CH313254A - Einrichtung zum Verstärken von Frequenzen von 30 bis 1000 MHz - Google Patents
Einrichtung zum Verstärken von Frequenzen von 30 bis 1000 MHzInfo
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Description
Einrichtung zum Verstärken von Frequenzen von 30 bis 1000 MHz
EMI0001.0001
:Die <SEP> Erfindung <SEP> bezieht <SEP> sich <SEP> auf <SEP> eine <SEP> Ein richtung <SEP> zum <SEP> Verstärken <SEP> von <SEP> Frequenzen <SEP> von
<tb> 30 <SEP> bis <SEP> 1000 <SEP> MHz <SEP> mittels <SEP> einer <SEP> Röhre <SEP> mit
<tb> zwei <SEP> Systemen, <SEP> von <SEP> denen <SEP> d <SEP> as <SEP> eine <SEP> System <SEP> in
<tb> Kathod-enbasisschaltung <SEP> und <SEP> das <SEP> andere <SEP> in
<tb> Gitterbasissehaltung <SEP> arbeitet.
<tb> 1:
s <SEP> ist. <SEP> bekannt, <SEP> d@ass <SEP> bei <SEP> einer <SEP> Einrichtung
<tb> ztir <SEP> Verstärkung <SEP> hoher <SEP> und <SEP> sehr <SEP> hoher <SEP> Fre quenzen, <SEP> insbesondere <SEP> bei <SEP> Fernsehempfän gern, <SEP> die <SEP> Anwendung <SEP> einer <SEP> Schaltung <SEP> mit
<tb> zwei <SEP> Triodensystemen <SEP> vorteilhaft <SEP> ist, <SEP> wobei
<tb> von <SEP> dem <SEP> ersten <SEP> System <SEP> die <SEP> Kathode, <SEP> von <SEP> dein
<tb> zweiten <SEP> das <SEP> Gitter <SEP> als <SEP> Basis <SEP> dient.. <SEP> Eine <SEP> solche
<tb> >#cltaltung <SEP> isst <SEP> unter <SEP> anderem <SEP> als <SEP> Caseo!de @ehaltung <SEP> bekannt, <SEP> Die <SEP> beiden. <SEP> Elektroden szteme <SEP> werden <SEP> dabei <SEP> vorzugsweise <SEP> in <SEP> einem
<tb> einzigen <SEP> Kolben <SEP> untergebracht.
<SEP> Es <SEP> ist <SEP> dabei
<tb> besonders <SEP> erwünscht, <SEP> die <SEP> Eingangsdämpfung,
<tb> die <SEP> Eingangskapazitätsänderung <SEP> und <SEP> die <SEP> In (luktivität <SEP> der <SEP> Leitungen <SEP> möglichst <SEP> gering <SEP> zti
<tb> halten. <SEP> Dies <SEP> wird <SEP> in <SEP> hohem <SEP> Masse <SEP> dadurch
<tb> erreicht, <SEP> sass <SEP> bei <SEP> einer <SEP> Einrichtung <SEP> zur <SEP> Ver atärhun <SEP> , <SEP> hoher <SEP> Frequenzen <SEP> <B>(30</B> <SEP> bis <SEP> 10001'1-111z),
<tb> die <SEP> mit <SEP> einer <SEP> elektrischen <SEP> Entladungsröhre
<tb> mit <SEP> zwei <SEP> Elektrodensystemen <SEP> versehen <SEP> ist, <SEP> von
<tb> denen <SEP> das <SEP> erste <SEP> System <SEP> in <SEP> Kathod-enba#,sis-,
<tb> (lass <SEP> zweite <SEP> in <SEP> Gitterbasisschaltung <SEP> wirksam
<tb> isst, <SEP> gemäss <SEP> :
der <SEP> Erfindung <SEP> der <SEP> Verstärkungs falztor <SEP> der <SEP> beiden <SEP> Systeme <SEP> kleiner <SEP> als <SEP> 40 <SEP> ist
<tb> und' <SEP> die <SEP> Kathoden <SEP> eine <SEP> Oberfläche <SEP> weniger
<tb> als <SEP> 1:r <SEP> 111m <SEP> und <SEP> einen <SEP> Ruhestrom <SEP> <I>lle</I> <SEP> mehr als 10 % des .Sättigungsstromes Is aufweisen,
wobei die Kathode des ersten Systems un mittelbar an einen Met.a#llschirm angeschlossen ist, der mit einem zweiten, unmittelbar mit ,
dem ersten Gitter des zweiten Systems ver bundenen Schirm einen Kondensator bildet. Die erste Kathode wird mit dem ersten Schirm zweckmässig durch einen oder mehrere Leiter verbunden, die eine Länge von weniger als 3 mm haben;
ausserdem können diese Ka thode und dieser Schirm je für sich .mit: einem gesonderten Kontaktstift der Röhre verbun den sein, wobei die Lage dieser .Stifte und die Länge der Verbindungpleitungen derart sind, sass die gegenseitige Induktivität der beiden Zuführungsleiter weniger als 3 X 1.0-9H be trägt.
