NO168757B

NO168757B - SNOW GUARD.

Info

Publication number: NO168757B
Application number: NO883163A
Authority: NO
Inventors: Giuseppe De Chirico
Original assignee: Gilardini Spa
Priority date: 1987-07-16
Filing date: 1988-07-15
Publication date: 1991-12-23
Also published as: NL8801812A; IE882183L; IT8753526V0; GB2208160B; DE3823786A1; SE468847B; IT212168Z2; FI88600C; SE8802617D0; SE8802617L; IE63201B1; BE1002304A4; FI883379A; FI883379A0; FR2618118B1; NO883163L; PT88000A; DK394788A; PT88000B; FR2618118A1

Description

Transistor. Transistor.

Oppfinnelsen angår en transistor bestående av et halvlederlegeme med en første sone, nemlig kollektorsonen, av en første ledningsevnetypej en andre sone, nemlig basissonen av motsatt ledningsevnetype, og en tredje sone, nemlig emittersonen av den første ledningsevnetype hvor den tredje sone er omgitt av den andre sone som igjen er omgitt av den første sone, alle med unntagelse av en del som bestemmes av legemets ene begrensningsflate, hvor det mellom sonene er overganger som skjærer denne flate i sluttede figurer, hvor det på denne flate befinner seg et tynt isolasjonssjikt som dekker skjæringspunktene mellom overgangene og overflaten, og som er forsynt med et ledende sjikt som gjennom en åpning i isolasjonssjiktet er i kontakt med emittersonen og som på sidene av åpningen strekker seg ut over isolasjonssjiktet og der danner et ved siden av. emittersonen liggende kontaktsted for tilslutning av en strømtilførsels-leder. En slik transistor er en bestemt utførelsesform av planartransistor. The invention relates to a transistor consisting of a semiconductor body with a first zone, namely the collector zone, of a first conductivity type, a second zone, namely the base zone of the opposite conductivity type, and a third zone, namely the emitter zone of the first conductivity type where the third zone is surrounded by the second zone which is again surrounded by the first zone, all with the exception of a part determined by the body's one limiting surface, where between the zones there are transitions that cut this surface in closed shapes, where on this surface there is a thin layer of insulation that covers the intersections between the transitions and the surface, and which is provided with a conductive layer which through an opening in the insulation layer is in contact with the emitter zone and which on the sides of the opening extends over the insulation layer and there forms an adjacent. contact point located in the emitter zone for connecting a power supply conductor. Such a transistor is a specific embodiment of a planar transistor.

Ved en utførelsesform som er beskrevet i U.S. patentskrift nr. 3.025.589 er tilførselstrådene festet i åpninger i isolasjonssjiktet som ligger over de stedet hvor emitter- og basissonen er begrenset av den nevnte begrensningsflate. Da disse åpninger, særlig åpningen for emittersonen, ved praktiske utførelsesformer for disse transistorer er meget liten, er det i U.S. patentskrift 2.981.877 foreslått på isolasjonssjiktet å påføre et ledende sjikt som gjennom åpninger står i kontakt med emittersonen og basissonen og på sidene av åpninger strekker seg ut over kollektorsonen, men er isolert fra denne ved isolasjonssjiktet, slik at en meget større overflate står til rådighet for tilslutning av tilførselslederne. In one embodiment described in U.S. Pat. patent document no. 3,025,589, the supply wires are fixed in openings in the insulation layer which lie above the place where the emitter and base zone are limited by the aforementioned limiting surface. Since these openings, especially the opening for the emitter zone, in practical embodiments of these transistors is very small, it is in the U.S. patent document 2,981,877 proposed to apply to the insulation layer a conductive layer which through openings is in contact with the emitter zone and the base zone and on the sides of the openings extends over the collector zone, but is isolated from this by the insulation layer, so that a much larger surface is available for connecting the supply conductors.

Det har vist seg at ved slike transistorer må spenningen mellom kollektorsonen på den ene side og emitter- eller basissonen på den annen side holdes under en relativt lav grense som kan være meget mindre enn gjennomslagsspenningen for overgangen mellom kollektor- og basissonen. Ved overskridelse av denne grense opptrer gjennomslag i isolasjonssjiktet. It has been shown that with such transistors the voltage between the collector zone on the one hand and the emitter or base zone on the other hand must be kept below a relatively low limit which can be much smaller than the breakdown voltage for the transition between the collector and base zone. If this limit is exceeded, penetration occurs in the insulation layer.

