Halbleitervorrichtung und deren Verwendung als Verstärkerelement Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervor richtung mit einem Halbleiterkörper, der einen Tran sistor mit einer Emitter-, einer Basis- und einer Kol- lektorzone enthält, wobei die Emitter- und die Basis zone eine geringere Ausdehnung haben als die Kollek- torzone und elektrisch mit für Kontaktzwecke bestimm ten Metallschichten verbunden sind, die auf einer zwi schen diesen Metallschichten und dem Halbleiterkörper befindlichen Isol!:
erschicht liegen und sich bis über die Kollektorzone erstrecken, während zwischen einer dieser Metallschichten und der Kollektorzone eine Abschirm- schicht vorhanden ist, die einen freiliegenden Teil für Kontaktzwecke hat und durch die Isolierschicht von einer Metallschicht getrennt ist, während zwischen der Abschirmschicht und dem darunterliegenden Teil des Halbleiterkörpers eine Sperrschicht vorhanden ist.
Halbleitervorrichtungen der oben erwähnten Art sind Planarhalbleitervorrichtungen, wie Planartransistoren und gesteuerte Gleichrichter. Ein Planartransistor ent hält einen Halbleiterkörper, der mit einer Isolierschicht, z. B. einer Siliziumoxydschicht, überzogen ist, während örtlich unter der Oxydschicht die Basiszone und die Emitterzone, z.
B. durch Diffusion eines Dotierungs- stoffes, angebracht sind, wobei der die Basiszone um gebende Teil des Halbleiterkörpers als Kollektorzone dient.
Die Basis- und die Emitterzone werden durch öff- nungen in der Isolierschicht hindurch mit elektrischen Anschlüssen versehen. Die Öffnungen können mit Rück sicht auf die insbesondere bei Hochfrequenztransistoren geringen Abmessungen der Basis- und Emitterzonen nur sehr klein sein, so dass ein Anschlussdraht praktisch nicht unmittelbar durch eine Öffnung in der Oxyd schicht hindurch mit der Basis- oder Emitterzone ver bunden werden kann.
Deshalb sind die leichter mit einem Anschlussdraht zu verbindenden Metallschichten auf der Oxydschicht angebracht. Die Metallschichten sind mittels vorstehender Teile durch Öffnungen in der Oxydschicht hindurch mit der Basis- und der Emitter- zone verbunden.
Die mit der Emitter- und der Basiszone verbunde nen Metallschichten zu Kontaktzwecken führen eine bei manchen Schaltungsanordnungen unerwünschte Stei gerung der Emitter-Kollektorkapazität oder der Basis- Kollektorkapazität herbei. Die Abschirmschicht, die mit tels ihres freiliegenden Teiles für Kontaktzwecke an ein gewünschtes Potential gelegt werden kann, dient zum Beseitigen der Kapazität zwischen einer Metall schicht und der Kollektorzone, d. h. zum Ersetzen die ser Kapazität durch eine bei manchen Schaltungen weniger oder gar nicht schädliche andere Kapazität.
Transistoren der erwähnten Art werden vielfach als Verstärkerelement in Emitterschaltungen und Basis schaltungen verwendet, d. h. Schaltungen, bei denen der Emitter bzw. die Basis für den Eingangskreis und den Ausgangskreis gemeinsam ist.
Bei einer Emitter- schaltung werden die zu verstärkenden Signale der Basis zugeführt und die verstärkten Signale dem Kollek tor entnommen. D!e mit der Basiszone verbundene Metall schicht verursacht hierbei, wenn keine Ab@schirmschcht vorhanden ist,
eine eine zusätzliche und unerwünschte Rückkopplung herbeiführende Basis-Kollektorkapazität. Wird an eine zwischen der mit der Basiszone verbun denen Metallschicht und der Kollektorzone vorhandene Abschirmschicht ein geeignetes Potential, z. B. das glei che Potential, das @an den Emitter angelegt ist, ange legt, dann wird die zusätzliche Basis-Kollektorkapazi- tät beseitigt und die mögliche Verstärkung durch den Transistor erheblich gesteigert.
