CN101553601B - 形成氧化锌涂覆制品的方法 - Google Patents

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Abstract

本文中描述和要求保护的发明涉及一种在基体上沉积氧化锌涂层的化学气相沉积法，该方法通过将两种气态前体气流输送至基体表面，并使气态前体气流在基体表面混合足够短的时间，从而以大于5纳米/秒的沉积速度形成氧化锌涂层。

Description

形成氧化锌涂覆制品的方法
背景技术
本发明涉及一种在透明基体上沉积氧化锌涂层的方法，更特别地，涉及一种在玻璃基体上沉积氧化锌涂层的化学气相沉积方法。
专利文献已经报道过与水反应的金属氧化物涂层的沉积。例如：
专利US4,751,149描述了一种沉积氧化锌膜的化学气相沉积(CVD)法，该氧化锌膜具有使其可用于例如太阳能电池和其它光电池装置等光电导应用的特定性能。所述沉积法包括向含有加热至约60℃至350℃的基体的室内通入有机锌化合物、氧化剂和惰性载气。所得氧化锌膜据称具有在约10-4至10-2欧姆·厘米范围内的电阻率。这种膜含有氢，并可通过将挥发性第III族化合物与有机锌化合物和氧化剂一起引入反应室而将所述膜制成含有第III族元素。
专利US5,698,262描述了一种掺杂氧化锡涂层的制备方法，该方法利用含有有机锡化合物、氢氟酸、水和氧气的均匀汽化的反应混合物，并将该反应混合物输送至热玻璃带的表面，上述化合物在该表面反应以形成氟掺杂的氧化锡涂层。根据该发明沉积的氟掺杂的氧化锡涂层显示出较低的薄膜电阻和改进的在玻璃基体的涂覆表面上薄膜电阻的均匀性。
在浮法玻璃生产过程中，希望能够利用相对便宜的前体材料，通过常压化学气相沉积在高沉积速度下制备氧化锌膜。
发明概述
本发明提供了一种在热玻璃基体上沉积氧化锌涂层的常压化学气相沉积法，该方法包括第一和第二前体气流，该气流分别包括含锌化合物和水。以可控方式混合所述第一和第二气流，并使其与热玻璃基体表面接触，该表面具有足够的温度以驱动含锌化合物与水之间的反应。将所述第一和第二前体气流的混合时间控制得足够短，以使氧化锌涂层以大于5纳米/秒的沉积速度在玻璃表面形成。
发明详述
虽然氧化锌涂层和沉积方法是已知的，但在浮法玻璃生产线的玻璃制造过程中以商业可行的生长速度制备热解氧化锌涂层的经济有效的方法在先前并非已知。本发明克服了以商业可行的生长速度制备这种氧化锌膜的现有障碍。
尽管任何合适的常压化学气相沉积可以与本发明结合使用，优选AtofinaChemicals公司的专利US6,268,019中公开的沉积方法。专利’019以引用方式全文并入本文。专利’019的方法已经显示了能够以商业有用的生长速度，例如大于5纳米/秒，沉积多种类型的金属氧化物膜。专利’019中的沉积方法也具有能够改变反应物材料混合时间的优点，其反过来允许调整，在此情况下，氧化锌涂层的性能。特别地，本发明展示了利用水来提高氧化锌膜的生长速度的优点，该优点将在本文作更详细的讨论。
这种氧化锌涂覆的玻璃产品可用作建筑窗应用中的低发射率和/或太阳控制层。该透明导电氧化物的其它潜在的应用包括：光电池装置、固态照明(LED和OLED)，感应加热、平面显示器和触摸屏，以及在射频识别标签和集成电路中具有用途的透明薄膜晶体管(TFT)。
合适的含锌化合物包括，但不限于，满足通式R1R2Zn或R1R2Zn-[R3R4N(CHR5)n(CH2)m(CHR6)nNR7R8]的化合物，其中R1-8可为相同或不同的烷基或芳基，例如甲基、乙基、异丙基、正丙基、正丁基、仲丁基、苯基或取代苯基，且可包括一个或多个含氟取代基，R5和R6可为H或烷基或芳基，n可为0或1，且如果n为0，则m可为1-6，且如果n为1，则m可为0-6。
合适的含氧化合物包括，但不限于：有机醋酸酯、醇、氧分子和水(H2O)，优选水或含有控制量的水的醇。
惰性载气，例如氮气、氦气、或类似气体也可用作本发明气态反应气流的组分。
发现适于允许所期望的化学反应发生的温度为≥400℃，特别地为500℃-700℃。
发现本发明的化学前体气流的合适混合时间为＜1秒，优选小于0.5秒，且更优选在70-100毫秒的范围。
合适的玻璃基体优选由已知的浮法玻璃法制备，例如在专利US3,356,474、3,433,612、3,531,274和3,790,361中所述，上述专利的每个均以引用方式并入本文。