Hensikten med oppfinnelsen er blant annet å tilveiebringe en konstruksjon av en planartransistor, hvor den maksimale spenning mellom kollektorsonen på den ene side og basis- eller emittersonen på den annen side ikke eller bare i uvesentlig grad er begrenset av isolasjonssjiktets egenskaper, men av overgangen mellom kollektor-og basissonen, samtidig som det er mulig å gi det nevnte ledende sjikt et tilstrekkelig areal for befestigelse av tilførselslederen. The purpose of the invention is, among other things, to provide a construction of a planar transistor, where the maximum voltage between the collector zone on the one hand and the base or emitter zone on the other hand is not or only to an insignificant extent limited by the properties of the insulation layer, but by the transition between collector - and the base zone, while at the same time it is possible to give the said conducting layer a sufficient area for attaching the supply conductor.

Ved transistorer av denne art, hvor det på isolasjonssjiktet er anbrakt et ledende sjikt, som gjennom åpninger i isolasjonssjiktet danner kontakt med emittersonen og strekker seg over kollektorsonen, opptrer det en kapasitet mellom det ledende sjikt og kollektorsonen. Denne kapasitet forårsaker en tilbakekopling, f.eks. ved anvendelse av transistoren som forsterkerelement i basiskopling for forsterkning av elektriske signaler. Denne tilbakekopling kan ved høye frekvenser bli særlig forstyrrende. In the case of transistors of this type, where a conductive layer is placed on the insulating layer, which forms contact with the emitter zone through openings in the insulating layer and extends over the collector zone, a capacitance occurs between the conductive layer and the collector zone. This capacity causes a feedback, e.g. when using the transistor as an amplifier element in basic switching for amplification of electrical signals. This feedback can become particularly disturbing at high frequencies.

I basiskopling er transistorens basis felles for inngangs-kretsen og utgangskretsen og det signal som skal forsterkes tilføres emitteren og det forsterkede signal tas fra kollektoren. In base switching, the base of the transistor is shared by the input circuit and the output circuit and the signal to be amplified is supplied to the emitter and the amplified signal is taken from the collector.

En videre hensikt med oppfinnelsen er å eliminere den kapasitet som tilveiebringer den nevnte tilbakekopling. A further purpose of the invention is to eliminate the capacity which provides the aforementioned feedback.

Dette oppnås ifølge oppfinnelsen ved at basissonen strekker seg så langt ved siden av emittersonen at det med emittersonen forbundne kontaktsted i sin helhet befinner seg over basissonen. Dette kontaktsted er da foruten ved isolasjonasjiktet også ved basissonen og overgangen mellom basis- og kollektorsonen adskilt fra kollektorsonen. This is achieved according to the invention by the base zone extending so far next to the emitter zone that the contact point connected to the emitter zone is located entirely above the base zone. This contact point is then, in addition to the insulation layer, also at the base zone and the transition between the base and collector zone separated from the collector zone.

Ved anvendelse av transistoren ifølge oppfinnelsen i en basiskopling opptrer ikke den nevnte kapasitet som forårsaker tilbakekopling, fordi basissonen danner et avskjermningssjikt mellom det med emittersonen forbundne metallsjikt og kollektorsonen. Dette bevirker en økning av basis-kollektorkapasiteten og basis-emitter-kapasiteten. Disse økede kapasiteter er i koplinger av nevnte art som oftest betydelig mindre forstyrrende enn den kapasitet som forårsaker tilbakekoplingen. When using the transistor according to the invention in a base connection, the aforementioned capacity which causes feedback does not occur, because the base zone forms a shielding layer between the metal layer connected to the emitter zone and the collector zone. This causes an increase in the base-collector capacity and the base-emitter capacity. These increased capacities are, in connections of the aforementioned kind, usually significantly less disruptive than the capacity that causes the feedback.

Hvis transistoren ifølge oppfinnelsen er en høyspennings-transistor, ligger under drift ikke hele emitter-kollektorspenningen over isolasjonssjiktet, men bare en meget mindre emitter-basisspenning, slik at gjennomslagsfaren for isolasjonssjiktet under det med emittersonen forbundne metallsjikt unngås. If the transistor according to the invention is a high-voltage transistor, during operation the entire emitter-collector voltage does not lie above the insulation layer, but only a much smaller emitter-base voltage, so that the danger of breakdown for the insulation layer under the metal layer connected to the emitter zone is avoided.

