AT392704B - Strahlungsempfindliche halbleiteranordnung - Google Patents

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Description

AT 392 704 B
Die Erfindung betrifft eine strahlungsempfindliche Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper, der mindestens eine strahlungsempfindliche Diode aufweist mit mindestens einem pn-Übergang zwischen einem Halbleitergebiet vom ersten Leitfähigkeitstyp, das mit einem Anschlußgebiet versehen ist, und einer schichtförmigen Halbleiterzone vom zweiten, zum ersten entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp, welche mit einem 5 weiteren Anschlußgebiet versehen ist und eine derart geringe Dicke und eine so niedrige Dotierungskonzentration aufweist, daß sie im Betriebszustand über praktisch die ganze Dicke und Oberfläche an Ladungsträgern verarmt ist.
Strahlungsempfindliche Halbleiteranordnungen dieser Art werden u. a. zum unmittelbaren Umwandeln elektromagnetischer Strahlung, insbesondere von sichtbarem Licht und IR-Strahlung, in einen elektrischen Strom 10 bzw. eine elektrische Spannung verwendet. Derartige Photodioden werden beispielsweise in der elektrooptischen Kommunikationstechnik verwendet Auch werden derartige Halbleiteranordnungen in medizinischen Geräten eingesetzt, wie in einem Röntgenabtaster, der mit einem Szintillator aus beispielsweise Cäsiumjodid versehen ist, der die Röntgenstrahlung in Strahlung umwandelt, für die die Photodiode empfindlich ist. Außerdem werden derartige Halbleiteranordnungen zum Detektieren von Teilchenstrahlung, wie beispielsweise Elektronenstrahlung, 15 benutzt
Ein Problem bei derartigen Strahlungsdetektoren ist oft die große Kapazität des pn-Überganges, die das HF-Verhalten des Strahlungsdetektors beeinträchtigt und außerdem, vor allem bei einem schwachen Signal (d. h. bei einer geringen Strahlungsintensität), ein schlechtes Signal-Rausch-Verhältnis verursacht
Diese Kapazität wird häufig u. a. durch die Größe der Oberfläche eines Diffusionsgebietes (meistens ein p-20 leitendes Diffusionsgebiet in einem n-leitenden Halbleiterkörper) bestimmt Die betreffende Oberfläche wird jedoch vorzugsweise möglichst groß gewählt, um eine möglichst hohe Strahlungsempfindlichkeit des Detektors und damit einen möglichst großen Photostrom zu erhalten. Um die damit einhergehende hohe Kapazität teilweise zu eliminieren, kann die Oberfläche des Diffusionsgebietes dadurch etwas verkleinert werden, daß dieses Gebiet beispielsweise eine Fingerstruktur erhält 25 Eine strahlungsempfindliche Halbleiteranordnung der eingangs erwähnten Art ist aus der JP-A2-53-136987 bekannt. Die Kapazität des darin geoffenbarten strahlungsempfindlichen pn-Überganges wird dadurch wesentlich verringert, daß im Betriebszustand die schichtförmige Halbleiterzone vom zweiten Leitfähigkeitstyp völlig verarmt ist. In einer derartigen Halbleiteranordnung können, vor allem wenn sich die Anschlußkontakte des Halbleitergebietes vom ersten Leitfähigkeitstyp sowie der Halbleiterzone vom zweiten Leitfähigkeitstyp auf der 30 Seite der auftreffenden Strahlung befinden, Probleme auftreten. Die Kontaktmetallisierungen, also auch diejenigen der schichtförmigen Halbleiterzone, werden nämlich vorzugsweise möglichst klein gehalten, um eine möglichst große wirksame Oberfläche des Strahlungsdetektors zu erhalten. Die in der verarmten schichtförmigen Halbleiterzone durch Strahlung erzeugten Minoritätsladungsträger müssen den Anschlußkontakt durch Diffusion erreichen, was die Geschwindigkeit der strahlungsempfindlichen Halbleiteranordnung beeinträchtigt. Insbesondere 35 im medizinischen Bereich ist es von Bedeutung, daß diese Geschwindigkeit hoch genug ist, da sie auch die Belichtungszeit bei Röntgenaufnahmen bestimmt und damit die Strahlungsdosis, der der Patient ausgesetzt wird.
