NO119910B - - Google Patents

Description

Halvlederanordning.

Oppfinnelsen angår en halvlederanordning med et halvlederlegeme som har transistorstruktur med en emitter-, en basis- og en kollektorsone, hvor emittersonen og basissonen har mindre utstrekning enn kollektorsonen og for kontaktformål er elektrisk forbundet med bestemte metallsjikt som ligger på et mellom disse metallsjikt og halvlederlegemet beliggende isolasjonssjikt som strekker seg over kollektorsonen, hvor det mellom et av disse metallsjikt og kollektorsonen er et avskjermingssjikt med én for kontaktformål beregnet, frittliggende del, hvilket avskjermingssjikt er elektrisk adskilt fra metallsjiktet ved hjelp av et isolasjonssjikt, og hvor det mellom avskjermingssjiktet og den underliggende del av halvlederlegemet befinner seg et sperresjikt.

Halvlederanordninger av denne art er planarhalvleder-anordninger, som f.eks. planartransistorer og styrte likerettere.

En planartransistor inneholder et halvlederlegeme som er overtrukket med et isolasjonssjikt for eksempel et siliciumoksydsjikt, idet det lokalt under oksydsjiktet ér anbrakt basissonen og emittersonen f. eks. ved diffusjon av et dopingsstoff, og den del av halvlederlegemet som omgir basissonen tjener som kollektorsone.

Basis- og emittersonen blir gjennom åpninger i iso-las jonssjiktet forsynt med elektriske tilledninger. Åpningene kan med henblikk på små dimensjoner av basis- og emittersonen, særlig ved hoyfrekvenstransistorer, bare være meget små, slik at tilslut-ningstråden i praksis ikke kan forbindes med disse soner gjennom åpningen i oksydsjiktet. Av den grunn er det lettere på oksydsjiktet å anbringe metallsjikt som tilslutningstrådene kan forbindes med. Metallsjiktene er forbundet med basis- og emittersonen gjennom åpningene i oksydsjiktet.

De med emitter- og basissonen forbundne metallsjikt forer ved mange koplingsanordninger. til uonsket okning av emitter-kollektorkapasiteten eller basis- kollektorkapasiteten. Avskjermingssjiktet som ved hjelp av sin frittliggende del for kontaktformål, kan påtrykkes et onsket potensial og tjener til å minske de uonskede kapasiteter mellom metallsjiktet og kollektorsonen det vil si tjene til å bytte ut denne kapasitet med en ved mange koplinger mindre eller slett.ikke skadelig, annen kapasitet.

Transistorer av den nevnte art.blir ofte anvendt som forsterkerelementer i emitterkopling og basiskdpling, det vil si koplinger hvor emittéreh resp. basisen.er felles- for inngangskretsen og. utgangskre.tsen. Ved en emitterkopling blir det signal som skal forsterkes, ti3ifb*rt rbasisen bg det forsterkede signal tås fra kollek-teren. Det med basissonen forbundne metallajikt forårsaker da en basis- koliéktorkapasitet som medfbrer én ekstra og ubnsket tilbake-kobling*' Hvis dét på et mellom det:med basissonen forbundne metallsjikt og kollektorsonen beliggende ayakjermingasjikt påtrykkes et ojS&ket potensial., tf.éke. det samme, potensial .som påtrykkes emitteren, vil den ekstra basis- koliéktorkapasitet;ble fjernet, og transistorens; muiige forsterkning bkes betydelig. \ . ;■ :v .

sterkes, tiifSrt^teéittérén bg dét forsterkede signaltåa :fra^-kollek-

toren. Det med emittersonen forbundne metallsjikt forårsaker da,

hvis ikke noe avskjermingssjikt er tilstede, en emitter- koliéktorkapasitet som medforer en ekstra og uonsket tilbakekopling. Hvis det på et mellom det med emittersonen forbundne metallsjikt og kollektorsonen beliggende avskjermingssjikt påtrykkes et egnet potensial, f. eks. samme potensial som påtrykkes emitteren, vil den ekstra emitter-kollektorkapasitet bli fjernet og transistorens mulige forsterkning oket.