En viktig foretrukket utførelsesform for en transistor An important preferred embodiment of a transistor

ifølge oppfinnelsen er karakterisert ved et ytterligere ledende sjikt som på i og for seg kjent måte gjennom en åpning i isolasjonssjiktet står i kontakt med basissonen, og et i sin helhet over basissonen beliggende kontaktsted for tilslutning av en ytterligere strømtil-førselsleder. according to the invention is characterized by a further conductive layer which, in a manner known per se, is in contact with the base zone through an opening in the insulation layer, and a contact point located entirely above the base zone for connection of a further power supply conductor.

Det med basissonen forbundne ledende sjikt strekker seg The conductive layer connected to the base zone extends

altså over hele basissonen,. slik at det ved en stor spenningsforskjell mellom basis- og kollektorsonen ikke kan opptre gjennomslag i isolasjonssjiktet. i.e. over the entire base zone,. so that, in the event of a large voltage difference between the base and collector zones, a breakdown cannot occur in the insulation layer.

Som det videre har vist seg har dette isolasjonssjikt sålenge det ligger mellom basissonen og det med denne sone forbundne ledende sjikt, ikke lenger noen isolerende virkning. Med fordel kan derfor det med basissonen forbundne ledende sjikt befinne seg i sin helhet i en åpning i isolasjonssjiktet. As it has further been shown, this insulating layer, as long as it lies between the base zone and the conductive layer connected to this zone, no longer has any insulating effect. Advantageously, the conductive layer connected to the base zone can therefore be in its entirety in an opening in the insulation layer.

Oppfinnelsen angår videre en koplingsanordning for forsterkning av elektriske signaler, med en transistor ifølge oppfinnelsen, og denne koplingsanordning er karakterisert ved at basisen er felles for inngangs- og utgangskretsen, og at det signal som skal forsterkes tilføres emitteren, og at det forsterkede signal tas fra kollektoren. The invention further relates to a coupling device for amplifying electrical signals, with a transistor according to the invention, and this coupling device is characterized in that the base is common to the input and output circuit, and that the signal to be amplified is supplied to the emitter, and that the amplified signal is taken from the collector.

Et utførelseseksempel på oppfinnelsen skal forklares An embodiment of the invention will be explained

nærmere under henvisning til tegningen. in more detail with reference to the drawing.

Fig. 1 og 3 viser snitt gjennom kjente transistorer. Fig. 1 and 3 show sections through known transistors.

Fig. 2 og 4 viser tilsvarende grunnriss av disse transistorer. Fig. 5 viser et snitt gjennom en transistor ifølge oppfinnelsen. Fig. 2 and 4 show the corresponding ground plan of these transistors. Fig. 5 shows a section through a transistor according to the invention.

Fig. 6 viser et grunnriss av fig. 5- Fig. 6 shows a floor plan of fig. 5-

Fig..7-16 viser, i snitt forskjellige fremstillingstrinn Fig..7-16 shows, in average, different manufacturing steps

av en slik transistor. of such a transistor.

Fig. 17 viser et grunnriss av en transistor ifølge oppfinnelsen. Fig. 18 viser et snitt gjennom en transistor ifølge oppfinnelsen. Fig. 19 og 20 viser skjematisk koplingsanordninger basert Fig. 17 shows a basic diagram of a transistor according to the invention. Fig. 18 shows a section through a transistor according to the invention. Fig. 19 and 20 schematically show connection devices based on

på oppfinnelsen. on the invention.

