ATE101303T1 - Kaskaden-montierung von parallelgeschalteten transistoren realisiert in hybridschaltungstechnologie. - Google Patents

Kaskaden-montierung von parallelgeschalteten transistoren realisiert in hybridschaltungstechnologie.

Info

Publication number
ATE101303T1
ATE101303T1 AT90119251T AT90119251T ATE101303T1 AT E101303 T1 ATE101303 T1 AT E101303T1 AT 90119251 T AT90119251 T AT 90119251T AT 90119251 T AT90119251 T AT 90119251T AT E101303 T1 ATE101303 T1 AT E101303T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
cascading
hybrid circuit
transistors connected
circuit technology
realized
Prior art date
Application number
AT90119251T
Other languages
English (en)
Inventor
Jacques Chave
Original Assignee
Alsthom Gec
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alsthom Gec filed Critical Alsthom Gec
Application granted granted Critical
Publication of ATE101303T1 publication Critical patent/ATE101303T1/de

Links

Classifications

    • H10W90/00—
    • H10W72/5445—

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
AT90119251T 1989-10-11 1990-10-08 Kaskaden-montierung von parallelgeschalteten transistoren realisiert in hybridschaltungstechnologie. ATE101303T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8913277A FR2652983B1 (fr) 1989-10-11 1989-10-11 Montage en cascade d'etages de transistors en parallele realise en circuit hybride.
EP90119251A EP0422554B1 (de) 1989-10-11 1990-10-08 Kaskaden-Montierung von parallelgeschalteten Transistoren realisiert in Hybridschaltungstechnologie

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE101303T1 true ATE101303T1 (de) 1994-02-15

Family

ID=9386284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT90119251T ATE101303T1 (de) 1989-10-11 1990-10-08 Kaskaden-montierung von parallelgeschalteten transistoren realisiert in hybridschaltungstechnologie.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5040050A (de)
EP (1) EP0422554B1 (de)
JP (1) JPH03150868A (de)
AT (1) ATE101303T1 (de)
DE (1) DE69006447T2 (de)
ES (1) ES2050906T3 (de)
FR (1) FR2652983B1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7402846B2 (en) * 2005-10-20 2008-07-22 Atmel Corporation Electrostatic discharge (ESD) protection structure and a circuit using the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE27730E (en) * 1969-08-19 1973-08-14 Difference amplifier with parallel, isolated emitter configuration
IT1212708B (it) * 1983-02-28 1989-11-30 Ates Componenti Elettron Dispositivo di potenza a semiconduttore costituito da una molteplicita' di elementi attivi uguali collegati in parallelo.
JPH088269B2 (ja) * 1986-10-22 1996-01-29 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト 半導体デバイス
US4907068A (en) * 1987-01-21 1990-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor arrangement having at least one semiconductor body
FR2620862B1 (fr) * 1987-09-17 1990-04-06 Thomson Semiconducteurs Montage en parallele de transistors mos de puissance

Also Published As

Publication number Publication date
FR2652983B1 (fr) 1993-04-30
ES2050906T3 (es) 1994-06-01
US5040050A (en) 1991-08-13
FR2652983A1 (fr) 1991-04-12
EP0422554A1 (de) 1991-04-17
DE69006447T2 (de) 1994-05-11
JPH03150868A (ja) 1991-06-27
EP0422554B1 (de) 1994-02-02
DE69006447D1 (de) 1994-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910015119A (ko) 스위칭 회로
DE3578273D1 (de) Verdrahtungslagen in halbleiterbauelementen.
DE59008471D1 (de) Leistungshalbleitermodul.
DE69113987D1 (de) Monolitische Halbleiteranordnung bestehend aus einer integrierten Kontrollschaltung und aus mindestens einem Leistungstransistor, die auf demselben Chip integriert sind und Herstellungsverfahren.
DE3484220D1 (de) Herstellung von mos-integrierten schaltungsvorrichtungen.
IT8023688A0 (it) Processo di fabbricazione di circuiti semiconduttori.
DE3784130D1 (de) Kuehlung von objekten, zum beispiel halbleiteranordnungen.
DE68920491D1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung, bestehend aus einer Differenztransistorschaltung mit einem Paar von FETs.
DE3576612D1 (de) Halbleiteranordnung mit mos-transistoren.
DE3582457D1 (de) Halbleitervorrichtung mit eingangs-/ausgangsschutzschaltung.
EP0204568A3 (de) Niederleistungsschaltungsteile
KR860009424A (ko) 반도체 집적 회로
DE3889570D1 (de) Halbleiterschaltung.
DE3768881D1 (de) Integrierte schaltungen mit stufenfoermigen dielektrikum.
DE3586810D1 (de) Halbleiterschaltung.
DE3881264D1 (de) Gate-steuerbare bilaterale halbleiterschaltungsanordnung.
KR900013654A (ko) 반도체 장치
EP0203384A3 (de) Vielfacheingangsschaltung für Feldeffekttransistoren
KR900005452A (ko) 반도체 메모리
DE69017322D1 (de) Modultyp-Halbleiteranordnung von hoher Leistungskapazität.
KR920001708A (ko) 반도체 집적회로
ATE101303T1 (de) Kaskaden-montierung von parallelgeschalteten transistoren realisiert in hybridschaltungstechnologie.
FI864724A7 (fi) Puolijohde-yhdysjohtopiiri.
KR920009015A (ko) 반도체 칩의 보호회로
KR970072293A (ko) 반도체 집적회로 및 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
UEP Publication of translation of european patent specification
REN Ceased due to non-payment of the annual fee