ex-OR电路6的输入信号M＝L，译码电路5的输出电平就不变化，通过锁存电路7向三态倒相电路9输入。因此在本设定状态下，如图6(a)所示，能用常规动作把成为负电压输出VGL的部分变更为高阻抗状态。后面详细描述对三态倒相电路9的设定信号EnH/EnL以及Ex-OR电路6的信号M的设定方法。

将LCD驱动器设定成这种测试模式的状态，如图1所示，设置有电阻电路网，该电阻电路网在各栅极输出端子G1～Gn上分别连接第一电阻(R1)12，该第一电阻12的另一端共同连接在一起，在该公共连接点A用第二电阻(R2)13作为终端。而且，把连接点A连接到半导体测试装置100的比较器103上，进行测试。当LCD驱动器1中没有不合格时，如图6(a)所示，不论计数器4的值如何，只有栅极输出的一个端子变为VGH输出，其他变为高阻抗状态，所以其等效电路如图2所示。即比较器103的输入电压变为电阻12的电阻值R1和电阻R13的电阻值R2的比，即，

VA＝{R2/(R1+R2)}×VGH[V]    (式1)，

第一电阻12和第二电阻13的电阻值相同(R1＝R2＝R)时，

VA＝(1/2)VGH[V]。

在由于译码电路5等的故障而与图6(a)所示的输出电压状态不同、在2个或2个以上的栅极输出中输出正电压VGH时，或全部栅极输出中不输出电压时，通过图1所示的电阻电路网，向比较器103中输入与所述电压不同的电压值。例如，当由于故障，向栅极输出中的2个端子上输出正电压VGH时，其等效电路如图3所示。这时，如果应用米尔曼定理，则输入到比较器103中的连接点A的电压变为：

VA＝(2VGH/R1)/{(1/R1)+(1/R1)+(1/R2)}[V]     (式2)

当第一电阻12和第二电阻13的电阻值相同(R1＝R2＝R)时，VA＝(2/3)VGH[V]，根据在连接点A的电压值，能判定故障的有无。

在以上说明的测试中，当输出负电压VGL时，通过把对三态倒相电路9的设定信号设定为EnH＝EnL＝L，变更为高阻抗。当进行这样的测试时，图2所示的n沟道晶体管50平常不工作。因此，为了进行n沟道晶体管50的动作测试，把输入到Ex-OR电路6中的M信号设定为高电平，使输入到三态倒相电路9的H/L电平颠倒。然后，如果如图4的测试模式(2)所示把对三态倒相电路9的设定信号设定为EnH＝EnL＝H，则如图6(b)所示，只有栅极输出的一个端子变为VGL输出。输入到比较器103的连接点A的电压为将所述(式1)和(式2)的VGH变更为VGL后得到的值，所以同样能判定故障的有无。

这样，通过按图4所示的测试模式(1)和测试模式(2)那样设定对Ex-OR电路6的极性颠倒信号M和三态倒相电路9的设定信号EnH和EnL，能用半导体测试装置的一个通道同时测试多个栅极输出。

下面，说明对Ex-OR电路6的信号M以及对三态倒相电路9的EnH和EnL信号的设定。图1示出了用测试控制电路2生成M、EnH及EnL信号的电路结构。具体而言，在接口电路/寄存器3内准备测试用寄存器(未图示)和测试控制端子TEST。利用输入信号线进行对测试用寄存器的写入。测试控制端子TEST作为用于选择常规模式/测试模式的控制端子而使用。测试控制电路2(例如，如图5所示)可以构成按照测试控制端子和测试用寄存器的设定值输出M、EnH和EnL信号的电路。

须指出的是，图5表示的是测试控制端子TEST和测试用寄存器的设定值与M、EnH以及EnL信号的对应的例子，但并不局限于此。此外，在此虽然单独图示了测试控制电路2，但是也可以是例如包含在接口电路/寄存器3中的结构。在此第二电阻13作为终端连接在GND(接地)上，但是也可以作为终端连接在任意电压上。

