CN100355029C - 基板的表面处理方法 - Google Patents

Abstract

一种利用光激发过程对导电基板进行表面处理的方法，包括：将一个导电基板放置于一个工艺室(1)中，所述工艺室中的压力保持在0.001～1个大气压之间，同时向基板(2)施加一个负偏电压，从装于带有一个光输出窗的工艺室的紫外线光源产生具有3～10eV的光子能的紫外线，该光子能大于所述基板表面的功函数，并且向所述工艺室容器中通入工艺气体，从而通过从所述基板表面发射的电子与工艺气体分子碰撞来产生离子和自由基(6)，所述离子和自由基可以到达所述基板(2)的表面，因此，即使对于大面积的基板来说，也可能简单地、高效地、低成本地并且容易地对基板进行表面处理。

Description

基板的表面处理方法

技术领域

本发明涉及一种利用光激发过程来从表面发射电子以便对导电基板的表面进行处理的方法。为达到本发明的目的，所使用的表面处理包括在所述基板上沉积薄膜、氧化、氮化或碳化所述基板表面、平整或蚀刻所述基板表面等步骤。

背景技术

对于利用光激发过程的表面处理方法来说，已经公知的方法包括：通过直接分解气相中的工艺气体分子以生成自由基的方法，或者直接光激发基板表面上化学结合的分子和/或原子使得它们从所述表面脱离的方法。然而，由于必须使用高光子能来实现这种现象，实际上，不得不使用20eV或者高于20eV的真空紫外线以及100eV或者高于100eV的软X射线。例如，可用于前者的高功率准分子激光器以及可用于后者以产生同步辐射的电子储存环均非常昂贵，而且均是点光源(punctual light source)。因此，难以使用这些设备照射大面积的基板表面，而且在现阶段，这些设备还没有投入到实际使用中去。

而且，当工艺气体与产生真空紫外线或软X射线的光源相接触时，会损坏光源。因此，理想的情况是使用一个光学窗将工艺气体与光源隔离。然而，由于还没有用于能够透过具有10eV或者高于10eV能量的光的光学窗的合适材料，所以工艺气体的压力必需被控制在0.0001个大气压或者更低，或者必需使用一个差动泵浦机构或者其他复杂设备来得到工艺室和光源之间的压力差。在前一种方案中，反应效率明显下降，而在后一种方案中，光辐照的反应区域被限制在几毫米的直径范围内，这样会引起实用上的问题。人们也发明出一些其他的光激发过程，其中代替这种光源，使用低压水银灯以发出4.9eV和6.7eV的紫外线。然而，由于分子解离和电离的反应效率极低，所以目前还没有投入实际的应用。

本发明的目的是提供一种利用光激发过程处理导电基板的方法，其中尤其可以容易地、低成本地处理面积大的基板表面。

发明内容

根据本发明所述，将一个导电基板置于一个压力保持在0.001-1个大气压之间的处理容器中，将从装入一个带有光输出窗的容器中的光源发射的、具有3-10eV光子能的紫外线辐照所述基板表面，同时向所述基板施加一个负偏电压，并向所述处理容器内通入工艺气体对所述基板表面进行处理，从而达到本发明的目的。

对于本发明的目的来说，术语“导电基板”不仅仅包括金属材料，还包括宽带隙半导体，这种半导体在室温下是不导电的，但是在高温下变成导电的，例如氮化铝和陶瓷材料等。

在本发明中，所使用紫外线的能量较小，为3～10eV，优选使用能量为4～9eV的紫外线。使用一般的、低价的光源例如低压水银[蒸气]灯即可产生在上述能量范围内的紫外线。这种光源能够发射波长为185nm或254nm的紫外线。然而，由于波长为185nm的紫外线很容易产生臭氧，在一般使用情况下，臭氧的输出被控制在最小值，并应优选使用波长为254nm的紫外线。对于本发明的实施来说，虽然并不常常使用波长为185nm的紫外线，但它仍是必需的，已经开发低压水银灯作为移除半导体上抗蚀剂膜的紫外线光源，从商业上来讲是可行的。除此之外，该光源呈点状，并可呈现线状或者面状，将大量光源紧密排列即可轻松地辐照大面积。其他的光源，例如氘气灯或氙气(XE)灯，也能产生适合本发明条件的紫外线。