I begge tilfeller vil den fjernede skadelige kapasitet erstattes av en kapasitet i forsterkerelementets inngang og en kapasitet i forsterkerelementets utgang. Det viser seg i praksis at disse kapasiteter imidlertid ikke eller i det minste i meget liten grad virker forstyrrende.

Hensikten med oppfinnelsen er å tilveiebringe en utforelsesform av den'innledningsvis beskrevne halvlederanordning,

hvor det ved anbringelse av en. slik halvlederanordning i en kopling, f.eks. i den nevnte emitterkopling og basiskopling, kan unngås en ekstra tilslutning til avskjermingssjiktei.

Dette oppnås ifolge oppfinnelsen ved at det andre

av de nevnte metallsjikt, ved hjelp av minst én på isolasjonssjiktet liggende metallstrimmel, er forbundet med den for kontaktformål bestemte, frittliggende del av avskjermihgssjiktet. Som folge av denne på selve transistoren anbrakte direkte forbindelse, unngås en ytre tilslutning til avskjermingssjiktet ved anbringelse av halvlederanordningen i en koplingsanordning, hvilken metallstrimmel med en del av sin lengde strekker seg over den med det nevnte andre metallsjikt forbundne sone og danner kontakt med denne sone. Metallstrimmelen kan ligge ved siden av basissonen og strekke seg fullstendig over kollektorsonen. En slik utforelsesform egner seg særlig for anvendelse i emitterkopling som vanligvis ikke .benyttes for ultrahoyfrekvens, hvorfor det her fortrinnsvis-mellom,det metallsjikt som er forbundet med basissonen og kollektorsonen, befinner seg et avskjermingssjikt, idet det metallsjikt som er forbundet med emittersonen ved hjelp av metallstrimleri' er forbundet med "avskjermingssjiktet. Ved anvendelse i en emitterkopling vil ved hjelp av metåll-strimlene avskj érmihgs-s jikt et mellom met all s-jik tet; som er.! forbundet med basissonen.og kp lie ktp f eo nen,.. ha^/s-ammé po tensiai\som: emitteren, idet kapasiteten mellom det méd- basiséohen! f4>r|?tj^rie;:metailsjikt og kollekotrsdnén Qg^som•tilveiebring fjernes.

Metallstrimmelen med en del av sin lengde kan strekke seg over den med det andre metallsjikt forbundne sone og danne kontakt med denne sone. Fortrinnsvis strekker metallstrimmelen seg praktisk talt rettlinjet for å danne en kortest mulig forbindelse. Denne utforelsesform er særlig viktig ved anvendelse som forsterkerelement for forsterkning av ultrahoyfrekvenssignaler, i hvilket tilfelle det er onskelig at kapasiteten i forsterkerelementets utgang er minst mulig, det vil si at blant annet kapasiteten mellom kollektorsonen og det andre metallsjikt med sine forbindelser til avskjermingssjiktet og den tilhorende sone og mellom kollektorsonen og avskjermingssjiktet er minst mulig. Ved at forbinelsen mellom det andre metallsjikt og den tilhorende sone av transistorstrukturen og forbindelsen mellom det andre metallsjikt og avskjermingssjiktet begge dannes av metallstrimler, kan den samlede lengde av disse forbindelser være meget kortere enn ved særskilte forbindelser, slik at også den samlede kapasitet mellom disse forbindelser og kollektorsonen kan være meget mindre. Dessuten kan i denne forbindelse avskjermingssjiktet være noe mindre, slik at kapasiteten mellom avskjermingssjiktet og kollektorsonen også blir noe mindre.

