CN100346428C - 电感元件及该电感元件的制造方法 - Google Patents

电感元件及该电感元件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种电感元件,将在螺旋状的凹部内充填导体材料的印刷用基板重叠在绝缘基板上。其导体材料被转印至绝缘基板上,与绝缘基板一起烧结,使线圈图形部在绝缘基板的同一平面上形成。在线圈图形部上设置由非磁性材料构成的非磁性体部。具有这些的电感元件在高频频带,衰减特性提高,并且可以使磁性体部减薄,可以低矮化。

Description

电感元件及该电感元件的制造方法
技术领域
本发明涉及用于除去各种民用设备内的噪声等、由电感器构成的电感元件及其制造方法。
背景技术
图9是现有的电感元件的分解立体图,图10是其立体图,图11是其阻抗—频率特性图。
现有的电感元件包括:由磁性材料构成的磁性体部1;由形成于磁性体部1内的螺旋状的导体部2构成的线圈图形部;与线圈图形部电连接的外部电极3。
磁性体部1是将多个磁性体基板层4叠层而形成的,在这些磁性体基板层4上以不满1圈的圆孤状配置线圈图形部的导体部2。而且,在上下的磁性体基板层4上配置的圆孤状的导电体2经通路部5电连接,在磁性体部1内形成数圈左右的线圈图形部。
导体部2形成共态扼流圈。图11示出其阻抗—频率特性。
在现有的电感元件中,由于将配置有圆孤状的导电体2的磁性体基板层4进行数层叠置,线圈图形部在磁性体部1内形成,所以在邻接的上下的磁性体基板层4上分别配置的导体部2之间介入有磁性体部1。由于磁性体部1的原因,磁性体基板层4的上下对置的导体部2之间的透磁率变大,因此,通过导体部2之间的磁束量(漏磁束量)增加。围绕线圈图形部的磁束量减少相应的量。与此相应,阻抗值减小,不能获得充分的衰减量。
因此,使用透磁率大的磁性材料作为磁性体部1,使围绕线圈图形部的磁束量增加,由此增加阻抗值,抑制衰减量的降低。
可是,若使用透磁率大的磁性材料,则因为阻抗值的峰值向低频频带推移,所以在高频频带,衰减特性劣化。尤其是,如图11所示的阻抗—频率特性图,将电感元件作为共态扼流圈使用时,相对于作为噪声成分的共态电流的阻抗值6的峰值向低频频带推移,高频频带中的噪声成分的衰减特性劣化。此外,相对于作为信息信号成分的额定电流的阻抗值7的峰值也向低频频带推移,低频频带的信息信号成分衰减。
在线圈图形部上叠层磁性体基板层4时,磁性体基板层4向线圈图形部推压。此时,为了在线圈图形部的导体部2之间能够容易配置磁性体基板层4,导体部2的截面形状通常是纵向尺寸比横向尺寸短的箔片状。
可是,因该形状,配置在上下的磁性体基板层4中的导体部2的对置面积变大,与该对置面积成比例,产生寄生电容。因而,由于阻抗值的峰值向更低频频带推移,所以在高频频带,衰减特性劣化。
这样,在现有的电感元件中,由于在高频频带的衰减特性劣化的同时,为了形成数圈左右的线圈图形部,使磁性体基层板4重叠几层,并且需要使磁性体部1增厚,因此难以低矮化。
发明内容
本发明的电感元件包括:绝缘基板;绝缘基板上的具有螺旋状的导体部的线圈图形部;设置于绝缘基板上的、线圈图形部上方的磁性体部;与线圈图形部连接的外部电极。上述导体部是将形成于上述绝缘基板上的导体材料与上述绝缘基板一起烧结而形成的。
该电感元件,在高频频带中具有优异的衰减特性,并因薄的磁性体部而具有薄的外形。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的电感元件的剖面图。
图2是本发明的实施方式1的电感元件的立体图。
图3是本发明的实施方式1的电感元件的图1中的A部分的放大剖面图。
图4是本发明的实施方式1的电感元件的图1中的B部分的放大剖面图。
图5是实施方式1的电感元件的形成有线圈图形部的绝缘基板的主视图。
