BRPI0716387A2

BRPI0716387A2 - método de deposição de vapor quìmico para depositar um revestimento de óxido de zinco sobre um substrato

Info

Publication number: BRPI0716387A2
Application number: BRPI0716387-8A
Authority: BR
Inventors: Michael B Abrams; Roman Y Korotkov; Gary S Silverman; Ryan Smith; Jeffrey L Stricker
Original assignee: Pilkington Group Ltd E Arkema Inc
Priority date: 2006-08-29
Filing date: 2007-05-03
Publication date: 2013-01-01
Also published as: AU2007290844A1; WO2008027087A1; KR101383946B1; US7732013B2; AU2007290844B2; EP2059627B1; RU2447031C2; JP6039402B2; CN101553601A; MX2009002181A; KR20090061635A; RU2009111377A; JP2013053066A; JP2010502832A; MY147893A; US20080057200A1; EP2059627A1; CN101553601B

Abstract

MéTODO DE DEPOSIçãO DE VAPOR QUìMICO PARA DEPOSITAR UM REVESTIMENTO DE OXIDO DE ZINCO SOBRE UM SUBSTRATO A invenção aqui descrita e reivindicada se refere a um processo de deposição de vapor químico, para depositar um revestimento de óxido de zinco sobre um substrato, através do fornecimento de duas correntes de precursores gasosos a uma superfície do substrato, e misturação das correntes de precursores gasosos na superfície do substrato por um tempo curto o suficiente, a fim de formar um revestimento de óxido de zinco a uma taxa de deposiçã superior a 5 nm/s.

Description

MÉTODO DE DEPOSIÇÃO DE VAPOR QUÍMICO PARA DEPOSITAR UM REVESTIMENTO DE ÓXIDO DE ZINCO SOBRE UM SUBSTRATO

Antecedentes da Invenção

A presente invenção se refere a um método para depositar um revestimento de óxido de zinco sobre um substrato transparente; de modo particular, ela se refere a um método de deposição de vapor químico, para depositar um revestimento de óxido de zinco sobre um substrato de vidro.

A deposição dos revestimentos de óxido metálico reagidos com H2O tem sido descrito na literatura de patentes. Por exemplo:

a Patente norte americana U.S. N0 4.751.149 descreve um processo de deposição de vapor químico (CVD) para depositar películas de óxido de zinco tendo certas propriedades, que as tornam úteis em aplicações fotocondutoras, tais como em células solares e outros dispositivos fotovoltaicos. 0 processo de deposição inclui a introdução de um composto organozinco, um oxidante e um gás condutor inerte em uma câmara contendo um substrato aquecido a uma temperatura na faixa de cerca de 60° C a 350° C. As películas de óxido de zinco resultante são ditas, como tendo uma resistividade na faixa de cerca de IO"4 a IO"2 ohm centímetro. Tais películas contêm hidrogênio e podem ser fabricadas contendo um elemento do Grupo III, pela introdução de compostos voláteis do Grupo III na câmara, juntamente com o composto organozinco e o oxidante.

A Patente norte americana U.S. N0 5.698.262 descreve um método para preparar revestimentos de óxido de estanho dopado utilizando uma mistura vaporizada uniforme de reagente contendo um composto organoestanho, ácido fluoridrico, água e oxigênio, e aplicação da mistura de reagente a uma superfície de uma tira de vidro aguecido, onde os compostos acima citados reagem para formar o revestimento de óxido de estanho dopado com flúor. Os revestimentos de óxido de estanho dopado com flúor, depositados de acordo com a invenção, exibem menos resistência foliar e elevada uniformidade na resistência foliar sobre a superfície revestida do substrato de vidro. Seria desejável a produção de películas de óxido de

zinco em altas taxas de deposição, por deposição de vapor químico sob pressão atmosférica durante o processo de fabricação do vidro float, utilizando materiais precursores relativamente baratos.