Bei einer Basisschaltung werden die zu verstärken den Signale dem Emitter zugeführt und die verstärkten Signale dem Kollektor entnommen. Die mit der Emitter- zone verbundene Metallschicht verursacht hierbei, wenn keine Abschirmschicht vorhanden ist, eine eine zu sätzliche und unerwünschte Rückkopplung herbeifüh rende Emitter-Kollektorkapazität. Wird an eine zwi- schen der mit der Emitterzone verbundenen Metall schicht und der Kollektorzone vorhandene Abschirm- schicht ein geeignetes Potential, z.
B. das gleiche Po tential, das an dem Emitter angelegt ist, angelegt, dann wird die zusätzliche Emitter-Kollektorkapazität besei tigt und die mögliche Verstärkung durch den Transistor gesteigert.
In beiden Fällen wird die beseitigte schädliche Ka pazität durch eine Kapazität am Eingang und eine Kapazität am Ausgang des Verstärkerelementes ersetzt. Es stellt sich in der Praxis heraus, dass diese Kapazitä ten jedoch nicht oder wenigstens in viel geringerem Masse störend wirken.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleitervorrichtung der eingangs beschriebenen Art zu schaffen, bei der beim Aufnehmen in eine Schaltung, z. B. die erwähnte Emitterschaltung und die Basisschal tung, ein zusätzlicher Anschluss für die Abschirmschicht vermieden werden kann.
Gemäss der Erfindung ist eine Halbleitervorrichtung der eingangs beschriebenen Art, bei der eine Abschirm- schicht zwischen der einen Metallschicht und der Kol- lektorzone vorhanden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die andere Metallschicht durch mindestens einen auf der Isolierschicht liegenden Metallstreifen mit einem frei liegenden Teil für Kontaktzwecke der Abschirmschicht verbunden ist.
Infolge dieser auf dem Transistor selbst angebrachten unmittelbaren Verbindung lässt sich ein äusserer Anschluss für die Abschirmschicht beim Auf nehmen der Halbleitervorrichtung in eine Schaltungs anordnung vermeiden.
Die .Erfindung bezieht sich auch auf die Verwendung der erfindungsgemässen Halbleitervorrichtung als Ver- stärkerelement in einer Schaltung zur Verstärkung elek trischer Signale. Diese Verwendung zeichnet sich da durch aus, dass die mit der Abschirmsch_icht verbun dene Metallschicht der Halbleitervorrichtung dem Ein gangs- und dem Ausgangskreis der Verstärkungsschal tung gemeinsam angehört, wobei die zu verstärkenden Signale der Metallschicht zuzuführen sind, die von der Kollektorzone durch die Abschirmschicht getrennt ist, und die verstärkten Signale dem Kollektor zu entneh men sind.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand einiger Ausführungsbeispiele und der Zeichnung näher erläu tert, in der Fig. 1 schematisch eine Draufsicht auf eine Aus führungsform eines Transistors gemäss der Erfindung zeige, von dem Fig. 2 schematisch einen längs der Linie (II-II) der Fig. 1 geführten Querschnitt zeigt, und Fig. 3 schematisch eine Draufsicht auf ein anderes Ausführungsbeispiel eines Transistors gemäss der Erfin dung zeige, von dem Fig. 4 schematisch einen längs der Linie (IV-IV)
der Fig. 3 geführten Querschnitt zeigt, während Fig. 5 und 6 schematisch Emitterschaltungen dar stellen, bei denen der Transistor gemäss den Fig. 1 und 2 zweckmässig Verwendung finden kann und Fig. 7 und 8 schematisch Basisschaltungen darstel len, bei denen der Transistor gemäss den Fig. 3 und 4 zweckmässig Verwendung finden kann.
Die Fig.l und 2 zeigen ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper 1, der eine Transistorstruktur mit Emitterzone 2, einer Basiszone 3 und einer Kollektorzone 4 enthält, wobei die Emitterzone 2 und die Basiszone 3 eine geringere Ausdehnung haben als die Kollektorzone 4.