Denne fordel fremgår særlig klart ved en utforelsesform ifolge oppfinnelsen som erkarakterisert vedat metallsjiktene ligger på overfor hverandre beliggende sider av basissonen og på isolasjonssjiktet, at emittersonen består av en eller flere ved siden av hverandre liggende, langstrakte og i basissonen anbrakte emitterdelsoner som tilsvarer langstrakte åpninger for kontaktformål i isolasjonssjiktet, at det mellom og ved siden av disse åpninger er anbrakt langstrakte åpninger i isolasjonssjiktet for kontaktdannelse med basissonen, idet de langstrakte åpninger strekker seg i en retning .fra det ene til det andre metallsjikt, at emittersonen og basissonen med praktisk talt parallelle båndformede, utragende deler av metallsjiktene for kontaktdannelse strekker seg til og inn i åpningene og er forbundet med hvert sitt metallsjikt, og at det mellom det ene metallsjikt og kollektorsonen beliggende avskjermingssjikt, ved hjelp av minst én utragende del av det andre metallsjikt som strekker seg til den andre side av den til denne- utragende del svarende åpning i isolasjonssjiktet og danner kontakt med en frittliggende del av avskjermingssjiktet, er forbundet med det andre metallsjikt, slik at den utragende del samtidig danner et metallsjikt som forbinder avskjermingssjiktet med det andre metallsjikt. De utforelsesformer ved hvilke metallstrimlene som forbinder det andre metallsjikt med avskjermingssjiktet, også danner kontakt med den sone som tilhorer det andre metallsjikt, egner seg for anvendelse i emitterkopling og basiskopling. Disse utforelsesformer er imidlertid meget viktige for anvendelse i basiskoplinger som vanligvis anvendes for ultrahoyfrekvens. Derfor er det fortrinnsvis ved disse utforelsesformer mellom det metallsjikt som er forbundet med metall-sonen og kollektorsonen, avskjermingssjiktet anbrakt, idet det med basissonen forbundne metallsjikt ved hjelp av metallstrimlene er forbundet med avskjermingssjiktet. Ved anvendelse i en basiskopling gis ved hjelp av metallstrimlene avskjermingssjiktet mellom det med emittersonen forbundne metallsjikt og kollektorsonen samme potensial som emitteren, slik at kapasiteten mellom det med basissonen forbundne metallsjikt og kollektorsonen som tilveiebringer tilbakekopling, fjernes.

Avskjermingssjiktet kan bestå av et metallsjikt, og

i dette tilfelle kan sperresjiktet bestå av et på halvlederlegemet anbrakt isolasjonssjikt, f.eks. et siliciumoksydsjikt. Videre kan avskjermingssjiktet fortrinnsvis bestå av en overflatesone av halvlederlegeme, og i dette tilfelle dannes sperresjiktet av en pn-overgang som dannes av overflatesonen sammen med den underliggende del av halvlederlegemet. En slik overflatesone kan anbringes på enkel måte ved hjelp av en diffusjonsbehandling.

Noen utforelseseksempler på oppfinnelsen skal for-klares nærmere under henvisning til tegningene. Fig. 1 viser skjematisk et grunnriss av en utforelsesform av en transistor ifolge oppfinnelsen. Fig. 2 viser et snitt langs linjen II-II på fig. 1. Fig. 3 viser skjematisk et grunnriss av en annen utforelsesform av en transistor ifolge oppfinnelsen. Fig. 4 viser et snitt langs linjen IV-IV på fig. 3-Fig. 5 °S 6 viser skjematisk emitterkoplinger hvor transistoren ifolge fig. 1 og 2 er anvendt. Fig. 7 og 8 viser skjematisk basiskoplinger hvor transistoren ifolge 3 og 4 er anvendt.