现在说明一下在本发明中使用3～10eV紫外线辐照表面的重要性。当使用的紫外线能量低于3eV时，电子无法从所述基板表面发射出来，而且也无法引起光激发过程。然而，如果所述光子能量增加到大于所述基板表面的功函数，那么外部光电发射效应就会造成电子发射，向所述基板施加一个负偏电压会使电子加速，这样就能够使用由高能电子和工艺气体分子之间的高效反应产生的自由基或离子对所述基板表面进行处理。一般情况下，物质功函数的大小范围为3～5eV，因此使用3eV或高于3eV的紫外线进行辐照就可能会获得足够数量的发射电子，使用4eV或高于4eV的紫外线尤其有效。因此，虽然使用3eV或高于3eV的紫外线(尤其是4eV或高于4eV的紫外线)进行辐照而发射的电子的动能小到几个eV或者更低，但是通过控制施加于所述基板的负偏电压就能够使所述发射电子的动能增加到足够大的值，从而在高反应效率下分解或电离所述工艺气体分子。

从另一方面来说，上限为10eV的意义如下所述。正如前面所述，当工艺气体与紫外线光源接触时，会损坏紫外线光源。因此，完全将紫外线光源与工艺气体隔离的理想方法就是将光源装入一个带有光输出窗的容器中。由于用于光输出的光学窗吸收波长短于光学窗能带隙的紫外线(最大值大约为10eV)(换句话说，光子能超过10eV)，所以理论上没有合适的光学窗。因此，在使用光子能超过10eV的紫外线的常规过程中，人们作出各种发明来防止紫外线光源与工艺气体相接触，例如，一种方法是使用一个差动泵浦系统来控制工艺室和光源之间的压力平衡。在本发明中，如下所述，由于低能紫外线的光子能不足以分解或电离所述工艺气体分子，所以将低能紫外线转换为在施加有负偏电压的基板表面上的高能电子是关键的一步，这样就可能以很高的效率对所述表面进行处理，而且即使紫外线的一部分被所述光输出窗吸收，也会保持高处理效率。由于光输出窗完全防止工艺气体反向流入光源，那么就可以使用任何类型的气体分子包括腐蚀性气体而不会引起任何严重的问题，而且也可以将所述工艺气体的压力设为任意值而不考虑上述与光源间的压力平衡问题。因此，本过程也可以应用于扩展的领域中。除此之外，由于3～10eV的紫外线几乎无法被所述工艺气体分子吸收，所以取决于气体压力，到达所述基板表面的紫外线在强度上也几乎不会被减弱。

因此，本发明中所使用紫外线的光子能的上限取决于光学窗物质的光吸收系数，对于氟化锂来说大概为10eV(相当于氟化锂的吸收阈值的波长120nm)。当使用比氟化锂便宜的合成石英玻璃作为光输出窗时，其上限大概为7.8eV。因此，可适用于本发明的紫外线的光子能的范围是3～10eV，优选为4～9eV。