Die Erfindung hat nun zur Aufgabe, eine Halbleiteranordnung der eingangs angegebenen Art zu schaffen, in der diese Nachteile zum großen Teil ausgeschaltet sind und eine hohe Geschwindigkeit erreicht wird. Der Erfindung liegt dabei die Erkenntnis zugrunde, daß dies u. a. dadurch erreicht werden kann, daß für die 40 schichtförmige Halbleiterzone eine besondere Geometrie gewählt wird.
Die erfindungsgemäße strahlungsempfindliche Halbleiteranordnung der eingangs erwähnten Art ist dadurch gekennzeichnet, daß die schichtförmige Halbleiterzone Teilzonen aufweist, die in Richtung vom weiteren Anschlußgebiet her gesehen in ihrer Breite oder Dicke abnehmen. Damit wird erreicht, daß bei Anlegen einer Spannung in Sperrichtung am pn-Übergang zwischen der schichtförmigen Halbleiterzone und dem 45 Halbleitergebiet ein derartiger Verlauf des Potentialabfalles in den Teilzonen aufiritt, daß dadurch ein elektrisches
Feld erzeugt wird, das die Minoritätsladungsträger in Richtung zum weiteren Anschlußgebiet beschleunigt, wo sie abgeführt werden. Durch diese Maßnahme wird der Transport der Minoritätsladungsträger wesentlich beschleunigt, und es wird daher schneller ein zuverlässiges Signal erhalten; bei einer Anwendung für Röntgenaufnahmen wird dadurch die Aufhahmezeit verkürzt und damit die Strahlungsdosis verringert. Im übrigen 50 ist auch von Vorteil, daß zufolge der Tatsache, daß die Teilzonen nahezu völlig an Ladungsträgern verarmt sind, die Kapazität des pn-Überganges sehr gering ist, wodurch ein günstiges Signal-Rausch-Verhältnis erzielt wird.
Als besonders vorteilhaft hat es sich in Zusammenhang mit der beschriebenen Beschleunigung erwiesen, wenn die schichtförmige Halbleiterzone einen zentralen Teil aufweist, der das weitere Anschlußgebiet umfaßt und von dem aus sich die Teilzonen wie herausragende Teüe erstrecken. 55 Eine besonders gute Funktion kann insbesondere erreicht werden, wenn die Länge der Teilzonen mindestens 5- und höchstens 25-mal ihre maximale Breite beträgt.
Auch ist es hier günstig, wenn die schichtförmige Halbleiterzone in Draufsicht etwa sternförmig ist. Beispielsweise kann dabei die Form eines sechs- oder achtzackigen Sterns vorliegen. Für einen Einsatz in der Computerröntgentomographie kann eine aus einer Matrix von solchen Teil-Dioden 60 zusammengesetzte Diodenanordnung vorgesehen werden.
Demgemäß ist eine vorteilhafte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung, mit einer Gruppe von strahlungsempfindlichen Dioden mit pn-Übergängen, dadurch gekennzeichnet, daß die Gruppe von -2-
AT 392 704 B
Dioden mit gemeinsamen Kontaktmetallisierungen versehen ist. Dabei ist es weiter von Vorteil, wenn bei Vorsehen von mehreren Gruppen von strahlungsempfindlichen Dioden jede Gruppe von einem Halbleitergebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp umgeben ist, das mit einem einzelnen Kontaktanschluß versehen ist.