Ein solches System mit getrennten, Katho denleitungen hat. eine niedrige Eingangsimpeh dann, sofern dafür gesorgt. wird; @dass der Anodenstrom in Iden Eingangskreis keinen Strom induziert. Beider Caseode -Schaltung fliesst der Anodenstrom des ersten Systems durch das Gitter des zweiten Systems zurück.
Da die beiden Schirme selbst, einen Kon densator bilden, ist die Impedanz des mit dem zweiten Schirm verbundenen, Gitters des zweiten Systems gegen die geerdete Kathode des ersten Systems klein. Man erhält also eine niedrige Eingangsdämpfung und, eine gute Abschirmung. Die CTitterlialtestäbe des zweiten Systems können unmittelbar an dein zugehörigen Sehfirm befestigt sein,
wobei auch die andern Enden der C'Etterhaltestäbe zwecks weiterer Verringerung der erwähnten Impedanz mit dem Schirm verbunden sein können.
Bei Verwendung einer Einriehtung nach der Erfindung lassen sich indem ei-#vä.lint,en Frequenzbereich vorzügliche Resultate erzie len, ohne dass es notwendig ist, die teuren Röhren. mit eingescliniolzenen Scheiben zu verwenden.
In der beiliegenden Zeichnung ist. ein Aus- führuungsbeisp.iel des Erfindungsgegenstandes dargestellt, und zwar zeigt Fig. 1 die Schaltung ( Ca3code -Sehal- tung) der Einriehtiing, Fig. \? eine in der Seha-ltu@ng verwendete Röhre, Fig. 3 einen Schnitt durch die Elektro- densysteme der Röhre,
Fig. 4 die Anschlüsse der Elektroden mit. den Kontaktstiften der Röhre, F!-. 5 ein abgeändertes Schaltbild und Fig. 6 eine abgeänderte Verbindung der Röhrenstifte mit den verschiedenen Elektroden.
Damit die Sehaltu,ng nach Fig. 1. eine möglichst gute Wirkung hat, müssen die nach folgenden Anforderungen erfüllt. werden.
Das erste Elektrodensystem. muss eine ge ringe Eingangsdämpfung haben. Dadurch e:r- gibt sieh eine mute Verstärkung, wobei ausser dem der Abschluss des Antennensystems auch bei Regehtng der Venst'ärhung s;ieli nur wenig ändert.
Daher muss die Kathodenselbst induktion niedrig und die Elektronenlaufzeit gering gehalten werden. Diese Anforderungen können mittels geringer Kathoden-Gitterkapa- zität. -Lind kurzer Kathodenzuführungsleiter erfüllt werden. Ausserdem müssen bei einer Triode die Abstände zwischen Katliode, Cutter und Anode möglichst klein sein.
In der Praxis erweist sieh die Anwendung eines Trioden svstems in diesem Falle als erforderlich, um einen hohen Rauschwert zu vermeiden.
Die Steilheit soll. hoch sein. Da jedoch die Abmessungen der Elektroden klein sein müssen, um die Kapazitäten. zu verringern, muss clie Steilheit. in diesem Falle durch die Anwendung einer grossen Stromdichte erzielt werden.
Der von der Kathode zu liefernde Ruhest.roni muss denn aueli ein bedeutend grösserer Teil des Sättigungsstroiues sein, als dies bei üblichen 0--.:ydkathoden möglich isst. Die Anwendung einer speziellen Kathode ist sornit erforderlich.
Die Anwendung einer grossen Stromdichte bringt mit sieb, dass das wirksame, sta.ti.sehe Potential in der S,tenergitterfläehe hoch sein muss. Dies ergibt dein Vorteil, dass die Lauf zeit und somit das Rausehen gering werden. Zum Erzielen des hohen Potentials in der Steuergitterfläche ist. es bei Anwen- duns-, üblicher Anodenspannungen erforder lich, ,den statischen Verstärkungsfaktor ver hältnismässig niedrig (weniger als 40) zu wählen.