Sumário da Invenção

A presente invenção apresenta um método de deposição de vapor químico sob pressão atmosférica para depositar um revestimento de óxido de zinco sobre um substrato de vidro aquecido, compreendendo primeira e segunda correntes de gás precursor, as correntes de gás compreendendo respectivamente um composto contendo zinco e água. As primeira e segunda correntes de gás são misturadas de maneira controlável e são colocadas em contato com a superfície do substrato de vidro aquecido, cuja superfície está a uma temperatura suficiente para ativar uma reação entre os composto contendo zinco e a água. 0 tempo de misturação das primeira e segunda correntes de gás precursor é controlado para ser curto o suficiente, a fim de que um revestimento de óxido de zinco seja formado sobre a superfície de vidro a uma taxa de deposição superior a 5 nm/s.

Descrição Detalhada da Invenção Embora métodos de deposição e revestimentos de óxido de zinco sejam conhecidos, métodos econômicos para preparar revestimentos de óxido de zinco pirolítico em taxas de crescimento comercialmente viáveis, durante o processo de produção do vidro em uma linha de produção de vidro fIoatr não eram anteriormente conhecidos. A presente invenção supera os obstáculos anteriores para preparar tais películas de óxido de zinco em taxas comercialmente viáveis de crescimento.

Embora qualquer método adequado de deposição de vapor químico sob pressão atmosférica possa ser utilizado em conjunto com a presente invenção, o método de deposição divulgado na Patente norte americana U.S. N0 6.268.019 da Atofina Chemicals, Inc. é preferido. A Patente '019 é aqui incorporada na sua integridade para fins de referência. O método da Patente λ019 foi mostrado, como sendo capaz de depositar películas de óxido metálico de várias espécies, em taxas de crescimento comercialmente úteis, p. ex., a mais de 5 nm/s. 0 método de deposição da Patente '019 também possui a vantagem de ser capaz de variar o tempo de misturação dos materiais reagentes, que por sua vez permite a sintonia das propriedades, nesse caso, dos revestimentos de óxido de zinco. De modo particular, a presente invenção demonstra os benefícios de utilizar água para elevar as taxas de crescimento das películas de óxido de zinco, cujos benefícios serão aqui discutidos em mais detalhes.

Tais produtos de vidro revestidos com óxido de zinco são úteis como camadas de baixa emissividade e/ou controle solar em aplicações de janelas arquitetônicas. Outras aplicações em potencial desse óxido condutivo transparente incluem: dispositivos fotovoltaicos, iluminação em estado sólido (LEDs e OLEDs) , aquecimento por indução, mostradores de painel plano e telas com painel de toque, e transistores de película fina transparente (TFT) que possuem aplicações em circuitos integrados e etiquetas RFID.

Compostos contendo zinco adequados incluem, mas não são limitados a, compostos satisfazendo a fórmula geral R1R2Zn ou R1R2Zn-[R3R4N (CHR5) n (CH2)m(CHRe) nNR7R8] , onde R1"8 podem ser grupos alquila ou arila iguais ou diferentes, tais como metila, etila, isopropila, n-propila, n-butila, sec-butila, fenila ou fenila substituída, e podem incluir um ou mais substituintes contendo flúor, R5 e R6 podem ser grupos H ou alquila ou arila, η pode ser O ou 1, em pode ser 1-6, se η for O, e m pode ser 0-6, se η for 1.

Compostos contendo oxigênio adequados incluem, mas

não são limitados a: acetatos orgânicos, alcoóis, oxigênio molecular, e água (H2O) , com H2O ou alcoóis contendo quantidades controladas de água sendo preferidos.

Um gás condutor inerte, tal como nitrogênio, hélio ou semelhante, pode ser também utilizado como um componente da corrente de reagente gasoso da presente invenção.

Temperaturas verificadas como adequadas para permitir a ocorrência das reações químicas desejadas são iguais ou superiores a 400° C, de modo particular, de 500° Ca 700° C.

