CN100389889C - 热熔导体膏组合物 - Google Patents

热熔导体膏组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN100389889C
CN100389889C CNB028233956A CN02823395A CN100389889C CN 100389889 C CN100389889 C CN 100389889C CN B028233956 A CNB028233956 A CN B028233956A CN 02823395 A CN02823395 A CN 02823395A CN 100389889 C CN100389889 C CN 100389889C
Authority
CN
China
Prior art keywords
hot melt
conductor paste
maximum
paste composition
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB028233956A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1592659A (zh
Inventor
克里斯蒂娜
H·迈克威克尔
阿齐兹
S·谢克
肯尼斯
A·马戈罗尼
托德
K·威廉姆斯
路易斯
C·托兰蒂诺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vibrantz Corp
Original Assignee
Ferro Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ferro Corp filed Critical Ferro Corp
Publication of CN1592659A publication Critical patent/CN1592659A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100389889C publication Critical patent/CN100389889C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/12Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain a coating with specific electrical properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • C03C14/006Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/062Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C03C3/07Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
    • C03C3/072Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/10Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
    • C03C8/12Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead containing titanium or zirconium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/16Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions with vehicle or suspending agents, e.g. slip
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/18Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204Conductive materials
    • H01L23/5328Conductive materials containing conductive organic materials or pastes, e.g. conductive adhesives, inks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/08Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/16Microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

本发明提供了一个热熔导体膏组合物,其包括分散于热塑性聚合物系统内的导体颗粒和玻璃颗粒。本发明热熔导体膏组合物在室温下为固体,但在约35℃到约90℃的温度下熔化形成流动的液体,可经筛网印制应用到硅基片上。热熔导体膏组合物尤其适于光电池的制备。