Die Emit- terzone 2 und die Basiszone 3 sind mit für Kontakt zwecke bestimmten Metallschichten 5 bzw. 6 verbun den, die auf einer zwischen den Metallschichten 5 und 6 und dem Halbleiterkörper 1 befindlichen Isolierschicht 7 liegen und sich bis über die Kollektorzone 4 eratrek- ken. Zwischen einer dieser Metallschichten 5 und 6, und zwar der Metallschicht 6 und der Kollektorzone 4, ist eine Abschirmschicht 8 vorgesehen, die (dadurch, dass in der Isolierschicht 7 eine Öffnung 9 angebracht ist) einen freiliegenden Teil 20 für Kontaktzwecke hat und durch die Isolierschicht 7 von der Metallschicht 6 getrennt ist,
während zwischen der Abschirmschicht 8 und dem darunterliegenden Teil des Halbleiterkörpers 1 eine Sperrschicht 10 vorhanden ist.
Die andere Metallschicht, nämlich die Metallschicht 5, ist durch einen auf der Isolierschicht 7 liegenden Metallstreifen 11 mit dem für Kontaktzwecke freilie genden Teil 20 der Abschirmschicht 8 verbunden.
Der Metallstreifen 11 erstreckt sich, neben der Basiszone 3 liegend, völlig über die Kollektorzone 4. Das vorliegende Ausführungsbeispiel gemäss den Fig. 1 und 2, bei dem die Abschirmschicht 8 zwischen der mit der Basiszone 3 verbundenen Metallschicht 6 und der Kollektorzone 4 vorgesehen ist, während die mit der Emitterzone 2 verbundene Metallschicht 5 durch den Metallstreifen 11 mit der Abschirmschicht 8 ver bunden ist, ist bestimmt zur Verwendung als Verstär- kerelement in Emitterschaltungen.
Die Fig. 5 und 6 zeigen Emitterschaltungen, bei denen der Emitter E, der im vorliegende Falle mit einem Punkt konstanten Potentials, z. B. mit Erde, verbunden ist, gemeinsam ist für den Eingangskreis und den Ausgangskreis, die deutlichkeitshalber in den Fi guren nicht gezeichnet sind, jedoch zwischen der Emit- ter- und der Basisklemme bzw. zwischen der Emitter- und der Kollektorklemme geschaltet sind. Die zu ver stärkenden Signale werden der Basis B zugeführt und die verstärkten Signale werden dem Kollektor C ent nommen.
Fig.5 zeigt den Fall, in dem die Abschirmschicht 8 (siehe auch die Fig. 1 und 2) nicht vorhanden ist. Zwischen der mit der Basiszone 3 verbundenen Metall schicht 6 und der Kollektorzone 4 tritt dann die Ka pazität cl auf, die eine Rückkopplung herbeiführt und infolgedessen die mögliche Verstärkung durch das Schaltelement beschränkt.
Fig. 6 zeigt den Fall, in dem die (mit A bezeichnete) Abschirmschicht 8 vorgesehen und durch den Metall streifen 11 mit der mit der Emitterzone 2 verbun denen Metallschicht 5 verbunden ist. Die Abschirm- schicht liegt dann gleichfalls an Erde, und die eine Rückkopplung herbeiführende Kapazität Cl ist be seitigt und durch die Kapazitäten C2 und C3 ersetzt, wobei C2 zwischen der Basis und Erde und C3 zwi schen dem Kollektor und Erde liegt.
Die Kapazitäten C_, und C3 sind im allgemeinen nicht störend, insbe sondere nicht im Frequenzbereich, in dem geerdete Emitterschaltungen üblicherweise Verwendung finden. Dieser Frequenzbereich reicht bis zu etwa 500 MHz.
Die Halbleitervorrichtung gemäss den Fig. 1 und 2 lässt sich wie folgt herstellen.
Üblicherweise werden eine Vielzahl von Transi storstrukturen gleichzeitig in einer Halbleiterscheibe her gestellt, wonach die Scheibe unterteilt wird, so dass sich gesonderte Transistoren ergeben. Die Herstellung wird an Hand einer Transistorstruktur nachstehend beschrieben.