在本发明中，为了确保利用相对低能的紫外线在所述基板表面发生反应，需要将装有所述基板的工艺室中的压力保持在0.001～1个大气压的范围内，优选为0.01～0.5个大气压的范围内。当所述工艺室中的工艺气体如上所述保持在相对高压时，所述基板吸收紫外线后从基板表面发射出的电子(其由直接光激发得到的光电子和这些光电子在基板中非弹性散射所得的二次电子组成)在从所述表面迁移仅仅几个微米的小距离后即与所述工艺气体分子碰撞，发生电子撞击解离反应后产生自由基和离子。随着气压的增加，发射电子与所述气体分子碰撞时刻前能够迁移的距离变短。例如，在0.1个大气压时，距离减少到1μm或更短，而且碰撞会重复多次。从这一观点来看，所述工艺室中的气体压力将被设定为0.001个大气压，或者优选为0.01个大气压或高于0.01个大气压。从另一方面来说，如果所述工艺室中的气体压力保持在所述大气压或者高于所述大气压，那么很难通过使用3～10eV紫外线进行辐照的方法使从所述基板表面发射出的电子保持解离反应。因此，所述工艺室中的气体压力最大会被限制在一个大气压或者优选限制在半个大气压。如上所述，所述工艺气体的相对高压对于以下两方面来讲是很有好处的，一方面所述处理装置不需要采用超高真空规格，另一方面所述紫外线灯产生的大量热可以通过所述工艺气体高效地移除以进行冷却。

顺便说一下，根据本发明，所述工艺室中工艺气体的压力高达0.001～1个大气压。然而，除氧气之外，许多过程中所使用的气体分子在光子能量的范围为3～10eV时几乎没有表现出光吸收性能，因此，由于光吸收与所述气体压力无关，所以可以使用强度没有明显下降的紫外线辐照所述基板表面。因此，从所述基板表面发射电子的效率根本不会受所述工艺气体压力的影响，而且在接近一个大气压时，电子可以被高效发射。

上述工艺气体压力的优选值与施加于所述基板的负偏电压有关，也与所述表面处理的过程控制有关。换句话说，在表面处理过程中，一般情况下，基板电流随气体压力的增加而增加，并在达到最大值后下降。从另一方面来说，当上面提到的负偏电压增加时，所述基板电流也逐渐增加，达到击穿电压时会发生放电，从而导致所述基板电流的快速增加。在本发明中，使用了稳定的、可控制的无放电状态。为了达到这一目的，取决于处理对象，偏压和气压的优选范围由先前实验决定，所述表面处理过程被控制在无放电的稳定状态下，从而使处理速度也尽可能地有所提高。

在本发明中，如上面所述，通过紫外线的辐照，电子从所述基板表面发射出，发射电子随后被负偏电压加速，从而以较高的反应效率进行表面处理。这种表面处理过程的反应机制将在后面进行详细描述。一般来讲，迄今为止，已经通过由微波、直流放电、电子枪等产生的等离子体形成用于处理所述基板表面的自由基。因此，形成自由基所需的电能从所述工艺室的外部供给，使得在远离所述基板表面的地方所述自由基的密度较高。这就引起了一个实际的问题，即如何将这些自由基传输至所述基板表面，因为按照这种方式产生的自由基的大多数都无法参与所述表面处理，例如薄膜沉积。因此，虽然功率输入较高，但是反应效率仍然较低，这就致使整个操作价格不菲，而且到处都会生成非预期的薄膜沉积。从另一方面来讲，根据本发明的方法，从所述基板表面发射的电子起到了表面处理过程触发器的作用。因此，应仅仅限于在所述基板表面上产生自由基和等离子体，而且虽然等离子体的范围取决于所述气体压力，但是在距离所述基板表面越近的地方，生成的自由基的密度也越高。因此，为产生自由基而输入的电能中被浪费的部分很少，而且产生的自由基中的很大部分都会起到表面处理的作用。

除此之外，紫外线不仅仅辐照到基板表面，而且还辐照到基板支架以及所述工艺室的内壁，即使电子已发射出，但是必需在其上施加一个负偏电压才会使发射电子加速。因此，发射电子的动能保持在非常低的状态，以致不会引发电子撞击解离反应。因此，由于在与所述基板表面处理没有直接关系的区域中不会产生自由基，所以也没有必要在该类区域的表面上进行任何沉积。这不仅有利于工艺装置的维护，也减少了颗粒从非必要沉积的薄膜中脱离从而导致薄膜产生缺陷或杂质的可能性。