Description

热熔导体膏组合物
技术领域
本发明提供了一种热熔导体膏组合物,尤其适用于制作光电池的电导电路。
背景技术
用于电子材料市场的传统导体膏在室温下成液体状态。这样的膏典型地由分散于液体媒介中的导体粉或薄片组成。这样的膏通过传统的筛网印制术、块印制、挤压、配制或其它传统的、众所周知的应用方法,应用到硅基片。
使用这种传统导体膏的一个问题在于,在使用附加的电子材料膏以前和/或任何附加工艺用于这样的材料之前,这种膏必须进行强制干燥,尤其在烘箱内。强制干燥过程需要时间和能量,而且会导致挥发性有机物的释放。进一步地,在干燥过程中组分的重复处理会导致组分破坏。
Magrini et al.在美国专利第4,243,710号公开了一个热塑性电极墨,用来制造陶器多层电容器。按照Magrini et al.的技术,热塑性电极墨的组合物包括精细磨碎的三重(银/铂/钯或铂/钯/金)或二重(银/钯)金属粉,分散于热塑性媒介中,其在室温下为固体。当把温度加热到100°F到250°F时,Margrini et al的热塑性电极墨组合物熔化形成流动墨,可经筛网印制术应用到非传导性的陶片,不经过干燥步骤而被压制形成多层电容器。
使用如Magrini et al.所公开的热塑性电极墨组合物要比制造多层陶器电容器具有更大的优势。不幸的是,然而,Magrini et al.公开的电极墨组合物不能充分地黏附到特定的基片上,如单晶硅和多晶硅(以下简称“硅”),其被广泛地用来制作光电池及其类似产品。而且,这样的热熔电极墨组合物不满足在这种应用中必需的的电力要求。
发明内容
本发明提供一个导体组合物,其在室温下(约25℃)为固体,但在从约35℃到约90℃的时候形成流动的液体,通过筛网印制术用于硅基片上。本发明的组合物在使用时不必强制干燥,因为它能迅速固体化并经过印制黏附到基片上。固体化筛网印制电路能抵抗剧烈的局部处理而不会与基片分离或凹下去或断裂。随后电子材料膏层可立即直接应用到固体化的筛网印制电路上。
本发明的热熔导体膏组合物包括导体颗粒和玻璃颗粒分散于热塑性聚合体系统中。导体颗粒优选包括银或铝,并以粉状和/或薄片状存在。玻璃颗粒优选包括一种或更多玻璃料,其具有如下重量组成:从约60%到90%的氧化铅(PbO)、最多约30%氧化硅(SiO2)、最多约15%的氧化硼(B2O3)、最多约10%的氧化铝(Al2O3)、最多约10%的氧化锆(ZrO2)、最多约5%的氧化磷(P2O5)、最多约5%的氧化钌(RuO2)。热塑性聚合物系统优选包括由约50%到约90%重量的一种或更多脂肪醇,约5%到约20%重量的一种或更多纤维醚,以及选用最多约10%重量的木松香和/或大豆卵磷脂所构成的混合物。这个组合物还优选包括至少约0.01%到最多约5%重量的一个或更多C12或更高的饱和脂肪酸。
本发明上述及其它特性会在下文中得到更详尽的描述,尤其在权利要求中阐述,以下将详细地阐述本发明的特定具体实施例,这些用于说明但仅显示了本发明原则的几个方面。
具体实施例
本发明的热熔导体膏组合物包括分散于热塑性聚合物系统中的导体颗粒和玻璃颗粒。导体颗粒优选包括银或铝,但是其它材料如铜和非传导性材料也可使用。传导性颗粒可以是粉状和/或薄片状。也可使用含银的合金。组合物导体颗粒填装量优选基于组合物所有组分总重量的50%到90%重量。
在本发明热熔导体膏组合物中使用的导体颗粒优选具有小的平均颗粒尺寸,优选小于5μm,如果组合物通过筛网印制而使用,这一点尤为重要。更优选的是,导体颗粒具有一个双峰颗粒大小分布,其有助于改进填充因而改进膏里的导体颗粒的密度。在本发明优选实施例中,导体颗粒的主要部分(也就是超过50%重量的)具有小于2.5μm的D50,以及导体颗粒的一小部分具有一个大于2.5μm小于5.0μm的D50
用于热熔导体膏组合物的玻璃颗粒优选由一种或更多玻璃料组成。当导体颗粒包含银并且膏的组合物用于硅基片上时,玻璃颗粒优选由下列重量组成的物质构成:从约60%到约95%的氧化铅(PbO)、最多约30%的氧化硅、最多约15%的氧化硼、最多约10%的氧化铝、最多约10%的氧化锆、最多约5%的氧化磷以及最多约5%的氧化钌。更好地是,玻璃颗粒优选具有下列重量组成的组合物:从约75%到约92%的氧化铅(PbO),从约10%到约20%的氧化硅(SiO2),最多约7%的氧化硼(B2O3)、最多约5%的氧化铝(Al2O3)、最多约6%的氧化锆(ZrO2)、最多约3%的氧化磷(P2O5)以及最多约3%的氧化钌(RuO2)。在本发明的最优选实施例中,玻璃料的重量组成为:81.16%的氧化铅,10.72%的氧化硅,4.11%的氧化硼,2.81%的氧化铝,1.20%的氧化锆(下文Ferro EG09014)。
如果导体颗粒包括铝,那么玻璃颗粒的组成就不是关键。在有些情况下,用精细磨碎的硅当做玻璃颗粒也是可行的。