Transistoren på fig. 1 har en kollektorsone 1, som f.eks. består av n-ledende silisium, en p-ledende basissone 2 og en n-ledende emittersone 3- De siste to soner er omgitt av den foregående sone unntatt på de steder som er begrenset av flaten 4. Denne flate er dekket med et tynt isolasjonssjikt 5 som blant annet dekker de steder hvor overgangene 6 og 7 mellom sonene, skjærer overflaten det vil si langs sirkelformede linjer, som på fig. 2 er vist med strekede linjer og med henvisningstallene 8 og 9• Over emittersonen er det i isolasjonssjiktet 5 anordnet en åpning 10, i. hvilken et kontaktsjikt 11 danner emittertilslutning med en tilførselsleder 12. På tilsvarende måte er det dannet en basistilslutning 13 og en kollektortilslutning 14. Det er klart at ved en slik transistor er det meget lite plass til rådighet for anbringelse av emitter- og basistilslutning. The transistor of fig. 1 has a collector zone 1, which e.g. consists of n-conducting silicon, a p-conducting base zone 2 and an n-conducting emitter zone 3- The last two zones are surrounded by the previous zone except in the places limited by the surface 4. This surface is covered with a thin insulating layer 5 which, among other things, covers the places where the transitions 6 and 7 between the zones intersect the surface, i.e. along circular lines, as in fig. 2 is shown with dashed lines and with the reference numbers 8 and 9 • Above the emitter zone, an opening 10 is arranged in the insulation layer 5, in which a contact layer 11 forms an emitter connection with a supply conductor 12. In a similar way, a base connection 13 and a collector connection are formed 14. It is clear that with such a transistor there is very little space available for placing the emitter and base connection.

Ved den på fig. 3 og 4 viste transistor er det meget mere plass. Denne transistor består av en kollektorsone 21, en basissone 22 og en emittersone 23. Over sistnevnte soner er anbrakt et isolasjonssjikt 25 med en åpning 30, gjennom hvilken det er anordnet ledere i kontakt med de tilhørende soner, i dette tilfelle i form av metallsjikt 31 og 32 som strekker seg ved siden av åpningene og over kollektorsonen 21, hvor det er forbundet med tilførselsledere 33 og 34. At the one in fig. 3 and 4 shown transistor, there is much more space. This transistor consists of a collector zone 21, a base zone 22 and an emitter zone 23. Above the latter zones is placed an insulating layer 25 with an opening 30, through which conductors are arranged in contact with the associated zones, in this case in the form of metal layer 31 and 32 which extends next to the openings and above the collector zone 21, where it is connected to supply conductors 33 and 34.

Det er klart at i dette tilfelle ville det mellom kollektoren på den ene side og basisen på den andre side, komme til å opptre spenning på isolasjonssjiktet 25. Det samme gjelder for den tilnærmet like store spenning mellom kollektor og emitter. Hvis denne spenning er stor, f.eks. større enn 300 volt, er muligheten for eventuelt gjennomslag i sjiktet 25 stor. It is clear that in this case, between the collector on one side and the base on the other side, voltage would appear on the insulation layer 25. The same applies to the approximately equal voltage between collector and emitter. If this voltage is large, e.g. greater than 300 volts, the possibility of possible penetration in layer 25 is great.

Hvis transistoren anvendes som forsterkerelement i basiskopling for forsterkning av elektriske signaler, forårsaker kapasiteten mellom metallsjiktet 32 og kollektorsonen 21 en tilbakekopling. Fig. 19 viser et koplingsskjerna for dette tilfelle. Emitter, basis og kollektor i transistoren er betegnet med henholdsvis E, B og C, If the transistor is used as an amplifier element in base coupling for amplification of electrical signals, the capacitance between the metal layer 32 and the collector zone 21 causes feedback. Fig. 19 shows a connection core for this case. Emitter, base and collector in the transistor are denoted by E, B and C respectively,

og kapasiteten som forårsaker tilbakekoplingen, er betegnet med C^. Det signal som skal forsterkes tilføres klemmene P og Q og det forsterkede signal tas fra klemmene R og S. and the capacitance causing the feedback is denoted by C^. The signal to be amplified is supplied to terminals P and Q and the amplified signal is taken from terminals R and S.

Det skal bemerkes at ved denne transistor som er vist på fig. 4, er den over basissonen liggende åpning delvis omgitt av den over emittersonen liggende åpning. Overgangene mellom sonene er på fig. 4 vist med strekede linjer og betegnet med henvisningstallene 28 og 29. Kollektortilslutningen er her utformet som et ledende sjikt It should be noted that with this transistor shown in fig. 4, the opening above the base zone is partially surrounded by the opening above the emitter zone. The transitions between the zones are in fig. 4 shown with dashed lines and denoted by the reference numbers 28 and 29. The collector connection is here designed as a conductive layer

36 på undersiden av transistoren. 36 on the underside of the transistor.

