RU2009111377A - Способ изготовления изделия с покрытием из оксида цинка - Google Patents
Способ изготовления изделия с покрытием из оксида цинка Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009111377A RU2009111377A RU2009111377/03A RU2009111377A RU2009111377A RU 2009111377 A RU2009111377 A RU 2009111377A RU 2009111377/03 A RU2009111377/03 A RU 2009111377/03A RU 2009111377 A RU2009111377 A RU 2009111377A RU 2009111377 A RU2009111377 A RU 2009111377A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- zinc
- starting materials
- containing compound
- water
- formation
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/216—ZnO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
1. Способ химического осаждения из паровой фазы для нанесения покрытия из оксида цинка на основу, в котором осуществляют ! формирование первого потока газообразных исходных веществ, включающего цинксодержащее соединение, ! формирование второго потока газообразных исходных веществ, включающего воду, ! подачу первого и второго потоков газообразных исходных веществ в зону вблизи поверхности стеклянной основы, на которую наносится покрытие, и ! смешивание первого и второго потоков газообразных исходных веществ с образованием смеси исходных веществ и взаимодействием этой смеси с поверхностью основы, которая имеет температуру, достаточную для начала реакции между указанными цинксодержащим соединением и водой, ! причем первый и второй потоки газообразных исходных веществ смешивают в течение короткого промежутка времени, достаточного для образования на поверхности покрытия из оксида цинка при скорости осаждения более 5 нм/с. ! 2. Способ по п.1, в котором стеклянную основу нагревают до температуры не менее 400°С. ! 3. Способ по п.2, в котором стеклянную основу нагревают до температуры 500-700°С. ! 4. Способ по п.1, в котором цинксодержащее соединение имеет формулу R1R2Zn или R1R2Zn-[R3R4N(CHR5)n(CH2)m(CHR6)nNR7R8], где ! R1-8 могут быть одинаковыми или разными алкильными или арильными группами, такими как метил, этил, изопропил, н-пропил, н-бутил, втор-бутил, фенил или замещенный фенил, и могут включать один или несколько фторсодержащих заместителей, ! R5 и R6 могут представлять собой Н-группу или алкильную, или арильную группы, ! n может равняться 0 или 1, а ! m может равняться 1-6, если n=0, и m может равняться 0-6, если n=1. ! 5. Способ по п.1, в котором цинксодерж�
Claims (13)
1. Способ химического осаждения из паровой фазы для нанесения покрытия из оксида цинка на основу, в котором осуществляют
формирование первого потока газообразных исходных веществ, включающего цинксодержащее соединение,
формирование второго потока газообразных исходных веществ, включающего воду,
подачу первого и второго потоков газообразных исходных веществ в зону вблизи поверхности стеклянной основы, на которую наносится покрытие, и
смешивание первого и второго потоков газообразных исходных веществ с образованием смеси исходных веществ и взаимодействием этой смеси с поверхностью основы, которая имеет температуру, достаточную для начала реакции между указанными цинксодержащим соединением и водой,
причем первый и второй потоки газообразных исходных веществ смешивают в течение короткого промежутка времени, достаточного для образования на поверхности покрытия из оксида цинка при скорости осаждения более 5 нм/с.
2. Способ по п.1, в котором стеклянную основу нагревают до температуры не менее 400°С.
3. Способ по п.2, в котором стеклянную основу нагревают до температуры 500-700°С.
4. Способ по п.1, в котором цинксодержащее соединение имеет формулу R1R2Zn или R1R2Zn-[R3R4N(CHR5)n(CH2)m(CHR6)nNR7R8], где
R1-8 могут быть одинаковыми или разными алкильными или арильными группами, такими как метил, этил, изопропил, н-пропил, н-бутил, втор-бутил, фенил или замещенный фенил, и могут включать один или несколько фторсодержащих заместителей,
R5 и R6 могут представлять собой Н-группу или алкильную, или арильную группы,
n может равняться 0 или 1, а
m может равняться 1-6, если n=0, и m может равняться 0-6, если n=1.
5. Способ по п.1, в котором цинксодержащее соединение и воду смешивают в течение менее 1 с.
6. Способ по п.5, в котором цинксодержащее соединение и воду смешивают в течение менее 0,5 с.
7. Способ по п.6, в котором цинксодержащее соединение и воду смешивают в течение 70-100 мс.
8. Способ по п.1, в котором скорость осаждения покрытия из оксида цинка составляет более 20 нм/с.
9. Способ по п.1, в котором молярная концентрация смеси газообразных исходных веществ составляет от 3 до 14 мол.%.
10. Способ по п.4, в котором цинксодержащее соединение выбрано из группы, включающей Me2Zn или Me2Zn·ТМПДА (ТМПДА=N,N,N′,N′-тетраметил-1,3-пропандиамин), или Me2Zn·ТЭЭДА (ТЭЭДА=N,N,N′,N′-тетраэтилэтилендиамин), или - Me2Zn·ТМЭДА (ТМЭДА=N,N,N′,N′-тетраметилэтилендиамин), или Et2Zn, или Et2Zn·ТЭЭДА, или Et2Zn·ТМПДА, или Et2Zn·ТМЭДА.