抑制上述非预期沉积的效果可以应用于紫外线灯的光输出窗的壁上。在前面所述的光激发过程中，例如使用一个紫外线灯或者一个激光器件进行的常规光CVD(化学气相沉积)法，在灯管壁或者光学窗上的非预期沉积会引起严重的问题。这是因为气相中工艺气体分子会发生解离，而且在光学窗的设计中使用了复杂的发明，因此需要频繁清洗所述光学窗。相反，本方法中，没有在所述光学窗的附近发生气相中的直接解离，只有在非常接近所述基板表面的地方才会产生自由基。因此，也绝对不会在灯管壁和光学窗上产生沉积，不用进行维护。

根据本方法，如上所述，在非常接近所述基板表面的地方产生的自由基和离子可以被有效地输运到所述基板表面，以对所述基板进行表面处理。而且，在这里产生的正离子经上面所提到的负偏电压加速后到达所述基板表面，并与所述基板表面碰撞，导致电子被高效地发射出来。除此之外，在上面提及的正离子弛豫过程中，严格地说，是在正离子与电子复合以形成中性自由基的过程中，会发生紫外线的二次产生。

因此，即使所述紫外线光源的输出功率较低，所述正离子的碰撞和上面提及的二次紫外线的辐照都参与电子的发射，从而可能从所述表面发射出密度足够大的电子以进行实际的表面处理过程。

而且，本方法使用其动能能够被精确控制的离子进行辐照，由于存在这类离子，所以即使在低温下也可能达到高反应效率，同时也可能增强薄膜的附着力和致密性。从另一方面来讲，常规的等离子体过程包含高能离子或者中性粒子，使得所述基板表面或薄膜容易遭受严重的损坏。尤其在纳米级的薄膜沉积过程和原子级的表面处理过程中，如何抑制此类破坏的产生已经成了一个难题。在这个方面，本发明的方法拥有很大的优势。

除此之外，作为一种常规离子辅助工艺，一种基于团簇离子束的方法已经公知。在该方法中，由数千原子组成的团簇经过电离产生正离子，随后，产生的正离子被加速至几千eV并与所述表面碰撞。虽然可以得到相当理想的结果，但是使用该方法会遇到下列问题：低效率的生成，团簇束的电离化，构成部件上的显著堆积引起的污染，工艺装置的设计非常复杂，难于生成大面积的均匀沉积，等等。在这些方面，本发明的方法也拥有很大的优势。

根据本方法，选择不同的工艺气体可以进行各种表面处理。例如，当使用甲烷气体作为碳源并与氢气混和时，可能会在所述基板表面上沉积出一层碳膜，尤其会沉积出一层类金刚石薄膜。该薄膜可以用做硬盘的保护性涂层。

当使用的工艺气体包含能够与所述基板发生反应的组份时，可能会在基板上形成一层由上述组份演变成的薄膜。如果使用包含有氧、氮或碳的气体作为上述气体，就会在所述基板材料上生成氧化膜、氮化膜或者碳化膜。这些薄膜可以用于形成TMR磁头的氧化铝薄膜、MOSFET的栅氧化膜以及钛金属表面上的钝化膜。

在本发明中可以使用包含非反应性组份的气体作为工艺气体。例如，可以使用氩气，而且具有动能的氩离子与所述基板碰撞可以用于平整所述基板表面。举个例子，所述碰撞可以用于平整TMR磁头的铜薄膜电极表面。

本方法中，在所述工艺室中装有一个面向所述基板的网状电极。该网状电极与地电位相连，并向所述基板施加一个负偏电压。经由该网状电极，所述工艺气体通向所述基板表面，且将紫外线辐照所述基板表面。正如上面所述，本发明的工艺装置主要包括一个装于带有光输出窗的容器中的紫外线光源、一个偏压电源以及一个与所述基板对向放置的网状电极。这会给所述工艺装置带来很多突出的特点，不仅装置结构设计简单，而且造价低廉、工艺维护简单，也有可能通过改进现有装置而得到。通过增加紫外线光源的数量或者设计紫外线光源的排列方式，也可能适用于表面面积较大的基板，或者表面形貌粗糙的基板。