Tempos de misturação adequados para as correntes de precursores químicos da invenção foram verificados serem inferiores a 1 segundo, de preferência, inferiores a 0,5 s, e mais preferivelmente na faixa de 70 - 100 ms. Substratos de vidro adequados são preparados, de

preferência, pelo processo bastante conhecido de vidro float, conforme descrito, p. ex. , nas Patentes norte americanas U.S. N0 3.356.474, 3.433.612, 3.531.274 e 3.790.361, cada qual sendo aqui incorporada na sua integridade para fins de referência. β Exemplos

Os exemplos não limitadores a seguir ilustram certos aspectos da presente invenção.

0 aparelho APCVD usado nesses experimentos é similar àquele descrito na Patente U.S. N0 6268019 Bi. Um aspecto básico do aparelho é a capacidade para controlar o tempo de misturação dos reagentes gasosos, pela alimentação dos vapores em separado ao bico de revestimento. No Exemplo Comparativo 1 e no Exemplo 1 abaixo, o bico de revestimento era constituído de tubos concêntricos: um tubo secundário de 1/4" conduzido para dentro de um tubo primário de 5/8" através de fixação por compressão, que permite o ajuste do comprimento da zona de misturação, e um tubo externo de ~ 1" conectado a um soprador de exaustão para remoção de subprodutos e de vapores não reagidos. As películas resultantes dessa configuração de bico eram circulares, com diâmetro de cerca de 3/4". No Exemplo Comparativo 2 e nos Exemplos 2-7 abaixo, o bico de revestimento era constituído de tubos concêntricos: um tubo secundário de 1/4" conduzido para dentro de um tubo primário de 3/4" através de fixação por compressão, que permite o ajuste do comprimento da zona de misturação, e um tubo externo de ~ 1,25" conectado a um soprador de exaustão para remoção de subprodutos e de vapores não reagidos. As películas resultantes dessa configuração de bico eram circulares, com diâmetro de cerca de 7/8". Exemplo Comparativo 1

Uma mistura gasosa de 0,34% em moles de Et2Zn^TEEDA [TEEDA = Ν,Ν,Ν',N'-tetraetil etilenodiamina], em 7,5 slpm do gás condutor de nitrogênio, foi alimentada para dentro do tubo de alimentação primária a uma temperatura de 170° C. No tubo de alimentação secundária, uma mistura gasosa de 0,60% em moles de O2 de pureza ultra alta em 5 slpm de nitrogênio foi alimentada a uma temperatura de 170° C. o bico secundário foi inserido para permitir um comprimento da zona de misturação de 23 cm, correspondendo a um tempo de misturação de ~ 114 ms entre as correntes de alimentação primária e secundária. 0 substrato usado para a deposição foi vidro float de silicato de cal sodada com uma espessura de 2,5 mm. 0 substrato foi aquecido sobre um bloco de níquel resistivamente aquecido, regulado a 675° C. A temperatura do substrato foi registrada, como sendo de 650° C por um pirômetro infravermelho. 0 tempo de deposição para as películas foi de 500 s, e a película de ZnO resultante possuía uma espessura de 297 nm para uma taxa de deposição de 0,6 nm/s. A turbidez para essas películas foi, em média, de 0,84 %, conforme medida pelo medidor de turbidez BYK HazeGuard Plus.

Exemplo 1

Uma mistura gasosa de 0,096% em moles de Et2Zn*TEEDA, em 12 slpm do gás condutor de nitrogênio, foi alimentada para dentro do tubo de alimentação primária a uma temperatura de 160° C. No tubo de alimentação secundária, uma mistura gasosa de 6,92% em moles de água, em 3 slpm de nitrogênio, foi alimentada a uma temperatura de 160° C. 0 bico secundário foi inserido para permitir um comprimento para a zona de misturação de 18 cm, correspondendo a um tempo de misturação de -76 ms entre as correntes de alimentação primária e secundária. 0 substrato usado para a deposição foi vidro float de borossilicato com uma espessura de 1,1 mm. 0 substrato foi aquecido sobre um bloco de níquel resistivamente aquecido, regulado a 675° C. Δ temperatura do substrato foi registrada, como sendo de 650° C por um pirômetro infravermelho. 0 tempo de deposição para as películas foi de 60 s, e as películas de ZnO resultantes tinham uma espessura de 531 nm, para uma taxa de deposição de 8,8 nm/s. A turbidez para essas películas era, em média, de 2,65 %, conforme medida por um medidor de turbidez BYK HazeGuard Plus.