玻璃颗粒有助于将导体结合到基片上。要用所需最小的量的玻璃颗粒来获得好的黏合。根据组合物总重量而定,填装量小于约50%,优选小于约20%,更优选小于约10%就可以了。
导体颗粒和玻璃颗粒分散于热塑性聚合物系统中,其在25℃下为固体,在低于70℃时熔化。热塑性聚合物系统的组成本身并不是关键,并且各种热熔聚合物系统都可以使用,包括如Magrini et al.美国专利No.4,243,710公开的热塑性媒介,其因而作为参考文件而合并。
优选的,热塑性聚合物系统包括至少一个C14或更高的直链伯醇。更优选地,热塑性聚合物系统包括两种或更多不同的从C14到C20的直链伯醇的混合物。适合的酒精可以由如ALFOL商品指定的CONDEA Vista而获得。更进一步地,热塑性聚合物系统还优选包括一种或更多纤维素醚。本发明使用的纤维素醚优选是乙基纤维素。加到热塑性聚合物系统可选择性成分包括部分氢化的松香、大豆卵磷脂和各种表面活性剂。
申请人发现,当组合物存在至少0.01%重量的一种或更多C12或更高的饱和脂肪酸时,导体颗粒易于凝结成团,类似于松软干酪,此时温度保持在高于热塑性聚合物熔点。使用少量(典型的是小于5%重量,基于组合物的总重量)的一种或更多C12或更高的饱和脂肪酸阻止银或铝颗粒的凝结并不确定地延长热熔导体膏组合物温度控制寿命。用于本发明的饱和脂肪酸优选异硬脂酸,但是也可以使用其它的酸如油酸。
在一项优选实施例中,热熔导体膏组合物包括:约40%到约80%重量的混合物,该混合物为重量上占主要部分的是D50小于2.5μm的银薄片和在重量上占次要部分的D50大于2.5μm但小于5.0μm的银薄片;以及约10%到约50%重量的玻璃粉,包括至少一种玻璃料,其含有约75%到约92%重量的氧化铅,从约10%到约20%的氧化硅、从约0%到约7%的氧化硼、最多约5%的氧化铝、最多约6%的氧化锆、最多约3%的氧化磷及最多约3%的氧化钌所组成,分散于热塑性聚合物系统,其包括一种或混合物含有两种或更多不同的C16到C18的直链伯醇、乙基纤维素、部分氢化松香和大豆卵磷脂。所述组合物还包括至少0.01%重量的异硬脂酸。优选的C16到C18的直链伯醇分别是十六(烷)醇和十八烷醇。
在本发明的另一个优选实施例中,热熔导体膏组合物包括:从约50%到约90%重量的铝粉,平均颗粒小于5.5μm;和约10%到约50%重量的含硅玻璃料。铝粉和硅分散在一个热塑性聚合物系统中,其包括至少一种C16或更高的直链伯醇、乙基纤维素、部分氢化松香以及大豆卵磷脂。该组合物还包括约至少0.01%重量的异硬脂酸。直链伯醇优选十六(烷)醇。
本发明的热熔导体膏组合物优选通过将热塑性聚合物系统的组分在稍高于材料熔点的温度下混合一起而形成的。当用银颗粒来做导体材料时,银粉和玻璃颗粒在高度混合情况下加到热塑性聚合物系统,然后此膏经过三辊式粉碎机加热最多到约70℃以保证没有大的颗粒或结块形成。当用铝颗粒来做导体材料时,铝热熔混合物将承受高速混合条件,但典型地不经过三辊式粉碎机。饱和脂肪酸可在任何时候被加到组合物,在导体颗粒和/或玻璃颗粒被加到熔化的热塑性聚合物系统之前或之后。但优选饱和脂肪酸在导体颗粒之后加入。
本发明还提供一种在光电池上形成导电电路的方法。此方法包括将本发明的热熔导体膏组合物加热到高于热塑性聚合物系统的熔点但是低于热塑性聚合物系统开始完全挥发的温度;将热熔导体膏组合物通过筛网印制、块印制、挤压、分散或任何其它传统的应用方法施用于硅基片;将硅基片烘烤到把所述热熔导体膏组合物中的有机物完全燃烧然后形成所述传导电路。烘烤温度本身并不严格。烘烤温度应高到足以把膏内的有机材料完全燃烧尽并把导体颗粒和玻璃颗粒熔到基片当中。在制作光电池时,烘烤很典型地在约650℃到约900℃温度下进行,在最高温度时持续约20秒。
本发明的热熔导体膏组合物尤其在电子设备如光电池及类似产品的制备上很有用处。不象传统膏那样在室温下(例如,约25℃)为液体,本发明的热熔导体膏组合物在室温下(约25℃)为固体,使操作和贮存简单化。热塑性聚合物系统在适当的低温下熔化形成流动的液体状态,从而通过使用筛网印制、块印制、挤压或其他的传统应用方法和设备,使膏快速地施用到基片上。膏的粘度可通过调节温度得到直接控制(例如,为了减低粘度,仅需将温度提高)。
本发明的热熔导体膏组合物使电子元件的生产率大幅度增长。融化的膏在应用到基片上后迅速固化从而不用经过其后的干燥步骤。固化电路可以抵抗剧烈的局部处理而不被模糊或移位。事实上,其它的电子膏材料在使用熔化的膏之后,可在几秒钟之后直接施用于印制基片上。这比使用传统的在室温下为液体的导体膏具有本质上的优势,其在其它处理过程完成前还需要在烘箱内进行强制干燥。去除干燥步骤加快了元件生产速度和进一步地减少由于操作损坏而造成的元件浪费。
本发明的热熔导体膏组合物的另一项优势是,在元件制备中膏不会产生挥发性有机化合物。热塑性聚合物系统的组分在加热到优选的使用温度时是无害的并不会蒸发。用于膏组合物的主要有机材料在达不到燃烧的条件下时不会蒸发或挥发,且材料可完全燃烧形成无害产物。与传统的室温下为液体的导体墨相比较,组合物中缺乏挥发性化合物会增加组合物的保存期限和稳定性。
