NO119910B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- NO119910B NO119910B NO15969565A NO15969565A NO119910B NO 119910 B NO119910 B NO 119910B NO 15969565 A NO15969565 A NO 15969565A NO 15969565 A NO15969565 A NO 15969565A NO 119910 B NO119910 B NO 119910B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- layer
- zone
- metal
- emitter
- shielding layer
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 122
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 122
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 47
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 21
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 21
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 21
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/14—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of neutralising means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
Halvlederanordning. Semiconductor device.
Oppfinnelsen angår en halvlederanordning med et halvlederlegeme som har transistorstruktur med en emitter-, en basis- og en kollektorsone, hvor emittersonen og basissonen har mindre utstrekning enn kollektorsonen og for kontaktformål er elektrisk forbundet med bestemte metallsjikt som ligger på et mellom disse metallsjikt og halvlederlegemet beliggende isolasjonssjikt som strekker seg over kollektorsonen, hvor det mellom et av disse metallsjikt og kollektorsonen er et avskjermingssjikt med én for kontaktformål beregnet, frittliggende del, hvilket avskjermingssjikt er elektrisk adskilt fra metallsjiktet ved hjelp av et isolasjonssjikt, og hvor det mellom avskjermingssjiktet og den underliggende del av halvlederlegemet befinner seg et sperresjikt. The invention relates to a semiconductor device with a semiconductor body which has a transistor structure with an emitter, a base and a collector zone, where the emitter zone and the base zone have a smaller extent than the collector zone and for contact purposes are electrically connected to specific metal layers that lie on a space between these metal layers and the semiconductor body insulating layer that extends over the collector zone, where between one of these metal layers and the collector zone there is a shielding layer with one detached part intended for contact purposes, which shielding layer is electrically separated from the metal layer by means of an insulating layer, and where between the shielding layer and the underlying part of the semiconductor body is a barrier layer.
Halvlederanordninger av denne art er planarhalvleder-anordninger, som f.eks. planartransistorer og styrte likerettere. Semiconductor devices of this kind are planar semiconductor devices, such as e.g. planar transistors and controlled rectifiers.
En planartransistor inneholder et halvlederlegeme som er overtrukket med et isolasjonssjikt for eksempel et siliciumoksydsjikt, idet det lokalt under oksydsjiktet ér anbrakt basissonen og emittersonen f. eks. ved diffusjon av et dopingsstoff, og den del av halvlederlegemet som omgir basissonen tjener som kollektorsone. A planar transistor contains a semiconductor body which is coated with an insulating layer, for example a silicon oxide layer, with the base zone and the emitter zone being placed locally under the oxide layer, e.g. by diffusion of a doping substance, and the part of the semiconductor body that surrounds the base zone serves as the collector zone.
Basis- og emittersonen blir gjennom åpninger i iso-las jonssjiktet forsynt med elektriske tilledninger. Åpningene kan med henblikk på små dimensjoner av basis- og emittersonen, særlig ved hoyfrekvenstransistorer, bare være meget små, slik at tilslut-ningstråden i praksis ikke kan forbindes med disse soner gjennom åpningen i oksydsjiktet. Av den grunn er det lettere på oksydsjiktet å anbringe metallsjikt som tilslutningstrådene kan forbindes med. Metallsjiktene er forbundet med basis- og emittersonen gjennom åpningene i oksydsjiktet. The base and emitter zones are supplied with electrical connections through openings in the insulation layer. In view of the small dimensions of the base and emitter zones, especially in the case of high-frequency transistors, the openings can only be very small, so that the connection wire cannot in practice be connected to these zones through the opening in the oxide layer. For that reason, it is easier to place a metal layer on the oxide layer with which the connection wires can be connected. The metal layers are connected to the base and emitter zones through the openings in the oxide layer.
De med emitter- og basissonen forbundne metallsjikt forer ved mange koplingsanordninger. til uonsket okning av emitter-kollektorkapasiteten eller basis- kollektorkapasiteten. Avskjermingssjiktet som ved hjelp av sin frittliggende del for kontaktformål, kan påtrykkes et onsket potensial og tjener til å minske de uonskede kapasiteter mellom metallsjiktet og kollektorsonen det vil si tjene til å bytte ut denne kapasitet med en ved mange koplinger mindre eller slett.ikke skadelig, annen kapasitet. The metal layers connected to the emitter and the base zone lead to many coupling devices. to an unwanted increase in the emitter-collector capacity or the base-collector capacity. The shielding layer which, with the help of its detached part for contact purposes, can be impressed with a desired potential and serves to reduce the unwanted capacities between the metal layer and the collector zone, that is to say, serves to replace this capacity with a smaller or completely non-harmful one in the case of many connections. other capacity.
Transistorer av den nevnte art.blir ofte anvendt som forsterkerelementer i emitterkopling og basiskdpling, det vil si koplinger hvor emittéreh resp. basisen.er felles- for inngangskretsen og. utgangskre.tsen. Ved en emitterkopling blir det signal som skal forsterkes, ti3ifb*rt rbasisen bg det forsterkede signal tås fra kollek-teren. Det med basissonen forbundne metallajikt forårsaker da en basis- koliéktorkapasitet som medfbrer én ekstra og ubnsket tilbake-kobling*' Hvis dét på et mellom det:med basissonen forbundne metallsjikt og kollektorsonen beliggende ayakjermingasjikt påtrykkes et ojS&ket potensial., tf.éke. det samme, potensial .som påtrykkes emitteren, vil den ekstra basis- koliéktorkapasitet;ble fjernet, og transistorens; muiige forsterkning bkes betydelig. \ . ;■ :v . Transistors of the aforementioned type are often used as amplifier elements in emitter coupling and base coupling, i.e. couplings where emitter resp. the base.is common- for the input circuit and. output circuit In the case of an emitter connection, the signal to be amplified becomes the basis of the amplified signal from the collector. The metal layer connected to the base zone then causes a base collector capacity which leads to one additional and unwanted back-connection. the same, potential .applied to the emitter, the extra base colliector capacity;will be removed, and that of the transistor; Possible reinforcement is significantly increased. \ . ;■ :v .
sterkes, tiifSrt^teéittérén bg dét forsterkede signaltåa :fra^-kollek- strengthened, tiifSrt^teéittérén bg the amplified signal toe :from^-collect-
toren. Det med emittersonen forbundne metallsjikt forårsaker da,tower. The metal layer connected to the emitter zone then causes,
hvis ikke noe avskjermingssjikt er tilstede, en emitter- koliéktorkapasitet som medforer en ekstra og uonsket tilbakekopling. Hvis det på et mellom det med emittersonen forbundne metallsjikt og kollektorsonen beliggende avskjermingssjikt påtrykkes et egnet potensial, f. eks. samme potensial som påtrykkes emitteren, vil den ekstra emitter-kollektorkapasitet bli fjernet og transistorens mulige forsterkning oket. if no shielding layer is present, an emitter-collector capacity which entails an additional and unwanted feedback. If a suitable potential, e.g. same potential applied to the emitter, the extra emitter-collector capacity will be removed and the transistor's possible gain increased.