图6是本发明的实施方式1的电感元件的阻抗—频率特性图。
图7是本发明的实施方式1的电感元件的制造工序图。
图8是本发明的实施方式3的电感元件的其它制造工序图。
图9是现有的电感元件的分解立体图。
图10是现有的电感元件的立体图。
图11是现有的电感元件的阻抗—频率特性图。
具体实施方式
(实施方式1)
图1是本发明的实施方式1的电感元件的剖面图。图2是电感元件的立体图。图3是电感元件的图1中的A部分的放大剖面图。图4是电感元件的图1中的B部分的放大剖面图。图5是电感元件的形成有线圈图形部的绝缘基板的主视图。图6是电感元件的阻抗—频率特性图。图7是电感元件的制造工序图。
如图1~图5所示,具有纵向0.5~1.6mm、横向1.0~3.2mm、高度方向0.9~1.2mm的外形尺寸的实施方式1中的电感元件包括:由比透磁率为650左右的Ni系铁氧体形成的绝缘基板10;在绝缘基板10上叠层的形成为螺旋状的Ag构成的导体部12形成的线圈图形部13;在绝缘基板10上叠层的比透磁率为100左右的Ni系铁氧体形成的磁性体部15;经引出电极30与线圈图形部13电连接的外部电极17。
绝缘基板10的厚度(H1)比磁性体部15的厚度(H2)大,比其3倍小。导体部12以螺旋状形成2圈以上,邻接的导体部12之间的导体部12间宽度(W1)比导体部12的宽度(W2)的1/2倍大,比其2倍小。
在线圈图形部13的导体部12和导体部12之间的周围,形成由非磁性材料的结晶化玻璃等的玻璃构成的非磁性体部23,以便包围线圈图形部13,在与非磁性体部23接触的磁性体部15近旁,浸透该非磁性材料,形成非磁性材料层。
在与叠层线圈图形部13的面相反一侧的绝缘基板10的面上,叠层由结晶化玻璃形成的第一保护用玻璃25,在绝缘基板10上叠层的磁性体部15的面上,与第一保护用玻璃25平行地叠层由结晶化玻璃形成的第二保护用玻璃27。
在设置于磁性体部15上的贯通孔中充填由Ag形成的导电构件,形成通路部29,线圈图形部13和外部电极17经通路部29电连接。
磁性体部15由具有上述贯通孔的多个磁性体部层31叠层形成,通路部29由在贯通孔中充填导电材料的多个通路部层32叠层形成。通路部层32的端部34向邻接的上下的磁性体部层31的贯通孔外周部33之间突出。磁性体部层31的贯通孔外周部33和通路部层32的端部34交替叠层。
图6示出该电感元件的阻抗—频率特性。尤其是,在线圈图形部13是用2圈的导体部12形成的电感元件作为共态扼流圈使用时,相对于作为噪声成分的共态电流的阻抗值35的峰值,与现有的电感部件相比,向高频频带推移,而且,相对于作为信息信号成分的额定电流的阻抗值36,从低频频带至整个高频频带为小。即,该电感元件在高频频带,相对于作为信息信号成分的额定电流的阻抗值36不衰减,相对于作为噪声成分的共态电流的阻抗值35可以衰减。因而,该电感元件在1GHz左右的高频频带以数百Mbps左右的高速传送大量信息信号是有利的。
该电感元件的制造方法,如图7所示,包括:形成绝缘基板10的绝缘基板形成工序11;在绝缘基板10上形成将导体部12变为螺旋状的线圈图形部13的线圈形成工序14;在绝缘基板10上叠层磁性体部15的磁性体部叠层工序16;形成外部电极17的外部电极形成工序18;电连接外部电极17和线圈图形部13的连接工序19。
绝缘基板形成工序11包括在线圈形成工序14之前对绝缘基板10进行烧结的绝缘基板烧结工序20。磁性体部叠层工序16包括对叠层的磁性体部15进行烧结的磁性体部烧结工序21。
线圈形成工序14包括:将在螺旋状的凹部上充填导体材料的印刷用基板重叠在绝缘基板上、其导体材料转印到绝缘基板上、并与绝缘基板10同时烧结、在绝缘基板10的同一平面上形成线圈图形部13的凹版印刷工序22。