如上所述,本发明的热熔导体膏组合物使用众所周知的其它技术之中的筛网印制术,是极其适于施用于基片的。虽然可以使用传统的筛网印制设备,但优选将筛网、载物台和涂刷器加热。具体加热筛网、载物台和涂刷器的加热温度优选由热熔膏的熔化温度、所需的熔化膏的粘度及其在印制电路获得的表面形状(cosmetics)来决定。例如,当使用约35℃到约90℃温度范围内熔化的热熔导体膏组合物时约约,筛网温度优选保持在约40℃到约90℃的范围内,载物台温度保持在从约30℃到约65℃的范围内,以及涂刷器的温度保持在最高到约65℃。通过最优化应用设备的温度参数,热熔导体膏组合物可应用于筛网印制、块印制、挤压或具有良好印制形状的配置导体电路。
以下的实施例仅是用来说明本发明,不应当作为对权利要求的限定。
实施例1
用量如下表1中显示的各种组分在最高70℃的温度下一起加热,并逐渐混合形成熔化热塑性聚合物系统。
表1
  成份   量(重量%)
  十八烷醇(CONDEA Vista ALFOL 18NF)   59.29
  十六(烷)醇(CONDEA Vista ALFOL 16NF)   21.81
  乙基纤维素(Hercules AQUALON N22 0100)   13.15
  部分氢化松香(Eastman STAYBELITE)   4.75
  大豆卵磷脂(ADM Lecithin RR551)   1.00
实施例2
本发明的热熔导体膏组合物是通过下表2中所显示用量的组分在一个套层高速混合器内70℃下混合1小时而形成的。来自实施例1的熔化热塑性聚合物系统是第一个填装到加热混合仓的组分。混合后的膏三次经过三辊式粉碎机并然后冷却到室温(约25℃)。得到本发明固态热导体膏组合物。
表2
  成份   量(重量%)
 银片(D<sub>50</sub>1.6μm)(Technic SILFLAKE 241)   49.94
 银片(D<sub>50</sub>2.8μm)(MetalorTechnologies VA-0004)   26.00
 热塑性聚合物系统(来自上述实施例1)   19.66
 玻璃料(Ferro EG09014)   4.10
 异硬脂酸(Pfaltz & Bauer 11150)   0.30
实施例3
将上述实施例2中形成的热塑性导体膏组合物加热到温度65℃,并用325网孔筛网印制到硅基片上,形成印制电路。将筛网移走几秒钟后,印制电路就在基片上固化。再将筛网印制基片放到烘箱内从约650℃到约900℃温度烘制并在最高温处持续烘制约20秒,以烧掉墨组合物中的全部有机材料,并将金属和玻璃颗粒融合在一起然后把印制电路粘贴到基片上。经过燃烧后,可将基片冷却到室温(约25℃)。一个全功能的银印制电路在基片上形成。
实施例4
在下表3中显示用量的各种组分在最高55℃的温度下加热在一起,并逐渐地混合形成熔化热塑性聚合物系统。
表3
  成份   量(重量%)
  十六(烷)醇(CONDEA Vista ALFOL 16NF)   81.10
  乙基纤维素(Hercules AQUALON N10)   13.15
  部分氢化松香(Eastman STAYBELITE)   4.75
  大豆卵磷脂(ADM Lecithin RR551)   1.00
实施例5
本发明的热熔导体膏组合物通过以下表4所列用量的组分在一个套层高速混合器内55℃下混合1小时而形成。实施例4的熔化热塑性聚合物系统是第一个填装到加热混合室的成份。混合后,导体膏冷却到室温(约25℃)。从而获得本发明固态热导体膏组合物。
表4
  成份   量(重量%)
  铝粉(D<sub>50</sub>4.5μm)(Eckart America 400ATOMIZED POWDER)   71.30
  热塑性聚合物系统(来自上述实施例4)   27.70
  玻璃料(U.S.Silica MINUSIL 5)   0.70
  异硬脂酸(Pfaltz & Bauer 11150)   0.30
实施例6
将上述实施例5中形成的热熔导体膏组合物加热到55℃,并用325网孔筛网印制到银热熔印制硅基片上,形成合并印制电路。将筛网移走几秒钟后,导体电路就在基片上固化。再将筛网印制基片放到烘箱内从约650℃到约900℃进行烘制并在最高温处持续约20秒,以燃烧掉墨组合物的有机材料,并将金属和玻璃颗粒融合在一起粘贴到基片上。经过烘烤后,将基片冷却到室温(约25℃)。一个全功能的铝印制电路在基片上形成。
本领域的技术人员很容易获得其它的优势和变动。因而,本发明在更广泛的意义上不受特定的描述和实施例所限制。所以,可以在不脱离本发明的基本概念的情况下进行各种变更,如权利要求或相当于权利要求所限定的那样。

