JP5541921B2 - 低抵抗率のドープ酸化亜鉛コーティングを作る方法及び当該方法により形成される物品 - Google Patents
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Description
Claims (19)
- 低抵抗率のドープ酸化亜鉛被覆ガラス物品を作る大気圧化学気相堆積方法であって、
コーティングが堆積される表面を有し、該表面が少なくとも400℃の温度にあるような高温ガラス基材を提供するステップと、
前記コーティングが堆積される表面に、亜鉛含有化合物、水またはアルコール/水混合物及びアルミニウム含有化合物を導くステップとを含み、前記導くステップが、前記亜鉛含有化合物、前記水または前記アルコール/水混合物、及び前記アルミニウム含有化合物が、アルミニウムドープ酸化亜鉛コーティングが、18.75nm/秒以上の堆積速度で前記表面上に形成されるように所定の時間の間、混合されることを含むことを特徴とする方法。 - 低抵抗率のドープ酸化亜鉛被覆ガラス物品を作る大気圧化学気相堆積方法であって、
コーティングが堆積される表面を有し、該表面が少なくとも400℃の温度にあるような高温ガラス基材を提供するステップと、
前記コーティングが堆積される表面に、亜鉛含有化合物、水またはアルコール/水混合物及びガリウム含有化合物を導くステップとを含み、前記導くステップが、前記亜鉛含有化合物、前記水または前記アルコール/水混合物、及び前記ガリウム含有化合物が、ガリウムドープ酸化亜鉛コーティングが9.3nm/秒以上の堆積速度で前記表面上に形成されるように所定の時間の間、混合されることを含むことを特徴とする方法。 - 前記アルミニウム含有化合物が、一般式:R9 (3−n)Al(R10C(O)CR11C(O)R12)nまたはR9 3Al(L)のアルミニウム化合物を含み、ここで、R9は、アルキル基またはアリール基またはハライド基またはアルコキシド基であり、R10−12は、互いに同じであっても異なっていてもよく、H、アルキル基またはアリール基(環状誘導体、部分誘導体、ペルフルオロ化誘導体を含む)であり、Lは、酸素ベースの中性配位子であり、n=0〜3であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記アルミニウム含有化合物が、ジエチルアルミニウムアセチルアセトネートを含むことを特徴とする請求項1又は3に記載の方法。
- 前記ガリウム含有化合物が、一般式:R9 (3−n)Ga(R10C(O)CR11C(O)R12)nまたはR9 3Ga(L)のガリウム化合物を含み、ここで、R9は、アルキル基またはアリール基またはハライド基またはアルコキシド基であり、R10−12は、互いに同じであっても異なっていてもよく、H、アルキル基またはアリール基(環状誘導体、部分誘導体、ペルフルオロ化誘導体を含む)であり、Lは、酸素ベースの中性配位子であり、n=0〜3であることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記ガリウム含有化合物が、ジメチルガリウムヘキサフルオロアセチルアセトネートまたはジメチルガリウムアセチルアセトネートを含むことを特徴とする請求項2又は5に記載の方法。
- 前記亜鉛含有化合物が、一般式R1R2ZnまたはR1R2Zn−[R3R4N(CHR5)n(CH2)m(CHR6)nNR7R8]の亜鉛含有化合物を含み、ここで、R1−8は、互いに同じかまたは異なるアルキル基またはアリール基であることができ、1若しくは複数のフッ素含有置換基を含むことがあり、R5及びR6は、Hまたはアルキル基またはアリール基であることができ、nは0または1であることができ、mは、nが0ならば1〜6、nが1ならば0〜6であることができることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の方法に従って形成される低抵抗率の被覆ガラス物品。
- 低抵抗率のドープ酸化亜鉛被覆ガラス物品を作る大気圧化学気相堆積方法であって、
コーティングが堆積される表面を有し、該表面が少なくとも400℃の温度にあるような高温ガラス基材を提供するステップと、
前記コーティングが堆積される表面に、亜鉛含有化合物、水またはアルコール/水混合物、及びアルミニウム含有化合物を導くステップとを含み、前記導くステップが、前記亜鉛含有化合物、前記水または前記アルコール/水混合物、及び前記アルミニウム含有化合物が、アルミニウムドープ酸化亜鉛コーティングが、18.75nm/秒以上の堆積速度で前記表面上に形成されるように、蒸気の状態で、十分短い時間の間、混合されることを含むことを特徴とする方法。 - 低抵抗率のドープ酸化亜鉛被覆ガラス物品を作る大気圧化学気相堆積方法であって、