Es sei noch erwähnt, daß aus der US-PS 3 994 012 eine Sperrschichtphotozelle bekannt ist, die spitzenförmige, mit Elektroden versehene Halbleiterzonen zeigt. Allerdings sind diese Halbleiterzonen für eine auftreffende Strahlung nicht zugänglich, sehr stark mit Dotierungselementen verunreinigt und daher im Betriebszustand nicht an Ladungsträgern verarmt. Weiters ist aus der US-PS 3 449 648 eine Halbleiteranordnung bekannt, die mit spitzenförmigen Halbleiterzonen versehen ist, wobei es sich hier aber um einen Feldeffekttransistor handelt, bei dem ebenfalls die spitzenförmigen Halbleiterzonen, die zur Drain-Elektrode gehören, für auftreffende Strahlung nicht zugänglich sind. Schließlich wird darauf hingewiesen, daß das Umgeben einer Gruppe von Dioden mit einer ringförmigen Diode, deren Verarmungsgebiet die Verarmungsgebiete der Dioden der Gruppe berührt, aus der DE-OS 3 124 238 bekannt ist.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen noch weiter erläutert. Es zeigen: Fig. 1 eine schematische Draufsicht auf eine Halbleiteranordnung mit einer strahlungsempfindlichen Diode; Fig. 2 einen schematischen Schnitt gemäß der Linie (Η-Π) in Fig. 1; Fig. 3 eine Abwandlung der Halbleiteranordnung gemäß Fig. 2; Fig. 4 eine schematische Darstellung des Potentialverlaufes und der zugeordneten elektrischen Felder in einem Teil einer Diode gemäß den Fig. 1 und 2; Fig. 5 einen Teil einer strahlungsempfindlichen Halbleiteranordnung, die mehrere Dioden aufweist; Fig. 6 einen Schnitt gemäß der Linie (VI-VI) in Fig. 5; und Fig. 7 eine schematische Draufsicht auf einen Teil einer Scheibe, in der die Halbleiteranordnung gemäß Fig. 5 und 6 hergestellt wird.
Die Darstellung in der Zeichnung ist schematisch und nicht maßstabgerecht, wobei deutlichkeitshalber in den Schnitten insbesondere die Abmessungen in der Dickenrichtung stark übertrieben sind. Halbleiterzohen von demselben Leitfähigkeitstyp sind im allgemeinen in derselben Richtung schraffiert; in den Figuren sind entsprechende Teile in der Regel mit denselben Bezugszeichen angegeben.
Die Halbleiteranordnung (1) gemäß Fig. 1 und 2 enthält einen Halbleiterkörper (2) mit einem Halbleitergebiet (4), in diesem Beispiel einem n-leitenden Oberflächengebiet mit einem Flächenwiderstand von 10 Ohm cm, entsprechend einer Donatorkonzentration von etwa 5.101^ Atomen/cnA An der Oberfläche (3) des Halbleiterkörpers (2) befindet sich eine p-leitende schichtförmige Halbleiterzone (Oberflächenzone) (5), (6), die mit dem n-leitenden Oberflächengebiet (4) einen pn-Übergang (7) bildet. Die mittlere Dotierung der Halbleiter-
Oberflächenzone (5), (6) beträgt 2.10^-10^ Akzeptoratome/cm^, während die Dicke etwa 1 pm beträgt. Dies bedeutet, daß die Oberflächenzone (5), (6) bei einer geringen Spannung am pn-Übergang (7) in Sperrichtung völlig verarmt ist. Zur Kontaktierung des n-leitenden Oberflächengebietes (4) ist die sternförmige p+-leitende Halbleiterzone (5), (6) beispielsweise von einer n+-leitenden Kontaktdiffusionszone (9) als Anschlußgebiet umgeben.
Gemäß Fig. 1 enthält die schichtförmige Halbleiterzone (5), (6) in Draufsicht mehrere Teilzonen (6) in Form von herausragenden Teilen, die von der Mitte nach außen in der Breite abnehmen, beispielsweise von 5 pm auf 2 pm über einen Abstand von 50 pm. Im vorliegenden Fall wird dies dadurch erreicht, daß die schichtförmige
Halbleiterzone (5), (6) die Form eines sechszackigen Sterns hat Im zentralen Teil (5) hievon ist ein p‘-leitendes Anschlußgebiet (8) für die Kontaktierung der Halbleiterzone (5), (6) vorgesehen. Die Oberfläche (3) des Halbleiterkörpers (2) ist mit einer Isolierschicht (10) bedeckt, in der Kontaktlöcher (11) und (12) vorgesehen sind, über die das p+-leitende weitere Anschlußgebiet (8) und die n+-leitende Kontaktdiffusionszone (9) mit Metallisierungsmustem (13), (14) kontaktiert werden.