Claims (20)

1.热熔导体膏组合物包括50%到90%重量的实质上含有银或铝的导体颗粒,以及最多50%重量的分散于热塑性聚合物系统的玻璃颗粒,其中该热熔导体膏组合物在25℃下为固体,在35℃到90℃的温度范围内熔化。
2.如权利要求1所述的热熔导体膏组合物,其还包括至少0.01%重量的一个或更多C12或更高的饱和脂肪酸。
3.如权利要求1所述的热熔导体膏组合物,其中,所述玻璃颗粒包括至少一种玻璃料,其包括重量60%到95%的氧化铅、最多30%的氧化硅、最多15%的氧化硼、最多10%的氧化铝、最多10%的氧化锆、最多5%的氧化磷及最多5%的氧化钌。
4.如权利要求1所述的热熔导体膏组合物,其中,所述导体颗粒有一个双峰颗粒大小分布。
5.如权利要求1所述的热熔导体膏组合物,其中,所述导体颗粒的主要部分包括小于5.0μm的D50的薄片。
6.如权利要求3所述的热熔导体膏组合物,其中,所述玻璃料包括重量75%到92%的氧化铅、10%到20%的氧化硅、最多7%的氧化硼、最多5%的氧化铝、最多6%的氧化锆、最多3%的氧化磷及最多3%的氧化钌。
7.如权利要求1所述的热熔导体膏组合物,其中,所述热塑性聚合物系统包括至少一个C14或更高的直链伯醇。
8.如权利要求7所述的热熔导体膏组合物,其中,所述热塑性聚合物系统包括两个或更多的C14到C20的直链伯醇的混合物。
9.如权利要求7所述的热熔导体膏组合物,其中,所述热塑性聚合物系统还包括一种或更多纤维素醚。
10.如权利要求9所述的热熔导体膏组合物,其中,所述纤维素醚包括乙基纤维素。
11.如权利要求2所述的热熔导体膏组合物,其中,所述C12或更高的饱和脂肪酸包括异硬脂酸。
12.如权利要求1所述的热熔导体膏组合物,其中,所述导体颗粒包括在重量上占主要成份D50小于2.5μm的银薄片和在重量上占次要成份的D50大于2.5μm的薄片的混合物,其中,所述的玻璃颗粒包括玻璃料,其含有重量75%到92%的氧化铅,10%到20%的氧化硅、最多7%的氧化硼、最多5%的氧化铝、最多6%的氧化锆、最多3%的氧化磷及最多3%的氧化钌,其中,所述的热塑性聚合物系统包括含有两个或更多不同的C16到C18的直链伯醇和乙基纤维素的混合物。
13.如权利要求12所述的热熔导体膏组合物,进一步包括占总重量至少0.1%的一到多个C12或更高的饱和脂肪酸。
14.如权利要求1所述的热熔导体膏组合物,其中所述导体颗粒包括D50小于5.5μm的铝薄片,其中所述的玻璃颗粒包括硅,以及其中所述的热塑性聚合物系统包括至少一个C16或更高的直链伯醇和乙基纤维素的混合物。
15.如权利要求14所述的热熔导体膏组合物,进一步包括至少0.1%重量的一个或更多的C12或更高的饱和脂肪酸。
16.形成光电池印制电路的方法包括:
提供一个热熔导体膏组合物,其包括50%到90%重量的实质上含有银或铝的导体颗粒,以及最多50%重量的分散于热塑性聚合物系统的玻璃颗粒,其中该热熔导体膏组合物在25℃下为固体,在35℃到90℃的温度范围内熔化;
将所述热熔导体膏组合物加热到高于热塑性聚合物系统熔点的温度但低于该热塑性聚合物系统开始完全挥发的温度;
将所述热熔导体膏组合物通过筛网印制、块印制、挤压或配制应用到硅基片上;以及
烘烤基片直至将所有所述热熔导体膏组合物的有机材料燃烧掉,形成所述导体电路。
17.如权利要求16所述的方法,其中,将所述热熔导体膏通过筛网印制应用到基片上,所用筛网具有100筛到400筛的范围内的网孔。
18.如权利要求16所述的方法,其中,所述烘烤温度在650℃到900℃的范围内。
19.如权利要求16所述的方法,其中,所述导体颗粒包括在重量上占主要成份的D50小于2.5μm的银薄片和在重量上占次要成份的D50大于2.5μm的薄片的混合物,其中所述玻璃颗粒包括玻璃料,其含有在重量75%到92%的氧化铝,10%到20%的氧化硅、最多7%的氧化硼、最多5%的氧化铝、最多6%的氧化锆、最多3%的氧化磷及最多3%的氧化钌,其中所述的热塑性聚合物系统包括含有两个或更多不同的C16到C18的直链伯醇和乙基纤维素的混合物,并且所述组合物进一步包括至少0.01%重量的一个或更多C12或更高的饱和脂肪酸。
20.如权利要求16所述的方法,其中,所述导体颗粒包括D50小于5.5μm的铝薄片,其中所述玻璃颗粒包括硅,以及其中所述热塑性聚合物系统包括至少一个C16或更高的直链伯醇和乙基纤维素的混合物,以及其中所述组合物进一步包括至少0.01%重量的一个或更多的C12或更高的饱和脂肪酸。
CNB028233956A 2001-11-27 2002-11-01 热熔导体膏组合物 Expired - Fee Related CN100389889C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/995,418 2001-11-27
US09/995,418 US6814795B2 (en) 2001-11-27 2001-11-27 Hot melt conductor paste composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1592659A CN1592659A (zh) 2005-03-09
CN100389889C true CN100389889C (zh) 2008-05-28