I begge tilfeller vil den fjernede skadelige kapasitet erstattes av en kapasitet i forsterkerelementets inngang og en kapasitet i forsterkerelementets utgang. Det viser seg i praksis at disse kapasiteter imidlertid ikke eller i det minste i meget liten grad virker forstyrrende. In both cases, the removed harmful capacity will be replaced by a capacity in the input of the amplifier element and a capacity in the output of the amplifier element. However, it turns out in practice that these capacities do not, or at least to a very small extent, have a disturbing effect.
Hensikten med oppfinnelsen er å tilveiebringe en utforelsesform av den'innledningsvis beskrevne halvlederanordning, The purpose of the invention is to provide an embodiment of the initially described semiconductor device,
hvor det ved anbringelse av en. slik halvlederanordning i en kopling, f.eks. i den nevnte emitterkopling og basiskopling, kan unngås en ekstra tilslutning til avskjermingssjiktei. where by placing a. such semiconductor device in a connection, e.g. in the aforementioned emitter coupling and base coupling, an additional connection to the shielding layer can be avoided.
Dette oppnås ifolge oppfinnelsen ved at det andreThis is achieved according to the invention by the second
av de nevnte metallsjikt, ved hjelp av minst én på isolasjonssjiktet liggende metallstrimmel, er forbundet med den for kontaktformål bestemte, frittliggende del av avskjermihgssjiktet. Som folge av denne på selve transistoren anbrakte direkte forbindelse, unngås en ytre tilslutning til avskjermingssjiktet ved anbringelse av halvlederanordningen i en koplingsanordning, hvilken metallstrimmel med en del av sin lengde strekker seg over den med det nevnte andre metallsjikt forbundne sone og danner kontakt med denne sone. Metallstrimmelen kan ligge ved siden av basissonen og strekke seg fullstendig over kollektorsonen. En slik utforelsesform egner seg særlig for anvendelse i emitterkopling som vanligvis ikke .benyttes for ultrahoyfrekvens, hvorfor det her fortrinnsvis-mellom,det metallsjikt som er forbundet med basissonen og kollektorsonen, befinner seg et avskjermingssjikt, idet det metallsjikt som er forbundet med emittersonen ved hjelp av metallstrimleri' er forbundet med "avskjermingssjiktet. Ved anvendelse i en emitterkopling vil ved hjelp av metåll-strimlene avskj érmihgs-s jikt et mellom met all s-jik tet; som er.! forbundet med basissonen.og kp lie ktp f eo nen,.. ha^/s-ammé po tensiai\som: emitteren, idet kapasiteten mellom det méd- basiséohen! f4>r|?tj^rie;:metailsjikt og kollekotrsdnén Qg^som•tilveiebring fjernes. of the mentioned metal layers, by means of at least one metal strip lying on the insulation layer, is connected to the detached part of the shielding layer determined for contact purposes. As a result of this direct connection placed on the transistor itself, an external connection to the shielding layer is avoided by placing the semiconductor device in a coupling device, which metal strip with part of its length extends over the zone connected to the said second metal layer and forms contact with this zone . The metal strip may lie adjacent to the base zone and extend completely over the collector zone. Such an embodiment is particularly suitable for use in emitter coupling which is not usually used for ultra high frequency, which is why there is preferably a shielding layer between the metal layer which is connected to the base zone and the collector zone, the metal layer which is connected to the emitter zone using of metal strips' is connected to the "shielding layer. When used in an emitter coupling, the metal strips will cut off a layer between the metal layer; which is.! connected to the base zone. and kp lie ktp f eon ,.. ha^/s-ammé po tensiai\as: the emitter, as the capacity between the mé- baseéohen f4>r|?tj^rie;::metal layer and the collector Qg^as•provision is removed.
Metallstrimmelen med en del av sin lengde kan strekke seg over den med det andre metallsjikt forbundne sone og danne kontakt med denne sone. Fortrinnsvis strekker metallstrimmelen seg praktisk talt rettlinjet for å danne en kortest mulig forbindelse. Denne utforelsesform er særlig viktig ved anvendelse som forsterkerelement for forsterkning av ultrahoyfrekvenssignaler, i hvilket tilfelle det er onskelig at kapasiteten i forsterkerelementets utgang er minst mulig, det vil si at blant annet kapasiteten mellom kollektorsonen og det andre metallsjikt med sine forbindelser til avskjermingssjiktet og den tilhorende sone og mellom kollektorsonen og avskjermingssjiktet er minst mulig. Ved at forbinelsen mellom det andre metallsjikt og den tilhorende sone av transistorstrukturen og forbindelsen mellom det andre metallsjikt og avskjermingssjiktet begge dannes av metallstrimler, kan den samlede lengde av disse forbindelser være meget kortere enn ved særskilte forbindelser, slik at også den samlede kapasitet mellom disse forbindelser og kollektorsonen kan være meget mindre. Dessuten kan i denne forbindelse avskjermingssjiktet være noe mindre, slik at kapasiteten mellom avskjermingssjiktet og kollektorsonen også blir noe mindre. The metal strip with part of its length can extend over the zone connected to the second metal layer and make contact with this zone. Preferably, the metal strip extends practically in a straight line to form the shortest possible connection. This embodiment is particularly important when used as an amplifier element for amplifying ultra-high frequency signals, in which case it is desirable that the capacity at the output of the amplifier element is as small as possible, that is to say that, among other things, the capacity between the collector zone and the second metal layer with its connections to the shielding layer and the associated zone and between the collector zone and the shielding layer is as small as possible. As the connection between the second metal layer and the associated zone of the transistor structure and the connection between the second metal layer and the shielding layer are both formed by metal strips, the overall length of these connections can be much shorter than with separate connections, so that the overall capacity between these connections and the collector zone can be much smaller. Moreover, in this connection, the shielding layer can be somewhat smaller, so that the capacity between the shielding layer and the collector zone is also somewhat smaller.