在线圈形成工序14之后的非磁性体部形成工序24中,在导体部12和导体部12之间的周围、或导体部12之间,形成由例如玻璃等非磁性材料构成的非磁性体部23,以便包围线圈图形部13。
在磁性体部叠层工序16之后的第一保护用玻璃形成工序26中,在与线圈图形部13叠层面的相反一侧的绝缘基板10的面上对第一保护用玻璃进行叠层、烧结。在第二保护用玻璃形成工序28中,与在绝缘基板10的面上形成的第一保护用玻璃25平行,在绝缘基板10上叠层的磁性体部15的面上,叠层、烧结第二保护用玻璃27。
在连接工序19中,在磁性体部15上设置贯通孔的同时,在该贯通孔中充填导电构件,在线圈图形部13和外部电极17之间形成由导电构件构成的通路部29。电连接线圈图形部和通路部29和引出电极30。
具有贯通孔的多个磁性体部层31叠层、形成磁性体部15。在其贯通孔中充填导电构件的多个通路部层32叠层、形成通路部29。通路部层32的端部34向邻接的上下磁性体部层31的贯通孔外周部33之间突出,磁性体部层31的贯通孔外周部33和通路部层32的端部34交替叠层。
通过上述构造和制造方法,可以容易地形成具有非常高密度的螺旋状的导体部12的线圈图形部13。尤其是,因为线圈图形部13能够在同一平面上形成,所以没有必要把线圈图形部13分为数层形成在磁性体内部。因而,在上下形成的导体部12之间不介入磁性体部15,通过导体部12之间的磁束量(漏磁束量)减少,围绕线圈图形部13的磁束量也增加相应的量。与此相应,线圈图形部13的磁耦合度变高,并能抑制衰减量的降低。
由此,即使使用透磁率小的磁性材料作为磁性体部15,使阻抗值的峰值向高频频带侧推移,也可以抑制衰减量降低。
如果使用透磁率小的磁性材料作为磁性体部15,则通常阻抗值的峰值降低,衰减量降低。可是,通过提高线圈图形部13的磁耦合度,可以使阻抗值的峰值向高频频带推移,同时抑制衰减量的降低。
因为可以在同一平面上形成线圈图形部13,所以对邻接的导体部12的对置面积作得小,降低了对置的导体部12之间产生的寄生电容。因而,使阻抗值的峰值向更高频频带推移,并能使磁性体部15薄薄地形成,实现电感元件的低矮化。
而且,因为在导体部12和导体部12之间的周围、或导体部12之间,形成由非磁性材料构成的非磁性体部23,以便包围线圈图形部13,所以使导体部12之间的透磁率变得非常小。因而,可以产生效率更佳的磁束,以便在导体部12之间更加阻碍在线圈图形部13上产生的磁束的通过,并围绕包围线圈图形部13的非磁性体部23的周围。因此,可提高线圈图形部13的导电部12之间的磁耦合度,增大衰减量。
尤其是,因为非磁性材料是玻璃,所以不仅使通过线圈图形部13的导体部12之间的磁束量更加降低,使磁耦合度更加上升,而且因为在导体部12和导体部12之间的周围、或导体部12之间充填玻璃,所以没有空隙部。因而,可以抑制因空隙部的空气内含有的水分等引起的导体部12腐蚀或迁移。
由于与叠层线圈图形部13的面相反一侧的绝缘基板10的面上,叠层有第一保护用玻璃25,在绝缘基板10上叠层的磁性体部15的面上,与第一保护用玻璃25平行地叠层第二保护用玻璃27,所以可以保护绝缘基板10的下面及磁性体部15的面,防止龟裂等的产生。
在磁性体部15和通路部29的接触面上不产生空隙,可以抑制因空隙的空气内含有的水分等引起的通路部29的腐蚀,并且,即使邻接的磁性体部15层的贯通孔的位置相互错位,邻接的上下通路部层32彼此之间也可靠地电连接。因而,不会使通路部29的电连接劣化,可以以给定的厚度尺寸形成磁性体部15以及通路部29。
在线圈图形部13上,导体部12以2圈以上的螺旋状形成。此外,因为邻接的导体部12之间的导体部12之间宽度比导体部12宽度的1/2倍大,比2倍小,所以,即使绝缘基板10的同一平面上形成多圈的线圈图形部13,也可以形成不产生断线或短路等、精度好的线圈图形部13。
