RU2009112714A - Низкотемпературный способ изготовления изделия с покрытием из оксида цинка - Google Patents

Низкотемпературный способ изготовления изделия с покрытием из оксида цинка Download PDF

Info

Publication number
RU2009112714A
RU2009112714A RU2009112714/02A RU2009112714A RU2009112714A RU 2009112714 A RU2009112714 A RU 2009112714A RU 2009112714/02 A RU2009112714/02 A RU 2009112714/02A RU 2009112714 A RU2009112714 A RU 2009112714A RU 2009112714 A RU2009112714 A RU 2009112714A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
compound
group
oxygen
coating
zinc
Prior art date
Application number
RU2009112714/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2446232C2 (ru
Inventor
Майкл Б. АБРАМС (US)
Майкл Б. АБРАМС
Роман И. КОРОТКОВ (US)
Роман И. КОРОТКОВ
Гэри С. СИЛВЕРМАН (US)
Гэри С. СИЛВЕРМАН
Райан СМИТ (US)
Райан СМИТ
Джеффери Л. СТРИКЕР (US)
Джеффери Л. СТРИКЕР
Original Assignee
Пилкингтон Груп Лимитед (Gb)
Пилкингтон Груп Лимитед
Аркема, Инк. (Us)
Аркема, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Пилкингтон Груп Лимитед (Gb), Пилкингтон Груп Лимитед, Аркема, Инк. (Us), Аркема, Инк. filed Critical Пилкингтон Груп Лимитед (Gb)
Publication of RU2009112714A publication Critical patent/RU2009112714A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2446232C2 publication Critical patent/RU2446232C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/407Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23Oxides
    • C03C17/245Oxides by deposition from the vapour phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/453Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating passing the reaction gases through burners or torches, e.g. atmospheric pressure CVD
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21Oxides
    • C03C2217/216ZnO
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/15Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152Deposition methods from the vapour phase by cvd

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления прозрачного изделия с покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, при осуществлении которого ! подготавливают прозрачную основу с поверхностью, на которую наносится покрытие, имеющей температуру не более 400°С, и ! подают цинксодержащеее соединение и одно или несколько кислородсодержащих соединений на указанную поверхность, причем цинксодержащее соединение и соединения, являющиеся источником кислорода, перемешивают в течение короткого промежутка времени, достаточного для образования на этой поверхности покрытия из оксида цинка при скорости осаждения по меньшей мере 5 нм/с. ! 2. Способ по п.1, в котором цинксодержащее соединение и упомянутые одно или несколько кислородсодержащих соединений перемешивают в течение менее чем 500 мс. ! 3. Способ по п.1, в котором осуществляют изготовление прозрачного изделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, причем на поверхность, на которую наносится покрытие, подают цинксодержащее соединение, одно или несколько кислородсодержащих соединений и одно или несколько соединений, содержащих элемент 13 группы, причем цинксодержащее соединение, кислородсодержащие соединения и соединения, содержащие элемент 13 группы, перемешивают в течение короткого промежутка времени, достаточного для образования на этой поверхности покрытия из оксида цинка, содержащего легирующие примеси, при скорости осаждения по меньшей мере 5 нм/с. ! 4. Способ по п.1, в котором покрытие из оксида цинка образуют в процессе химического осаждения из паровой фазы. ! 5. Способ по п.4, в котором процесс химического �

Claims (20)