Halvlederanordningen på fig. 1 og 2 består av et halvlederlegeme 1 med transistorstruktur med en emittersone 2, en basissone 3°g en kollektorsone 4>idet emittersonen 2 og basissonen 3 har mindre utstrekning enn kollektorsonen 4- Emittersonen 2 og basissonen 3 er forbundet med for kontaktformål bestemte metallsjikt 5 resp. 6, som ligger på et isolasjonssjikt 7 som befinner seg mellom metallsjiktene 5 og 6 og halvlederlegemet 1 og strekker seg ut over kollektorsonen 4. Mellom et av disse metallsjikt 5 og 6, nemlig metallsjiktet 6 og kollektorsonen 4 er anordnet et avskjermingssjikt 8 som har en frittliggende del 29 for kontaktformål og som er tilgjengelig gjennom en åpning 9 i isolasjonssjiktet 7 og adskilt fra metallsjiktet 6 ved hjelp av isolasjonssjiktet 7, idet det mellom avskjermingssjiktet 8 og den underliggende del av halvlederlegemet 1 er beliggende et sperresjikt 10.

Ifolge oppfinnelsen er det andre metallsjikt, nemlig metallsjiktet 5 ved hjelp av en på isolasjonssjiktet 7 beliggende metallstrimmel 11 for kontaktformål forbundet med den frittliggende del 20 av avskjermingssjiktet 8.

Metallstrimmelen 11 strekker seg ved siden av.basissonen 3 fullstendig over kollektorsonen /[.

Det foreliggende utforelseseksempel ifolge fig. 1 og 2 hvor avskjermingssjiktet 8 er anordnet mellom det med basissonen 3 forbundne metallsjikt 6 og kollektorsonen 4, mens det med emittersonen 2 forbundne metallsjikt 5 ved hjelp av metallstrimler 11 er forbundet med avskjermingssjiktet 8, er beregnet på anvendelse som forsterkerelement i emitterkopling. Fig. 5 og 6 viser emitterkoplinger hvor emitteren E som i foreliggende tilfelle er forbundet med et punkt med konstant potensial, f.eks. jord, er felles for inngangskretsen og utgangskretsen som for tydelighets skyld ikke er tegnet inn på figuren, men som skal anbringes mellom emitter- og basisklemmen resp. mellom emitter- og kollektorklemmen. De signaler som skal forsterkes til-foes basisen B og de forsterkede signaler tas fra kollektoren C.

Fig. 5 viser det tilfelle hvor avskjermingssjiktet

8 (se fig. 1 og 2) ikke er tilstede. Mellom det med basissonen 3 forbundne metallsjikt 6 og kollektorsonen 4 opptrer da en kapasitet c-^ som tilveiebringer en tilbakekopling og som folge derav en minsk-ning av den mulige forsterkning i forsterkerelementet.

Fig. 6 viser det tilfelle hvor avskjermingssjiktet A ved hjelp av metallstrimler 11 (se fig. 1 og 2) er forbundet med det med emittersonen 2 forbundne metallsjikt 5- Avskjermingssjiktet er også forbundet med jord og kapasiteten c-^som i foregående tilfelle tilveiebrakte tilbakekopling er her erstattet med to kapasiteter c2°S c^>hvor Cg ligger mellom basisen og jord og ligger mellom kollektor og jord. Kapasitetene Cr, og c~er i alminnelighet ikke forstyrrende, særlig ikke i frekvensområder hvor det vanligvis anvendes jordet emitterkopling. Dette frekvensområde strekker seg til ca. 500 MHz.

Halvlederanordningen ifolge fig. 1 og 2 kan fremstilles på folgende måte: Vanligvis fremstilles et antall transistorstrukturer samtidig på en halvlederskive, hvoretter skiven deles opp i de enkelte transistorer. Fremstillingen skal her beskrives for en transistorstruktur.

Man går ut fra en n-ledende siliciumplate med en tykkelse på ca. 250^u og en spesifik motstand på ca. 5 onm cm- På et rektangel på ca. 350^u x 350/u anbringes en transistorstruktur.

På en i halvlederteknikken vanlig måte blir halvlederlegemet 1 overtrukket med et isolerende siliciumoksydsjikt 7>f.eks. ved oksydasjon i fuktig oksygen, hvoretter det i det ca. 0,5/u tykke oksydsjikt 7 anbringes en åpning 12.