在本实施例中，图示并说明了按照测试控制端子TEST和测试用寄存器的设定值，用测试控制电路2生成测试模式的切换用的信号(M、EnH以及EnL)的例子，但是本发明的目的在于在进行测试时，设定为图6的输出状态(测试模式(1)、(2))之后进行测试，并不是限定这些测试模式的切换用信号的生成电路结构，可以进行各种变更。例如也可以设置M、EnH以及EnL的控制端子，从外部切换控制H/L电平。

从此前的说明可知，Ex-OR电路6的目的是用于使对三态倒相电路9的输入电平颠倒，不过只要是根据M信号能把输入输出电平颠倒的电路结构就行，可以不是Ex-OR电路6。虽然图示为包含从电源电压Vcc生成栅极输出电压VGH/VGL的电源电路11，但是根据LCD驱动器的种类，可以是包含电源电路的结构，也可以是从外部输入栅极输出电压VGH/VGL的结构。

此外，图1列举了关于栅极输出的LCD驱动器结构的一例，并不局限于图示的结构。此外，具有未图示的功能的电路可以集成在同一芯片上。此外，在图2中，图示为在三态倒相电路9内组入电平移动电路，但是并不一定设置在同一电路内。

在本实施例中，图示并说明了用半导体测试装置的1通道同时测试LCD驱动器的全部栅极输出，但是本发明并不局限于此，可以通过电阻电路网把多个栅极输出汇集为一个，使用比栅极输出数还少的半导体测试装置的通道数进行测试。可以考虑LCD驱动器的输入输出管脚数和使用的半导体测试装置的全部通道数的关系和栅极输出管脚在芯片上的配置之后，决定栅极输出的汇集数和半导体测试装置的使用通道数。

在以下说明的其他实施例中，未特别记录这些点，但是在本发明的实施例中，这些全部是一样的。

最后，在本实施例中，说明减少追加电路的芯片占有面积的方法。图1所示的三态倒相电路9的结构能用图2所示的晶体管的组合实现，但是如上所述，该电路中使用的晶体管有必要使用高压晶体管。因此，与本发明的前提的LCD驱动器相比，有必要分别按照栅极输出端子数追加p沟道、n沟道的高压晶体管，因此芯片面积增大，难以降低LCD驱动器的价格。

因此，如图7和图8所示，作为减小电路规模的例子的LCD驱动器1a在三态倒相电路10之外，另外设置用于控制为高阻抗的晶体管65和66，通过把晶体管65以及66的VGH2和VGL2分配给各三态倒相电路10，能使其进行与图1以及图2所示的电路同样的动作。通过变更为图7和图8所示的结构，能比图1以及图2所示的情形减少追加的高压晶体管数，能减少因应用本发明而引起的LCD驱动器的芯片面积增加的影响。

在图7中，图示为独立于其他电路配置用于高阻抗控制的晶体管65和66，但是也可以是包含在测试控制电路2或电源电路11内的结构。此外，晶体管65和66分别用一个晶体管图示，但是考虑到晶体管的电流限制或电阻值等，可以并联设置多个晶体管，构成最佳设定系统，进行各种变更。

在以下说明的实施例中，用图1以及图2所示的三态倒相电路进行图示和说明，但是当然可以变更为图7和图8所示的电路结构。

(实施例2)

参照图9～图12说明本发明的半导体器件的实施例2的LCD驱动器。图9是表示LCD驱动器的结构的图，图10是表示测试时的等效电路的图，图11是没必要再设定比较电压的例子的LCD驱动器的结构的图，图12是表示测试模式的图。

本实施例2的LCD驱动器1b如图9所示，是把实施例1中设置在LCD驱动器和半导体测试装置之间的电阻电路网集成在LCD驱动器内的一例，设置了与第一电阻12串联的开关(开关部件)17，从而在不进行测试时，能切离电阻电路网。进行测试(测试模式)时的各栅极输出电压、以及M、EnH、EnL的各信号设定与实施例1中说明的一样，所以省略说明。与所述实施例1的不同点在于：它的输出电压值由于把电阻电路网集成在LCD驱动器1b内，测试时的输出电压全部经由栅极输出端子G1输入到半导体测试装置100的比较器中进行判定。