1. Способ изготовления прозрачного изделия с покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, при осуществлении которого
подготавливают прозрачную основу с поверхностью, на которую наносится покрытие, имеющей температуру не более 400°С, и
подают цинксодержащеее соединение и одно или несколько кислородсодержащих соединений на указанную поверхность, причем цинксодержащее соединение и соединения, являющиеся источником кислорода, перемешивают в течение короткого промежутка времени, достаточного для образования на этой поверхности покрытия из оксида цинка при скорости осаждения по меньшей мере 5 нм/с.
2. Способ по п.1, в котором цинксодержащее соединение и упомянутые одно или несколько кислородсодержащих соединений перемешивают в течение менее чем 500 мс.
3. Способ по п.1, в котором осуществляют изготовление прозрачного изделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, причем на поверхность, на которую наносится покрытие, подают цинксодержащее соединение, одно или несколько кислородсодержащих соединений и одно или несколько соединений, содержащих элемент 13 группы, причем цинксодержащее соединение, кислородсодержащие соединения и соединения, содержащие элемент 13 группы, перемешивают в течение короткого промежутка времени, достаточного для образования на этой поверхности покрытия из оксида цинка, содержащего легирующие примеси, при скорости осаждения по меньшей мере 5 нм/с.
4. Способ по п.1, в котором покрытие из оксида цинка образуют в процессе химического осаждения из паровой фазы.
5. Способ по п.4, в котором процесс химического осаждения из паровой фазы осуществляют при атмосферном давлении.
6. Способ по п.3, в котором соединением, содержащим элемент 13 группы, является соединение, содержащее алюминий.
7. Способ по п.6, в котором соединение, содержащее алюминий, является соединением алюминия с формулой R15(3-n)АlR16nLz, где R15 является алкильной или арильной, или галогенидной, или алкоксидной группой, R16 - Н-группа, алкильная, арильная, галогенидная или дикетонатная группа с формулой (R17C(O)CR18C(O)R19), в которой R17-19 могут быть одинаковыми или разными группами и являются Н-группой, алкильной или арильной группами (включая циклические и частично или полностью фторированные производные), n=0-3, L является кислородсодержащим донорным лигандом, a z=0-2.
8. Способ по п.7, в котором соединением, содержащим алюминий, является диэтилалюминий ацетилацетонат.
9. Способ по п.7, в котором соединением, содержащим алюминий, является диэтилалюминий хлорид.
10. Способ по п.3, в котором соединением, содержащим элемент 13 группы, является соединение, содержащее галлий.
11. Способ по п.10, в котором соединением, содержащим галлий, является соединение галлия с формулой R15(3-n)GaR16nLz, где R15 является алкильной или арильной, или галогенидной, или алкоксидной группой, R16 - Н-группа, алкильная, арильная, галогенидная или дикетонатная группа с формулой (R17C(O)CR18C(O)R19), в которой R17-19 могут быть одинаковыми или разными группами и являются Н-группой, алкильной или арильной группами (включая циклические и частично или полностью фторированные производные), n=0-3, L является кислородсодержащим донорным лигандом, a z=0-2.
12. Способ по п.11, в котором соединением, содержащим галлий, является диметилгаллий ацетилацетонат.
13. Способ по п.11, в котором соединением, содержащим галлий, является диметилгаллий гексафторацетилацетонат.
14. Способ по п.1, в котором осуществляют изготовление прозрачного изделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, причем на поверхность, на которую наносится покрытие, подают цинксодержащее соединение, кислородсодержащее соединение, соединение, содержащее элемент 13 группы, и фторсодержащее соединение, причем цинксодержащее соединение, соединение, являющееся источником кислорода, и соединение, содержащее элемент 13 группы, а также фторсодержащее соединение перемешивают в течение короткого промежутка времени, достаточного для образования на этой поверхности покрытия из оксида цинка, содержащего легирующие примеси, при скорости осаждения по меньшей мере 5 нм/с.
15. Способ по п.14, в котором фторсодержащее соединение выбирают из группы, включающей
дифторметан; 1,1-дифторэтан; 1,1,1,2-тетрафторэтан; 1,1,1,2,2-пентафторэтан; 1,1,1-трифторэтан; 1,1,1,3,3-пентафторпропан; фторэтилен; 1,1-дифторэтилен; 1,1,1,2,3,3,3-гептафторпропан; 1,1,1,2,2,3,3-гептафторпропан; гексафторпропен; 3,3,3-трифторпропен; перфторциклопентен; перфторбутадиен; 1,1,1,3,3,3-гексафтор-2-пропанол; 1,1,1,3,3,3-гексафтор-2-метил-2-пропанол; гексафторпропеноксид; 2,2,3,4,4,4-гексафтор-1-бутанол; 1,1,2,2,3,4-гексафтор-3,4-бис(трифторметил)циклобутан; гексафтор-2-бутин; гексафторацетон; ангидрид гексафторглутаровой кислоты; ангидрид трифторуксусной кислоты; трифторацетилхлорид; 2,2,2-трифторэтанол; 1,1,1-трифторацетон; трифторметан; 1,1,1-трифтор-2-пропанол; 3,3,3-трифторпропионовая кислота; 3,3,3-трифторпропин; трифторамин; фтороводород; трифторуксусная кислота; 1,1,1,3,3-пентафторбутан и 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-декафторпентан.
16. Способ по п.15, в котором фторсодержащим соединением является гексафторпропен.
17. Способ по п.1, в котором кислородсодержащим соединением является вода.
18. Способ по п.1, в котором кислородсодержащим соединением является смесь спирта и воды, где концентрация воды составляет не более 25 мол.%.
19. Способ по п.18, в котором используется спирт - 2-бутанол.
20. Изделие с покрытием из ZnO, изготовленное способом по п.1.
RU2009112714/02A 2006-09-08 2007-05-03 Низкотемпературный способ изготовления изделия с покрытием из оксида цинка RU2446232C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US84318506P 2006-09-08 2006-09-08
US60/843,185 2006-09-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009112714A true RU2009112714A (ru) 2010-10-20
RU2446232C2 RU2446232C2 (ru) 2012-03-27