Åpningen i et oksydsjikt kan tilveiebringes pa en i halvlederteknikken vanlig måte ved hjelp av en fotoherdende lakk og et etsemiddel.

Den sirkelformede del av åpningen 12 har en diameter på ca. 85/u.

I åpningen 12 anbringes boroksyd (BgO^) ved at en del boroksyd sammen med halvlederlegemet 1. i en ovn holdes på en temperatur på ca. 900°C i ca. 20 min. under tilforsel av tort nitrogen. Halvlederlegemet blir deretter i ca. 20 min. opphetet til ca. 1200°C under tilforsel av nitrogen som er mettet med vanndamp ved 25°C og deretter i ca. 4-0 min. under tilforsel av oksygen som er mettet med vanndamp ved 80°C.

Ved diffusjon av bor oppnås en p-ledende overflatesone 8, mens ved oksydasjon lukkes åpningen 12 igjen i oksydasjonssjiktet 7v-

Ved foreliggende utforelseseksempél består avskjermingssjiktet av overflatesonen 8 på halvlederlegemet 1, mens sperresjiktet dannes av pn-avergangen 10. Deretter tilveiebringes åpningen 13 med dimensjonene 5° x 60 yu 1 oksydsjiktet 7. Deretter blir på samme måte,som for sonen 8, den p-ledehde basissone 3 anbrakt, og åpningen 13 i oksydsjiktet 7 lukkes så igjen ved oksydasjon. Basis sonen 3 har en tykkelse på ca. 3>5/u* Sonen 8 har i dette tilfelle en tykkelse på ca. 4/u-

Åpningene i4 med dimensjoner på ca. 5 x 35/u blir så anbrakt i oksydasjonssjiktet 7 f°r a kunne anbringe de n-ledende emitterdelsoner 2. Emitterdelsonene 2 dannes ved diffusjon av fosfor ved opphetning av halvlederlegemet i ca. 15 min. på ca. 1100°C, idet det i nærheten av halvlederlegemet 1 holdes en mengde Pa ca. 250°C. Derved dannes ved diffusjon av fosfor de n-ledende emitterdelsoner 2 med en tykkelse på ca. 1 - 2 yu.

Åpningene 15 med dimensjoner ca. 5 x 35 111111 anbringes så for å danne kontakt med basissonen 3»idet åpningene 14 samtidig rengjores. Videre blir åpningene 9 med dimensjoner ca. 10 x 20 ju anbrakt i oksydsjiktet 7>slik at det for kontaktformål frilegges en del 20 av avskjermingssjiktet 8.

Deretter blir ved pådampning av aluminium på oksydsjiktet 8 anbrakt et aluminiums jikt med en tykkelse på ca. $. 000 Å. Ved hjelp av en fotoherdende lakk og et etsemiddel blir aluminium-sjiktet delvis fjernet slik at metallsjiktene 5 og 6 som har praktisk talt parallelle båndformede deler l6 og 17, når inn i åpningene 14 og l6 sammen med metallstrimlene 11 som har en bredde på ca. 15/u. Ved opphetning til ca. $ 00 C kan aluminiumet legeres med halvlederlegemet 1 i åpningene 9>14°S 15*

Emitter- og basistilslutningslederne kan være forbundet med metallsjiktene 5 resp. 6 ved hjelp av en i halvlederteknikken vanlig metode. Halvlederlegemet kan videre på en i halvlederteknikken vanlig metode loddes med kollektorsonen 4 til et metall-bærelegeme som kan tjene som kollektortilslutningsleder. Det hele kan deretter på vanlig måte monteres i et hus.