Die Antenne muss reflexionsfrei abge schlossen sein, und zwar auch beim Regeln der Verstärkung. Dies wird am besten da durch erreicht, dass das erste System in Ka- thodenbasisschaltung betrieben wird.
Es ist. weiter erwünscht, eine gute Ab- sehirm#ung vorzusehen, um Rüekwirkiingen möglichst zu verringern, da eine solche Rüek- wirkeng die Einstellung erschwert. Ausser dem sollen die Schwingungen des Ortsoszilla- tors nicht auf die Antenne gelangen.
Hierzu wird zweckmässig das zweite System in Gitter- basisschaltung bet.riebeii.
Alle diese Anforderungen werden in lio- hein Masse in einer Röhre nach Fig. 2 finit zwei im wesentlichen identischen Triodensyste- men erfüllt, die voneinander durch Schirme getrennt sind, :die miteinander den Verbin- dungskondensator C (Fig. 1) von z.
B. 100 bis 200 pF bilden, wobei die Impedanzen der Kathodenzuführungrsleitungen des ersten Sy- stems und des Critters (der Basis) des zweiten S <B>'</B> ys t eins äussert :gering gehalten sind.
Bei der in Fig. 1 dargestellten Schaltun sind beide Systeme gleichstrommässig in Reihe geschaltet, wodurch eine gleichmässigeVerstär- kungsregelung ermöglicht wird. Die Systeme können jedoch auch parallel gespeist werden.
In Pi-. 2 bezeichnet.<B>1</B> der Röhrenboden, in dem neun Zuführungssi.ifte 2 in einem für zehn Stifte geteilten Kreis eingeschmolzen sind.
Die Kathode 3 des ersten Systems ist durch kurze Leiter (kürzer als 3 mm) mit. den Schirmen 7 und 9 verbunden, die unterein- ler über einen Schirm 8 verbunden sind. <B>,</B> aik -Ausserdem liegt- die Kathode 3 noch an einem .gesonderten Stift k1_, und über den Schirm 7 < rieh an einem Stift k1, 2.
Die Impedanzen der Kathodenzuführungsl-eiter gehören also verschiedenen Kreisen an, wie, bereits aus Fig. 1 ersichtlieh ist. Die gegenseitige Induk tion -dieser Kathodenleitungen muss vorzugs weise kleiner als 3 X 10-9 H sein. Möglichst dicht über der Kathode 3 ist das Steuergitter angebracht..
Der Abstand wird durch me- chanisehe Möglichkeiten und den Preis be- dingt und beträgt meist, 100 Mikron oder we niger, während der Abstand zwischen Gitter und Anode 300 Mikron oder weniger ist.
Da das Anbringen eines Gitters in einem geringen Abstand von einer andern Elektrode technich leichter ist. als das ähnliche Anbrin gen einer plattenförmigen Anode, wird über dem Gitter 4 ein zweites Gitter 5 angebracht, (las jedoch unmittelbar mit der Anode 6 ver bunden ist,
wie aus den Fig. 3y und 3'' ersieht- lieb.. In diesem Falle kann der Abstand zwi- sehen dem ersten und dem zweiten Gitter mit. 150 biss 250 Mikron ausgeführt werden.
Der Schirm 9 ist. meist bereits in der Röhre vorhanden, uni den Gitterraum abzu schirmen. In diesem Falle wird dieser und der Sehirin 8 dazu benutzt, um mit den Schir men 10 -Lid 11 den Kondensator C zu bilden.
Diese Schirmpaare sind durch Glimmer- platten 1.? und 13 voneinander getrennt. Die F.lektrodens)7steme :
sind auf die, übliche Weise mittels CTli.mmerzentri'erorganen in der Röhre zentriert und befestigt. Wie aus Fig. 4 er sichtlich, sind die Systeme entsprechend der Lage der Stifte im Kolben gegeneinander ver- (Ireht. angeordnet.
Die Anoden 6 und 17 be stehen je auss zwei schmalen Platten, die par all-el zur Kathode angeordnet und durch kurze Zungen an den eingeschmolzenen Stiften a1 bzw. rrw befestigt sind. Dies fördert. ausserdem die Kühlung der Anoden. Jede Anodenplatte muss vorzugsweise eine kleinere Oberfläche haben als die aktive Oberfläche der zugehöri gen Kathode.