电感元件具有纵向0.5~1.6mm、横向1.0~3.2mm、高度方向0.9~1.2mm的外形尺寸,而且,即使是外形尺寸小的,也可以形成不产生断线或短路等、精度好的线圈图形部13。
因为绝缘基板10的厚度比磁性体部15的厚度大,比其3倍小,所以可以形成不产生断线或短路等、精度好的线圈图形部13。
这样,根据实施方式1,因为可以使线圈图形部13在同一平面上形成,所以在上下的磁性体基板层不形成导体部12,磁性体部15不介入导体部12之间。因而,电感元件在高频频带衰减特性提高,磁性体部15变薄,达到低矮化。
再者,在实施方式1,非磁性材料是玻璃,然而也可以是陶瓷或绝缘树脂,非磁性体部23也可以只在线圈图形部13的导体部12之间形成。此时,围绕线圈图形部13的磁束的围绕距离变短,即使在更高频频带也可以降低噪声成分。
由形成为螺旋状的多个导体部12构成的线圈图形部13也可以适用于共态扼流圈等、需要多个导体部12的情况。
在实施方式1,虽然线圈形成工序14和磁性体部叠层工序16只实施一次,然而这些可分别重复多次,并且线圈图形部13和磁性体部15交替地叠层也可以。
(实施方式2)
本发明的实施方式2的电感元件是实施方式1的电感元件变形例,以具有空隙部、在空隙部周围的磁性体部15以及绝缘基板10上浸透非磁性材料形成的非磁性材料层取代非磁性体部23。
以下示出该电感元件的制造方法。
在实施方式1的非磁性体部形成工序24,在线圈图形部13的导体部12和导体部12之间的周围、或导体部12之间充填玻璃作为非磁性材料。在磁性体部烧结工序21中或其后,在烧结磁性体部15的烧结温度以下,使玻璃液化,使液化的玻璃浸透至磁性体部15和绝缘基板10中,以围绕线圈图形部13的周围的方式形成玻璃层,并且在导体部12和导体部12之间的周围、或导体部12之间形成空隙部。
通过上述构成,在线圈图形部13的导体部12和导体部12之间的周围、或导体部12之间,作为非磁性材料充填的玻璃液化,液化的玻璃浸透磁性体部15和绝缘基板10,因此,液化的玻璃残部中形成的空隙部本身成为非磁性体部23。
此时,导体部12之间的透磁率变得非常小,在导体部12之间,阻碍在线圈图形部13产生的磁束的通过。因而,可高效地产生磁束,以便包围线圈图形部13,使导体部12之间的磁耦合度上升,增大衰减量。此外,因为空隙部的介电系数小,所以在导电体12之间产生的寄生电容减小,可以使阻抗值的峰值向更高频频带推移。
液化的玻璃浸透导体部12和导体部12之间的周围、或导体部12之间近旁的磁性体部15和绝缘基板10,形成玻璃层,可以使磁性体部15的透磁率减少,使磁性体部15非磁性化。因而,非磁性体部23也可在空隙部周围形成。此时,导体部12之间的透磁率更加变得非常小,在导体部12之间,阻碍在线圈图形部13上产生的磁束的通过。因而,可以更加高效地产生磁束,以便包围线圈图形部13,使导体部12之间的磁耦合度提高,进一步增大衰减量,同时使空隙部周围的磁性体部15非磁性化。因而可以使空隙部和空隙部近旁的介电系数更加变小,降低导体部12之间产生的寄生电容,使阻抗值的峰值进一步向高频频带推移。
尤其是,通过在空隙部周围形成的玻璃层,即使在磁性体部15上存在吸湿性,水分等也难以经磁性体部15向空隙部浸透。因而,可以防止因空隙部内的水分等引起的导体部12的腐蚀或迁移。
(实施方式3)
本发明的实施方式3的电感元件的制造方法是使实施方式1的电感元件的制造方法变形的制造方法。
本实施方式的电感元件的制造工序,如图8所示,包括:形成绝缘基板10的绝缘基板形成工序11;将由螺旋状的导体部12构成的线圈图形部13形成在绝缘基板10上的线圈形成工序14;在绝缘基板10上叠层磁性体部15的磁性体部叠层工序16;形成外部电极17的外部电极形成工序18;电连接外部电极17和线圈图形部13的连接工序19;同时烧结绝缘基板10和线圈图形部13和磁性体部15的同时烧结工序20。通过同时烧结工序20,未烧结绝缘基板10和磁性体部15也可以。
