JPS6057677A - 放射感応半導体装置 - Google Patents
放射感応半導体装置Info
- Publication number
- JPS6057677A JPS6057677A JP59142479A JP14247984A JPS6057677A JP S6057677 A JPS6057677 A JP S6057677A JP 59142479 A JP59142479 A JP 59142479A JP 14247984 A JP14247984 A JP 14247984A JP S6057677 A JPS6057677 A JP S6057677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- semiconductor device
- region
- sensitive
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 94
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 47
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 7
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000779 depleting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02027—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for devices working in avalanche mode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Curing Cements, Concrete, And Artificial Stone (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、第１酌電型の第１半Ｗ体領域と、この第１導
電型とは反対の第２導電型の層伏゛１′−勇体区域との
間の少なくとも１一つのｐｎ接合を有する少なくとも放
射感応ダイオードか設のられている下勇体本体を具える
放η・１感応′Ｉ′、導体装置であって、前記の層状半
導体区域（よ動作中Ｃａｔはその厚さおよび表面積全体
に亘って空乏化される。↓゛・うな厚さおよび不純物濃
度を有するようにした放射感胞、主、」ζ１体装置に関
するものである。
電型とは反対の第２導電型の層伏゛１′−勇体区域との
間の少なくとも１一つのｐｎ接合を有する少なくとも放
射感応ダイオードか設のられている下勇体本体を具える
放η・１感応′Ｉ′、導体装置であって、前記の層状半
導体区域（よ動作中Ｃａｔはその厚さおよび表面積全体
に亘って空乏化される。↓゛・うな厚さおよび不純物濃
度を有するようにした放射感胞、主、」ζ１体装置に関
するものである。
上述した種類の放射感応半導体装置は２）８ｔに、電磁
放射、４．＋ｉに可視光や赤外線を＜Ｂ流或いＩＩ雷電
圧直接変換するのに用いられれる。例えば、電気光学技
術においてはフォトグイオートが用いられ”（いる。こ
のような半導体装置は、Ｘ線放射をフォトダイオードが
特に感応する放射に変換する例えば、沃化セシウムのシ
ンチレータが設けられているＸ線スキャナのよ・）な医
療装置にも用いられている。更にこのような半導体装置
は例えば電子放−躬のような粒子放射を検出するのに用
いられる。
放射、４．＋ｉに可視光や赤外線を＜Ｂ流或いＩＩ雷電
圧直接変換するのに用いられれる。例えば、電気光学技
術においてはフォトグイオートが用いられ”（いる。こ
のような半導体装置は、Ｘ線放射をフォトダイオードが
特に感応する放射に変換する例えば、沃化セシウムのシ
ンチレータが設けられているＸ線スキャナのよ・）な医
療装置にも用いられている。更にこのような半導体装置
は例えば電子放−躬のような粒子放射を検出するのに用
いられる。
このような放射検出器における問題は前記のｐｎ接合の
容量がしばしば高くなるということである。
容量がしばしば高くなるということである。
このような高容量は前述したような放射検出器の高周波
作動に悪影響を及ぼすとともに、特に弱い信号（すなわ
ち低放射強度）で信号対１ｆｆｆ音比を劣化させる。
作動に悪影響を及ぼすとともに、特に弱い信号（すなわ
ち低放射強度）で信号対１ｆｆｆ音比を劣化させる。
一般に、この容量は特に拡散領域（殆んどの場合ｎ型半
導体本体中のｐ型拡散領域）の表面積の広さによって決
まる。しかし、検出器の放射怒度をできるだけ最大に、
従って光電流をできるだり最大にする為に、この表面積
はできるだり大きく選択するのが好ましい。表面積を大