具体地说，当LCD驱动器1b没有故障时，所述图6所示的计数值为1时的等效电路变为图10(a)，计数值为1以外时，等效电路变为图10(b)。在所述实施例1中，当正常动作时，输出电压与计数值无关，是由第一电阻12和第二电阻13的电阻比决定的电压，是一定的。但是在本实施倒中，从图10的等效电路可知，只有当计数值为1时，输出电压变为VGH或VGL。由半导体测试装置100进行电压值的合格与否的判定。通过使半导体测试装置100的比较器103的比较电压值在LCD驱动器1b的计数值为1的状态时不同于其它状态时的电压值，能准确地进行测试。须指出的是，能根据称作测试程序的用于控制半导体测试装置100的程序，任意进行比较器103的比较电压设定。

此外，本实施例中图示的开关17一般由一个或多个晶体管构成。而图示为第一电阻12和第二电阻13都集成在LCD驱动器1内，但是可以变更为不集成第二电阻13，而在测试时从外部连接的形式。

如上所述，在本实施例中，在计数值为1时和此外时，输入到半导体测试装置100的比较器103的电压不同。如所述实施例1那样，无论LCD驱动器的设定状态如何，比较器103的输入电压都一定时，在测试时没必要使比较器的比较电压变化，但是在本实施例中，在测试时有必要使比较器的比较电压变更1次。因此，与所述实施例1相比，会增加比较器的比较电压设定部分的测试时间。因此，图11表示在本实施例所示的LCD驱动器1b中，不需再设定比较器103的比较电压，进行测试的例子。

在图11的LCD驱动器1c中，使用半导体测试装置100的2个比较器(Cp1、Cp2)103，分别连接在栅极输出端子G1和G2上，进行测试。在把LCD驱动器1c设定为测试模式(1)时，计数值为1时，对连接在G1上的比较器Cp1输入VGH、对连接在G2上的比较器Cp2输入VGH/2的电压。此外，当计数值为2时，对连接在G1上的比较器Cp1输入VGH/2、对连接在G2上的比较器Cp2输入VGH的电压。

以上说明了基于半导体测试装置100的比较器103的进行合格与否的判定的细节，但是实际上，用图12所示的称作测试模式的比较器输出的期望值H/L是否与所述的模式一致来进行LCD驱动器的合格与否的判定。这里，测试模式中记述的X表示不论比较器的输出值H/L如何，都不进行期望值判定。即在图11所示的实施例中，连接在栅极输出上的2个比较器Cp1、Cp2的比较电压为了期待VGH/2而设定为一定值，根据测试模式，只有当计数值为1时，用连接在G2上的比较器判定，在其他计数值时，用用连接在G1上的比较器判定。因此，没必要再设定比较器的比较电压，所以与图7时相比，测试时间缩短。

须指出的是，在图11中，在G1和G2上连接比较器103，但是并不限定连接端子，可以使用2个比较器进行测试。此外，图12的测试模式说明其一例，并不局限于此。

在以上说明的实施例1和实施例2中，能确认在多个栅极输出中只有1个管脚输出电压的排它动作，但是难以确定哪个栅极输出管脚输出电压。因此，为了进一步提高测试的高可靠性，可以使用以下说明的实施例3或实施例4。

(实施例3)

参照图13、图14说明本发明的半导体器件的实施例3的LCD驱动器。图13是表示LCD驱动器的结构的图，图14是表示测试时的等效电路的图。

在本实施例3的LCD驱动器1d中，与所述实施例1不同的部分如图13所示，是设置在栅极输出端子G1～Gn和半导体测试装置100之间的电阻电路网的结构。具体而言，第一电阻12连接在各栅极输出端子之间，只连接在栅极输出端子上的第一电阻12的一端(连接点A)以第二电阻13终止。连接了这种与所述实施例1不同的电阻电路网后，设定为与所述实施例1中说明的测试模式(1)，进行测试。