Es wird von einer n-leitenden Siliziumscheibe mit einer Dicke von etwa 250 ,um und ein einem spezifi schen Widerstand von etwa 5<B>2</B> cm ausgegangen. Je Rechteck von etwa 350 X 350 ,um wird eine Transistor struktur angebracht.
Auf eine in der Halbleitertechnik übliche Weise wird der Halbleiterkörper 1 mit einer isolierenden Si liziumoxydschicht 7 überzogen, z. B. durch Oxydation in feuchtem Sauerstoff, wonach in der etwa 0.5 ,um dicken Oxydschicht 7 eine Öffnung 12 angebracht wird.
Öffnungen in einer Oxydschicht können hierbei auf eine in der Halbleitertechnik übliche Weise mit Hilfe eines photohärtenden Lackes ( photoresist ) und eines Ätzmittels angebracht werden.
Der kreisförmige Teil der Öffnung 12 hat einen Durchmesser von etwa 8'5 ,um.
In der Öffnung 12 wird Boroxyd (Bz0;#) dadurch angebracht, dass eine Boroxydmenge zusammen mit dem Halbleiterkörper 1 in einem Ofen während einer Zeit von etwa 20 Minuten unter Überleiten trockenen Stickstoffes auf einer Temperatur von etwa 900 C gehalten wird. Der Halbleiterkörper wird dann während etwa 20 Minuten unter Überleiten von bei 25 C mit Wasserdampf gesättigtem Stickstoff und danach wäh rend etwa 40 Minuten unter Überleiten von bei 80 C mit Wasserdampf gesättigtem Sauerstoff auf etwa 1200 C erhitzt.
Durch Diffusion von Bor ist die p-.leitende Ober flächenzone 8 erhalten, während durch, Oxydavion die Öffnung 12 in der Oxydschicht 7 wieder geschlossen ist.
Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel besteht die Abschirmschicht aus der Oberflächenzone 8 des Halb leiterkörpers 1, während die Sperrschicht vom pn- 1Jbergang 10 gebildet wird.
Dann wird die Öffnung 13 mit Abmessungen von etwa 50 X 60 ,um in der Oxydschicht 7 angebracht. Danach wird auf die gleiche Weise, auf die auch die Zone 8 erhalten ist, die p-leitende Basiszone 3 ange bracht, und die Öffnung 13 in der Oxydschicht 7 wird wieder durch Oxydation geschlossen. Die Basiszone<B>'-</B> hat eine Dicke von etwa 3,5 ,um. Die Zone 8 hat in diesem Falle eine Dicke von etwa 4,um.
Die Öffnungen 14 mit Abmessungen von etwa 5 ;; 35 ,um werden nunmehr in der Oxydschicht 7 an gebracht, um die n-leitenden Emitterteilzonen 2 anbrin gen zu können. Die Emitterteilzonen 2 werden durch Diffusion von Phosrfhor erhalten, zu welchem Zweck der Halbleiterkörper etwa 15 Minuten lang auf etwa 1100 C erhitzt wird, während in der Nähe des Halb leiterkörpers 1 eine P@05-Menge auf etwa 250 C ge halten wird.
Hierbei ergeben sich durch Diffusion von Phosphor die n-leitenden Emitterteilzonen 2 mit einer Dicke von etwa 1 bis 2,um.
Die Öffnungen 15 mit Abmessungen von etwa 5 X 35 ,lim werden dann zum Bilden von Kontakten mit der Basiszone 3 angebracht, wobei die Öffnungen 14 gleichzeitig gereinigt werden. Ferner wird die öff- nung 9 mit Abmessungen von etwa 10 X<I>20</I> ,um in der Oxydschicht 7 angebracht, wodurch sich der freilie gende Teil 20 für Kontaktzwecke der Abschirmschicht 8 ergibt.