11. Способ химического осаждения из паровой фазы для нанесения покрытия из оксида цинка на основу, в котором осуществляют
формирование первого потока газообразных исходных веществ, включающего цинксодержащее соединение,
формирование второго потока газообразных исходных веществ, включающего источник кислорода, содержащий воду,
подачу первого и второго потоков газообразных исходных веществ в зону вблизи поверхности стеклянной основы, на которую наносят покрытие, и
смешивание первого и второго потоков газообразных исходных веществ с образованием смеси исходных веществ и взаимодействием этой смеси с поверхностью основы, которая имеет температуру, достаточную для начала реакции между указанными цинксодержащим соединением и водой,
причем первый и второй потоки газообразных исходных веществ смешивают в течение короткого промежутка времени, достаточного для образования на поверхности покрытия из оксида цинка при скорости осаждения более 5 нм/с.
12. Способ по п.11, в котором источником кислорода, содержащим воду, является спирт, содержащий заданное количество воды.
13. Способ по п.12, в котором используют спирт 2-бутанол, а заданное количество воды составляет от 1 до 10 мол.%.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US84091406P | 2006-08-29 | 2006-08-29 | |
| US60/840,914 | 2006-08-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2009111377A true RU2009111377A (ru) | 2010-10-10 |
| RU2447031C2 RU2447031C2 (ru) | 2012-04-10 |
Family
ID=38577550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009111377/03A RU2447031C2 (ru) | 2006-08-29 | 2007-05-03 | Способ нанесения покрытия из оксида цинка на изделие (варианты) |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7732013B2 (ru) |
| EP (1) | EP2059627B1 (ru) |
| JP (2) | JP2010502832A (ru) |
| KR (1) | KR101383946B1 (ru) |
| CN (1) | CN101553601B (ru) |
| AU (1) | AU2007290844B2 (ru) |
| BR (1) | BRPI0716387A2 (ru) |
| MX (1) | MX2009002181A (ru) |
| MY (1) | MY147893A (ru) |
| RU (1) | RU2447031C2 (ru) |
| WO (1) | WO2008027087A1 (ru) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI123645B (fi) * | 2010-04-20 | 2013-08-30 | Beneq Oy | Aerosoliavusteinen kaasukasvatusjärjestelmä |
| WO2012129358A1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Pilkington Group Limited | Method of depositing zinc oxide coatings by chemical vapor deposition |
| KR101225739B1 (ko) * | 2011-04-22 | 2013-01-23 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 광전지용 산화아연계 투명 도전막 및 그 제조방법 |
| CN104379806B (zh) * | 2012-03-16 | 2017-06-09 | 皮尔金顿集团有限公司 | 用于沉积氧化锌涂层的化学气相沉积工艺、用于形成导电玻璃制品的方法以及由此制成的涂覆玻璃制品 |
| KR101466842B1 (ko) * | 2012-11-28 | 2014-11-28 | 코닝정밀소재 주식회사 | 투명전극용 산화아연계 박막 제조방법 |
| CN115362157A (zh) * | 2020-04-01 | 2022-11-18 | 株式会社Adeka | 锌化合物、薄膜形成用原料、薄膜及其制造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH640571A5 (fr) * | 1981-03-06 | 1984-01-13 | Battelle Memorial Institute | Procede et dispositif pour deposer sur un substrat une couche de matiere minerale. |
| JPH0682625B2 (ja) * | 1985-06-04 | 1994-10-19 | シーメンス ソーラー インダストリーズ，エル．ピー． | 酸化亜鉛膜の蒸着方法 |
| US5698262A (en) | 1996-05-06 | 1997-12-16 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method for forming tin oxide coating on glass |
| US6238738B1 (en) * | 1996-08-13 | 2001-05-29 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method for depositing titanium oxide coatings on flat glass |
| US6071561A (en) * | 1997-08-13 | 2000-06-06 | President And Fellows Of Harvard College | Chemical vapor deposition of fluorine-doped zinc oxide |
| US6268019B1 (en) * | 1998-06-04 | 2001-07-31 | Atofina Chemicals, Inc. | Preparation of fluorine modified, low haze, titanium dioxide films |
| JP2001023907A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 成膜装置 |
| US6858306B1 (en) * | 1999-08-10 | 2005-02-22 | Pilkington North America Inc. | Glass article having a solar control coating |