Denne fordel fremgår særlig klart ved en utforelsesform ifolge oppfinnelsen som erkarakterisert vedat metallsjiktene ligger på overfor hverandre beliggende sider av basissonen og på isolasjonssjiktet, at emittersonen består av en eller flere ved siden av hverandre liggende, langstrakte og i basissonen anbrakte emitterdelsoner som tilsvarer langstrakte åpninger for kontaktformål i isolasjonssjiktet, at det mellom og ved siden av disse åpninger er anbrakt langstrakte åpninger i isolasjonssjiktet for kontaktdannelse med basissonen, idet de langstrakte åpninger strekker seg i en retning .fra det ene til det andre metallsjikt, at emittersonen og basissonen med praktisk talt parallelle båndformede, utragende deler av metallsjiktene for kontaktdannelse strekker seg til og inn i åpningene og er forbundet med hvert sitt metallsjikt, og at det mellom det ene metallsjikt og kollektorsonen beliggende avskjermingssjikt, ved hjelp av minst én utragende del av det andre metallsjikt som strekker seg til den andre side av den til denne- utragende del svarende åpning i isolasjonssjiktet og danner kontakt med en frittliggende del av avskjermingssjiktet, er forbundet med det andre metallsjikt, slik at den utragende del samtidig danner et metallsjikt som forbinder avskjermingssjiktet med det andre metallsjikt. De utforelsesformer ved hvilke metallstrimlene som forbinder det andre metallsjikt med avskjermingssjiktet, også danner kontakt med den sone som tilhorer det andre metallsjikt, egner seg for anvendelse i emitterkopling og basiskopling. Disse utforelsesformer er imidlertid meget viktige for anvendelse i basiskoplinger som vanligvis anvendes for ultrahoyfrekvens. Derfor er det fortrinnsvis ved disse utforelsesformer mellom det metallsjikt som er forbundet med metall-sonen og kollektorsonen, avskjermingssjiktet anbrakt, idet det med basissonen forbundne metallsjikt ved hjelp av metallstrimlene er forbundet med avskjermingssjiktet. Ved anvendelse i en basiskopling gis ved hjelp av metallstrimlene avskjermingssjiktet mellom det med emittersonen forbundne metallsjikt og kollektorsonen samme potensial som emitteren, slik at kapasiteten mellom det med basissonen forbundne metallsjikt og kollektorsonen som tilveiebringer tilbakekopling, fjernes. This advantage is particularly clear in an embodiment according to the invention which is characterized by the fact that the metal layers lie on opposite sides of the base zone and on the insulation layer, that the emitter zone consists of one or more adjacent, elongated emitter sub-zones placed in the base zone which correspond to elongated openings for contact purpose in the insulation layer, that elongated openings are placed between and next to these openings in the insulation layer for making contact with the base zone, the elongated openings extending in a direction from one to the other metal layer, that the emitter zone and the base zone with practically parallel band-shaped, projecting parts of the metal layers for contact formation extend to and into the openings and are connected to each metal layer, and that the shielding layer located between one metal layer and the collector zone, with the help of at least one projecting part of the other metal layer that extends t il the other side of the opening corresponding to this projecting part in the insulation layer and forming contact with a detached part of the shielding layer, is connected to the second metal layer, so that the projecting part simultaneously forms a metal layer that connects the shielding layer to the second metal layer. The embodiments in which the metal strips connecting the second metal layer to the shielding layer also form contact with the zone belonging to the second metal layer are suitable for use in emitter coupling and base coupling. However, these embodiments are very important for use in basic couplings that are usually used for ultra high frequencies. Therefore, in these embodiments, the shielding layer is preferably placed between the metal layer that is connected to the metal zone and the collector zone, the metal layer connected to the base zone being connected to the shielding layer by means of the metal strips. When used in a base connection, with the help of the metal strips, the shielding layer between the metal layer connected to the emitter zone and the collector zone is given the same potential as the emitter, so that the capacity between the metal layer connected to the base zone and the collector zone, which provides feedback, is removed.
Avskjermingssjiktet kan bestå av et metallsjikt, ogThe shielding layer can consist of a metal layer, and
i dette tilfelle kan sperresjiktet bestå av et på halvlederlegemet anbrakt isolasjonssjikt, f.eks. et siliciumoksydsjikt. Videre kan avskjermingssjiktet fortrinnsvis bestå av en overflatesone av halvlederlegeme, og i dette tilfelle dannes sperresjiktet av en pn-overgang som dannes av overflatesonen sammen med den underliggende del av halvlederlegemet. En slik overflatesone kan anbringes på enkel måte ved hjelp av en diffusjonsbehandling. in this case, the barrier layer can consist of an insulating layer placed on the semiconductor body, e.g. a silicon oxide layer. Furthermore, the shielding layer can preferably consist of a surface zone of the semiconductor body, and in this case the barrier layer is formed by a pn junction which is formed by the surface zone together with the underlying part of the semiconductor body. Such a surface zone can be placed in a simple way by means of a diffusion treatment.
Noen utforelseseksempler på oppfinnelsen skal for-klares nærmere under henvisning til tegningene. Fig. 1 viser skjematisk et grunnriss av en utforelsesform av en transistor ifolge oppfinnelsen. Fig. 2 viser et snitt langs linjen II-II på fig. 1. Fig. 3 viser skjematisk et grunnriss av en annen utforelsesform av en transistor ifolge oppfinnelsen. Fig. 4 viser et snitt langs linjen IV-IV på fig. 3-Fig. 5 °S 6 viser skjematisk emitterkoplinger hvor transistoren ifolge fig. 1 og 2 er anvendt. Fig. 7 og 8 viser skjematisk basiskoplinger hvor transistoren ifolge 3 og 4 er anvendt. Some embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawings. Fig. 1 schematically shows a ground plan of an embodiment of a transistor according to the invention. Fig. 2 shows a section along the line II-II in fig. 1. Fig. 3 schematically shows a ground plan of another embodiment of a transistor according to the invention. Fig. 4 shows a section along the line IV-IV in fig. 3-Fig. 5 °S 6 schematically shows emitter connections where the transistor according to fig. 1 and 2 are applied. Fig. 7 and 8 schematically show basic connections where the transistor according to 3 and 4 is used.