Det viser seg at den fremstilte transistor ifolge fig. 1 og 2 i en emitterkopling som vist på fig. 6 har en kapasitet på ca. 0,15 pF som tilveiebringer en tilbakekopling. Hvis den samme transistor fremstilles uten avskjermingssjiktet 8 så vil i emitterkopling (fig. 5) denne kapasitet oke til kapasiteten mellom det, med basissonen 3 forbundne metallsjikt 6 og kollektorsonen 4- Det viser seg da at i dette tilfelle er den samlede kapasitet som tilveiebringer tilbakekoplingen ca. 0,15 PF. Som folge av avskjermingssjiktet blir den kapasitet som tilveiebringer tilbakekoplingen, således re-dusert til ca. samtidig som den mulige forsterkning bkes ca. 3 ganger. Avskjermingssjiktet gir således en betydelig forbedring sam tidig som anvendelse av transistoren i jordet emitterkopling, som folge av metallstrimlene 11, ikke behover noen ekstra tilslutning for avskjermingssjiktet 8. Det skal bemerkes at pn-overgangen mellom avskjermingssjiktet 8 og kollektorsonen 4 ved jordet emitterkopling som vist på fig. 6, er forspent i sperreretningen.

I det folgende skal beskrives et utforelseseksempel hvor metallstrimlene som forbinder det under det ene metallsjikt beliggende avskjermingssjikt med det andre metallsjikt, på en del av sin lengde strekker seg over den sone som er forbundet med det andre metallsjikt og således danner kontakt med denne sone. Et slikt utforelseseksempel er vist på fig. 3°g 4-

På fig. 3°g 4 er f°r tilsvarende deler anvendt samme henvisningstall som på fig. 1 og 2 og kan ha samme dimensjoner og bestå av samme materiale og være fremstillet på samme måte.

Utfbrelseseksemplet ifolge fig. 3°S 4 gjelder en transistor for anvendelse i basiskopling og avskjermingssjiktet 28 ligger da mellom det med emittersonen 2 forbundne metallsjikt 5°S kollektorsonen, mens det med basissonen 3 forbundne metallsjikt 6 ved hjelp av metallstrimler 27 er forbundet med avskjermingssjiktet28.

Metalls jiktene ^ > og 6 ligger på motsatte sider av basissonen 3 på isolasjonssjiktet 7- Emittersonen består av to ved siden av hverandre liggende, langstrakte og i basissonen 3 anbrakte emitterdelsoner 2 som motsvarer langstrakte åpninger 14 i isolasjonssjiktet 7 f°r kontaktformål. Mellom og ved siden av åpningene 14 er i isolasjonssjiktet 7 anbrakt langstrakte åpninger 15 for å danne kontakter med basissonen 3. De langstrakte åpninger 14 og 15 strekker seg i en.retning fra metallsjiktet 5 resp. 6 til det andre metallsjikt 6 resp. 5>mens emittersonen 2 og basissonen 3 ved praktisk talt parallelle båndformede deler 16 resp. 17 og 27 strekker seg inn i åpningene 14 resp. 15 og er forbundet med et metallsjikt 5 resp. 6. Mellom det ene metallsjikt i foreliggende tilfelle det med emittersonens 3 forbundne metallsjikt 5°S kollektorsonen er avskjermingssjiktet 28 anordnet.

Avskjermingssjiktet 28 består av en overflatesone av halvlederlegemet 1 som danner et sperresjikt i form av en pn-overgang 20 sammen med den underliggende del av halvlederlegemet 1 og kan være dannet på samme måte som avskjermingssjiktet 8 i det foregående utforelseseksempel.

Det andre metallsjikt i foreliggende tilfelle det

med basissonen forbundne metallsjikt 6, er forbundet med de frittliggende deler på ca. 5 x 10/u av avskjermingssjiktet 28 og som tilsvarer åpningene 9 som er anbrakt i isolasjonssjiktet 7>gjennom

fremstående deler 27 av metallsjiktet 6 som strekker seg til den annen side av de fremstående deler som tilsvarer åpningene 15 i isolasjonssjiktet 7 og gjennom åpningene 29 danner kontakt med de frittliggende deler av avskjermingssjiktet 28. De fremstående deler 27 som forbinder metallsjiktet 6 med basissonen 3>danner således samtidig de metallstrimler som forbinder avskjermingssjiktet 28 med metallsjiktet 6.