实施例
以下非限制实施例阐明了本发明的某些方面。
在这些实验中采用的APCVD装置与专利US6,268,019B1中描述的相似。该装置的关键特征在于能够通过将蒸汽分别进料至涂覆喷嘴来控制气态反应物的混合时间。在下述对比实施例1和实施例1中，涂覆喷嘴由同心管组成，在该同心管中，一个1/4”二级管经由允许调节混合区域的长度的压力接头(compression fitting)装入一个5/8”初级管，且一个～1”外套管与抽风机相连以去除副产物和未反应的蒸汽。由这种喷嘴结构得到的膜是直径大约为3/4”的圆形。在下述对比实施例2和实施例2-7中，涂覆喷嘴由同心管组成，在该同心管中，一个1/4”二级管经由允许调节混合区域的长度的压力接头装入一个3/4”初级管，且一个～1.25”外套管与抽风机相连以去除副产物和未反应的蒸汽。由这种喷嘴结构得到的膜是直径大约为7/8”的圆形。
对比实施例1
将在7.5slpm氮气载气中的0.034摩尔％Et2Zn·TEEDA[TEEDA＝N，N，N’，N’-四乙基乙二胺]的气体混合物进料至温度为170℃的初级进料管中。在二级进料管中，在170℃的温度下装入在5slpm氮气中的0.60摩尔％极高纯O2的气体混合物。插入二级喷嘴以使混合区域的长度为23厘米，相应于初级和二级进料流之间～114毫秒的混合时间。用于沉积的基体为厚度为2.5毫米的钠钙硅酸盐(soda-lime-silicate)浮法玻璃。基体在设定为675℃的电阻加热镍块上加热。通过红外高温计记录的基体温度为650℃。膜的沉积时间为500秒，且对于0.6纳米/秒的沉积速度所得的ZnO膜的厚度为297纳米。通过BYK HazeGuard Plus浊度计测得的这些膜的混浊度平均为0.84％。
实施例1
将在12slpm氮气载气中的0.096％Et2Zn·TEEDA的气体混合物进料至温度为160℃的初级进料管中。在二级进料管中，在160℃的温度下装入在3slpm氮气中的6.92摩尔％水的气体混合物。插入二级喷嘴以使混合区域的长度为18厘米，相应于初级和二级进料流之间～76毫秒的混合时间。用于沉积的基体为厚度为1.1毫米的硼硅酸盐浮法玻璃。基体在设定为675℃的电阻加热镍块上加热。通过红外高温计记录的基体温度为650℃。膜的沉积时间为60秒，且对于8.8纳米/秒的沉积速度，所得的ZnO膜的厚度为531纳米。通过BYK HazeGuard Plus浊度计测得的这些薄膜的混浊度平均为2.65％。
实施例2
将在15slpm氮气载气中的1.04摩尔％Et2Zn·TEEDA的气体混合物进料至温度为170℃的初级进料管中。在二级进料管中，在170℃的温度下装入在5slpm氮气中的8.30摩尔％水的气体混合物。插入二级喷嘴以使混合区域的长度为81厘米，相应于初级和二级进料流之间～71毫秒的混合时间。用于沉积的基体为1.1毫米厚的硼硅酸盐浮法玻璃。基体在设定为675℃的电阻加热镍块上加热。通过红外高温计记录的基体温度为650℃。膜的沉积时间为3秒，且对于95.7纳米/秒的沉积速度所得的ZnO膜的厚度为287纳米。通过BYK HazeGuard Plus浊度计测得的这些薄膜的混浊度平均为4.0％。
对比实施例2
将在12slpm氮气载气中的0.096％Et2Zn·TEEDA的气体混合物进料至温度为160℃的初级进料管中。在二级进料管中，在160℃的温度下装入在3slpm氮气中的3.46摩尔％水的气体混合物。插入二级喷嘴以使混合区域的长度为18厘米，相应于初级和二级进料流之间～400毫秒的混合时间。用于沉积的基体为1.1毫米厚的硼硅酸盐浮法玻璃。基体在设定为675℃的电阻加热镍块上加热。通过红外高温计记录的基体温度为650℃。膜的沉积时间为60秒，且在这些条件下没有膜在基体上沉积。
实施例3
将在12slpm氮气载气中的0.29％Et2Zn·TEEDA的气体混合物进料至温度为160℃的初级进料管中。在二级进料管中，在160℃的温度下装入在3slpm氮气中的0.58摩尔％水的气体混合物。插入二级喷嘴以使混合区域的长度为18厘米，相应于初级和二级进料流之间～76毫秒的混合时间。用于沉积的基体为1.1毫米厚的硼硅酸盐浮法玻璃。基体在设定为525℃的电阻加热镍块上加热。通过红外高温计记录的基体温度为500℃。膜的沉积时间为20秒，且对于23.4纳米/秒的沉积速度所得的膜厚为467纳米。