Bei dem zweiten System ist die Kathode 14 mit einem Zuführungsleiter 7c2 verbunden, und das Gitter 1.5 wird auf der obern Seite vomSchirmlOabgestützt. DieHa-ltestäbedieses Gittm sind unmittelbar mit. dem Schirm 10 verbunden.
Der Schirm 18 ist mit den untern Enden der Haltestäbe dieses Gitters 15 und auch mit dem Durchführungsstift g2 verbun den. Auch in diesem Fall ist. die Selbstinduk tion der Zuführungsleiter äusserst. gering ge halten.
Der Schirm 19 wird vorzugsweise senkrecht zur Fläche .der Haltestäbe des zwei ten Systems angeordnet, wodurch die Anoden- zuführungsleitung sehr kurz sein kann und vollkommen von der Kathodenzuführung ge trennt gehalten wird.
Bei der Wahl des Anschlusses der ver schiedenen Kontaktstifte muss gleichfalls. die notwendige Sorgfalt beachtet. werden. Da. vor- zugsweise die Heizstromstifte aus fa'brikato- rischen Gründen nebeneinander angeordnet werden, kann die Anordnung gemäss Fig. 4 getroffen sein.
Es muss jedenfalls dafür ge sorgt werden, dass die Stifte ki_1 und k1_2 wenigstens so weit von einander entfernt sind, dass dieser Abstand zwei Teilungen des Stift kreises umfasst. Dies trifft auch für a2 und g1 zu, wobei k2 und a2 auf verschiedenen Seiten des Schirmes 11 liegen müssen. Die Schirme können auf einfache Weise ausserhal!b@ der Röhre fortgesetzt werden.
Eine andere Schaltung und Anordnung ist. in den Fig.,5 und 6 dargestellt. Bei Fig. 5 ist die Anode des ersten Systems unmittelbar mit der Kathode. des zweiten Systems verbunden. Ge- gebenenfalls kann in @dnese Verbindung noch eine Induktivität gelegt. werden, um den Ein flüss der Gitter-Kathodenkapazität des zwei ten Systems z. B. fürs die höchsten Frequenzen auszugleichen, bei denen die Schaltung ver wendet. wird.
Diese Verbindhmg kann voll ständig innerhalb der Röhre ]legen, und ebenso auch der Widerstand zwischen der Ka thode und dem Gitter d<B>m</B> zweiten Systems. Die IIeizfäden der beiden Kathoden können dabei mit geso-nd@erten Kontaktstiften verbun- den sein,
was mit Ptüeksiclit auf die Ent- koppelting der Heizfadenleitungen vorteilhaft i,st. Der Ansehluss der Elektroden an die Stifte kann z. B. wie in Fig. 6 angegeben durchgeführt sein.
Die Sehirme können auelr -noch auf andere Weise ausgestaltet werden.
Claims (1)
- PATENTANSPR.L: CFI Einrichtung zur Verstärkun-- von Fre- quenzen von 30 bis 1000 lvIHz mittels einer Röhre mit zwei E ektrodensystsinen, von de nen das erste in Kathodenbasis-, das zweite in CTitterbasissehaltung arbeitet, dadurch gekenn zeichnet,d.ass der Verstärkungsfaktor jedes Systems kleiner als 40 ist und die Kathoden einen Ruhestrom grösser als 101/0 des Sätt.i- ..2-tings tronies und eine Oberfläche kleiner als 15 rnm2 haben, wobei die Kathode dies erst-en Sj-;stems in der Röhre unmittelbar mit einem Metallschirm verbunden ist, der mit einem zweiten, unmittelbar mit dem Steuer-i.tter des zweiten Systems verbundenen Sehirin einen Kondensator bildet.EMI0004.0042 L'NTERAN <SEP> SPRÜCHE <tb> 1. <SEP> Einriehtung <SEP> naeli <SEP> Pa.tentanspriteh, <SEP> da durch <SEP> ;gekennzeichnet, <SEP> dass <SEP> die <SEP> Katlicde <SEP> und <tb> c1'er <SEP> Sehirin <SEP> des <SEP> ersten <SEP> Systems <SEP> der <SEP> elektri sehen <SEP> Entladungsröhre <SEP> Je <SEP> für <SEP> sieh <SEP> mit <SEP> geaon derten <SEP> Leitern <SEP> derart <SEP> mit <SEP> Kontaktstiften <SEP> der <tb> Röhre <SEP> verbunden <SEP> sind, <SEP> dass <SEP> die <SEP> gegenseitige <tb> Induktivität <SEP> weniger <SEP> als <SEP> 3 <SEP> X <SEP> 10-9 <SEP> Henry <SEP> be trä <SEP> e. <tb> ?.