Exemplo 2

Uma mistura gasosa de 1,04% em moles de

Et2Zn*TEEDA, em 15 slpm do gás condutor de nitrogênio, foi alimentada para dentro do tubo de alimentação primária a uma temperatura de 170° C. No tubo de alimentação secundária, uma mistura gasosa de 8,30% em moles de água, em 5 slpm de nitrogênio, foi alimentada a uma temperatura de 170° C. O bico secundário foi inserido para permitir um comprimento para a zona de misturação de 81 cm, correspondendo a um tempo de misturação de ~71 ms entre as correntes de alimentação primária e secundária. O substrato usado para a deposição foi vidro float de borossilicato com uma espessura de 1,1 mm. O substrato foi aquecido sobre um bloco de níquel resistivamente aquecido, regulado a 675° C. A temperatura do substrato foi registrada como sendo de 650° C por um pirômetro infravermelho. O tempo de deposição para as películas foi de 3 s, e as películas de ZnO resultantes tinham uma espessura de 287 nm, para uma taxa de deposição de 95,7 nm/s. A turbidez para essas películas era, em média, de 4,0 %, conforme medida por um medidor de turbidez BYK HazeGuard Plus.

Exemplo Comparativo 2

Uma mistura gasosa de 0,96% em moles de Et2Zn*TEEDA, em 12 slpm do gás condutor de nitrogênio, foi alimentada para dentro do tubo de alimentação primária a uma temperatura de 160° C. No tubo de alimentação secundária, uma mistura gasosa de 3,46% em moles de água, em 3 slpm de nitrogênio, foi alimentada a uma temperatura de 160° C. 0 bico secundário foi inserido para permitir um comprimento para a zona de misturação de 18 cm, correspondendo a um tempo de misturação de -400 ms entre as correntes de alimentação primária e secundária. 0 substrato usado para a deposição foi vidro float de borossilicato com uma espessura de 1,1 mm. O substrato foi aquecido sobre um bloco de níquel resistivamente aquecido, regulado a 675° C. A temperatura do substrato foi registrada como sendo de 650° C por um pirômetro infravermelho. O tempo de deposição para as películas foi de 60 s, e nenhuma película foi depositada sobre o substrato sob essas condições.

Exemplo 3

Uma mistura gasosa de 0,29% em moles de Et2Zn*TEEDA, em 12 slpm do gás condutor de nitrogênio, foi alimentada para dentro do tubo de alimentação primária a uma temperatura de 160° C. No tubo de alimentação secundária, uma mistura gasosa de 0,58% em moles de água, em 3 slpm de nitrogênio, foi alimentada a uma temperatura de 160° C. 0 bico secundário foi inserido para permitir um comprimento para a zona de misturação de 18 cm, correspondendo a um tempo de misturação de -76 ms entre as correntes de alimentação primária e secundária. O substrato usado para a deposição foi vidro float de borossilicato com uma espessura de 1,1 mm. 0 substrato foi aquecido sobre um bloco de níquel resistivamente aquecido, regulado a 525° C. A temperatura do substrato foi registrada, como sendo de 500° C por um pirômetro infravermelho. O tempo de deposição para as películas foi de 20 s, e a espessura da película foi de 467 nm, para uma taxa de deposição de 23,4 nm/s. Exemplo 4