Danach wird durch Aufdampfen von Aluminium auf die Oxydschicht 7 eine etwa 4000 A dicke Alu miniumschicht aufgebracht. Mittels eines photohärten den Lackes ( photoresist ) und eines Ätzmittels wird die Aluminiumschicht teilweise entfernt, wobei sich die Metallschichten 5 und 6, die mit ihren praktisch paralle len bandförmigen vorstehenden Teilen 16 und 17 bis in die Öffnungen 14 und 16 reichen, zusammen mit dem Metallstreifen 11, der eine Breite von etwa 15 ,um hat, ergeben. Durch Erhitzen auf etwa 500 C kann das Aluminium in den Öffnungen 9, 14, und 15 mit dem Halbleiterkörper 1 legiert werden.
EmItter- und Basiis.anschlusslleriter können auf eine in der Halbleitertechnik übliche Weise mit den Metall schichten 5 bzw. 6 verbunden werden. Der Halbleiter körper kann ferner auf eine in der Halbleitertechnik übliche Weise mit der Kollektorzone 4 auf einen Me tallträger aufgelötet werden, der als Kollektoranschluss- leiter dienen kann. Das Ganze kann weiter auf eine übliche Weise in einem Gehäuse montiert werden.
Es stellt sich heraus, dass der erhaltene Transistor nach den Fig. 1 und 2 in einer Emitterschaltung nach Fig. 6 eine eine Rückkopplung herbeiführende Kapa zität von etwa 0,15 pF hat. Wird der gleiche Tran sistor ohne die Abschirmschicht 8 hergestellt, so wird in einer Emitterschaltung (Fig. 5) diese Kapazität um die Kapazität zwischen der mit der Basiszone 3 ver bundenen Metallschicht 6 und der Kollektorzone 4 erhöht.
Es stellt sich heraus, dass in. diesem Falle die gesamte eine Rückkopplung herbeiführende Kapazität etwa 0,45 pF ist. Infolge der Abschirmschicht wird die eine Rückkopplung herbeiführende Kapazität somit um etwa einen Faktor 3 kleiner, wodurch die mögliche Verstärkung um etwa einen Faktor 3 grösser wird.
Die Abschirmschicht gibt somit eine erhebliche Ver besserung, während ferner infolge des Metallstreifens 11 beim Einfügen des Transistors in eine geerdete Emitter- schaltung kein zusätzlicher Anschluss für die Abschirm- schicht 8 hergestellt zu werden braucht.
Es sei bemerkt, dass der pn-Übergang zwischen der Abschirmschicht 8 und der Kollektorzone 4 bei einer geerdeten Emitterschaltung nach Fig. 6 in der Sperrich tung vorgespannt ist.
Jetzt wird ein Ausführungsbeispiel erläutert, bei dem sich der Metallstreifen, der die unter der einen Metallschicht liegende Abschirmschicht mit der anderen Metallschicht verbindet, auf einem Teil seiner Länge, über die mit der anderen Metallschicht verbundene Zone erstreckt und so mit dieser Zone Kontakt macht. Ein solches Ausführungsbeispiel zeigen die Fig. 3 und 4.
Entsprechende Teile sind in den Fig. 3 und 4 und den Fig. 1 und 2 mit den gleichen Bezugsziffern be zeichnet. Diese entsprechenden Teile können in den Vor richtungen nach den Fig. 3 und 4 und den Fig. 1 und 2 die gleichen Abmessungen aufweisen, aus gleichen Materialien bestehen und auf die gleiche Weise herge stellt werden.
Das Ausführungsbeispiel gemäss den Fig. 3 und 4 bezieht sich auf einen Transistor zur Verwendung in einer Basisschaltung, und die Abschirmschicht 28 liegt denn auch zwischen der mit der Emitterzone 2 verbun denen Metallschicht<B>5</B> und der Kollektorzone, während die mit der Basiszone 3 verbundene Metallschicht 6 durch die Metallstreifen 27 mit der Abschirmschicht 28 verbunden ist.
Die Metallschichten 5 und 6 liegen an einander gegenüberliegenden Seiten der Basiszone 3 auf der Isolierschicht 7. Die Emitterzone besteht aus zwei ne beneinanderliegenden langgestreckten und in der Basis zone 3 angebrachten Emltterteilzonen 2, die langge- streckten Öffnungen 14 in der Isolierschicht 7 zum Bil den von Kontakten entsprechen.