Metallstrimlene 27 strekker seg praktisk talt rettlinjet med en del av sin lengde ut over den med metallsjiktet 6 forbundne basissone 3 f°r a danne kontakt med denne.

Transistoren kan anvendes som forsterkerelement i basiskopling hvor som vist på fig. 7 og 8 basisen B er forbundet med et punkt med konstant potensial, f.eks. jord, og er felles for inngangskretsen og utgangskretsen som for tydelighets skyld ikke er inntegnet, men som skal være innkoplet mellom basis- og emitterklem-men resp. mellom basis- og kollektorklemmen. De signaler som skal forsterkes, tilfores emitteren E og de forsterkede signaler tas fra kollektoren C. Hvis avskjermingssjiktet ikke er tilstede opptrer det mellom det med emittersonen 2 forbundne metallsjikt 5°g kollektorsonen en kapasitet c^(se fig. 7) som tilveiebringer en tilbakekopling ved hjelp av avskjermingssjiktet 28 som gjennom metallstrimlene 27 også er forbundet med jord, slik at pn-overgangen i sperresjiktet forspennes, erstattes kapasiteten c^med kapasitetene c^ og cg (se fig. 8). På fig. 8 er avskjermingssjiktet vist skjematisk med A. Kapasitetene c^ og cg ligger mellom emitteren E resp. kollektoren C og jord.

Basiskoplinger anvendes vanligvis i forsterkere for ultrahoyfrekvenssignaler, f.eks. frekvenser på mere enn 500 MHz.

Her virker ikke kapasiteten forstyrrende, mens kapasiteten cg fortrinnsvis må gjores minst mulig. Kapasiteten cg består delvis av kapasiteten mellom kollektorsonen 4°S forbindelsene 17 og 27 til metallsjiktet 6 sammen med basissonen 3°g avskjermingssjiktet 28. Det er tydelig at denne del av kapasiteten cg ved utforelseseksemplet på fig. 3°g 4 som folge av de kombinerte forbindelser 27 er liten, f.eks. meget mindre enn i tilfelle av anvendelse av en særskilt for bindelse som metallstrimlene 11 på fig. 1 som strekker seg over hele kollektorsonen 4- Ved egnet dimensjonering (åpningene 29 kan være mindre) kan videre avskjermingssjiktet 28 ved et utforelseseksempel ifolge fig. 3°g 4 være noe mindre enn avskjermingssjiktet 28 ved utforelseseksemplet ifolge fig. 1 og 2.

Det skal bemerkes at såvel ved emitterkopling ifolge fig. 6 med en transistor ifolge fig. 1 og 2 som ved basiskopling ifolge fig. 8 med en transistor ifolge fig. 3°g 4>er det andre metallsjikt som er forbundet med avskjermingssjiktet, felles for inngangskretsen og utgangskretsen, idet de signaler som skal forsterkes tilfores det ene metallsjikt og de signaler som er forsterket tas fra kollektoren.

Det burde være innlysende at oppfinnelsen ikke er begrenset til de beskrevne utforelseseksempler og at for fagmannen er mange endringer mulig innenfor oppfinnelsens ramme. En viktig mulighet er f.eks. å anbringe et avskjermingssjikt i form av et metallsjikt, som ved hjelp av et sperresjikt som består av et på halvlederlegemet anbrakt isolasjonssjikt, er skilt fra halvlederlegemet. Ved de beskrevne utforelsesformer kan det f.eks. istedet for over-flatesonene 8 og 28 på oksydsjiktet 7 anbringes metallsjikt som på fig. 1 og 3 har samme form og dimensjoner som sonene 8 og 28. Det kan da på disse metallsjikt som danner det ene avskjermingssjikt, anbringes et isolasjonssjikt som f.eks. kan bestå av en lakk eller siliciumoksyd, hvoretter metallsjiktene .6 resp. 5 anbringes på dette sjikt.