在本实施例中，连接点A的电压例如为对第一电阻R1加权，即当图6(a)的计数值设定为1时，为VGH，当计数值设定为2时，为用第一电阻R1和第二电阻R2分压的电压，当计数值设定为3时，为用第一电阻的2倍的2R1和第二电阻R2分压的电压。图14表示这时的等效电路，连接点A的电压变为：

VA＝{R2/(xR1+R2)}VGH[V]     (式3)

(其中，x：计数值-1)

根据连接点A的电压值，也能同时进行栅极输出电压的管脚确定的判定。

此外，在本实施例中，与所述实施例1同样设定为图4所示的测试模式(2)，同样进行测试。须指出的是，当由于故障，在测试中不变成图6所示的电压输出状态时，只要象实施例1所述那样考虑等效电路就会很清楚，连接点A的电压值与期待的值不同，能判定故障的有无。

连接点A的电压测定如图13所示，用半导体测试装置100的电压测定单元150测定。如所述实施1那样，虽然也能用半导体测试装置100的比较器进行判定，但是一般半导体测试装置100进行比较器的比较电压设定时需要数十ms左右的时间。半导体测试装置100的电压测定单元150测定电压，用预先记载在测试程序中的判定值判定，所以速度依存于半导体测试装置100的CPU等，所以能高速判定。象本实施例那样，每次测定电压都变化时，如图13所示，用电压测定单元150判定时的测试时间缩短，能减少LCD驱动器1d的制造成本。

可是，本实施例并不局限于半导体测试装置100的电压测定单元150，可以用最适合进行测试的方法进行测试。

(实施例4)

参照图15说明本发明的半导体器件的实施例4的LCD驱动器。图15是表示LCD驱动器的结构的图。

本实施例4的LCD驱动器1e如图15所示，是把所述实施例3的电阻电路网集成在LCD驱动器1内的一例，设置与第一电阻12串联的开关17，从而能在设定实施测试时的测试模式以外，切离电阻电路网。具体的动作和测试方法与所述实施例3同样，所以省略说明。此外，在本实施例中，能取得同样的效果。

须指出的是，在本实施例中图示的开关17与所述实施例2同样，由1个或多个晶体管构成。此外，图示为把第一电阻12和第二电阻13都集成在LCD驱动器1内，但是可以变更为不集成第二电阻13，而在测试时从外部连接的形式。

(实施例5)

参照图1、图20说明本发明的半导体器件的实施例5的LCD驱动器。图1是表示LCD驱动器的结构的图，图20是表示图1的倒相电路9的电路结构的图。

本实施例5的LCD驱动器1把实施例1所示的倒相电路9的结构(图2)变更为图20所示的电路结构10。

具体而言，与实施例1同样，如果如图4所示那样设定为测试模式，就按照输入到倒相电路9的电平，由OR电路90和AND电路91控制输入到p沟道晶体管50以及n沟道晶体管51的栅极的电平(H/L)，与实施例1同样，能按照输入电平，进行高阻抗控制。其余的具体测试方法与实施例1同样，所以省略说明。

根据本实施例，用于控制为高阻抗的OR电路90和AND电路91配置在电平移动40的输入端子全级，所以不象实施例1的高阻抗控制用晶体管那样需要高压晶体管。此外，在实施例1的图2所示的电路结构中，从栅极端子观察的导通时的电阻(输出阻抗)为p沟道晶体管50与60的和，或n沟道晶体管51与61的和，但是在本实施例中，与以往的LCD驱动器同样，变为p沟道晶体管50或n沟道晶体管51，所以使用与实施例1同样特性的p沟道晶体管50和n沟道晶体管51时，能进一步减小栅极端子的导通电阻。