En første utførelsesform av en transistor ifølge oppfinnelsen er vist på fig. 5 og 6••Denne transistor har en kollektorsone 4l, A first embodiment of a transistor according to the invention is shown in fig. 5 and 6••This transistor has a collector zone 4l,

en basissone 42 og en emittersone 43. Sonene er på oversiden begrenset av flaten 44, på hvilken det befinner seg et isolasjonssjikt 45. Overgangen 46 og '47 mellom sonene skjærer denne flate i sluttede kurver 48 og 49 som vist med strekede linjer på fig. 6. Over emittersonen 43 er det i isolasjonssjiktet 45 anbrakt en åpning 55 hvori-gjennom et ledende sjikt 51 er brakt i kontakt med denne sone. Dette sjikt strekker seg ved siden av åpningen over isolasjonssjiktet og er der forbundet med en tilførselsleder 52. På tilsvarende måte er "det over basissonen 42 anordnet en åpning 53 gjennom hvilken et ledende sjikt 54 er brakt i kontakt med basissonen 42 og er på oversiden forsynt med en tilførselsleder 55- Ved denne transistor strekker a base zone 42 and an emitter zone 43. The zones are limited on the upper side by the surface 44, on which there is an insulating layer 45. The transition 46 and '47 between the zones intersects this surface in closed curves 48 and 49 as shown by dashed lines in fig. 6. Above the emitter zone 43, an opening 55 is placed in the insulation layer 45 through which a conductive layer 51 is brought into contact with this zone. This layer extends next to the opening above the insulation layer and is there connected to a supply conductor 52. In a similar way, an opening 53 is arranged above the base zone 42 through which a conductive layer 54 is brought into contact with the base zone 42 and is provided on the upper side with a supply conductor 55- At this transistor extends

basissonen 42 seg så langt på begge sider av emittersonen 43, at de ledende sjikt 51 og 54 ligger fullstendig over basissonen, altså innenfor en begrensning som er bestemt av linjen 48 (på fig. 6). the base zone 42 extends so far on both sides of the emitter zone 43 that the conductive layers 51 and 54 lie completely above the base zone, i.e. within a limitation determined by the line 48 (in Fig. 6).

I dette tilfelle vil gjennornslagsspenningen mellom de ledende sjikt 51 og 54 på den ene side og kollektorsonen 4l på den annen side ikke bare være bestemt av isolasjonssjiktets 45 egenskaper, men også og hovedsakelig av overgangen 46 mellom kollektor-og basissonen. In this case, the reverse breakdown voltage between the conductive layers 51 and 54 on the one hand and the collector zone 4l on the other hand will not only be determined by the properties of the insulating layer 45, but also and mainly by the transition 46 between the collector and base zone.

Ved anvendelse av transistoren i en kopling som vist.på fig. 19, opptrer det ikke en kapasitet som forårsaker tilbakekopling. I stedet for kapasiteten C opptrer blant annet kapasiteten C2 på fig. 20. Dette er kapasiteten mellom metallsjiktet 51 og basissonen 42. Videre opptrer en ytterligere basis- og kollektorkapasitet C, som er forårsaket av økningen av basissonen. Man kan altså si at kapasiteten er erstattet av kapasitetene C~ og som i mange tilfeller er meget mindre forstyrrende enn kapasiteten C^. When using the transistor in a connection as shown in fig. 19, a capacity that causes feedback does not appear. Instead of the capacity C, the capacity C2 in fig. 20. This is the capacity between the metal layer 51 and the base zone 42. Furthermore, a further base and collector capacity C appears, which is caused by the increase of the base zone. One can therefore say that the capacity has been replaced by the capacities C~ and which in many cases are much less disturbing than the capacity C^.

Tilslutning til kollektorsonen er oppnådd ved hjelp av et ledende sjikt 57 som strekker seg gjennom åpningen 56 i isolasjonssjiktet 45, og som står i kontakt med kollektorsonen, og dette ledende sjikt er forsynt med en strømtilførselsleder 58. Connection to the collector zone is achieved by means of a conductive layer 57 which extends through the opening 56 in the insulation layer 45, and which is in contact with the collector zone, and this conductive layer is provided with a current supply conductor 58.