实施例4
将在12slpm氮气载气中的0.29％Et2Zn·TEEDA的气体混合物进料至温度为160℃的初级进料管中。在二级进料管中，在160℃的温度下装入在3slpm氮气中的1.16摩尔％水的气体混合物。插入二级喷嘴以使混合区域的长度为18厘米，相应于初级和二级进料流之间～76毫秒的混合时间。用于沉积的基体为1.1毫米厚的硼硅酸盐浮法玻璃。基体在设定为525℃的电阻加热镍块上加热。通过红外高温计记录的基体温度为500℃。膜的沉积时间为20秒，且对于25.1纳米/秒的沉积速度所得的膜厚为502纳米。
实施例5
将在12slpm氮气载气中的0.29％Et2Zn·TEEDA的气体混合物进料至温度为160℃的初级进料管中。在二级进料管中，在160℃的温度下装入在3slpm氮气中的4.65摩尔％水的气体混合物。插入二级喷嘴以使混合区域的长度为18厘米，相应于初级和二级进料流之间～76毫秒的混合时间。用于沉积的基体为1.1毫米厚的硼硅酸盐浮法玻璃。基体在设定为525℃的电阻加热镍块上加热。通过红外高温计记录的基体温度为500℃。膜的沉积时间为20秒，且对于27.4纳米/秒的沉积速度所得的膜厚为549纳米。
实施例6
将在12slpm氮气载气中的0.29％Et2Zn·TEEDA的气体混合物进料至温度为160℃的初级进料管中。在二级进料管中，在160℃的温度下装入在3slpm氮气中的6.92摩尔％水的气体混合物。插入二级喷嘴以使混合区域的长度为18厘米，相应于初级和二级进料流之间～76毫秒的混合时间。用于沉积的基体为1.1毫米厚的硼硅酸盐浮法玻璃。基体在设定为525℃的电阻加热镍块上加热。通过红外高温计记录的基体温度为500℃。膜的沉积时间为20秒，且对于29纳米/秒的沉积速度所得的膜厚为581纳米。
实施例7
将在12slpm氮气载气中的0.29％Et2Zn·TEEDA的气体混合物进料至温度为160℃的初级进料管中。在二级进料管中，在160℃的温度下装入在3slpm氮气中的13.84摩尔％水的气体混合物。插入二级喷嘴以使混合区域的长度为18厘米，相应于初级和二级进料流之间～76毫秒的混合时间。用于沉积的基体为1.1毫米厚的硼硅酸盐浮法玻璃。基体在设定为525℃的电阻加热镍块上加热。通过红外高温计记录的基体温度为500℃。膜的沉积时间为20秒，且对于29.4纳米/秒的沉积速度所得的膜厚为588纳米。
要注意的是，对比实施例1的气体混合物采用在氮气载气中的0.60摩尔％极高纯O2与二乙基锌·TEEDA反应。为了获得297纳米的ZnO膜厚，500秒的沉积时间是必须的。因此，观测到膜生长速度仅仅为0.6纳米/秒。
在实施例1中，根据本发明的方法用水替代O2。60秒的沉积时间制得的膜厚为531纳米，或者生长速度稍微小于9纳米/秒。
根据本发明的方法，实施例2的气体混合物相比于实施例1含有基本上更高比例的水(8.30摩尔％v.6.92摩尔％)；且根据本发明的方法，相比于对比实施例1和实施例1，在实施例2中使用更高摩尔％的锌前体(0.034摩尔％v.0.096摩尔％)。采用上述实施例2的气体混合物的组分比例，在仅3秒的时间内沉积了厚度为287纳米的ZnO膜。这表示大约95.7纳米/秒的生长速度。实施例2的膜相比于实施例1的膜更混浊。
在对比实施例2中，突出了前体混合区域的长度和增加的前体混合(停留)时间的效果。在此实施例中，在混合区域内的停留时间的显著增加导致没有膜形成，因为认为发生了化学预反应。
根据本发明的方法，实施例3和4说明了即使在位于本发明优选操作范围的低端的沉积温度下并采用较低的前体浓度，也可以商业可行的速度制备高质量的氧化锌膜。
实施例5与实施例3和4非常相似，但是采用更高的水含量，再一次说明水对膜沉积速率的有益效果。
类似的，实施例6和7说明显著提高的水的比例对膜厚和生长速度的效果。
明显地，利用气体混合物中相对较高比例的水可与合适的锌前体材料快速有效地反应，从而以商业有用的速度制备氧化锌膜。
尽管以各种特定的实施例和实施方式描述了本发明，但是应理解本发明并不局限于此，同时可在如下权利要求的范围内进行不同实施。

Claims (12)

1.一种在基体上沉积氧化锌涂层的常压化学气相沉积法，该方法包括：
(a)形成包含含锌化合物的第一前体气流；
(b)形成包含水的第二前体气流；
(c)将所述第一前体气流和所述第二前体气流输送至接近待涂覆的玻璃基体表面的位置；和