Family

ID=38596307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009112714/02A RU2446232C2 (ru) 2006-09-08 2007-05-03 Низкотемпературный способ изготовления изделия с покрытием из оксида цинка

Country Status (15)

Country Link
US (1) US7740901B2 (ru)
EP (1) EP2074239B1 (ru)
JP (1) JP5406717B2 (ru)
KR (1) KR101473024B1 (ru)
CN (1) CN101512043B (ru)
AT (1) ATE528420T1 (ru)
AU (1) AU2007293468B2 (ru)
BR (1) BRPI0716189A2 (ru)
ES (1) ES2374744T3 (ru)
MX (1) MX2009002461A (ru)
MY (1) MY150461A (ru)
PL (1) PL2074239T3 (ru)
PT (1) PT2074239E (ru)
RU (1) RU2446232C2 (ru)
WO (1) WO2008030276A1 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000007460A (ko) * 1998-07-03 2000-02-07 차동천 트리메틸올프로판 디알릴 에테르의 제조방법
DE102008005283B4 (de) * 2008-01-19 2009-10-29 Schott Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung einer mit einem transparenten, Metalloxid beschichtetn Glasscheibe für ein photovoltaisches Modul und eine solche beschichtete Glasscheibe
IT1393401B1 (it) * 2008-07-28 2012-04-20 Enea Ente Per Le Nuova Tecnologie L En E L Ambiente Metodo per la fabbricazione in linea di strati sottili di zno b trasparente conduttivo e testurizzato su larga area e relativo apparato
WO2010151430A1 (en) * 2009-06-22 2010-12-29 Arkema Inc. Chemical vapor deposition using n,o polydentate ligand complexes of metals
DE102009039777A1 (de) * 2009-09-02 2011-03-03 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren zur Herstellung und Strukturierung einer Zinkoxidschicht und Zinkoxidschicht
RU2542977C2 (ru) * 2009-10-15 2015-02-27 Аркема Инк. НАНЕСЕНИЕ ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ZnO НА ПОЛИМЕРНЫЕ ПОДЛОЖКИ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ УФ
US9279182B2 (en) * 2010-06-01 2016-03-08 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Apparatus for forming metal oxide film, method for forming metal oxide film, and metal oxide film
JP5932251B2 (ja) 2011-06-17 2016-06-08 キヤノン株式会社 フッ化膜形成方法及び光学素子の製造方法
KR20130054812A (ko) * 2011-11-17 2013-05-27 삼성코닝정밀소재 주식회사 산화아연 전구체 및 이를 이용한 산화아연계 박막 증착방법
WO2013136052A2 (en) * 2012-03-16 2013-09-19 Pilkington Group Limited Chemical vapor deposition process for depositing zinc oxide coatings, method for forming a conductive glass article and the coated glass articles produced thereby
CN114787168B (zh) 2019-11-27 2023-06-06 株式会社Adeka 化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU789451A1 (ru) * 1978-11-13 1980-12-23 Киевский Ордена Ленина Государственный Университет Им. Т.Г. Шевченко Способ получени покрытий на подложке
CH640571A5 (fr) * 1981-03-06 1984-01-13 Battelle Memorial Institute Procede et dispositif pour deposer sur un substrat une couche de matiere minerale.
JPH0682625B2 (ja) * 1985-06-04 1994-10-19 シーメンス ソーラー インダストリーズ,エル.ピー. 酸化亜鉛膜の蒸着方法
US5290589A (en) * 1986-03-24 1994-03-01 Ensci, Inc. Process for coating a substrate with iron oxide and uses for coated substrates
US4990286A (en) 1989-03-17 1991-02-05 President And Fellows Of Harvard College Zinc oxyfluoride transparent conductor
US5090985A (en) * 1989-10-17 1992-02-25 Libbey-Owens-Ford Co. Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition
US5470743A (en) * 1991-03-06 1995-11-28 Becton, Dickinson And Company Transmembrane cell culture device
US6071561A (en) * 1997-08-13 2000-06-06 President And Fellows Of Harvard College Chemical vapor deposition of fluorine-doped zinc oxide
US6416841B1 (en) * 1997-12-10 2002-07-09 Pechiney Emballage Flexible Europe Tear tape for plastic packaging
US6426125B1 (en) * 1999-03-17 2002-07-30 General Electric Company Multilayer article and method of making by ARC plasma deposition
DE10026299A1 (de) * 2000-05-26 2001-11-29 Sunyx Surface Nanotechnologies Substrat mit gering lichtstreuender, ultraphober Oberfläche und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2002016679A1 (fr) * 2000-08-18 2002-02-28 Tohoku Techno Arch Co., Ltd. Matiere semi-conductrice polycristalline
JP2002155371A (ja) * 2000-11-15 2002-05-31 Sekisui Chem Co Ltd 半導体素子の製造方法及びその装置
US6416814B1 (en) 2000-12-07 2002-07-09 First Solar, Llc Volatile organometallic complexes of lowered reactivity suitable for use in chemical vapor deposition of metal oxide films
CN1265434C (zh) * 2003-11-04 2006-07-19 浙江大学 一种制备p型ZnO晶体薄膜的方法
US7115304B2 (en) * 2004-02-19 2006-10-03 Nanosolar, Inc. High throughput surface treatment on coiled flexible substrates