コーティングが堆積される表面を有し、該表面が少なくとも400℃の温度にあるような高温ガラス基材を提供するステップと、
前記コーティングが堆積される表面に、亜鉛含有化合物、水またはアルコール/水混合物、及びガリウム含有化合物を導くステップとを含み、前記導くステップが、前記亜鉛含有化合物、前記水または前記アルコール/水混合物、及びガリウム含有化合物が、ガリウムドープ酸化亜鉛コーティングが9.3nm/秒以上の堆積速度で前記表面上に形成されるように、蒸気の状態で、十分短い時間の間、混合されることを含むことを特徴とする方法。 - 前記アルミニウム含有化合物が、一般式:R9 (3−n)Al(R10C(O)CR11C(O)R12)nまたはR9 3Al(L)のアルミニウム化合物を含み、ここで、R9は、アルキル基またはアリール基またはハライド基またはアルコキシド基であり、R10−12は、互いに同じであっても異なっていてもよく、H、アルキル基またはアリール基(環状誘導体、部分誘導体、ペルフルオロ化誘導体を含む)であり、Lは、酸素ベースの中性配位子であり、n=0〜3であることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記アルミニウム含有化合物が、ジエチルアルミニウムアセチルアセトネートを含むことを特徴とする請求項9又は11に記載の方法。
- 前記ガリウム含有化合物が、一般式:R9 (3−n)Ga(R10C(O)CR11C(O)R12)nまたはR9 3Ga(L)のガリウム化合物を含み、ここで、R9は、アルキル基またはアリール基またはハライド基またはアルコキシド基であり、R10−12は、互いに同じであっても異なっていてもよく、H、アルキル基またはアリール基(環状誘導体、部分誘導体、ペルフルオロ化誘導体を含む)であり、Lは、酸素ベースの中性配位子であり、n=0〜3であることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記ガリウム含有化合物が、ジメチルガリウムヘキサフルオロアセチルアセトネートまたはジメチルガリウムアセチルアセトネートを含むことを特徴とする請求項10又は13に記載の方法。
- 前記亜鉛含有化合物が、一般式R1R2ZnまたはR1R2Zn−[R3R4N(CHR5)n(CH2)m(CHR6)nNR7R8]の亜鉛含有化合物を含み、ここで、R1−8は、互いに同じかまたは異なるアルキル基またはアリール基であることができ、1若しくは複数のフッ素含有置換基を含むことがあり、R5及びR6は、Hまたはアルキル基またはアリール基であることができ、nは0または1であることができ、mは、nが0ならば1〜6、nが1ならば0〜6であることができることを特徴とする請求項9乃至14のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ガリウムドープ酸化亜鉛コーティングが形成されている間に、前記基板が移動することを特徴とする請求項2、5、6、10、13、14のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項9乃至15のいずれか1項に記載の方法に従って形成される低抵抗率被覆ガラス物品。
- 低抵抗率のドープ酸化亜鉛被覆ガラス物品を作る大気圧化学気相堆積方法であって、
コーティングが堆積される表面を有し、該表面が少なくとも400℃の温度にあるような高温ガラス基材を提供するステップと、
前記コーティングが堆積される表面に、亜鉛含有化合物、水またはアルコール/水混合物及び少なくとも1つの13属元素含有化合物を導くステップとを含み、前記導くステップが、前記亜鉛含有化合物、前記水または前記アルコール/水混合物、及び前記少なくとも1つの13属元素含有化合物が、少なくとも1つの13属元素をドープした酸化亜鉛コーティングが9.3nm/秒以上の堆積速度で前記ガラス物品の表面上に形成されるように十分短い時間の間、混合されることを含むことを特徴とする方法。 - 前記少なくとも1つの13属元素含有化合物が、アルミニウム含有化合物、ガリウム含有化合物、ホウ素含有化合物、インジウム含有化合物、タリウム含有化合物からなる群から選択される化合物であることを特徴とする請求項18に記載の方法。
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