きくすることに関連する高容量を減少させる為には、拡
散領域を例えば指状構造とすることによりこの拡散領域
の表面積をわずかにへ少−１しめろようにずろことがで
きる。
導体本体中のｐ型拡散領域）の表面積の広さによって決
まる。しかし、検出器の放射怒度をできるだけ最大に、
従って光電流をできるだり最大にする為に、この表面積
はできるだり大きく選択するのが好ましい。表面積を大
きくすることに関連する高容量を減少させる為には、拡
散領域を例えば指状構造とすることによりこの拡散領域
の表面積をわずかにへ少−１しめろようにずろことがで
きる。
前述した種類の半導体装置は肪開昭５３−１３６９８７
号公報に記載されており既知である。
号公報に記載されており既知である。
ごの公報に記１１反されている放射ｊみ応ｐｎ接合の容
量は、作動状態で第２ｍ電型の層状オ３７ｉ体ｉｚ域を
完全に空乏化することにより可成り減少−ｕしめられて
いる。
量は、作動状態で第２ｍ電型の層状オ３７ｉ体ｉｚ域を
完全に空乏化することにより可成り減少−ｕしめられて
いる。
このような半導体装置では、」、冒こ第１勇′屯型の領
域と第２導電型の領域との双方の接続接点を入射放射の
側に位置さゼる場合に問題がη二しる。放射検出器の有
効表面積をできるだＬＪ人きくする為に、実際に金属接
点化パターン、ずなわら層状区域の金属接点化パターン
もできるだけ小さくするのが好ましい。空乏化された層
状区域内で放射によって発生せしめられる少数電荷−）
−ヤリアは拡１１゜によって接続接点に到達せしめる必
要があり、従って放射感応半導体装置の感応速度が悪影
響を受ける。特に医療分野においてはこの感応速度を充
分速くする必要がある。その理由（、；、この感応速度
がＸ線露光時間、従って患者が受ける放射線量を決定す
る要因となる為である。
域と第２導電型の領域との双方の接続接点を入射放射の
側に位置さゼる場合に問題がη二しる。放射検出器の有
効表面積をできるだＬＪ人きくする為に、実際に金属接
点化パターン、ずなわら層状区域の金属接点化パターン
もできるだけ小さくするのが好ましい。空乏化された層
状区域内で放射によって発生せしめられる少数電荷−）
−ヤリアは拡１１゜によって接続接点に到達せしめる必
要があり、従って放射感応半導体装置の感応速度が悪影
響を受ける。特に医療分野においてはこの感応速度を充
分速くする必要がある。その理由（、；、この感応速度
がＸ線露光時間、従って患者が受ける放射線量を決定す
る要因となる為である。
本発明の目的は、上述した欠点を大部分ｊｌｌｔ （ｂ
た前述した種類の半導体装置を提供せんとするにある。
た前述した種類の半導体装置を提供せんとするにある。
本発明は、９、Ｙに層状区域を特定の形状とすることに
より上述した目的を達成しろるという事実を確かめ、か
かる認識を基に成したものである。
より上述した目的を達成しろるという事実を確かめ、か
かる認識を基に成したものである。
本発明は、第１導電型の第１半導体領域と、この第１導
電型とは反対の第２辱電型の層状半導体区域との間の少
な（とも１つのｐｎ接合を有する少なくとも１つの放射
感応ダイオードが設けられている半導体本体を具える放
射感応半導体装置であって、前記の層状半ｍ８体区域は
動作中はぼその厚さおよび表面積全体に亘って空乏化さ
れるような厚さおよび不純物濃度を有するようにした放
射感応半ｍ、体装置において、前記の層状半導体区域は
上方から見て複数個のザブ区域を有し、これらザブ区域
の幅がその連結点から見て減少していることを特徴とす
る。層状半導体区域には中央部分を設り、この中央部分
から前記のザブ区域が突出部分として延在するようにす
るのが好ましい。
電型とは反対の第２辱電型の層状半導体区域との間の少
な（とも１つのｐｎ接合を有する少なくとも１つの放射
感応ダイオードが設けられている半導体本体を具える放
射感応半導体装置であって、前記の層状半ｍ８体区域は
動作中はぼその厚さおよび表面積全体に亘って空乏化さ
れるような厚さおよび不純物濃度を有するようにした放
射感応半ｍ、体装置において、前記の層状半導体区域は
上方から見て複数個のザブ区域を有し、これらザブ区域
の幅がその連結点から見て減少していることを特徴とす
る。層状半導体区域には中央部分を設り、この中央部分
から前記のザブ区域が突出部分として延在するようにす
るのが好ましい。
本発明によれば、層状半導体区域と第１゛１′専休領域
との間のｐｎ接合が逆方向にバイアスされると、少数電
荷キャリヤを中央部分の方に加速してこの中央部分に少
数型１ｉｉｊ ；＋−ヤリ・）・を集めるような電界を
生しる電位降下変化を突出部分に生せしめるようになる
。この手段によれば、少数電イ：−：■−１−ヤリャの
移送が可成り加速され、他軸しうる信号が一層急速に得
られ、Ｘ線露光の場合、露光＋ｒｙＩ問および放射線■
が可成り減少する。