Dadurch, daß die p-leitende Halbleiterzone (5), (6) im Betriebszustand über praktisch die ganze Dicke und Oberfläche an Ladungsträgern verarmt ist, ist die zugeordnete Verarmungskapazität nahezu vemachlässigbar, was für die Halbleiteranordnung nach Fig. 1 und 2 ein sehr günstiges Signal-Rausch-Verhältnis bedeutet
Die schichtförmige Halbleiterzone (5), (6) kann beispielsweise durch Ionenimplantation angebracht werden und braucht auch nicht unbedingt an der Oberfläche (3) zu liegen, wie dies in der Halbleiteranordnung gemäß Fig. 3 der Fall ist, die im übrigen jener gemäß Fig. 2 entspricht mit Ausnahme einer Oberflächenschicht (15) vom n+-Leitfähigkeitstyp. Eine derartige hochdotierte Oberflächenschicht (15) erzeugt ein elektrisches Feld, wodurch Minoritätsladungsträger (in diesem Fall Löcher) zum darunterliegenden n-leitenden Halbleitergebiet (4) beschleunigt werden. Dadurch wird bekanntlich die Gefahr vor Oberflächenrekombination verringert, was die Empfindlichkeit der strahlungsempfindlichen Halbleiteranordnung erhöht.
Wie erwähnt, sind die Teilzonen (6) im Betriebszustand völlig verarmt. Obschon dies bei einer geeigneten Dotierung bereits bei 0 V erreicht werden kann, wird dies im allgemeinen dadurch rareicht, daß der pn-Übergang (7) in Sperrichtung vorgespannt wird. In Fig. 4 ist eine derartige Teilzone (6) auf schematische Weise mit der zugehörigen Verarmungszone (16) dargestellt Der Potentialverlauf zufolge der Sperrspannung am pn-Übergang (7) ist durch strichpunktierte Linien (17) dargestellt Mit der von den Enden zu der Mitte hin zunehmenden Breite der Teilzonen (6) wird der zugehörige Spannungsabfall am pn-Übergang (7) immer größer, was zu einem elektrischen Feld führt das in Fig. 4 schematisch mit Hilfe des Pfeiles (18) dargestellt ist Dieses Feld hat auf die Löcher, die die Teilzone (6) erreichen, einen beschleunigenden Einfluß in Richtung zum zentralen Teil (5). -3-
AT 392 704 B Löcher, die im n-leitenden Halbleitergebiet (4) erzeugt werden, werden nun, sobald sie die zum pn-Übergang (7) gehörende Verarmungszone erreichen, durch die Sperrspannung an diesem pn-Übergang (7) zu einer der herausragenden Teilzonen (6) oder zum zentralen Teil (15) beschleunigt Wenn diese Löcher eine der Teilzonen (6) erreichen, werden sie durch die besondere Form dieser Teilzonen (6) zum zentralen Teil (15) beschleunigt. Auf diese Weise werden die durch Strahlung erzeugten Löcher schnell und auf wirksame Weise zur Kontaktmetallisierung (13) abgeführt.
Die Fig. 5 und 6 zeigen einen Teil einer Halbleiteranordnung (1), die sich zum Gebrauch in einem Röntgenabtastgerät eignet. Die aufzuzeichnende Röntgenstrahlung wird in diesem Beispiel mit Hilfe eines Szintillators (19) aus beispielsweise Cäsiumjodid in Strahlung umgewandelt, für die die Halbleiteranordnung (1) besonders empfindlich ist. Die Halbleiteranordnung (1) enthält mehrere Diodenanordnungen oder -gruppen, die ihrerseits aus einer Anzahl von Dioden (20) zusammengesetzt sind, die im allgemeinen eine sternförmige Geometrie aufweisen, wie obenstehend an Hand der Fig. 1 bis 3 beschrieben wurde. Zum Abführen des Gesamtsignals von den Dioden (20) einer Diodengruppe enthält die Halbleiteranordnung ein Muster von Kontaktmetallisierungen (21) mit u. a. einer Anschlußfläche (bonding pad) (22). Jede der Diodenanordnungen ist von einem p-leitenden Halbleitergebiet (23) umgeben, das nachstehend noch näher beschrieben wird. Die Sperrspannung am pn-Übergang (7) der Dioden (20) wird zwischen den p-leitenden Gebieten (5), (6), (8), die über das Kontaktloch (11) mit Hilfe des Metallisierungsmusters (21) kontaktiert werden, und einem Kontakt (24) auf der Unterseite der Halbleiteranordnung (1) angelegt Zwecks guter Kontaktierung befindet sich zwischen diesem Kontakt (24) und dem n-leitenden Halbleitergebiet (4) eine hochdotierte n-leitende Kontaktzone (25).