附图说明

图1是描述本发明中从所述基板表面发射电子的原理的示意性说明。

(标记说明)

1.工艺室

2.基板

3.网状电极

4.直流电源

5.紫外线光源

6.产生自由基

7.工艺气体入口

8.排气口

具体实施方式

图1是一个示例性的说明，描述了一个实施本发明方法的装置[设备]。在该示例图中，1代表一个工艺室，其压力可以通过图中未示出的一个抽气泵经排气口8减小到预定压力。所述工艺气体可以通过图中未示出的一管道系统从工艺气体入口7供给。2代表所述基板，该基板置于基板支架2a上，基板支架2a装入所述工艺室中并与所述工艺室1电绝缘。一个网状电极3面向所述基板2放置，所述电极3也与所述工艺室1电绝缘。在该电极3和所述基板2之间连接有一个直流电源4，并向所述基板2施加一个相对于所述网状电极3的负偏压。

在所述工艺室1中，放置一个紫外线光源5，例如一个低压[电压]水银灯，以将紫外线经由所述网状电极3照射到所述基板2的表面。

经紫外线辐照后，如A所示，电子首先从所述基板2的表面发射。电子被所述基板2和所述网状电极3之间的电场加速并准备向所述电极3移动。由于所述工艺室1中的高压，或者换句话说，由于气体分子密度高，电子在移动很短的距离后与气体分子相碰撞，从而形成了自由基或离子6。由于自由基或离子形成于非常接近所述基板2表面的地方，所以它们可以被有效地移送到所述基板2的表面，用于对所述基板进行表面处理。

随后，此处形成的正离子由上述偏压加速至所述基板表面，并与基板表面相碰撞，引起高效地放出电子，如B所示。此外，在上述正离子的弛豫过程中，二次产生的紫外线引起进一步地放出电子，如C所示。

因此，发射电子如正反馈一样持续快速增加，直到达到某个饱和点，因此，即使作为触发器的紫外线光源的输出较弱，也可能获得足够数量的发射电子以进行表面处理过程。

现在，下面将描述使用本发明方法的一些实施例。

实施例1：硬盘基板上保护性膜的形成

在硬盘基板上形成一层类金刚石膜。所述硬盘包括，例如，一个铝基板、叠置在铝基板上的一个铬衬层和一个CoCrPt合金铁磁性金属层等等、和一个形成于铁磁性金属层上的保护性膜。其上形成有上述衬层和铁磁性金属层的所述基板被置于工艺室[处理容器]中，并向所述基板施加一个-150V的偏压。工艺气体使用由氢气和甲烷气组成的混和气体(混和比例：甲烷气占流量中的1％)，在所述工艺气体排放过程中，将所述工艺室中的压力保持在0.3个大气压。当使用一个低压水银灯将紫外线辐照到所述基板表面时，在所述铁磁性金属层的表面上沉积一层类金刚石膜。

所述膜的生长速度为0.3nm～0.5nm/秒，处理过程持续大概10秒就足以生成厚度足够(3nm)用以保护所述硬盘表面的膜。该膜包含一个类金刚石的晶体结构，并且具有用作保护性膜的足够硬度。