Halvlederanordningen på fig. 1 og 2 består av et halvlederlegeme 1 med transistorstruktur med en emittersone 2, en basissone 3°g en kollektorsone 4>idet emittersonen 2 og basissonen 3 har mindre utstrekning enn kollektorsonen 4- Emittersonen 2 og basissonen 3 er forbundet med for kontaktformål bestemte metallsjikt 5 resp. 6, som ligger på et isolasjonssjikt 7 som befinner seg mellom metallsjiktene 5 og 6 og halvlederlegemet 1 og strekker seg ut over kollektorsonen 4. Mellom et av disse metallsjikt 5 og 6, nemlig metallsjiktet 6 og kollektorsonen 4 er anordnet et avskjermingssjikt 8 som har en frittliggende del 29 for kontaktformål og som er tilgjengelig gjennom en åpning 9 i isolasjonssjiktet 7 og adskilt fra metallsjiktet 6 ved hjelp av isolasjonssjiktet 7, idet det mellom avskjermingssjiktet 8 og den underliggende del av halvlederlegemet 1 er beliggende et sperresjikt 10. The semiconductor device in fig. 1 and 2 consist of a semiconductor body 1 with a transistor structure with an emitter zone 2, a base zone 3 and a collector zone 4>whereas the emitter zone 2 and the base zone 3 have a smaller extent than the collector zone 4 - The emitter zone 2 and the base zone 3 are connected by metal layers 5 determined for contact purposes respectively 6, which lies on an insulating layer 7 which is located between the metal layers 5 and 6 and the semiconductor body 1 and extends over the collector zone 4. Between one of these metal layers 5 and 6, namely the metal layer 6 and the collector zone 4, a shielding layer 8 is arranged which has a detached part 29 for contact purposes and which is accessible through an opening 9 in the insulation layer 7 and separated from the metal layer 6 by means of the insulation layer 7, a barrier layer 10 being located between the shielding layer 8 and the underlying part of the semiconductor body 1.
Ifolge oppfinnelsen er det andre metallsjikt, nemlig metallsjiktet 5 ved hjelp av en på isolasjonssjiktet 7 beliggende metallstrimmel 11 for kontaktformål forbundet med den frittliggende del 20 av avskjermingssjiktet 8. According to the invention, the second metal layer, namely the metal layer 5, is connected to the detached part 20 of the shielding layer 8 by means of a metal strip 11 located on the insulation layer 7 for contact purposes.
Metallstrimmelen 11 strekker seg ved siden av.basissonen 3 fullstendig over kollektorsonen /[. The metal strip 11 extends next to the base zone 3 completely over the collector zone /[.
Det foreliggende utforelseseksempel ifolge fig. 1 og 2 hvor avskjermingssjiktet 8 er anordnet mellom det med basissonen 3 forbundne metallsjikt 6 og kollektorsonen 4, mens det med emittersonen 2 forbundne metallsjikt 5 ved hjelp av metallstrimler 11 er forbundet med avskjermingssjiktet 8, er beregnet på anvendelse som forsterkerelement i emitterkopling. Fig. 5 og 6 viser emitterkoplinger hvor emitteren E som i foreliggende tilfelle er forbundet med et punkt med konstant potensial, f.eks. jord, er felles for inngangskretsen og utgangskretsen som for tydelighets skyld ikke er tegnet inn på figuren, men som skal anbringes mellom emitter- og basisklemmen resp. mellom emitter- og kollektorklemmen. De signaler som skal forsterkes til-foes basisen B og de forsterkede signaler tas fra kollektoren C. The present embodiment according to fig. 1 and 2, where the shielding layer 8 is arranged between the metal layer 6 connected to the base zone 3 and the collector zone 4, while the metal layer 5 connected to the emitter zone 2 is connected to the shielding layer 8 by means of metal strips 11, is intended for use as an amplifier element in emitter coupling. Fig. 5 and 6 show emitter connections where the emitter E, as in the present case, is connected to a point with constant potential, e.g. earth, is common to the input circuit and the output circuit which, for the sake of clarity, are not drawn in the figure, but which must be placed between the emitter and base terminals or between the emitter and collector terminals. The signals to be amplified are added to the base B and the amplified signals are taken from the collector C.
Fig. 5 viser det tilfelle hvor avskjermingssjiktetFig. 5 shows the case where the shielding layer
8 (se fig. 1 og 2) ikke er tilstede. Mellom det med basissonen 3 forbundne metallsjikt 6 og kollektorsonen 4 opptrer da en kapasitet c-^ som tilveiebringer en tilbakekopling og som folge derav en minsk-ning av den mulige forsterkning i forsterkerelementet. 8 (see fig. 1 and 2) is not present. Between the metal layer 6 connected to the base zone 3 and the collector zone 4, a capacity c-^ then appears which provides a feedback and, consequently, a reduction of the possible gain in the amplifier element.
Fig. 6 viser det tilfelle hvor avskjermingssjiktet A ved hjelp av metallstrimler 11 (se fig. 1 og 2) er forbundet med det med emittersonen 2 forbundne metallsjikt 5- Avskjermingssjiktet er også forbundet med jord og kapasiteten c-^som i foregående tilfelle tilveiebrakte tilbakekopling er her erstattet med to kapasiteter c2°S c^>hvor Cg ligger mellom basisen og jord og ligger mellom kollektor og jord. Kapasitetene Cr, og c~er i alminnelighet ikke forstyrrende, særlig ikke i frekvensområder hvor det vanligvis anvendes jordet emitterkopling. Dette frekvensområde strekker seg til ca. 500 MHz. Fig. 6 shows the case where the shielding layer A by means of metal strips 11 (see figs. 1 and 2) is connected to the metal layer connected to the emitter zone 2 5- The shielding layer is also connected to earth and the capacitance c-^ which in the previous case provided feedback is here replaced by two capacities c2°S c^>where Cg lies between the base and earth and lies between collector and earth. The capacities Cr, and c~ are generally not disturbing, especially not in frequency ranges where grounded emitter coupling is usually used. This frequency range extends to approx. 500 MHz.
Halvlederanordningen ifolge fig. 1 og 2 kan fremstilles på folgende måte: Vanligvis fremstilles et antall transistorstrukturer samtidig på en halvlederskive, hvoretter skiven deles opp i de enkelte transistorer. Fremstillingen skal her beskrives for en transistorstruktur. The semiconductor device according to fig. 1 and 2 can be produced in the following way: Usually, a number of transistor structures are produced simultaneously on a semiconductor wafer, after which the wafer is divided into the individual transistors. The manufacture will be described here for a transistor structure.