Family

ID=25541759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028233956A Expired - Fee Related CN100389889C (zh) 2001-11-27 2002-11-01 热熔导体膏组合物

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6814795B2 (zh)
EP (1) EP1448316A4 (zh)
JP (1) JP4355573B2 (zh)
KR (1) KR100920763B1 (zh)
CN (1) CN100389889C (zh)
AU (1) AU2002342251B2 (zh)
CA (1) CA2467690C (zh)
WO (1) WO2003045584A1 (zh)

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7083859B2 (en) * 2003-07-08 2006-08-01 Hitachi Chemical Co., Ltd. Conductive powder and method for preparing the same
US7917941B2 (en) 2003-09-22 2011-03-29 International Business Machines Corporation System and method for providing physical web security using IP addresses
US20060102228A1 (en) 2004-11-12 2006-05-18 Ferro Corporation Method of making solar cell contacts
US7575621B2 (en) * 2005-01-14 2009-08-18 Cabot Corporation Separation of metal nanoparticles
US8334464B2 (en) 2005-01-14 2012-12-18 Cabot Corporation Optimized multi-layer printing of electronics and displays
US8383014B2 (en) 2010-06-15 2013-02-26 Cabot Corporation Metal nanoparticle compositions
US7824466B2 (en) * 2005-01-14 2010-11-02 Cabot Corporation Production of metal nanoparticles
US7666328B2 (en) * 2005-11-22 2010-02-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor composition(s) and processing technology thereof for use in multilayer electronic circuits and devices
US20090119914A1 (en) * 2005-12-27 2009-05-14 Clark Roger F Process for Forming Electrical Contacts on a Semiconductor Wafer Using a Phase Changing Ink
US8575474B2 (en) * 2006-03-20 2013-11-05 Heracus Precious Metals North America Conshohocken LLC Solar cell contacts containing aluminum and at least one of boron, titanium, nickel, tin, silver, gallium, zinc, indium and copper
US8076570B2 (en) * 2006-03-20 2011-12-13 Ferro Corporation Aluminum-boron solar cell contacts
US8105643B2 (en) * 2006-05-31 2012-01-31 Cabot Corporation Process for printing features with smaller dimensions
CN101506994B (zh) 2006-06-30 2012-12-26 三菱麻铁里亚尔株式会社 太阳能电池用电极的形成方法以及使用该电极的太阳能电池
KR101244788B1 (ko) * 2006-09-29 2013-03-18 엘지전자 주식회사 실리콘 기판 상에 배선을 형성하는 방법
JP5309521B2 (ja) * 2006-10-11 2013-10-09 三菱マテリアル株式会社 電極形成用組成物及びその製造方法並びに該組成物を用いた電極の形成方法
DE102007037079A1 (de) * 2006-10-25 2008-04-30 Bayer Materialscience Ag Silberhaltige wässrige Formulierung und ihre Verwendung zur Herstellung von elektrisch leitenden oder spiegelnden Beschichtungen
JP5169389B2 (ja) * 2007-04-19 2013-03-27 三菱マテリアル株式会社 導電性反射膜の製造方法
US8058195B2 (en) * 2007-06-19 2011-11-15 Cabot Corporation Nanoglass and flame spray processes for producing nanoglass
US7833439B2 (en) * 2007-07-24 2010-11-16 Ferro Corporation Ultra low-emissivity (ultra low E) silver coating
JP5629210B2 (ja) * 2007-08-31 2014-11-19 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー 太陽電池用層状コンタクト構造
US20090092745A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Luca Pavani Dopant material for manufacturing solar cells
JP2009129600A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物と太陽電池素子
DE102007058972A1 (de) * 2007-12-07 2009-07-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Metallisierung von Solarzellen, Hotmelt-Aerosol-Tinte und Aerosol-Jet-Drucksystem
US8101231B2 (en) 2007-12-07 2012-01-24 Cabot Corporation Processes for forming photovoltaic conductive features from multiple inks
US7820540B2 (en) * 2007-12-21 2010-10-26 Palo Alto Research Center Incorporated Metallization contact structures and methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon solar cells
US7736546B2 (en) 2008-01-30 2010-06-15 Basf Se Glass frits
US8383011B2 (en) * 2008-01-30 2013-02-26 Basf Se Conductive inks with metallo-organic modifiers
US8308993B2 (en) * 2008-01-30 2012-11-13 Basf Se Conductive inks
EP2307327A1 (en) * 2008-06-26 2011-04-13 E. I. du Pont de Nemours and Company Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
JP5160321B2 (ja) * 2008-06-27 2013-03-13 株式会社ノリタケカンパニーリミテド シリコン系太陽電池の製造方法および該製造方法に用いるアルミニウムペースト
DE102008032554A1 (de) 2008-07-10 2010-01-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Metallhaltige Zusammensetzung, Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kontaktstrukturen auf elektronischen Bauteilen sowie elektronisches Bauteil
US8307674B2 (en) * 2008-07-16 2012-11-13 Ferro Corporation Hot-melt sealing glass compositions and methods of making and using the same
US9029181B2 (en) * 2009-02-02 2015-05-12 Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited Two-part screen printing for solar collection grid
TW201115592A (en) 2009-06-19 2011-05-01 Du Pont Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
KR20110040083A (ko) * 2009-10-13 2011-04-20 동우 화인켐 주식회사 태양전지의 후면 전극용 알루미늄 페이스트
US20110143497A1 (en) * 2009-12-16 2011-06-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductive composition used in conductors for photovoltaic cells
JP2014502033A (ja) 2010-06-08 2014-01-23 アメレイジア、インターナショナル テクノロジー、インク. 太陽電池の相互接続、そのモジュール、パネル及び方法
TW201213265A (en) * 2010-08-06 2012-04-01 Du Pont Conductive paste for a solar cell electrode
KR20120019006A (ko) * 2010-08-24 2012-03-06 삼성전자주식회사 도핑 페이스트, 태양 전지 및 그 제조 방법
US20130061919A1 (en) * 2011-03-18 2013-03-14 E I Du Pont Nemours And Company Method of manufacturing solar cell electrode
JP5120477B2 (ja) * 2011-04-07 2013-01-16 日立化成工業株式会社 電極用ペースト組成物及び太陽電池
CN104185874A (zh) * 2012-01-16 2014-12-03 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 用于具有局部打开的通孔的背面钝化的电池的铝导体浆料
CN103377753B (zh) * 2012-04-17 2017-07-14 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 用于导电糊组合物的无机反应体系
EP2654086B1 (en) 2012-04-17 2018-10-03 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC Conductive thick film paste for solar cell contacts
EP2839511A4 (en) * 2012-04-18 2015-12-02 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc SOLAR CELL CONTACTS CONTAINING INTERMETALLIC NICKEL COMPOSITIONS
US10403769B2 (en) 2012-08-31 2019-09-03 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Electro-conductive paste comprising Ag nano-particles and spherical Ag micro-particles in the preparation of electrodes
CN103000253B (zh) * 2012-11-10 2015-05-20 江苏瑞德新能源科技有限公司 一种潜伏固化型导电浆料及用其在基板上形成电极的方法
EP2932536A4 (en) * 2012-12-14 2016-08-10 Sun Chemical Corp COMPOSITIONS AND METHODS FOR IMPROVED SOLAR CELLS
EP2824672B1 (en) * 2013-07-09 2017-08-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG An electro-conductive paste comprising Ag particles with a multimodal diameter distribution in the preparation of electrodes in MWT solar cells
JP6339225B2 (ja) 2014-04-02 2018-06-06 フエロ コーポレーション ガラス強度において性能が向上した導電性ペースト
EP2966124A1 (en) * 2014-07-09 2016-01-13 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Electro-conductive paste with characteristic weight loss for low temperature application
RU2720133C2 (ru) 2015-02-26 2020-04-24 Дайнемик Солар Системс Аг Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре и электротехническая тонкая пленка
WO2016134703A1 (de) 2015-02-26 2016-09-01 Dynamic Solar Systems Ag Raumtemperatur-verfahren zur herstellung elektrotechnischer dünnschichten und verfahrensgemäss erhaltene dünnschichtfolge
US20160276303A1 (en) 2015-03-17 2016-09-22 E I Du Pont De Nemours And Company Electronic component
DE102015007157A1 (de) 2015-06-03 2016-12-08 imbut GmbH Flächige elektrische Kontaktierung und Verfahren zu deren Herstellung
US20170200556A1 (en) * 2016-01-11 2017-07-13 E I Du Pont De Nemours And Company Electric component
CN107131131B (zh) * 2017-06-08 2019-04-26 上海创丞科功水利科技有限公司 一种水泵串接系统的流量平衡方法
EP3806111B1 (en) * 2018-07-06 2024-03-13 Senju Metal Industry Co., Ltd. Electrically conductive paste and sintered body