Zwischen und neben diesen Öffnungen 14 sind in der Isolierschicht 7 lang- getreckte Öffnungen 15 zum Bilden von Kontakten mit der Basiszone 3 angebracht. Die langgestreckten öff- nungen 14 und 15 erstrecken sich in einer Richtung von einer Metallschicht 5 (6) zur an deren Metallschicht 6 (5), während die Emitterzone 2 und die Basiszone 3 durch praktisch parallele band förmige vorstehende Teile 16 bzw.
17 und 27, die bis in die Öffnungen 14 bzw. 15 reichen, je mit einer Metallschicht 5 bzw. 6 verbunden sind. Zwischen der einen Metallschicht, im vorliegenden Falle der mit der Emitterzone 3 verbundenen Metallschicht 5 und der Kollektorzone ist die Abschirmschicht 28 vorgesehen.
Die Abschirmschicht 28 besteht aus einer Ober flächenzone des Halbleiterkörpers 1, die eine Sperr schicht in Form eines pn-überganges 20 mit dem unterliegenden Teil des Halbleiterkörpers 1 bildet und auf die gleiche Weise wie die Abschirmschicht 8 des vorhergehenden Ausführungsbeispieles erhalten sein kann.
Die andere Metallschicht, im vorliegenden Falle die mit der Basiszone verbundene Metallschicht 6, ist mit den den in der Isolierschicht 7 angebrachten öffnun- gen 9 entsprechenden freiliegenden Teilen von etwa 5 X 10 ,um der Abschirmschicht 28 durch die vorste henden Teile 27 der Metallschicht 6 verbunden, die sich bis jenseits der diesen vorstehenden Teilen ent sprechenden Öffnungen 15 in der Isolierschicht 7 er strecken und durch die Öffnungen 29 hindurch mit den freiliegenden Teilen der Abschirmschicht 28 Kon takt machen.
Die vorstehenden Teile 27, die die Me tallschicht 6 mit der Basiszone 3 verbinden, bilden somit zugleich die Metallstreifen, die die Abschirm- sehicht 28 mit der Metallschicht 6 verbinden.
Die Metallstreifen 27 verlaufen praktisch gradlinig und erstrecken sich auf einem Teil ihrer Länge über die mit der Metallschicht 6 verbundene Basiszone 3, um mit dieser Kontakt zu machen.
Dadurch, dass die Verbindung zwischen der anderen Metallschicht und der zugehörigen Zone der Transistor= Struktur und die Verbindung zwischen der anderen Me tallschicht und der Abschirmschicht beide von dem selben Metallstreifen gebildet werden, kann die Ge samtlänge dieser Verbindungen viel kürzer sein, als bei gesonderten Verbindungen der Fall ist, so dass auch die Gesamtkapazität zwischen diesen Verbindungen und der Kollektorzone viel kleiner sein kann.
Ausserdem kann hierbei die Abschirmschicht etwas kleiner sein, wodurch die Kapazität zwischen der Abschirmschicht und der Kollektorzone auch etwas kleiner sein kann.
Der Transistor kann als Verstärkerelement in einer Basisschaltung Verwendung finden, bei der (siehe die Fig.7 und 8) die Basis B, die in vorliegendem Falle mit einem Punkt konstanten Potentials, z. B. mit Erde, verbunden ist, gemeinsam ist für den Eingangskreis und den Ausgangskreis, die deutlichkeitshalber nicht gezeichnet sind, jedoch zwischen der Basis- und Emit- terklemme bzw. zwischen der Basis- und Kollektor klemme geschaltet sind.
Die zu verstärkenden Signale werden dem Emitter E zugeführt und die verstärkten Signale dem Kollektor C entnommen. Ist keine Ab schirmschicht vorhanden, so tritt zwischen der mit der Emitterzone 2 (siehe auch die Fig. 3 und 4) verbundenen Metallschicht 5 und der Kollektorzone eine Kapazität C4 (Fig. 7) auf, die eine Rückkopplung herbeiführt.