Man går ut fra en n-ledende siliciumplate med en tykkelse på ca. 250^u og en spesifik motstand på ca. 5 onm cm- På et rektangel på ca. 350^u x 350/u anbringes en transistorstruktur. The starting point is an n-conducting silicon plate with a thickness of approx. 250^u and a specific resistance of approx. 5 onm cm- On a rectangle of approx. 350^u x 350/u a transistor structure is placed.
På en i halvlederteknikken vanlig måte blir halvlederlegemet 1 overtrukket med et isolerende siliciumoksydsjikt 7>f.eks. ved oksydasjon i fuktig oksygen, hvoretter det i det ca. 0,5/u tykke oksydsjikt 7 anbringes en åpning 12. In a manner common in semiconductor technology, the semiconductor body 1 is coated with an insulating silicon oxide layer 7, e.g. by oxidation in moist oxygen, after which in the approx. 0.5 µm thick oxide layer 7 is placed in an opening 12.
Åpningen i et oksydsjikt kan tilveiebringes pa en i halvlederteknikken vanlig måte ved hjelp av en fotoherdende lakk og et etsemiddel. The opening in an oxide layer can be provided in a manner common in semiconductor technology by means of a photo-curing varnish and an etchant.
Den sirkelformede del av åpningen 12 har en diameter på ca. 85/u. The circular part of the opening 12 has a diameter of approx. 85/u.
I åpningen 12 anbringes boroksyd (BgO^) ved at en del boroksyd sammen med halvlederlegemet 1. i en ovn holdes på en temperatur på ca. 900°C i ca. 20 min. under tilforsel av tort nitrogen. Halvlederlegemet blir deretter i ca. 20 min. opphetet til ca. 1200°C under tilforsel av nitrogen som er mettet med vanndamp ved 25°C og deretter i ca. 4-0 min. under tilforsel av oksygen som er mettet med vanndamp ved 80°C. In the opening 12, boron oxide (BgO^) is placed by keeping a portion of boron oxide together with the semiconductor body 1 in an oven at a temperature of approx. 900°C for approx. 20 min. under the supply of dry nitrogen. The semiconductor body is then for approx. 20 min. heated to approx. 1200°C under the supply of nitrogen which is saturated with water vapor at 25°C and then for approx. 4-0 min. under the supply of oxygen which is saturated with water vapor at 80°C.
Ved diffusjon av bor oppnås en p-ledende overflatesone 8, mens ved oksydasjon lukkes åpningen 12 igjen i oksydasjonssjiktet 7v-Diffusion of boron results in a p-conducting surface zone 8, while oxidation closes the opening 12 again in the oxidation layer 7v-
Ved foreliggende utforelseseksempél består avskjermingssjiktet av overflatesonen 8 på halvlederlegemet 1, mens sperresjiktet dannes av pn-avergangen 10. Deretter tilveiebringes åpningen 13 med dimensjonene 5° x 60 yu 1 oksydsjiktet 7. Deretter blir på samme måte,som for sonen 8, den p-ledehde basissone 3 anbrakt, og åpningen 13 i oksydsjiktet 7 lukkes så igjen ved oksydasjon. Basis sonen 3 har en tykkelse på ca. 3>5/u* Sonen 8 har i dette tilfelle en tykkelse på ca. 4/u- In the present exemplary embodiment, the shielding layer consists of the surface zone 8 of the semiconductor body 1, while the barrier layer is formed by the pn junction 10. Next, the opening 13 with the dimensions 5° x 60 y 1 is provided and the oxide layer 7. Then, in the same way as for the zone 8, the p- conductive base zone 3 placed, and the opening 13 in the oxide layer 7 is then closed again by oxidation. The base zone 3 has a thickness of approx. 3>5/u* The zone 8 in this case has a thickness of approx. 4/u-
Åpningene i4 med dimensjoner på ca. 5 x 35/u blir så anbrakt i oksydasjonssjiktet 7 f°r a kunne anbringe de n-ledende emitterdelsoner 2. Emitterdelsonene 2 dannes ved diffusjon av fosfor ved opphetning av halvlederlegemet i ca. 15 min. på ca. 1100°C, idet det i nærheten av halvlederlegemet 1 holdes en mengde Pa ca. 250°C. Derved dannes ved diffusjon av fosfor de n-ledende emitterdelsoner 2 med en tykkelse på ca. 1 - 2 yu. The openings i4 with dimensions of approx. 5 x 35/u is then placed in the oxidation layer 7 before the n-conducting emitter sub-zones 2 can be placed. The emitter sub-zones 2 are formed by diffusion of phosphorus by heating the semiconductor body for approx. 15 min. of approx. 1100°C, with an amount of Pa approx. 250°C. Thereby, by diffusion of phosphorus, the n-conducting emitter partial zones 2 with a thickness of approx. 1 - 2 years.
Åpningene 15 med dimensjoner ca. 5 x 35 111111 anbringes så for å danne kontakt med basissonen 3»idet åpningene 14 samtidig rengjores. Videre blir åpningene 9 med dimensjoner ca. 10 x 20 ju anbrakt i oksydsjiktet 7>slik at det for kontaktformål frilegges en del 20 av avskjermingssjiktet 8. The openings 15 with dimensions approx. 5 x 35 111111 is then placed to form contact with the base zone 3", while the openings 14 are simultaneously cleaned. Furthermore, the openings 9 with dimensions approx. 10 x 20 ju placed in the oxide layer 7> so that a part 20 of the shielding layer 8 is exposed for contact purposes.
Deretter blir ved pådampning av aluminium på oksydsjiktet 8 anbrakt et aluminiums jikt med en tykkelse på ca. $. 000 Å. Ved hjelp av en fotoherdende lakk og et etsemiddel blir aluminium-sjiktet delvis fjernet slik at metallsjiktene 5 og 6 som har praktisk talt parallelle båndformede deler l6 og 17, når inn i åpningene 14 og l6 sammen med metallstrimlene 11 som har en bredde på ca. 15/u. Ved opphetning til ca. $ 00 C kan aluminiumet legeres med halvlederlegemet 1 i åpningene 9>14°S 15* Then, by vaporizing aluminum on the oxide layer 8, an aluminum layer with a thickness of approx. $. 000 Å. By means of a photo-curing varnish and an etchant, the aluminum layer is partially removed so that the metal layers 5 and 6 which have practically parallel band-shaped parts l6 and 17 reach into the openings 14 and l6 together with the metal strips 11 which have a width of approx. 15/h. When heated to approx. $ 00 C the aluminum can be alloyed with the semiconductor body 1 in the openings 9>14°S 15*
Emitter- og basistilslutningslederne kan være forbundet med metallsjiktene 5 resp. 6 ved hjelp av en i halvlederteknikken vanlig metode. Halvlederlegemet kan videre på en i halvlederteknikken vanlig metode loddes med kollektorsonen 4 til et metall-bærelegeme som kan tjene som kollektortilslutningsleder. Det hele kan deretter på vanlig måte monteres i et hus. The emitter and base connection conductors can be connected to the metal layers 5 or 6 using a method common in semiconductor technology. The semiconductor body can further be soldered with the collector zone 4 to a metal support body which can serve as a collector connection conductor using a method common in semiconductor technology. The whole thing can then be assembled in the usual way in a house.