以上以把本实施例5的倒相电路应用于实施例1(图1)为前提，进行了说明，但是从上述实施例2到4的说明可知，同样可以用于实施例2到4(图9、图11、图13、图15)。此外，在本实施例中，也能取得同样的效果。

在本实施例中，作为控制输入到p沟道晶体管50、n沟道晶体管51的栅极的电平，变为高阻抗的方法，利用OR电路90和AND电路91进行了说明，但是本发明并不局限于此，只要是同样能控制p沟道晶体管50、n沟道晶体管51的栅极的电平的结构，就可以。

以上根据实施例具体说明了由本发明者进行的发明，但是本发明并不局限于所述实施例，在不脱离其宗旨的范围中当然能进行各种变更。

Claims (10)

1. 一种半导体器件，具有接收驱动液晶面板的栅极线的信号的接口电路、存储来自上述接口电路的数据的寄存器、通过上述接口电路和上述寄存器输入上述信号的计数器、与上述计数器相连接的多个译码电路、以及分别与上述多个译码电路相连接的锁存电路，该半导体器件的特征在于具有：

使驱动所述栅极线的正电压和负电压的极性颠倒的极性颠倒电路；

能把用于驱动所述栅极线的输出电路控制为高阻抗状态的状态设定电路；

用于控制所述极性颠倒电路和状态设定电路的状态的至少一个控制端子。

2. 根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于具有：

连接在所述至少一个控制端子上用于控制所述极性颠倒电路和状态设定电路的状态的控制电路。

3. 根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述状态设定电路为晶体管。

4. 根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于具有：

连接在所述至少一个控制端子上用于控制所述极性颠倒电路和所述晶体管的状态的控制电路。

5. 根据权利要求1～4中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于所述半导体器件的内部或外部具有：

电阻电路网，用于把驱动所述栅极线的多个输出端子的输出控制为正电压输出和高阻抗状态、或控制为负电压输出和高阻抗状态，以及

在常规动作时能把所述电阻电路网或所述电阻电路网的一部分从所述栅极线输出端子断开的开关部件。

6. 根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：

所述电阻电路网包括第一电阻和第二电阻，在驱动所述液晶面板的栅极线的各输出电路的输出端子上分别连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端公共连接，在所述公共连接点用所述第二电阻进行终端连接。

7. 根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：

所述电阻电路网包括多个第一电阻和一个第二电阻，其中所述第一电阻分别连接到驱动所述液晶面板的栅极线的各输出电路的输出端子的相邻的一对输出端子；所述第二电阻连接到所述多个输出端子的一个上，而其另一端为终端连接。

8. 一种半导体器件的测试方法，该半导体器件具有驱动液晶面板的栅极线的功能，所述测试方法的特征在于：

通过使驱动所述栅极线的正电压和负电压的极性颠倒的极性颠倒电路和能把用于驱动所述栅极线的输出电路控制为高阻抗状态的状态设定电路把驱动所述栅极线的多个输出端于的输出控制为正电压输出和高阻抗状态、或控制为负电压输出和高阻抗状态；

通过设置在所述半导体器件内部或外部的电阻电路网，使用通道数比所述半导体器件的输出端子数还少的半导体测试装置进行所述半导体器件的多个输出端子的测试。

9. 根据权利要求8所述的半导体器件的测试方法，其特征在于：

所述电阻电路网包括第一电阻和第二电阻，在驱动所述液晶面板的栅极线的各输出电路的输出端子上分别连接所述第一电阻的一端，把所述第一电阻的另一端公共连接，在所述公共连接点用所述第二电阻进行终端连接，用所述公共连接点的电压值判定所述半导体器件是否合格。

10. 根据权利要求8所述的半导体器件的测试方法，其特征在于：

所述电阻电路网包括第一电阻和第二电阻，在驱动所述液晶面板的栅极线的各输出电路的输出端子之间连接所述第一电阻，所述第一电阻中只有一端连接在所述输出端子上的第一电阻内的任意一个用所述第二电阻进行终端连接，使用所述第一和第二电阻的公共连接点的电压值来判定所述半导体器件是否合格。

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