| WO2005072947A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-08-11 | Arkema Inc. | Solar control films composed of metal oxide heterostructures, and method of making same |
-
2007
- 2007-05-03 KR KR1020097006351A patent/KR101383946B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-03 MX MX2009002181A patent/MX2009002181A/es active IP Right Grant
- 2007-05-03 WO PCT/US2007/010669 patent/WO2008027087A1/en active Application Filing
- 2007-05-03 EP EP07776646.7A patent/EP2059627B1/en active Active
- 2007-05-03 BR BRPI0716387-8A patent/BRPI0716387A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-05-03 AU AU2007290844A patent/AU2007290844B2/en not_active Ceased
- 2007-05-03 JP JP2009526591A patent/JP2010502832A/ja active Pending
- 2007-05-03 US US11/800,043 patent/US7732013B2/en active Active
- 2007-05-03 CN CN200780031959XA patent/CN101553601B/zh active Active
- 2007-05-03 RU RU2009111377/03A patent/RU2447031C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-05-03 MY MYPI20090807A patent/MY147893A/en unknown
-
2012
- 2012-12-19 JP JP2012276582A patent/JP6039402B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2059627B1 (en) | 2015-08-05 |
| KR20090061635A (ko) | 2009-06-16 |
| CN101553601B (zh) | 2012-12-12 |
| JP6039402B2 (ja) | 2016-12-07 |
| RU2447031C2 (ru) | 2012-04-10 |
| JP2013053066A (ja) | 2013-03-21 |
| US7732013B2 (en) | 2010-06-08 |
| WO2008027087A1 (en) | 2008-03-06 |
| AU2007290844B2 (en) | 2011-08-04 |
| CN101553601A (zh) | 2009-10-07 |
| JP2010502832A (ja) | 2010-01-28 |
| EP2059627A1 (en) | 2009-05-20 |
| AU2007290844A1 (en) | 2008-03-06 |
| MX2009002181A (es) | 2009-04-22 |
| MY147893A (en) | 2013-01-31 |
| US20080057200A1 (en) | 2008-03-06 |
| BRPI0716387A2 (pt) | 2013-01-01 |
| KR101383946B1 (ko) | 2014-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI691504B (zh) | 用於沉積含矽膜的有機胺官能基化的線性及環狀寡矽氧烷 | |
| RU2009111377A (ru) | Способ изготовления изделия с покрытием из оксида цинка | |
| EP2875166B1 (en) | Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications | |
| US7531679B2 (en) | Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride | |
| KR101820397B1 (ko) | 알콕시아미노실란 화합물 및 이의 응용품 | |
| TWI652277B (zh) | 原子層沈積用有機金屬前驅物化合物、沉積有其的薄膜以及薄膜製造方法 | |
| RU2009111380A (ru) | Способ нанесения содержащих легирующие примеси покрытий из оксида цинка, имеющих низкое удельное сопротивление, и изделия, изготавливаемые этим способом | |
| KR101284664B1 (ko) | 실릴아민 리간드가 포함된 유기금속화합물, 및 이를 전구체로 이용한 금속 산화물 또는 금속-규소 산화물의 박막 증착 방법 | |
| CN104250258A (zh) | 氮杂聚硅烷前体和沉积包含该前体的薄膜的方法 | |
| EP2714960A2 (en) | Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films | |
| RU2009111381A (ru) | Способ изготовления стеклоизделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, и стеклоизделие с покрытием, изготовленное этим способом | |
| DK0611733T3 (da) | Coatingsapparat, fremgangsmåde til coating af glas, forbindelser og sammensætninger til coating af glas og coatede glasunderlag | |
| ATE482301T1 (de) | Verfahren zur herstellung von siliziumoxidhaltigen schichten | |
| WO2013161735A1 (ja) | 複合酸化物薄膜製造用組成物及びこの組成物を用いた薄膜の製造方法、並びに複合酸化物薄膜 | |
| RU2009112714A (ru) | Низкотемпературный способ изготовления изделия с покрытием из оксида цинка | |
| US7956168B2 (en) | Organometallic compounds having sterically hindered amides | |
| US7736698B2 (en) | Method of depositing zinc oxide coatings on a substrate | |
| TW200419005A (en) | Method of forming Si-containing thin film using organic Si-containing compound having Si-Si bond | |
| KR20120131114A (ko) | 실리콘 화합물 증착용 화합물 및 전구체 조성물 | |
| TWI631100B (zh) | 用於製造含氧化銦層之調合物、製造彼等之方法及彼等之用途 | |
| TWI771760B (zh) | 用於沉積含矽膜的有機胺官能化環寡矽氧烷及將含矽及氧膜沉積到一基材上之方法 | |
| CN102041482B (zh) | 含第4族金属的膜的沉积方法 | |
| EP0834488A1 (en) | Process for forming silica film and composition therefor | |
| JP2004196618A (ja) | 酸化チタン膜の製造方法 | |
| KR102491073B1 (ko) | 실리콘 전구체 화합물, 이를 포함하는 실리콘-함유 막 형성용 조성물, 및 실리콘-함유 막 형성용 조성물을 이용한 막 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170504 |