Som eksempel på en fremstillingsmåte for en slik transistor skal vises til fig. 7-l6. En n-ledende silisiumplate 6l med en spesifikk motstand på 100 ohm cm, en diameter på 25 mm og en tykkelse på 250 y. (fig. 7) blir i to timer opphetet ved 1200°C i fuktig oksygen, forsynt med et isolasjonssjikt 62 av silisiumoksyd (fig. 8). På platen blir det på vanlig måte anordnet et antall transistorer samtidig og på samme måte. As an example of a manufacturing method for such a transistor, refer to fig. 7-16. An n-conducting silicon wafer 6l with a specific resistance of 100 ohm cm, a diameter of 25 mm and a thickness of 250 y. (fig. 7) is heated for two hours at 1200°C in moist oxygen, provided with an insulating layer 62 of silicon oxide (fig. 8). A number of transistors are arranged on the board in the usual way at the same time and in the same way.

Oversiden av platen blir dekket med et lysfølsomt, avmaskende sjikt 63 som belyses etter et bestemt mønster som representerer omrisset av den basissone som skal dannes, og etter fremkalling og delvis oppløsning dannes åpninger 64 i sjiktet 63 (fig. 9). Deretter blir platen 6l anbrakt i et etsebad som inneholder en oppløsning av 40 g.ammoniumfluorid (NH^F) i 60 ml vann, og som tilsettes konsen-trert fluorhydrogen (HP). I dette bad blir silisiumdioksydet i den grad det ikke er dekket av det avmaskende sjikt 63 oppløst (fig. 10). Deretter blir den gjenværende del av avmaskingen 63 fjernet. The upper side of the plate is covered with a light-sensitive, masking layer 63 which is illuminated according to a specific pattern that represents the outline of the base zone to be formed, and after development and partial dissolution, openings 64 are formed in the layer 63 (fig. 9). The plate 6l is then placed in an etching bath containing a solution of 40 g of ammonium fluoride (NH 2 F) in 60 ml of water, and to which is added concentrated hydrogen fluoride (HP). In this bath, the silicon dioxide is dissolved to the extent that it is not covered by the masking layer 63 (Fig. 10). Then the remaining part of the unmasking 63 is removed.

Basissonen blir dannet ved tre arbeidsoperasjoner. Først blir det ved 900°C i 30 min. i tørt oksygen pådampet et sjikt av boroksyd (P^O^). Deretter skjer en første diffusjon i fuktig oksygen i løpet av to timer ved 1200°C med etterfølgende etterdiffusjon i tørt nitrogen i løpet av 24 timer ved l280°C. Det har nå dannet seg en p-ledende basissone 65 og åpningen i sjiktet 62 er lukket igjen ved hjelp av et oksydsjikt 66 som inneholder .glassliknende bor (fig. 11). The base zone is formed by three work operations. First it is at 900°C for 30 min. in dry oxygen vaporized a layer of boron oxide (P^O^). Then a first diffusion in moist oxygen takes place during two hours at 1200°C with subsequent post-diffusion in dry nitrogen during 24 hours at 1280°C. A p-conducting base zone 65 has now formed and the opening in the layer 62 is closed again by means of an oxide layer 66 which contains glass-like boron (Fig. 11).

På tilsvarende måte som ovenfor beskrevet blir det ved hjelp av et lysfølsomt avmaskende sjikt, belysning, fremkalling og opp-løsning etset et vindu i størrelsesordenen av den emittersone som skal dannes i isolasjonssjiktet 66 (fig. 12). Platen 6l blir deretter i to timer.ved 1070 C opphetet i fosfordamp slik at det dannes en emittersone 67 som består av n-ledende silisium. In a similar manner as described above, a window is etched in the order of magnitude of the emitter zone to be formed in the insulating layer 66 (fig. 12) by means of a light-sensitive masking layer, illumination, development and resolution. The plate 6l is then heated for two hours at 1070 C in phosphorus vapor so that an emitter zone 67 is formed which consists of n-conducting silicon.