在线圈形成工序14的凹版印刷工序22,在螺旋状的凹部上充填导体材料的印刷用基板重叠在绝缘基板10上,其导体材料转印到绝缘基板10上,线圈图形部13在绝缘基板10的同一平面上形成。
此外,在线圈形成工序14后的非磁性体形成工序24,在导体部12和导体部12之间的周围、或导体部12之间,形成由例如玻璃等非磁性材料构成的非磁性体部23,以便包围线圈图形部13。
而且,在连接工序19,在设置于磁性体部15上的贯通孔中充填导电构件,线圈图形部13和外部电极17经由导电构件构成的通路部29和引出电极30电连接。这时,具有贯通孔的多个磁性体部层31进行叠层,形成磁性体部15,在贯通孔中充填导电构件的多个通路部层32进行叠层,形成通路部29。通路部层32的端部34向邻接的上下的磁性体部层31的贯通孔外周部33之间突出,磁性体部层31的贯通孔外周部33和通路部层32的端部34交替地叠层。
通过上述构成,与实施方式1同样,因为可以使线圈图形部13在同一平面上形成,所以在导体部12之间不介入磁性体部15,电感元件在高频频带,衰减特性提高,达到低矮化。
(实施方式4)
本发明的实施方式4的电感元件的制造方法是使实施方式3的电感元件的制造方法变形的制造方法。
在实施方式3的非磁性体部形成工序24,线圈图形部13的导体部12和导体部12之间的周围、或导体部12之间,作为非磁性材料充填玻璃。在同时烧结工序20,使玻璃液化,液化的玻璃浸透至磁性体部15和绝缘基板10中,形成玻璃层,以便包围线圈图形部13的周围。并且在导体部12和导体部12之间的周围、或在导体部12之间,形成空隙部。
通过上述构成,由于液化的玻璃浸透至磁性体部15以及绝缘基板10中,所以在液化的玻璃残部中形成的空隙部本身成为非磁性体部23。
此时,导体部12之间的透磁率变得非常小,随着在导体部12之间阻碍由线圈图形部13产生的磁束的通过,可以高效率地产生磁束,以便包围线圈图形部13,可以使导体部12之间的磁耦合度上升,使衰减量变大。此外,因为空隙部的介电系数小,所以在导体部12之间产生的寄生电容减小,可以使阻抗值的峰值更加向高频频带推移。
液化的玻璃浸透至导体部12和导体部12之间的周围、或导体部12之间近旁的磁性体部15中,形成玻璃层,可以使磁性体部15的透磁率减少,使磁性体部15非磁性化。因而,非磁性体部23也可在空隙部的周围形成。此时,导体部12之间的透磁率进一步变小,在导体部12之间阻碍线圈图形部13产生的磁束的通过,可高效率地产生磁束,以便包围线圈图形部13。因而可以使导体部12之间的磁耦合度上升,进一步增大衰减量。此外,因为空隙部周围的磁性体部15非磁性化,所以空隙部和空隙部近旁的介电系数更加变小,可以降低导体部12之间产生的寄生电容,可以使阻抗值的峰值进一步向高频频带推移。
尤其是,通过在空隙部周围形成的玻璃层,即使在磁性体部15中存在吸湿性,水分等也难以经磁性体部15浸透到空隙部中。因而,可以防止因空隙部内的水分等引起的导体部12的腐蚀和迁移。
再者,在实施方式4中,非磁性材料是玻璃,然而,也可以是陶瓷或绝缘树脂。陶瓷在非磁性体部形成工序24中不形成空隙部。绝缘树脂在烧结磁性体部15的烧结温度以下被烧掉,由此可以形成空隙部。
产业上的可利用性
由于在本发明的电感元件中,线圈图形部在同一平面上形成,所以在上下的磁性体基板层中不形成导体部,磁性体部不介入导体部之间。因而,其电感元件在高频频带上,衰减特性提高,可以使磁性体部变薄,达到低矮化。

Claims (28)

1.一种电感元件,其特征在于:包括:
绝缘基板;
所述绝缘基板上的具有螺旋状的导体部的线圈图形部;