Mit Hilfe eines einzelnen Kontaktanschlusses (26), der über ein Metallisierungsmuster (27) und ein Kontaktloch (28) das p-leitende Halbleitergebiet (23) kontaktiert, kann der pn-Übergang (29) zwischen diesem p-leitenden Halbleitergebiet (23) und dem n-leitenden Halbleitergebiet (4) ebenfalls in der Sperrichtung vorgespannt werden, und zwar derart, daß das zugehörige Verarmungsgebiet sich bis an die Verarmungsgebiete des benachbarten pn-Überganges (7) der Dioden (20) erstreckt. Auf diese Weise werden Randeffekte vermieden, wie sie in der DE-OS 3124 238 beschrieben werden.
Im wesentlichen würde nur ein Kontaktanschluß (26) für alle Diodenanordnungen in einer derartigen Halbleiteranordnung (1), diebeispielsweise vierundzwanzig derartiger Diodenanordnungen enthält, ausreichen, da das mittels des Metallisierungsmusters (26), (27) kontaktierte p+-leitende Halbleitergebiet (23) alle Diodenanordnungen umgibt. Dadurch, daß jede der Diodenanordnungen einen einzelnen Kontaktanschluß hat, kann jedoch eine erhöhte Ausbeute bei der Herstellung erreicht werden. Dies wird an Hand der Fig. 7 näher beschrieben.
Fig. 7 zeigt in Draufsicht einen Teil einer Scheibe, auf der sich zwischen zwei n-leitenden Ritzbahnen (30) beispielsweise zweiundsiebzig Diodenanordnungen, wie diese an Hand der Fig. 5 und 6 beschrieben wurden, befinden. Wenn zum Gebrauch in Röntgengeräten Vorrichtungen mit Reihen von vierundzwanzig Diodenanordnungen erforderlich sind, könnte es ausreichen, beispielsweise die erste, die fünfundzwanzigste und die neunundvierzigste Diodenanordnung mit einem Kontaktloch (28) und mit Kontaktmetallisierungen (26), (27) zu versehen. Damit würden dann die umgebenden Halbleitergebiete (23) der Diodenanordnungen Nr. 1 bis Nr. 24 bzw. Nr. 25 bis Nr. 48 und Nr. 49 bis Nr. 72 angeschlossen werden, mit den obengenannten Vorteilen in bezug auf Ausschaltung von Randeffekten.
In der Praxis können bei der Herstellung weniger gute oder sogar defekte Dioden entstehen. Wenn nun jede der Diodenanordnungen eine derartige Kontaktmetallisierung (26), (27) erhält, können dennoch eine oder mehrere Vorrichtungen aus einer Reihe mit schlecht funktionierenden oder defekten Diodenanordnungen erhalten werden, wenn in nur einer Reihe vierundzwanzig gut arbeitende Diodenanordnungen nebeneinander vorhanden sind.
Wenn beispielsweise in einer Reihe die dritte Diodenanordnung (Bezugszeichen (31) in Fig. 7) defekt ist, während die vierte bis zu der siebenundzwanzigsten Diodenanordnung nicht defekt sind, kann mindestens eine einwandfrei funktionierende Vorrichtung mit Hilfe von Kratzern (36) und (37) zwischen der dritten Diodenanordnung (31) und der vierten Diodenanordnung (32) bzw. der siebenundzwanzigsten Diodenanordnung (33) und der achtundzwanzigsten Diodenanordnung (34) erhalten werden. In den rechts vom Kratzer (37) liegenden fünfundvierzig Diodenanordnungen können wieder einige Diodenanordnungen defekt sein, beispielsweise die neunundzwanzigste Diodenanoidnung (Bezugszeichen (35)) oder Diodenanordnungen nach der zweiundfünfzigsten Diodenanordnung. Auf diese Weise werden zwei gute Vorrichtungen erhalten, wogegen bei nur einer Kontaktmetallisierung (26), (27) je vierundzwanzig Diodenanordnungen keine oder höchstens nur eine gute Vorrichtung erhalten werden würde. Die Möglichkeit, mehr gute Vorrichtungen je Reihe zu erhalten, kann noch etwas dadurch vergrößert weiden, daß die Anzahl der Diodenanordnungen je Reihe etwas größer gewählt wird als 3 x 24, beispielsweise achtzig, zumal derartige schlecht funktionierende Diodenanordnungen sich meistens am Rand des Kristalls befinden.