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4219448A (en) * 1978-06-08 1980-08-26 Bernd Ross Screenable contact structure and method for semiconductor devices
US5320684A (en) * 1992-05-27 1994-06-14 Mobil Solar Energy Corporation Solar cell and method of making same
US5346651A (en) * 1993-08-31 1994-09-13 Cerdec Corporation Silver containing conductive coatings
US5698451A (en) * 1988-06-10 1997-12-16 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating contacts for solar cells

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3655545A (en) 1968-02-28 1972-04-11 Ppg Industries Inc Post heating of sputtered metal oxide films
US3962488A (en) 1974-08-09 1976-06-08 Ppg Industries, Inc. Electrically conductive coating
JPS585947B2 (ja) * 1978-03-15 1983-02-02 株式会社日立製作所 厚膜用印刷ペ−スト
US4243710A (en) 1978-12-06 1981-01-06 Ferro Corporation Thermoplastic electrode ink for the manufacture of ceramic multi-layer capacitor
US4496475A (en) * 1980-09-15 1985-01-29 Potters Industries, Inc. Conductive paste, electroconductive body and fabrication of same
DE3443789A1 (de) * 1983-12-02 1985-06-27 Osaka Soda Co. Ltd., Osaka Elektrische leitende klebstoffmasse
US4730556A (en) 1985-10-28 1988-03-15 Nordson Corporation Method of screen printing with hot melt foam compositions
GB2193846B (en) 1986-07-04 1990-04-18 Central Glass Co Ltd Vehicle window glass antenna using transparent conductive film
GB2200498B (en) 1986-12-19 1990-07-18 Central Glass Co Ltd Vehicle window glass antenna using transparent conductive film
JPH01128306A (ja) * 1987-11-11 1989-05-22 Alps Electric Co Ltd 導電体材料
DE3804831C1 (en) * 1988-02-17 1989-07-20 Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De Electroconductive coating composition for the contacting of solar cells
US4898789A (en) 1988-04-04 1990-02-06 Ppg Industries, Inc. Low emissivity film for automotive heat load reduction
EP0629018A3 (en) 1988-07-14 1995-06-14 Asahi Glass Co Ltd Motor vehicle antenna.
DE68921115T2 (de) 1988-07-25 1995-10-12 Asahi Glass Co Ltd Fensterscheibenantenne für ein Kraftfahrzeug.
US6124401A (en) 1989-10-06 2000-09-26 Ferro Corporation Thermoplastic coating compositions and process using same
US5083135A (en) 1990-11-13 1992-01-21 General Motors Corporation Transparent film antenna for a vehicle window
US5416491A (en) 1992-01-31 1995-05-16 Central Glass Company, Limited Automotive window glass antenna
US5355144A (en) 1992-03-16 1994-10-11 The Ohio State University Transparent window antenna
US5346933A (en) 1992-12-30 1994-09-13 Cerdec Corporation Thermoplastic/thermosettable coatings or inks for glass, ceramic and other hard surfaces
US5286288A (en) * 1993-03-11 1994-02-15 Videojet Systems International, Inc. Hot melt inks for continuous jet printing
DE69421028T2 (de) 1993-09-10 2000-02-03 Ford Werke Ag Schlitzantenne mit reduzierter Erdungsfläche
US5439852A (en) * 1994-08-01 1995-08-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cadmium-free and lead-free thick film conductor composition
US5670966A (en) 1994-12-27 1997-09-23 Ppg Industries, Inc. Glass antenna for vehicle window
US5528314A (en) 1995-05-22 1996-06-18 General Motors Corporation Transparent vehicle window antenna
US5748155A (en) 1995-09-13 1998-05-05 Ppg Industries, Inc. On-glass antenna and connector arrangement
US5648758A (en) 1995-11-03 1997-07-15 Ford Motor Company Pre-assembled glass breakage detector applique
JP3209089B2 (ja) * 1996-05-09 2001-09-17 昭栄化学工業株式会社 導電性ペースト
US5999136A (en) 1998-08-07 1999-12-07 Ppg Industries Ohio, Inc. Use of electrically conductive ceramic paints in antenna systems