<SEP> Einrichtung- <SEP> nach <SEP> Uateranspmich <SEP> 1, <SEP> da durch <SEP> gekennzeichnet, <SEP> dass <SEP> die <SEP> Kathode <SEP> des <tb> ersten <SEP> Systems <SEP> an <SEP> jedem <SEP> Ende <SEP> .durch <SEP> gerson clerten <SEP> Leiter <SEP> mit <SEP> dem <SEP> Schirm <SEP> und <SEP> ausserdem <tb> durch <SEP> einen <SEP> unabhän--igen <SEP> Leiter <SEP> mit <SEP> einem <tb> gesonderten <SEP> Kontaktstift <SEP> der <SEP> Röhre <SEP> verbun den <SEP> ist. <tb> 3. <SEP> Einrichtung <SEP> nach <SEP> L'nteranspriieh <SEP> , <tb> #ekennzeielinet, <SEP> dass <SEP> die <SEP> Oberfläche <SEP> je der <SEP> Anodenhälfte <SEP> jedes <SEP> Systems <SEP> kleiner <SEP> ist <SEP> als <tb> die <SEP> ganze <SEP> wirksame <SEP> Oberfläche <SEP> der <SEP> zugehöri gen <SEP> Kathode. <tb> 4. <SEP> Einrichtung <SEP> nach <SEP> Unteranspruch <SEP> 3.<SEP> da- durch gekennzeichnet dass die Anoden aus schnnalen Platten bestehen, =die nahezu;parallel zu den Kathoden angeordnet und mit kurzen Zungen an entpreehend verlängerten Zufüh- rungstiften befestigt sind. 5.Einrichtung nach LTnteransprucli d, da durch gekennzeichnet, dass der Abstand zwi- sehen dem Steuergitter und der p.latten- förrni-en Anode höehstens 300 liikron ist. 6.E-inriehtizn- naeli Unteransprueli. <B>5</B>, da- durclr gekennzeichnet, dass zwi:selien Steuer gitter und Anode ein zweites iunmittelba.r mit der za-ehöri;ren Anode verbundenes. Gitter vo:rges-ehen ist.7. Einrichtung,- nach 1Tnteransprueli 6, da durch gekennzeielinet, d.ass der Abstand zwi schen ;dem ersten und dem zweiten Gitter 150 bis \?50 Mikron beträ;t. B. Ein.riehtung riaelr Unteransprueli 7, da durch gekennzeiehnet, dass die Haltestäbe des Gitters des zweiten Systems unmittelbar mit dem diesem System zugehörigen Schirm ver bunden sind.9. Einriehtung nach I'nteranspi-Lich S, da- dureh gekennzeiehnet, dass die Anode des ersten Systems und dne Kathode des zweiten Systems in der Röhre elektrisch miteinander, nietet aber mit. einem Kontaktstift verbunden sind.10. Einrieht.ung naeh Unteranspriieh 9, de ren Röhre einen Bodenteil, in dem neun Stifte auf einem für zehn Stifte geteilten Kreise eingeschmolzen sind, aufweist, gekennzeiehnet durch eine derartige Verbindung der Elektro den mit .den verschiedenen Stiften, dass der e\renseitige Abstand zwischen den mit der Kathode des ersten Si-stem;s verbundenen Stiften (k1_1 und ki_f!) und auch z #ischen den mit der Anode des zweiten und. dem,-,teuer- vitter .des ersten Systems verbundenen Stiften (a. und g1) mindestens, zwei Teilungen des Stiftkreises umfasst,wobei die mit der Ka thode und der Anode des zweiten Systems ver bundenen Stifte (k.. Lind n.,) auf verschiede nen Seiten des Bodenschirms (19) des zweiten Systems liegen.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL313254X | 1952-05-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH313254A true CH313254A (de) | 1956-03-31 |
Family
ID=19783706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH313254D CH313254A (de) | 1952-05-14 | 1953-05-12 | Einrichtung zum Verstärken von Frequenzen von 30 bis 1000 MHz |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH313254A (de) |
-
1953
- 1953-05-12 CH CH313254D patent/CH313254A/de unknown
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