设置于所述绝缘基板上的、所述线圈图形部上方的磁性体部;
与所述线圈图形部连接的外部电极;和
在所述导体部间形成的、由所述绝缘基板和所述磁性体部包围的非磁性体部,
在所述磁性体部的所述线圈图形部的周围形成有空隙部,
所述非磁性体部是所述空隙部,
所述磁性体部具有浸透所述空隙部周围的非磁性材料而形成的非磁性材料层。
2.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于:将在印刷用基板的螺旋状的凹部充填的所述导体材料与所述印刷用基板一起重叠在所述绝缘基板上,将所述充填的所述导体材料转印至所述绝缘基板上,形成所述线圈图形部。
3.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于:所述非磁性材料是绝缘树脂。
4.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于:所述非磁性材料是玻璃。
5.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于:还包括:
具有所述绝缘基板上的螺旋状的另外的导体部的另外的线圈图形部;
所述另外的螺旋状的导体部由所述绝缘基板和所述非磁性体部包围。
6.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于:还包括与所述线圈图形部的面相反侧的所述绝缘基板上的第一保护用玻璃。
7.根据权利要求6所述的电感元件,其特征在于:还包括与所述第一保护用玻璃平行地在所述磁性体部上设置的第二保护用玻璃。
8.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于:还包括由充填于在所述磁性体部上形成的贯通孔中的导电构件构成的、连接所述线圈图形部和所述外部电极的通路部。
9.根据权利要求8所述的电感元件,其特征在于:
所述磁性体部具有各自形成贯通孔、并叠层的多个磁性部层,
所述通路部具有由充填于所述贯通孔中的导电构件构成的叠层的多个通路部层,
所述通路部层的端部向邻接的所述贯通孔的外周部之间突出,
所述贯通孔的所述外周部和所述通路部层的所述端部交替地叠层。
10.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于:所述导体部形成2圈以上,所述导体部之中相互邻接的部分的间隔比所述导体部的宽度的1/2大,比2倍小。
11.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于:所述线圈图形部还具有所述绝缘基板上的另外的螺旋状的导体部。
12.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于:
所述绝缘基板和所述磁性体部具有0.5~1.6mm×1.0~3.2mm的长方体形状,
所述绝缘基板和所述磁性体部的合计的叠层方向的高度为0.9~1.2mm。
13.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于:所述绝缘基板的厚度比所述磁性体部的厚度的1倍大,比3倍小。
14.一种电感元件的制造方法,其特征在于:包括:
将在螺旋状的凹部内充填导体材料的印刷用基板重叠在绝缘基板上的工序;
将所述充填的导体材料转印到所述绝缘基板上、在所述绝缘基板上形成导体部的工序;
同时烧结所述导体部和所述绝缘基板、在所述绝缘基板上形成线圈图形部的工序;
按照在所述导体部的周围形成空隙部的方式,在所述绝缘基板上叠层覆盖所述导体部的磁性体部的工序;
形成外部电极的工序;
连接所述外部电极和所述线圈图形部的工序;
烧结所述磁性体部的工序;