(d)将所述第一前体气流和所述第二前体气流混合在一起以形成前体混合物，并使所述基体的所述表面与所述前体混合物接触，该表面的温度足以驱动所述含锌化合物和所述水之间的反应；
其中，将所述第一前体气流与所述第二前体气流混合在一起足够短的时间，以使氧化锌涂层以大于5纳米/秒的沉积速度形成于所述表面上。
2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述玻璃基体加热至≥400℃的温度。
3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述玻璃基体加热至500℃至700℃之间的温度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述含锌化合物具有分子式R1R2Zn或R1R2Zn-[R3R4N(CHR5)n(CH2)m(CHR6)nNR7R8]，其中R1、R2、R3、R4、R7和R8为相同或不同的烷基或芳基，且包括一个或多个含氟取代基，R5和R6为H，或相同或不同的烷基或芳基且包括一个或多个含氟取代基，n为0或1，且如果n为0，则m为1-6，且如果n为1，则m为0-6。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含锌化合物和水的混合时间＜1秒。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述含锌化合物和水的混合时间＜0.5秒。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述含锌化合物和水的混合时间为70毫秒至100毫秒之间。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化锌涂层的沉积速度大于20纳米/秒。
9.根据权利要求1所述的方法，其中含锌化合物包括选自以下的一种：Me2Zn或Me2Zn·TMPDA或Me2Zn·TEEDA或Me2Zn-TMEDA或Et2Zn或Et2Zn·TEEDA或Et2Zn-TMPDA或Et2Zn-TMEDA，其中TMPDA是N，N，N’，N’-四甲基1，3-丙二胺；TEEDA是N，N，N’，N’-四乙基乙二胺；TMEDA是N，N，N’，N’-四甲基乙二胺。
10.一种在基体上沉积氧化锌涂层的常压化学气相沉积法，该方法包括：
(a)形成包含含锌化合物的第一前体气流；
(b)形成包含含水氧源的第二前体气流；
(c)将所述第一前体气流和所述第二前体气流输送至接近待涂覆的玻璃基体表面的位置；和
(d)将所述第一前体气流和所述第二前体气流混合在一起以形成前体混合物，并使所述基体的所述表面与所述前体混合物接触，该表面的温度足以驱动所述含锌化合物和所述水之间的反应；
其中，将所述第一前体气流与所述第二前体气流混合在一起足够短的时间，以使氧化锌涂层以大于5纳米/秒的沉积速度形成于所述表面上。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述含水氧源为含有预定水量的醇。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述醇为2-丁醇，且预定水量在1摩尔％至10摩尔％之间。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI123645B (fi) * 2010-04-20 2013-08-30 Beneq Oy Aerosoliavusteinen kaasukasvatusjärjestelmä
JP2014513209A (ja) * 2011-03-23 2014-05-29 ピルキントン グループ リミテッド 化学気相蒸着法による酸化亜鉛被膜を堆積させる方法
KR101225739B1 (ko) * 2011-04-22 2013-01-23 삼성코닝정밀소재 주식회사 광전지용 산화아연계 투명 도전막 및 그 제조방법