Det viser seg at den fremstilte transistor ifolge fig. 1 og 2 i en emitterkopling som vist på fig. 6 har en kapasitet på ca. 0,15 pF som tilveiebringer en tilbakekopling. Hvis den samme transistor fremstilles uten avskjermingssjiktet 8 så vil i emitterkopling (fig. 5) denne kapasitet oke til kapasiteten mellom det, med basissonen 3 forbundne metallsjikt 6 og kollektorsonen 4- Det viser seg da at i dette tilfelle er den samlede kapasitet som tilveiebringer tilbakekoplingen ca. 0,15 PF. Som folge av avskjermingssjiktet blir den kapasitet som tilveiebringer tilbakekoplingen, således re-dusert til ca. samtidig som den mulige forsterkning bkes ca. 3 ganger. Avskjermingssjiktet gir således en betydelig forbedring sam tidig som anvendelse av transistoren i jordet emitterkopling, som folge av metallstrimlene 11, ikke behover noen ekstra tilslutning for avskjermingssjiktet 8. Det skal bemerkes at pn-overgangen mellom avskjermingssjiktet 8 og kollektorsonen 4 ved jordet emitterkopling som vist på fig. 6, er forspent i sperreretningen. It turns out that the manufactured transistor according to fig. 1 and 2 in an emitter connection as shown in fig. 6 has a capacity of approx. 0.15 pF which provides a feedback. If the same transistor is produced without the shielding layer 8, then in emitter coupling (fig. 5) this capacity will be added to the capacity between the metal layer 6 connected to the base zone 3 and the collector zone 4 - It then turns out that in this case the total capacity which provides the feedback about. 0.15 PF. As a result of the shielding layer, the capacity that provides feedback is thus reduced to approx. at the same time as the possible reinforcement is made approx. 3 times. The shielding layer thus provides a significant improvement at the same time as the use of the transistor in grounded emitter coupling, which, as a result of the metal strips 11, does not require any additional connection for the shielding layer 8. It should be noted that the pn junction between the shielding layer 8 and the collector zone 4 in the case of grounded emitter coupling as shown in fig. 6, is prestressed in the locking direction.
I det folgende skal beskrives et utforelseseksempel hvor metallstrimlene som forbinder det under det ene metallsjikt beliggende avskjermingssjikt med det andre metallsjikt, på en del av sin lengde strekker seg over den sone som er forbundet med det andre metallsjikt og således danner kontakt med denne sone. Et slikt utforelseseksempel er vist på fig. 3°g 4- In the following, an embodiment example will be described where the metal strips that connect the shielding layer located under one metal layer with the other metal layer, on part of their length extend over the zone that is connected to the second metal layer and thus form contact with this zone. Such an embodiment is shown in fig. 3°g 4-
På fig. 3°g 4 er f°r tilsvarende deler anvendt samme henvisningstall som på fig. 1 og 2 og kan ha samme dimensjoner og bestå av samme materiale og være fremstillet på samme måte. In fig. 3 and 4, the same reference number as in fig. is used for corresponding parts. 1 and 2 and may have the same dimensions and consist of the same material and be manufactured in the same way.
Utfbrelseseksemplet ifolge fig. 3°S 4 gjelder en transistor for anvendelse i basiskopling og avskjermingssjiktet 28 ligger da mellom det med emittersonen 2 forbundne metallsjikt 5°S kollektorsonen, mens det med basissonen 3 forbundne metallsjikt 6 ved hjelp av metallstrimler 27 er forbundet med avskjermingssjiktet28. The design example according to fig. 3°S 4 applies to a transistor for use in base coupling and the shielding layer 28 is then between the metal layer connected to the emitter zone 2 and the collector zone 5°S, while the metal layer 6 connected to the base zone 3 is connected to the shielding layer 28 by means of metal strips 27.
Metalls jiktene ^ > og 6 ligger på motsatte sider av basissonen 3 på isolasjonssjiktet 7- Emittersonen består av to ved siden av hverandre liggende, langstrakte og i basissonen 3 anbrakte emitterdelsoner 2 som motsvarer langstrakte åpninger 14 i isolasjonssjiktet 7 f°r kontaktformål. Mellom og ved siden av åpningene 14 er i isolasjonssjiktet 7 anbrakt langstrakte åpninger 15 for å danne kontakter med basissonen 3. De langstrakte åpninger 14 og 15 strekker seg i en.retning fra metallsjiktet 5 resp. 6 til det andre metallsjikt 6 resp. 5>mens emittersonen 2 og basissonen 3 ved praktisk talt parallelle båndformede deler 16 resp. 17 og 27 strekker seg inn i åpningene 14 resp. 15 og er forbundet med et metallsjikt 5 resp. 6. Mellom det ene metallsjikt i foreliggende tilfelle det med emittersonens 3 forbundne metallsjikt 5°S kollektorsonen er avskjermingssjiktet 28 anordnet. The metal junctions ^ > and 6 are located on opposite sides of the base zone 3 on the insulation layer 7 - The emitter zone consists of two side-by-side, elongated and placed in the base zone 3 emitter part zones 2 which correspond to elongated openings 14 in the insulation layer 7 for contact purposes. Between and next to the openings 14, elongated openings 15 are placed in the insulation layer 7 to form contacts with the base zone 3. The elongated openings 14 and 15 extend in one direction from the metal layer 5 or 6 to the second metal layer 6 or 5>while the emitter zone 2 and the base zone 3 by practically parallel band-shaped parts 16 resp. 17 and 27 extend into the openings 14 resp. 15 and is connected by a metal layer 5 or 6. Between the one metal layer in the present case, the metal layer connected to the emitter zone 3 and the collector zone 5°S, the shielding layer 28 is arranged.