Also Published As

Publication number Publication date
MY150461A (en) 2014-01-30
US20080063793A1 (en) 2008-03-13
AU2007293468B2 (en) 2011-08-04
ES2374744T3 (es) 2012-02-21
KR20090061650A (ko) 2009-06-16
EP2074239B1 (en) 2011-10-12
JP5406717B2 (ja) 2014-02-05
WO2008030276A1 (en) 2008-03-13
PL2074239T3 (pl) 2012-07-31
PT2074239E (pt) 2011-11-02
EP2074239A1 (en) 2009-07-01
AU2007293468A1 (en) 2008-03-13
BRPI0716189A2 (pt) 2013-01-01
US7740901B2 (en) 2010-06-22
ATE528420T1 (de) 2011-10-15
JP2010502558A (ja) 2010-01-28
RU2446232C2 (ru) 2012-03-27
CN101512043A (zh) 2009-08-19
MX2009002461A (es) 2009-03-20
KR101473024B1 (ko) 2014-12-15
CN101512043B (zh) 2012-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009112714A (ru) Низкотемпературный способ изготовления изделия с покрытием из оксида цинка
KR101409711B1 (ko) 저 저항률의 도핑된 산화아연으로 코팅된 유리 물품의 제조방법 및 이에 의해 제조된 코팅된 유리 물품
JP5541921B2 (ja) 低抵抗率のドープ酸化亜鉛コーティングを作る方法及び当該方法により形成される物品
JP5877832B2 (ja) 酸化インジウム含有層を製造するためのインジウムオキソアルコキシド、その製造方法及びその使用
JP6039402B2 (ja) 酸化亜鉛被覆物品の作成方法
US7736698B2 (en) Method of depositing zinc oxide coatings on a substrate
US7662431B2 (en) Method of preparing a tin oxide layer
KR101337967B1 (ko) 굽힘 가공성을 가지는 저저항 고투과율 fto 투명전도막 제조 방법
CN101437770A (zh) 在底材上沉积氧化锌涂层的方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170504