Uma mistura gasosa de 0,29% em moles de Et2Zn*TEEDA, em 12 slpm do gás condutor de nitrogênio, foi alimentada para dentro do tubo de alimentação primária a uma temperatura de 160° C. No tubo de alimentação secundária, uma mistura gasosa de 1,16% em moles de água, em 3 slpm de nitrogênio, foi alimentada a uma temperatura de 160° C. 0 bico secundário foi inserido para permitir um comprimento para a zona de misturação de 18 cm, correspondendo a um tempo de misturação de -76 ms entre as correntes de alimentação primária e secundária. 0 substrato usado para a deposição foi vidro float de borossilicato com uma espessura de 1,1 mm. O substrato foi aquecido sobre um bloco de níquel resistivamente aquecido, regulado a 525° C. A temperatura do substrato foi registrada, como sendo de 500° C por um pirômetro infravermelho. 0 tempo de deposição para as películas foi de 20 s, e a espessura da película foi de 502 nm, para uma taxa de deposição de 25,1 nm/s.

Exemplo 5

Uma mistura gasosa de 0,29% em moles de

Et2Zn*TEEDA, em 12 slpm do gás condutor de nitrogênio, foi alimentada para dentro do tubo de alimentação primária a uma temperatura de 160° C. No tubo de alimentação secundária, uma mistura gasosa de 4,65% em moles de água, em 3 slpm de nitrogênio, foi alimentada a uma temperatura de 160° C. O bico secundário foi inserido para permitir um comprimento para a zona de misturação de 18 cm, correspondendo a um tempo de misturação de ~76 ms entre as correntes de alimentação primária e secundária. O substrato usado para a deposição foi vidro float de borossilicato com uma espessura de 1,1 mm. O substrato foi aquecido sobre um bloco de níquel resistivamente aquecido, regulado a 525° C. A temperatura do substrato foi registrada, como sendo de 500° C por um pirômetro infravermelho. O tempo de deposição para as películas foi de 20 s, e a espessura da película foi de 549 nm, para uma taxa de deposição de 27,4 nm/s.

Exemplo 6

Uma mistura gasosa de 0,29% em moles de Et2Zn*TEEDA, em 12 slpm do gás condutor de nitrogênio, foi alimentada para dentro do tubo de alimentação primária a uma temperatura de 160° C. No tubo de alimentação secundária, uma mistura gasosa de 6,92% em moles de água, em 3 slpm de nitrogênio, foi alimentada a uma temperatura de 160° C. 0 bico secundário foi inserido para permitir um comprimento para a zona de misturação de 18 cm, correspondendo a um tempo de misturação de ~7 6 ms entre as correntes de alimentação primária e secundária. 0 substrato usado para a deposição foi vidro float de borossilicato com uma espessura de 1,1 mm. O substrato foi aquecido sobre um bloco de níquel resistivamente aquecido, regulado a 525° C. A temperatura do substrato foi registrada, como sendo de 500° C por um pirômetro infravermelho. O tempo de deposição para as películas foi de 20 s, e a espessura da película foi de 581 nm, para uma taxa de deposição de 29 nra/s.

Exemplo 7

Uma mistura gasosa de 0,29% em moles de Et2Zn*TEEDA, em 12 slpm do gás condutor de nitrogênio, foi alimentada para dentro do tubo de alimentação primária a uma temperatura de 160° C. No tubo de alimentação secundária, uma mistura gasosa de 13,84% em moles de água, em 3 slpm de nitrogênio, foi alimentada a uma temperatura de 160° C. 0 bico secundário foi inserido para permitir um comprimento para a zona de misturação de 18 cm, correspondendo a um tempo de misturação de -76 ms entre as correntes de alimentação primária e secundária. 0 substrato usado para a deposição foi vidro float de borossilicato com uma espessura de 1,1 mm. 0 substrato foi aquecido sobre um bloco de níquel resistivamente aquecido, regulado a 525° C. A temperatura do substrato foi registrada, como sendo de 500° C por um pirômetro infravermelho. 0 tempo de deposição para as películas foi de 20 s, e a espessura da película foi de 588 nm, para uma taxa de deposição de 29,4 nm/s.