Nok en gang blir på den måte som er beskrevet ovenfor ved hjelp av et lysfølsomt avmaskende sjikt, anbrakt åpninger i isolasjonssjiktet 66, hvoretter hele overflaten av platen pådampes et aluminium-sjikt 68 (fig. 14). Sluttelig blir igjen ved fotografiske midler de uønskede deler av aluminiumsjiktet 68 fjernet, slik at de ledende sjikt 69 og 70 som danner kontakt med basissonen 65 og emittersonen 67 står igjen. På disse ledende sjikt kan det festes strømtilførsels-ledere 71 og 72 ved hjelp av varmpressing (fig. 15). Once again, in the manner described above, by means of a light-sensitive masking layer, openings are placed in the insulating layer 66, after which an aluminum layer 68 is vapor-deposited over the entire surface of the plate (fig. 14). Finally, again by photographic means the unwanted parts of the aluminum layer 68 are removed, so that the conductive layers 69 and 70 which form contact with the base zone 65 and the emitter zone 67 remain. Current supply conductors 71 and 72 can be attached to these conductive layers by means of hot pressing (fig. 15).

Den maksimale spenning mellom de ledende sjikt 69 og 70 på den ene side og kollektorsonen på den annen side bestemmes her hovedsakelig av egenskapene i overgangssjiktet 75 mellom basis- og emittersone, og kan være flere ganger den maksimale spenning som kan på-trykkes et oksydsjikt. The maximum voltage between the conductive layers 69 and 70 on the one hand and the collector zone on the other is determined here mainly by the properties of the transition layer 75 between the base and emitter zones, and can be several times the maximum voltage that can be applied to an oxide layer.

Det skal bemerkes at i foreliggende tilfelle kan åpningen over basissonen uten betenkelighet gjøres meget større slik at det med basissonen i ledende kontakt stående sjikt utelukkende kommer til å ligge i denne åpning og ikke på isolasjonssjiktet 66. Fig. 16 viser dette ledende sjikt 76. It should be noted that in the present case the opening above the base zone can be made much larger without any problem so that the layer in conductive contact with the base zone will exclusively lie in this opening and not on the insulation layer 66. Fig. 16 shows this conductive layer 76.

Kollektorsonetilslutningen kan på vanlig måte enten an-bringes ved siden av emitter- og basistilslutningen i en åpning, The collector zone connection can normally either be placed next to the emitter and base connection in an opening,

eller på undersiden av platen 61. or on the underside of plate 61.

En mere på praksis rettet utførelsesform av en transistor ifølge oppfinnelsen er vist på fig. 17- Her ligger emitteråpningen 81 mellom to basisåpninger 82. De ledende sjikt 83 og 84 står i disse åpninger i kontakt med emittersonen 85 og basissonen 86. Linjene som markerer overgangene mellom de forskjellige soner som skjærer halv-lederoverflaten, er på fig. 18 vist med strekede linjer og betegnes med henvisningstallene 87 og 88. A more practical embodiment of a transistor according to the invention is shown in fig. 17- Here the emitter opening 81 lies between two base openings 82. In these openings, the conductive layers 83 and 84 are in contact with the emitter zone 85 and the base zone 86. The lines that mark the transitions between the different zones that intersect the semiconductor surface are in fig. 18 shown with dashed lines and denoted by the reference numbers 87 and 88.

Selvsagt er anvendelsen av oppfinnelsen ikke bundet til de ovenfor beskrevne, bare - som eksempel mente konfigurasjoner. Den kan også.anvendes særlig ved interdigitaler og liknende konfigurasjoner. Of course, the application of the invention is not bound to those described above, only configurations meant as examples. It can also be used in particular with interdigitals and similar configurations.

Claims

1. Transistor consisting of a semiconductor body with a first zone, namely the collector zone, of a first conductivity type, a second zone, namely the base zone, of the opposite conductivity type, and a third zone, namely the emitter zone, of the first conductivity type, surrounded by the third zone of the second zone which is in turn surrounded by the first zone, all with the exception of a part that is determined by the body's one limiting surface, where between the zones there are transitions that intersect this surface in closed shapes, where there is a thin insulation layer on this surface which covers the intersections between the transitions and the surface, and which is provided with a conductive layer which is in contact with the emitter zone through an opening in the insulation layer and which on the sides of the opening extends over the insulation layer and there forms a contact point for connection next to the emitter zone of a current supply conductor, characterized in that the base zone extends so far next to the emitter zone, that d a contact point connected to the emitter zone in its entirety is located above the base zone.

2. Transistor according to claim 1, characterized by a further conductive layer which in a known manner through an opening in the insulation layer is in contact with the base zone and a contact point located entirely above the base zone for connection of a further power supply conductor.