Selbstverständlich beschränkt sich die Erfindung nicht auf die vorstehend beschriebenen Beispiele, sondern es sind im Rahmen der Erfindung mehrere Abwandlungen möglich. So können die Leitfähigkeitstypen aller Halbleitergebiete und -zonen (gleichzeitig) umgekehrt werden. Außerdem können für die Halbleiterzonen (5), (6) abweichende Dicken und Dotierungen gewählt werden, und auch die Form der Teilzonen (6) kann anders gewählt werden. So können sich die Teilzonen (6) gemäß den Fig. 1 bis 3 auch von einer Anzahl Kontaktzonen aus erstrecken, die sich beispielsweise in den Ecken des Quadrates (40) befinden, ähnlich wie sich in Fig. 5 Dioden -4-

Claims (6)

  1. AT 392 704 B (20) in den Ecken der Diodenanordnungen befinden können. Außerdem kann statt der Breite auch die Dicke der Teilzonen (6) allmählich abnehmen, was zu demselben Effekt führt, und zwar zu einem beschleunigenden Feld. Eine derartige Halbleiterzone braucht dabei nicht unbedingt in voneinander getrennte Teilzonen aufgeteilt zu sein und kann in Fig. 1 praktisch die ganze Oberfläche des Quadrates (40) bestreichen. Eine derartige Teilzone mit abnehmender Dicke kann beispielsweise durch Ionenimplantation durch eine Maske mit zunehmender Dicke hindurch erhalten werden. PATENTANSPRÜCHE 1. Strahlungsempfindliche Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper, der mindestens eine strahlungsempfindliche Diode aufweist mit mindestens einem pn-Übergang zwischen einem Halbleitergebiet vom ersten Leitfähigkeitstyp, das mit einem Anschlußgebiet versehen ist, und einer schichtförmigen Halbleiterzone vom zweiten, zum ersten entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp, welche mit einem weiteren Anschlußgebiet versehen ist und eine derart geringe Dicke und eine so niedrige Dotierungskonzentration aufweist, daß sie im Betriebszustand über praktisch die ganze Dicke und Oberfläche an Ladungsträgern verarmt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die schichtförmige Halbleiterzone (5, 6) Teilzonen (6) aufweist, die in Richtung vom weiteren Anschlußgebiet (8) her gesehen in ihrer Breite oder Dicke abnehmen.
  2. 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die schichtförmige Halbleiterzone (5,6) einen zentralen Teil (5) aufweist, der das weitere Anschlußgebiet (8) umfaßt und von dem aus sich die Teilzonen (6) wie herausragende Teile erstrecken.
  3. 3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge der Teilzonen (6) mindestens 5- und höchstens 25-mal ihre maximale Breite beträgt.
  4. 4. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die schichtförmige Halbleiterzone (5,6) in Draufsicht etwa sternförmig ist.
  5. 5. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, mit einer Gruppe von strahlungsempfindlichen Dioden mit pn-Übergängen, dadurch gekennzeichnet, daß die Gruppe von Dioden (20) mit gemeinsamen Kontaktmetallisierungen (21) versehen ist.
  6. 6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß bei Vorsehen von mehreren Gruppen von strahlungsempfindlichen Dioden (20) jede Gruppe von einem Halbleitergebiet (23) vom zweiten Leitfähigkeitstyp umgeben ist, das mit einem einzelnen Kontaktanschluß (26) versehen ist Hiezu 2 Blatt Zeichnungen -5-
AT2254/84A 1983-07-14 1984-07-12 Strahlungsempfindliche halbleiteranordnung AT392704B (de)

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