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4219448A (en) * 1978-06-08 1980-08-26 Bernd Ross Screenable contact structure and method for semiconductor devices
US5698451A (en) * 1988-06-10 1997-12-16 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating contacts for solar cells
US5320684A (en) * 1992-05-27 1994-06-14 Mobil Solar Energy Corporation Solar cell and method of making same
US5346651A (en) * 1993-08-31 1994-09-13 Cerdec Corporation Silver containing conductive coatings

Also Published As

Publication number Publication date
CA2467690A1 (en) 2003-06-05
AU2002342251B2 (en) 2007-06-14
US20040046154A1 (en) 2004-03-11
AU2002342251A1 (en) 2003-06-10
JP2005510836A (ja) 2005-04-21
CA2467690C (en) 2008-11-18
KR100920763B1 (ko) 2009-10-07
WO2003045584A1 (en) 2003-06-05
US6814795B2 (en) 2004-11-09
CN1592659A (zh) 2005-03-09
EP1448316A4 (en) 2007-09-26
JP4355573B2 (ja) 2009-11-04
KR20040068159A (ko) 2004-07-30
EP1448316A1 (en) 2004-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100389889C (zh) 热熔导体膏组合物
CN101377966B (zh) 玻璃基板用无铅化银电极浆料的制备方法
US3975201A (en) Vehicle and printing pastes for use in the manufacture of microelectronic packages
CN107502067A (zh) 一种高温烧结发热导电油墨及其制备方法
CN105060940A (zh) 氧化铝多层陶瓷金属化钨浆料及其制备方法
CN105873248A (zh) 一种发热膜用低温烧结浆料及其制备方法
JPH05136566A (ja) 多層電子回路の製造方法
DE2901172A1 (de) Verfahren zum herstellen von mehrschichtigen gesinterten glaskeramiksubstraten mit aus gold, silber oder kupfer bestehenden leitungsmustern und dadurch hergestellte substrate
JPH0258794B2 (zh)
CN109637695A (zh) 一种高性能厚膜电阻浆料组合物
US4025669A (en) Multiple pass method of applying printing paste upon a substrate
DE60017829T2 (de) Verfahren zur Herstellung verzerrungsfreier Schaltungen
CN112266272A (zh) 基于低温共烧陶瓷技术的表面贴装保险丝及其制备方法
DE602004009237T2 (de) Leitfähige Zusammensetzung zum Einsatz in elektrischen Schaltkreisen
CN104078097B (zh) 一种灌孔用印刷电路板银浆及其制备方法
DE60212950T2 (de) Verwendung von leiterzusammensetzungen in elektronischen schaltungen
JPH0718148A (ja) 水によって清浄化できる厚膜ペースト組成物
TW522410B (en) Conductor composition
JPH03108203A (ja) 導体ペーストおよび配線基板
US3717483A (en) Metallizing composition
KR0148163B1 (ko) 도체 페이스트의 제조 방법
CN113851251B (zh) 一种用于ltcc基板中连接膜带上下金银层的过渡填孔浆料
CN104036845B (zh) 一种pcb印刷电路板银浆及其制备方法
CN115553506A (zh) 一种防干烧的陶瓷雾化芯及其制备方法
JP2644017B2 (ja) 抵抗ペースト

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: HERAEUS PRECIOUS METALS NORTH AMERICA CONSHOHOCKEN

Free format text: FORMER OWNER: FERRO CORP.

Effective date: 20140415

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140415

Address after: Delaware

Patentee after: FERRO CORP.

Address before: ohio

Patentee before: Ferro Corp.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080528

Termination date: 20161101