US9776914B2 (en) * 2012-03-16 2017-10-03 Pilkington Group Limited Chemical vapor deposition process for depositing zinc oxide coatings, method for forming a conductive glass article and the coated glass articles produced thereby
KR101466842B1 (ko) * 2012-11-28 2014-11-28 코닝정밀소재 주식회사 투명전극용 산화아연계 박막 제조방법
CN115362157A (zh) * 2020-04-01 2022-11-18 株式会社Adeka 锌化合物、薄膜形成用原料、薄膜及其制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4751149A (en) * 1985-06-04 1988-06-14 Atlantic Richfield Company Chemical vapor deposition of zinc oxide films and products
US6238738B1 (en) * 1996-08-13 2001-05-29 Libbey-Owens-Ford Co. Method for depositing titanium oxide coatings on flat glass

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH640571A5 (fr) * 1981-03-06 1984-01-13 Battelle Memorial Institute Procede et dispositif pour deposer sur un substrat une couche de matiere minerale.
US5698262A (en) * 1996-05-06 1997-12-16 Libbey-Owens-Ford Co. Method for forming tin oxide coating on glass
US6071561A (en) * 1997-08-13 2000-06-06 President And Fellows Of Harvard College Chemical vapor deposition of fluorine-doped zinc oxide
US6268019B1 (en) 1998-06-04 2001-07-31 Atofina Chemicals, Inc. Preparation of fluorine modified, low haze, titanium dioxide films
JP2001023907A (ja) * 1999-07-07 2001-01-26 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 成膜装置
US6858306B1 (en) * 1999-08-10 2005-02-22 Pilkington North America Inc. Glass article having a solar control coating
WO2005072947A1 (en) * 2004-01-23 2005-08-11 Arkema Inc. Solar control films composed of metal oxide heterostructures, and method of making same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4751149A (en) * 1985-06-04 1988-06-14 Atlantic Richfield Company Chemical vapor deposition of zinc oxide films and products
US6238738B1 (en) * 1996-08-13 2001-05-29 Libbey-Owens-Ford Co. Method for depositing titanium oxide coatings on flat glass

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