Avskjermingssjiktet 28 består av en overflatesone av halvlederlegemet 1 som danner et sperresjikt i form av en pn-overgang 20 sammen med den underliggende del av halvlederlegemet 1 og kan være dannet på samme måte som avskjermingssjiktet 8 i det foregående utforelseseksempel. The shielding layer 28 consists of a surface zone of the semiconductor body 1 which forms a barrier layer in the form of a pn junction 20 together with the underlying part of the semiconductor body 1 and can be formed in the same way as the shielding layer 8 in the preceding embodiment example.
Det andre metallsjikt i foreliggende tilfelle detThe second metal layer in the present case it
med basissonen forbundne metallsjikt 6, er forbundet med de frittliggende deler på ca. 5 x 10/u av avskjermingssjiktet 28 og som tilsvarer åpningene 9 som er anbrakt i isolasjonssjiktet 7>gjennom metal layer 6 connected to the base zone, is connected to the detached parts of approx. 5 x 10/u of the shielding layer 28 and which corresponds to the openings 9 placed in the insulating layer 7>through
fremstående deler 27 av metallsjiktet 6 som strekker seg til den annen side av de fremstående deler som tilsvarer åpningene 15 i isolasjonssjiktet 7 og gjennom åpningene 29 danner kontakt med de frittliggende deler av avskjermingssjiktet 28. De fremstående deler 27 som forbinder metallsjiktet 6 med basissonen 3>danner således samtidig de metallstrimler som forbinder avskjermingssjiktet 28 med metallsjiktet 6. protruding parts 27 of the metal layer 6 which extend to the other side of the protruding parts which correspond to the openings 15 in the insulation layer 7 and through the openings 29 form contact with the detached parts of the shielding layer 28. The protruding parts 27 which connect the metal layer 6 to the base zone 3> thus simultaneously forming the metal strips that connect the shielding layer 28 with the metal layer 6.
Metallstrimlene 27 strekker seg praktisk talt rettlinjet med en del av sin lengde ut over den med metallsjiktet 6 forbundne basissone 3 f°r a danne kontakt med denne. The metal strips 27 extend practically in a straight line with part of their length over the base zone 3 connected to the metal layer 6 before making contact with it.
Transistoren kan anvendes som forsterkerelement i basiskopling hvor som vist på fig. 7 og 8 basisen B er forbundet med et punkt med konstant potensial, f.eks. jord, og er felles for inngangskretsen og utgangskretsen som for tydelighets skyld ikke er inntegnet, men som skal være innkoplet mellom basis- og emitterklem-men resp. mellom basis- og kollektorklemmen. De signaler som skal forsterkes, tilfores emitteren E og de forsterkede signaler tas fra kollektoren C. Hvis avskjermingssjiktet ikke er tilstede opptrer det mellom det med emittersonen 2 forbundne metallsjikt 5°g kollektorsonen en kapasitet c^(se fig. 7) som tilveiebringer en tilbakekopling ved hjelp av avskjermingssjiktet 28 som gjennom metallstrimlene 27 også er forbundet med jord, slik at pn-overgangen i sperresjiktet forspennes, erstattes kapasiteten c^med kapasitetene c^ og cg (se fig. 8). På fig. 8 er avskjermingssjiktet vist skjematisk med A. Kapasitetene c^ og cg ligger mellom emitteren E resp. kollektoren C og jord. The transistor can be used as an amplifier element in base coupling where, as shown in fig. 7 and 8 the base B is connected to a point of constant potential, e.g. ground, and is common to the input circuit and the output circuit, which for the sake of clarity are not drawn, but which must be connected between the base and emitter terminals, but resp. between the base and collector terminals. The signals to be amplified are supplied to the emitter E and the amplified signals are taken from the collector C. If the shielding layer is not present, a capacity c^ (see fig. 7) which provides a feedback occurs between the metal layer 5° connected to the emitter zone 2 and the collector zone by means of the shielding layer 28, which is also connected to earth through the metal strips 27, so that the pn transition in the barrier layer is biased, the capacity c^ is replaced by the capacities c^ and cg (see Fig. 8). In fig. 8, the shielding layer is shown schematically with A. The capacities c^ and cg lie between the emitter E and the collector C and earth.
Basiskoplinger anvendes vanligvis i forsterkere for ultrahoyfrekvenssignaler, f.eks. frekvenser på mere enn 500 MHz. Basic couplings are usually used in amplifiers for ultra-high frequency signals, e.g. frequencies of more than 500 MHz.
Her virker ikke kapasiteten forstyrrende, mens kapasiteten cg fortrinnsvis må gjores minst mulig. Kapasiteten cg består delvis av kapasiteten mellom kollektorsonen 4°S forbindelsene 17 og 27 til metallsjiktet 6 sammen med basissonen 3°g avskjermingssjiktet 28. Det er tydelig at denne del av kapasiteten cg ved utforelseseksemplet på fig. 3°g 4 som folge av de kombinerte forbindelser 27 er liten, f.eks. meget mindre enn i tilfelle av anvendelse av en særskilt for bindelse som metallstrimlene 11 på fig. 1 som strekker seg over hele kollektorsonen 4- Ved egnet dimensjonering (åpningene 29 kan være mindre) kan videre avskjermingssjiktet 28 ved et utforelseseksempel ifolge fig. 3°g 4 være noe mindre enn avskjermingssjiktet 28 ved utforelseseksemplet ifolge fig. 1 og 2. Here, the capacity does not seem disturbing, while the capacity cg must preferably be kept as small as possible. The capacity cg consists partly of the capacity between the collector zone 4°S connections 17 and 27 to the metal layer 6 together with the base zone 3°g shielding layer 28. It is clear that this part of the capacity cg in the embodiment example of fig. 3°g 4 as a result of the combined compounds 27 is small, e.g. much less than in the case of the use of a special bonding agent such as the metal strips 11 in fig. 1 which extends over the entire collector zone 4- With suitable dimensioning (the openings 29 can be smaller), the shielding layer 28 can further in an embodiment according to fig. 3°g 4 be somewhat smaller than the shielding layer 28 in the embodiment according to fig. 1 and 2.