Conforme será observado, a mistura gasosa do Exemplo Comparativo 1 utiliza 0, 60 % em moles de O2 de pureza ultra-alta em gás condutor de nitrogênio para reagir com CiietilzinCotTEEDA. A fim de alcançar uma espessura de película de ZnO de 297 nm, foi necessário um tempo de deposição de 500 s. Assim, foi observada uma taxa de crescimento da película de apenas 0,6 nm/s.

No Exemplo 1, a água foi substituída por O2, de

acordo com o método da invenção. Um tempo de deposição de 60 s produziu uma espessura de película de 531 nm, ou uma taxa de crescimento ligeiramente inferior a 9 nm/s.

A mistura gasosa do Exemplo 2 continha uma proporção substancialmente maior de água do que o Exemplo 1, de acordo com o método da invenção (8,30 % em moles versus 6,92 % em moles); uma maior % em moles do precursor de zinco foi também usada no Exemplo 2, do que no Exemplo Comparativo 1 e no Exemplo 1, de acordo com o método da invenção (0,034 % em moles versus 0,096 % em moles). Em apenas 3 segundos, com as proporções dos constituintes acima citados na mistura gasosa do Exemplo 2, uma película de ZnO tendo uma espessura de 287 nm foi depositada. Isso representa uma taxa de crescimento de cerca de 95,7 nm/s. As películas do Exemplo 2 possuíam mais turbidez do que aquelas do Exemplo 1.

No Exemplo Comparativo 2, é destacado o efeito do comprimento da zona de misturação de precursores e o tempo (residente) de misturação dos precursores sendo aumentado. Nesse exemplo, o tempo residente na zona de misturação é substancialmente aumentado, não resultando na formação de nenhum filme, já que se acredita que uma pré-reação química tenha ocorrido.

Os Exemplos 3 e 4, de acordo com o método da invenção, mostram que, mesmo nas temperaturas de deposição do limite inferior da faixa preferida para operação da presente invenção, e com menores concentrações de precursor, películas de óxido de zinco de boa qualidade podem ser produzidas em taxas comercialmente viáveis.

0 Exemplo 5, que é bastante similar aos Exemplos 3 e 4, mas para um maior teor de água, mostra novamente os efeitos benéficos da água sobre a taxa de deposição da película.

Da mesma forma, os Exemplos 6 e 7 mostram os efeitos das proporções consideravelmente aumentadas de água sobre a espessura e taxa de crescimento da película.

De maneira visível, a utilização de H2O a uma proporção relativamente alta da mistura gasosa reage de maneira rápida e eficiente com materiais precursores de zinco adequados, para produzir películas de óxido de zinco em taxas comercialmente úteis.

Embora essa invenção tenha sido descrita com respeito a vários exemplos e modalidades específicas, deve ficar claro que a invenção não é limitada aos mesmos, e que ela pode ser praticada de várias maneiras dentro do escopo das reivindicações a seguir.

Claims

1. MÉTODO DE DEPOSIÇÃO DE VAPOR QUÍMICO PARA DEPOSITAR UM REVESTIMENTO DE ÓXIDO DE ZINCO SOBRE UM SUBSTRATO, CARACTERIZADO pelo fato de compreender: (a) formação de uma primeira corrente de gás precursor composta de um composto contendo zinco; (b) formação de uma segunda corrente de gás precursor composta de um composto contendo água; (c) condução das ditas primeira e segunda correntes de gás precursor a um local próximo a uma superfície de um substrato de vidro a ser revestido; e (d) misturação da dita primeira corrente de gás precursor e da dita segunda corrente de gás precursor entre si para formar uma mistura de precursores e contatar a superfície do substrato com a dita mistura de precursores, a superfície estando a uma temperatura suficiente para ativar uma reação entre o dito composto de óxido de zinco e a dita água; onde a dita primeira corrente de gás precursor e a dita segunda corrente de gás precursor são misturadas entre si por um tempo curto o suficiente, para que um revestimento de óxido de zinco seja formado sobre a superfície a uma taxa de deposição superior a 5 nm/s.