实施例2：用于TMR磁膜的氧化膜的形成

在TMR磁头上形成一层氧化铝薄膜。一个TMR磁头包括，例如，一个硅基板和依次叠放在硅基板上的一个下部电极层(Cu)、一个磁性层、一个具有隧穿效应的绝缘层、一个磁性层，一个上部电极层(Cu)等等。氧化铝薄膜用作上述的电绝缘层。包括形成于上述下部电极层(Cu)和磁性层上的铝薄膜的基板被装于工艺室中，当向所述基板施加-50V的偏电压时，通入被氩气或氦气(混和比例：流量比5％)稀释的氧气作为工艺气体。当所述工艺室中的压力保持在0.01个大气压时，使用低压水银灯将紫外线照射到基板表面，会导致所述铝基板的氧化并生成一层氧化铝薄膜(厚度：1.5nm)。该薄膜的结构致密，表面形貌非常平坦，从而使增强TMR磁头的探测灵敏度成为可能。

根据本发明所述，由于必需向对象基板的表面施加一个偏电压，一般来说，所述基板仅限于所述基板温度是室温时的导电材料。然而，如果是纳米级的极薄膜的话，本方法可用于如本实施例中的氧化铝薄膜和其他绝缘膜。氧化铝具有大约9eV的宽带隙，现在考虑使用的紫外线很难将电子从价带激发至导带，即使可以实现这种激发过程，很可能电子发射造成所述基板带正电。然而，由于磁性层的费米能级大概位于氧化铝带隙的中间，使用4～5eV的紫外线进行辐照就足以激发所述价电子并跨越所述氧化铝层的导带底将所述价电子发射至表面，因此，这在理论上没有什么问题。然而，可以采用提高温度的方法，以克服在室温下将金属膜沉积于充分厚氧化铝基板上这一难题。

实施例3：用于MOSFET的栅绝缘膜的形成

为了生成用于MOSFET(metal oxidized semiconductor field-effecttransistor，金属氧化半导体场效应晶体管)的栅绝缘膜，使用一个单晶硅晶片作为基板，将其装于工艺室中，且当向基板施加-100V偏电压时通入被氩气或类似气体(占流量中的1％)稀释的氧气作为工艺气体。使用低压水银灯将紫外线辐照到所述基板表面，同时将所述工艺室中的压力保持在0.05个大气压，进行两(2)秒钟的处理后会生成2nm的氧化硅膜。该氧化硅(氧化物)膜结构致密，同时不包含杂质，而且还可以增强MOSFET的电性能。

实施例4：基板表面的平坦化

本发明的方法可以应用于平整TMR磁头的铜薄膜电极。

为达到此目的，可以将TMR磁头的铜薄膜电极选做基板，它被装于工艺室中，通入氩气作为工艺气体，同时向基板施加-200V偏压，通过氩原子和离子与铜原子的碰撞，从而增强铜原子在所述表面上的迁移。使用低压水银灯产生的紫外线辐照所述基板表面，同时将工艺室的压力保持在0.02个大气压，氩离子与所述基板表面的碰撞就会对所述基板表面进行平坦化。

除此之外，如上面实施例2所示，使用氮代替氧可能会在所述基板表面上生成氮化膜。

工业上的实用性

在本发明中，使用了一个装于带有光输出窗的工艺室的光源，具有3～10eV能量的紫外线能够透过该窗进行辐照。具有这种能量的紫外线可以通过使用例如一个低压水银灯而得到。这种灯是一种通用的产品，一般用于移除半导体上的抗蚀剂，易于获取并且造价低廉。除此之外，它的形状可以是线状或者面状，适合辐照较大面积的基板。选择较大型号的这种紫外线灯或者设计紫外线灯的排列方式，也可能将本发明应用到具有较大面积或者表面形貌粗糙的基板上。

常规的等离子体过程在产生等离子体时使用的气压都具有上限和下限。由于这个原因，实施任何纳米级的工艺控制涉及使用惰性气体例如氩气稀释的原材料气体。根据本发明的方法，从另一方面来说，由于没有对原材料气体的压力进行限制，所以稀释到任意百分比都是可能的，即使这种稀释是必要的。对于按照常规方法产生等离子体来说，由于自由基密度的分布不均匀的事实，产生的等离子体覆盖的范围远远超过了所述基板表面的面积，因此输入的电能大部分都被浪费掉了。然而，根据本发明的方法，在适合于所述基板面积的任意面积上产生自由基是可能的。