在所述空隙部充填非磁性材料的工序;
在烧结所述磁性体部的烧结温度以下液化所述充填的非磁性材料的工序;和
使所述液化的所述非磁性材料浸透至所述磁性体部和所述绝缘基板中、形成包围所述导体部周围的非磁性材料层的工序。
15.根据权利要求14所述的电感元件的制造方法,其特征在于:叠层所述磁性体部的工序还包括:烧结已叠层的磁性体部层的工序。
16.根据权利要求14所述的电感元件的制造方法,其特征在于:所述非磁性材料是陶瓷。
17.根据权利要求14所述的电感元件的制造方法,其特征在于:所述非磁性材料是玻璃。
18.根据权利要求14所述的电感元件的制造方法,其特征在于:还包括:
在所述磁性体部上形成另外的线圈图形的工序;
在所述磁性体部上,在所述另外的线圈图形的上方叠层另外的磁性体层的工序。
19.根据权利要求14所述的电感元件的制造方法,其特征在于:还包括:在与形成所述线圈图形部的面相反侧的所述绝缘基板的面上叠层第一保护用玻璃的工序。
20.根据权利要求19所述的电感元件的制造方法,其特征在于:还包括:与所述第一保护用玻璃平行地在所述磁性体部上叠层第二保护用玻璃的工序。
21.根据权利要求14所述的电感元件的制造方法,其特征在于:连接所述外部电极和所述线圈图形部的工序还包括:在形成于所述磁性体部上的贯通孔中充填导电构件、形成连接所述外部电极和所述线圈图形部的通路部。
22.根据权利要求21所述的电感元件的制造方法,其特征在于:
叠层所述磁性体部的工序包括:将具有贯通孔的多个磁性体部层叠层的工序,
形成所述通路部的工序包括:在所述贯通孔中充填导电构件、形成多个通路部层的工序,
所述通路部层的端部向与所述多个磁性体部层邻接的层的所述贯通孔的外周部之间突出,所述多个磁性体部层的贯通孔的外周部和所述通路部层的所述端部交替地叠层。
23.一种电感元件的制造方法,其特征在于:包括:
将在螺旋状的凹部内充填有导体材料的印刷用基板重叠在绝缘基板上的工序;
将所述充填的所述导体材料转印至所述绝缘基板上、在所述绝缘基板上形成由导体部构成的线圈图形部的工序;
在所述导体部的周围充填非磁性材料的工序;
在所述绝缘基板上叠层磁性体部的工序;
同时烧结所述绝缘基板和所述线圈图形部和所述磁性体部的工序;
形成外部电极的外部电极形成工序;和
连接所述外部电极和所述线圈图形部的工序,
同时烧结所述绝缘基板和所述线圈图形部和所述磁性体部的工序包括:
使所述非磁性材料液化的工序;和
使所述液化的非磁性材料浸透至磁性体部和绝缘基板中、以包围所述线圈图形部的周围的方式形成非磁性材料层,在所述导体部的周围形成空隙部的工序。
24.根据权利要求23所述的电感元件的制造方法,其特征在于:所述非磁性材料是陶瓷。
25.根据权利要求23所述的电感元件的制造方法,其特征在于:所述非磁性材料是玻璃。
26.根据权利要求23所述的电感元件的制造方法,其特征在于:还包括:
在所述磁性体部上形成另外的线圈图形的工序;
在所述磁性体部上的所述另外的线圈图形上叠层另外的磁性体部的工序。
27.根据权利要求23所述的电感元件的制造方法,其特征在于:
连接所述外部电极和所述线圈图形部的工序包括:在形成于所述磁性体部上的贯通孔中充填导电构件、形成连接所述线圈图形部和所述外部电极的通路部的工序。
28.根据权利要求27所述的电感元件的制造方法,其特征在于:
叠层所述磁性体部的工序包括:将具有贯通孔的多个磁性体部层叠层的工序,
形成所述通路部的工序包括:在所述贯通孔中充填导电构件、形成多个通路部层的工序,
所述通路部层的端部向所述多个磁性体部层邻接的层的贯通孔外周部之间突出,所述多个磁性体部层的贯通孔外周部和所述通路部层的所述端部交替地叠层。
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