2. Método, de acordo com a reivindicação 1, CARACTERIZADO pelo fato do substrato de vidro ser aquecido a uma temperatura > 400° C.

3. Método, de acordo com a reivindicação 2, CARACTERIZADO pelo fato do substrato de vidro ser aquecido a uma temperatura entre 500° C e 700° C.

4. Método, de acordo com a reivindicação 1, CARACTERIZADA pelo fato do composto contendo zinco possuir a fórmula R1R2Zn ou R1R2Zn- [R3R4N (CHR5) n (CH2) m (CHR6) nNR7R8] , onde R1"8 podem ser grupos alquila ou arila iguais ou diferentes, tais como metila, etila, isopropila, n-propila, n-butila, sec-butila, fenila ou fenila substituída, e podem incluir um ou mais substituintes contendo flúor, R5 e R6 podem ser grupos H ou alquila ou arila, η pode ser 0 ou 1, e m pode ser 1-6, se η for 0, e m pode ser 0-6, se η for 1.

5. Método, de acordo com a reivindicação 1, CARACTERIZADO pelo fato do composto contendo zinco e água serem misturados por um tempo < 1 s.

6. Método, de acordo com a reivindicação 5, CARACTERIZADO pelo fato do composto contendo zinco e água serem misturados por um tempo < 0,5 s.

7. Método, de acordo com a reivindicação 6, CARACTERIZADO pelo fato do composto contendo zinco e água serem misturados por um tempo entre 70 ms e 100 ms.

8. Método, de acordo com a reivindicação 1, CARACTERIZADO pelo fato da taxa de deposição do revestimento de óxido de zinco ser superior a 20 nm/s.

9. Método, de acordo com a reivindicação 1, CARACTERIZADO pelo fato da % em moles da mistura dos gases precursores se situar entre 3 % em moles e 14 % em moles.

10. Método, de acordo com a reivindicação 4, CARACTERIZADO pelo fato do composto contendo zinco compreender um escolhido dentre o grupo constituído de: Me2Zn ou Me2ZntTMPDA (TMPDA = Ν,Ν,N',N'-tetrametil-1,3- propanodiamina) ou Me2Zn-TEEDA (TEEDA = Ν,Ν,N',N'-tetraetil etilenodiamina), ou Me2ZntTMEDA (TMEDA = Ν,Ν,Ν',Ν'- tetrametil etilenodiamina) , ou Et2Zn ou Et2ZntTEEDA ou Et2Zn-TMPDA ou Et2ZntTMEDA.

11. MÉTODO DE DEPOSIÇÃO DE VAPOR QUÍMICO PARA DEPOSITAR UM REVESTIMENTO DE ÓXIDO DE ZINCO SOBRE UM SUBSTRATO, CARACTERIZADO pelo fato de compreender: (a) formação de uma primeira corrente de gás precursor composta de um composto contendo zinco; (b) formação de uma segunda corrente de gás precursor composta de uma fonte de oxigênio contendo água; (c) condução das ditas primeira e segunda correntes de gás precursor a um local próximo a uma superfície de um substrato de vidro a ser revestido; e (d) misturação da dita primeira corrente de gás precursor e da dita segunda corrente de gás precursor entre si para formar uma mistura de precursores e contatar a superfície do substrato com a dita mistura de precursores, a superfície estando a uma temperatura suficiente para ativar uma reação entre o dito composto contendo zinco e a dita água; onde a dita primeira corrente de gás precursor e a dita segunda corrente de gás precursor são misturadas entre si por um tempo curto o suficiente, para que um revestimento de óxido de zinco seja formado sobre a superfície a uma taxa de deposição superior a 5 nm/s.

12. Método, de acordo com a reivindicação 11, CARACTERIZADO pelo fato da fonte de oxigênio contendo água ser um álcool contendo uma quantidade predeterminada de água.

13. Método, de acordo com a reivindicação 12, CARACTERIZADO pelo fato do álcool ser 2-butanol e da quantidade predeterminada de água se situar entre 1 % em moles e 10 % em moles.