Durch die Abschirmschicht 28, die über die Metallstreifen 27 auch mit Erde verbunden ist, wo bei der pn-übergang in der Sperrichtung vorgespannt ist, wird die Kapazität C, beseitigü und durch die Kapazitäten C5 und C6, (Fig. 8) ersetzt. In Fig. 8 ist die Abschirmschicht schematisch dargestellt und mit A bezeichnet. Die Kapazitäten C,, und G; liegen zwi schen dem Emitter E bzw. dem Kollektor C und Erde.
Basisschaltungen werden üblicherweise verwendet zum Verstärken von Signalen mit Ultrahochfrequenzen, z. B. Frequenzen von mehr als 500 MHz. Hierbei wirkt die Kapazität C5 nicht störend, während die Kapazi tät C6 vorzugsweise möglichst klein ist. Die Kapazität Q besteht zu einem Teil aus der Kapazität zwischen der Kollektorzone 4 und den Verbindungen 17 und 27 der Metallschicht 6 mit der Basiszone 3 und der Abschirmschicht 28. Es versteht sich leicht dass dieser Teil der Kapazität C6 beim Ausführungsbeispiel nach den Fig. 3 und 4 infolge der kombinierten Verbindungen 27 klein ist, z.
B. viel kleiner als im Falle der Verwen dung einer gesonderten Verbindung von der Art der Metallstreifen 11 in Fig. 1, der sich ganz über die Kollektorzone 4 erstreckt. Durch geeignete Bemessung (die Öffnungen 29 können klein sein) kann ferner die Abschirmschicht 28 bei einem Ausführungsbeispiel nach den Fig. 3 und 4 etwas kleiner sein als die Ab schirmschicht 8 bei einem Ausführungsbeispiel nach den Fig. 1 und 2.
Es sei bemerkt, dass sowohl bei der Emitterschal- tung nach Fig. 6 mit einem Transistor nach den Fig. 1 und 2 als auch bei d!er Basisschaltung nach Fig.8 mit einem Transistor nach den Fig. 3 und 4 die andere Metallschicht, die mit der Abschirmschicht verbunden ist, gemeinsam ist für den Eingangskreis und den Aus gangskreis, wobei die zu verstärkenden Signale der einen Metallschicht zugeführt und die verstärkten Signale dem Kollektor entnommen werden.
Es dürfte einleuchten, dass sich die Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt und dass für den Fachmann im Rahmen der Erfindung viele Abänderungen möglich sind. Eine wichtige Mög lichkeit ist z. B. die Anbringung einer Abschirmschicht in Form einer Metallschicht, die durch eine Sperr schicht, die aus einer auf dem Halbleiterkörper ange brachten Isolierschicht besteht, vom Halbleiterkörper getrennt ist. Bei den beschriebenen Ausführungsformen können z. B. statt der Oberflächenzonen 8 und 28 auf der Oxydschicht 7 Metallschichten angebracht werden, die in den Draufsichten gemäss den Fig. 1 und 3 die gleiche Form und Abmessungen wie die Zonen 8 bzw.
28 aufweisen. Dann kann auf diesen Metallschichten, die eine Abschirmschicht bilden, eine Isolierschicht an gebracht werden, die z. B. aus einem photoresist , einem Lack oder aus Siliziumoxyd bestehen kann, wonach auf diese Schicht die Metallschichten 6 bzw. 5 aufgebracht werden.
Der Halbleiterkörper kann aus anderen Materialien als aus Silizium bestehen, z. B. aus Germanium oder einer AIIIBv-Verbindung. Ferner kann im Ausführungs beispiel nach den Fig. 3 und 4 die Abschirmschicht 28 z. B. durch nur einen Metallstreifen 27 mit der Metall schicht 6 verbunden sein, während der andere Metall streifen 27 ebenso wie der Streifen 17 nur die Metall schicht 6 mit der Basiszone 6 verbindet. Auch ist es möglich, den Streifen 17 zu verlängern und auf die gleiche Weise wie die Streifen 27 mit der Abschirm- Schicht 28 durch eine Öffnung in der Oxydschicht 7 hindurch zu verbanden.