根据本发明，所述工艺室中的压力被设定成高达0.001～1个大气压，优选设定为0.01～0.5个大气压。伴随着上述紫外线的低光子能，在非常接近基板表面的地方，工艺气体组份与电子之间的碰撞生成离子或自由基，这些离子和自由基可以高效运送到达所述基板表面，从而对所述基板进行表面处理。

除此之外，由于紫外线的能量较小，并且紫外线辐照工艺室的内壁和基板支架所激发的电子的动能极低，不会引发电子撞击解离反应，所以在上述内壁或支架上不会堆积异种物质，也不会产生所述解离反应发生后形成的物质。这样有利于表面处理装置的维护，而且也可以防止由于颗粒从不需要堆积物剥离而产生各种缺陷或者污染。

Claims (12)

1.一种基板的表面处理方法，其特征在于，在一工艺室中放置一导电基板，将所述工艺室中的压力保持在0.001～1个大气压之间，将一工艺气体通入所述工艺室内，从装于带有一光输出窗的一工艺室中的一光源辐照出具有3～10eV的光子能的紫外线以使电子从所述基板的表面发射，具有多个允许紫外线的通过的开口的电极在所述光源和基板之间设置，所述电极面对基板，向所述基板施加一相对于所述电极的负偏电压以加速所述发射的电子，通过该加速的电子和所述工艺气体的碰撞而在所述基板和电极之间的基板的表面的附近形成较高密度的等离子体，且该等离子体被用于对所述基板的表面进行处理。

2.根据权利要求1所述的基板表面处理方法，其特征在于，所述工艺气体包含原材料组份，并且在所述基板上形成由所述组份构成的一膜。

3.根据权利要求2所述的基板表面处理方法，其特征在于，所述原材料组份是碳和氢，并在所述基板上形成一类金刚石碳膜。

4.根据权利要求1所述的基板表面处理方法，其特征在于，所述工艺气体含有与所述基板的材料发生反应的组份，通过所述组份和所述基板之间的反应在所述基板上形成一膜。

5.根据权利要求4所述的基板表面处理方法，其特征在于，与所述基板的材料发生反应的组份是氧、氮或碳中的任何一种，并形成氧化膜、氮化膜或碳化膜中的任何一种。

6.根据权利要求1所述的基板表面处理方法，其特征在于，所述工艺气体含有一非反应性组份，所述组份的碰撞会对所述基板的表面进行平坦化。

7.根据权利要求1所述的基板表面处理方法，其特征在于，在所述工艺室中与所述基板对向放置一网状电极，对所述基板施加相对于所述电极的负的偏电压。

8.根据权利要求1所述的基板表面处理方法，其特征在于，所述工艺室中的压力保持在0.01～0.5个大气压之间。

9.根据权利要求1所述的基板表面处理方法，其特征在于，进行辐照的紫外线具有4～9eV的光子能。

10.根据权利要求1所述的基板表面处理方法，其特征在于，使用一放电型灯作为紫外线光源。

11.根据权利要求10所述的基板表面处理方法，其特征在于，所述放电型灯为一低压水银灯。

12.一种导电基板的表面处理装置，其中在所述导电基板的表面的附近形成较高密度的等离子体，且该等离子体被用于对所述导电基板的表面进行处理，其包括：

(a)具有用于引入工艺气体的入口的工艺室，其中内压保持在0.001-1大气压内，

(b)容纳于工艺室中并带有一光输出窗的光源，通过该输出窗在导电基板上辐照具有3～10eV的光子能的紫外线，

(c)电极，设置在所述光源和导电基板之间，面对导电基板，并具有紫外线通过的多个开口，和

(d)电源，用于对于所述导电基板施加相对于所述电极的负偏电压。

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