Det skal bemerkes at såvel ved emitterkopling ifolge fig. 6 med en transistor ifolge fig. 1 og 2 som ved basiskopling ifolge fig. 8 med en transistor ifolge fig. 3°g 4>er det andre metallsjikt som er forbundet med avskjermingssjiktet, felles for inngangskretsen og utgangskretsen, idet de signaler som skal forsterkes tilfores det ene metallsjikt og de signaler som er forsterket tas fra kollektoren. It should be noted that both in the case of emitter coupling according to fig. 6 with a transistor according to fig. 1 and 2 as with basic connection according to fig. 8 with a transistor according to fig. 3°g 4>is the second metal layer which is connected to the shielding layer, common to the input circuit and the output circuit, as the signals to be amplified are supplied to one metal layer and the signals which are amplified are taken from the collector.
Det burde være innlysende at oppfinnelsen ikke er begrenset til de beskrevne utforelseseksempler og at for fagmannen er mange endringer mulig innenfor oppfinnelsens ramme. En viktig mulighet er f.eks. å anbringe et avskjermingssjikt i form av et metallsjikt, som ved hjelp av et sperresjikt som består av et på halvlederlegemet anbrakt isolasjonssjikt, er skilt fra halvlederlegemet. Ved de beskrevne utforelsesformer kan det f.eks. istedet for over-flatesonene 8 og 28 på oksydsjiktet 7 anbringes metallsjikt som på fig. 1 og 3 har samme form og dimensjoner som sonene 8 og 28. Det kan da på disse metallsjikt som danner det ene avskjermingssjikt, anbringes et isolasjonssjikt som f.eks. kan bestå av en lakk eller siliciumoksyd, hvoretter metallsjiktene .6 resp. 5 anbringes på dette sjikt. It should be obvious that the invention is not limited to the described embodiments and that for the person skilled in the art many changes are possible within the scope of the invention. An important possibility is e.g. to place a shielding layer in the form of a metal layer, which is separated from the semiconductor body by means of a barrier layer consisting of an insulating layer placed on the semiconductor body. In the described embodiments, it can e.g. instead of the surface zones 8 and 28 on the oxide layer 7, a metal layer is placed as shown in fig. 1 and 3 have the same shape and dimensions as zones 8 and 28. An insulating layer can then be placed on these metal layers which form the one shielding layer, e.g. can consist of a varnish or silicon oxide, after which the metal layers .6 resp. 5 is placed on this layer.
Halvlederlegemet kan bestå av andre materialer enn silicium f.eks. germanium eller en A-j-j-j-By-forbindelse. Videre kan i utforelseseksemplet på fig. 3°g 4 avskjermingssjiktet 28 f.eks. ved hjelp av bare én metallstrimmel 27 være forbundet med metallsjiktet 6, mens de andre metallstrimler likesom strimlene 17 bare forbinder metallsjiktet 6 med basissonen. Det er også mulig å for-lenge strimlene 17 og på samme måte som strimlene 27 forbinde disse med avskjermingssjiktet 28 gjennom åpninger i oksydsjiktet 7* The semiconductor body can consist of materials other than silicon, e.g. germanium or an A-j-j-j-By compound. Furthermore, in the embodiment example in fig. 3°g 4 the shielding layer 28 e.g. by means of only one metal strip 27 be connected to the metal layer 6, while the other metal strips, like the strips 17, only connect the metal layer 6 to the base zone. It is also possible to extend the strips 17 and, in the same way as the strips 27, connect them to the shielding layer 28 through openings in the oxide layer 7*
Claims (4)
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL6405411A NL6405411A (en) | 1964-05-15 | 1964-05-15 | |
| NL6509551 | 1965-07-23 | ||
| NL6510237A NL6510237A (en) | 1965-08-06 | 1965-08-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO119910B true NO119910B (en) | 1970-07-27 |
Family
ID=27351310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO15969565A NO119910B (en) | 1964-05-15 | 1965-09-14 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH436491A (en) |
| DK (1) | DK117162B (en) |
| GB (2) | GB1146600A (en) |
| NO (1) | NO119910B (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5053850A (en) * | 1988-03-14 | 1991-10-01 | Motorola, Inc. | Bonding pad for semiconductor devices |
-
1965
- 1965-09-14 NO NO15969565A patent/NO119910B/no unknown
- 1965-09-14 DK DK470765A patent/DK117162B/en unknown
- 1965-09-14 CH CH1275165A patent/CH436491A/en unknown
-
1966
- 1966-03-14 GB GB3917765A patent/GB1146600A/en not_active Expired
- 1966-03-14 GB GB5093968A patent/GB1147420A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH436491A (en) | 1967-05-31 |
| GB1147420A (en) | 1969-04-02 |
| GB1146600A (en) | 1969-03-26 |
| DK117162B (en) | 1970-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3373323A (en) | Planar semiconductor device with an incorporated shield member reducing feedback capacitance | |
| US3969745A (en) | Interconnection in multi element planar structures | |
| GB1082106A (en) | Improvements in and relating to electrical circuits | |
| US4107720A (en) | Overlay metallization multi-channel high frequency field effect transistor | |
| US3414781A (en) | Field effect transistor having interdigitated source and drain and overlying, insulated gate | |
| ES301020A1 (en) | Solid semiconductor circuit with crossing conductors | |
| US3489953A (en) | Stabilized integrated circuit and process for fabricating same | |
| NO156695B (en) | ANALOGUE PROCEDURE FOR THE PREPARATION OF ANTI-BLOOD PRESSURE AGENT. | |
| GB1137388A (en) | Semiconductor device | |
| US3582726A (en) | High frequency power transistor having a plurality of discrete base areas | |
| NO119910B (en) | ||
| US4187514A (en) | Junction type field effect transistor | |
| NO168757B (en) | SNOW GUARD. | |
| US3221215A (en) | Device comprising a plurality of electrical components | |
| US3518504A (en) | Transistor with lead-in electrodes | |
| US3336508A (en) | Multicell transistor | |
| GB1244023A (en) | Semiconductor arrangement | |
| US3482152A (en) | Semiconductor devices having a field effect transistor structure | |
| GB1088679A (en) | Improvements in or relating to electrical circuits | |
| US3409807A (en) | Semiconductor arrangement with capacitative shielding means between conductive strips and semiconductor body | |
| JPS5811756B2 (en) | Denkai Kouka Handoutaisoshi Oyobi Sonosouchi | |
| ES368134A1 (en) | A procedure for the manufacture of semiconductor devices. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding) | |
| JP2016027675A5 (en) | ||
| JPS5867071A (en) | Semiconductor device | |
| US3576477A (en) | Insulated gate fet with selectively doped thick and thin insulators |