Halvlederlegemet kan bestå av andre materialer enn silicium f.eks. germanium eller en A-j-j-j-By-forbindelse. Videre kan i utforelseseksemplet på fig. 3°g 4 avskjermingssjiktet 28 f.eks. ved hjelp av bare én metallstrimmel 27 være forbundet med metallsjiktet 6, mens de andre metallstrimler likesom strimlene 17 bare forbinder metallsjiktet 6 med basissonen. Det er også mulig å for-lenge strimlene 17 og på samme måte som strimlene 27 forbinde disse med avskjermingssjiktet 28 gjennom åpninger i oksydsjiktet 7*

Claims (4)

1. Halvlederanordning med et halvlederlegeme som har transistorstruktur med en emitter-, en basis- og en kollektorsone, hvor emittersonen og basissonen har mindre utstrekning enn kollektorsonen og for kontaktformål er elektrisk forbundet med bestemte metallsjikt som ligger pa et mellom disse metallsjikt og halvleder legemet beliggende isolasjonssjikt som strekker seg over kollektorsonen, hvor det mellom et av disse metallsjikt og kollektorsonen er et avskjermingssjikt med en for kontaktformål beregnet, frittliggende del, hvilket avskjermingssjikt er elektrisk adskilt fra metallsjiktet ved hjelp av et isolasjonssjikt, og hvor det mellom avskjermingssjiktet og den underliggende del av halvlederlegemet befinner seg et sperresjikt, karakterisert ved at det andre (5) av de nevnte metallsjikt ved hjelp av minst en på isolasjonssjiktet (7) liggende metallstrimmel (11) er forbundet med den for- kontaktformål bestemte, frittliggende del (20) av avskjermingssjiktet (8), hvilken metallstrimmel (11) med en del av sin lengde strekker seg over den med det nevnte andre metallsjikt forbundne sone og danner kontakt med denne sone.

2. Halvlederanordning ifolge krav 1, karakterisert ved at metallsjiktene ligger på overfor hverandre beliggende sider av basissonen og på isolasjonssjiktet, at emittersonen består av en eller flere ved siden av hverandre liggende, langstrakte og i basissonen anbrakte emitterdelsoner som tilsvarer langstrakte åpninger for kontaktformål i isolasjonssjiktet, at det mellom og ved siden av disse åpninger er anordnet langstrakte åpninger i isolasjonssjiktet for kontaktdannelse med baissonen, idet de langstrakte åpninger strekker seg i en retning fra det- ene til det andre metallsjikt, at emittersonen og basissonen med praktisk talt parallelle, båndformede, utragende deler av metallsjiktene for kontaktdannelse strekker seg til og inn i åpningene og er forbundet med ' hvert sitt metallsjikt, og at det mellom det ene metallsjikt og kollektorsonen beliggende avskjermingssjikt, ved hjelp av minst en utragende del av det andre metallsjikt som strekker seg til den andre side av den til denne utragende del svarende åpning i isolasjonssjiktet og danner kontakt med en frittliggende del av avskjermingssjiktet, er forbundet med det andre metallsjikt, slik at den utragende del samtidig danner et metallsjikt som forbinder avskjermingssjiktet med det andre metallsjikt (fig. 3° g 4)•

3- Halvlederanordning ifolge krav 1 eller 2, karakterisert ved at avskjermingssjiktet er et metallsjikt, og at sperresjiktet består av et på halvlederlegemet anbrakt isola-sjonss jikt, f.eks. av siliciumoksyd.

4. Halvlederanordning ifolge krav 1 eller 2, karakterisert ved at avskjermingssjiktet består av en over flatesone av halvlederlegemet, og at sperresjiktet dannes av pn-overgangen som dannes av overflatesonen sammen med den underliggende del av halvlederlegemet.