との間のｐｎ接合が逆方向にバイアスされると、少数電
荷キャリヤを中央部分の方に加速してこの中央部分に少
数型１ｉｉｊ ；＋−ヤリ・）・を集めるような電界を
生しる電位降下変化を突出部分に生せしめるようになる
。この手段によれば、少数電イ：−：■−１−ヤリャの
移送が可成り加速され、他軸しうる信号が一層急速に得
られ、Ｘ線露光の場合、露光＋ｒｙＩ問および放射線■
が可成り減少する。
加速電界の効果は全く異なる方法、ずなわら層状区域の
厚さを徐々に減少さセることにょっ“Ｃも得ることがで
きる。
厚さを徐々に減少さセることにょっ“Ｃも得ることがで
きる。
従って一木発明による他の３１鷺す体装置は、層状半導
体区域が少な（とも１つのザブ区域をイ〕し、該ザブ区
域の厚さが層状半導体区域に対する連結ｉＪ 域からの
方向で見て減少しでいることを′Ｒｊ ｆＴｈとする。
体区域が少な（とも１つのザブ区域をイ〕し、該ザブ区
域の厚さが層状半導体区域に対する連結ｉＪ 域からの
方向で見て減少しでいることを′Ｒｊ ｆＴｈとする。
また、突出部分がほぼ完全に空乏化されるという事実の
為に、ｐｎ接合の容量が可成り減少するという他の利点
が得られる。従って、このような半導体装置は優れた信
号対雑音比を有する。
為に、ｐｎ接合の容量が可成り減少するという他の利点
が得られる。従って、このような半導体装置は優れた信
号対雑音比を有する。
層状半導体区域は上方から見て星形とし、突出部分が、
６個或いは８個の尖端を有する足形の尖端部を構成する
ようにするのがりｒましい。コンピュータＸ線トモグラ
フィに適用する場合、１個のダイオードが一般にザブダ
イオードのマトリックスを有するようにする。
６個或いは８個の尖端を有する足形の尖端部を構成する
ようにするのがりｒましい。コンピュータＸ線トモグラ
フィに適用する場合、１個のダイオードが一般にザブダ
イオードのマトリックスを有するようにする。
図面につき本発明を説明する。
図面は線図的なものであり、寸法は実際のものに正比例
して１７．ｉいておらず、明瞭とする為に断面図におい
て特に厚さ方向の寸法を著しく誇張して示した。また同
し導電型の半導体区域には同一方向の斜４ｊｉｉを（＝
Ｊし、各図を通して対応する部分には同一符号をイ（」
シた。
して１７．ｉいておらず、明瞭とする為に断面図におい
て特に厚さ方向の寸法を著しく誇張して示した。また同
し導電型の半導体区域には同一方向の斜４ｊｉｉを（＝
Ｊし、各図を通して対応する部分には同一符号をイ（」
シた。
第１および２図の半導体装置１は半導体本体２を具えて
おり、この半博体本体２は、本例では約５・１０′４原
子／Ｃ艷のトナー濃度に相当する１ｏΩ−ｃｍのソート
抵抗値を有するｎ型表面領域４を具えている。半導体本
体２の表面３にはｐ型のＩＱ；扶゛し１ｊ体区域５．６
を設け、この半導体Ｉ２域５，６は１１型領域４とでｐ
ｎ接合７を形成する。半）、ｑ体区域５．６の平均ドー
ピング濃度は２・１０′′〜Ｉ０１′のアクセプタ原子
／ ｃｍとし、その厚さは約」μｒｎとする。このこと
は、ｐｎ接合７にまたかろ逆方向の低電圧で半導体区域
５，６が完全に空乏化されるということを意味する。
おり、この半博体本体２は、本例では約５・１０′４原
子／Ｃ艷のトナー濃度に相当する１ｏΩ−ｃｍのソート
抵抗値を有するｎ型表面領域４を具えている。半導体本
体２の表面３にはｐ型のＩＱ；扶゛し１ｊ体区域５．６
を設け、この半導体Ｉ２域５，６は１１型領域４とでｐ
ｎ接合７を形成する。半）、ｑ体区域５．６の平均ドー
ピング濃度は２・１０′′〜Ｉ０１′のアクセプタ原子
／ ｃｍとし、その厚さは約」μｒｎとする。このこと
は、ｐｎ接合７にまたかろ逆方向の低電圧で半導体区域
５，６が完全に空乏化されるということを意味する。
本発明によれは、半導体区域５，６に−にカかり見て（
第１図参照）数個の突出部分６を設り、ごれら突出部分
６の幅を中心から夕（力に向いて例えば５０μｍの距離
に亘って５μｍからｉ ｐ ｒｎに力友少させる。この
場合、半導体区域５，６を６つの尖端を有する星形とす
る。中央部づＩ５には半導体区域５，６に接点を形成す
る為のＩＩ′Ｉメ域トを形成する。ｎ型表面領域４に接
点を形成する為に、本例では星形ｐ−区域を囲んでｎ′
接点拡散Ｉ乙域１］を設＆Ｊる。表面３にば絶縁層１０
を被覆し、この絶縁層に接点孔１１および１２をあり、
ご力、らの接点孔を経てｐ′区域８およびｎ“ＩＸ点拡
１１シ区域１〕にそれぞれ金属化パターン１３．１４を
接触させる。
第１図参照）数個の突出部分６を設り、ごれら突出部分
６の幅を中心から夕（力に向いて例えば５０μｍの距離
に亘って５μｍからｉ ｐ ｒｎに力友少させる。この
場合、半導体区域５，６を６つの尖端を有する星形とす
る。中央部づＩ５には半導体区域５，６に接点を形成す
る為のＩＩ′Ｉメ域トを形成する。ｎ型表面領域４に接
点を形成する為に、本例では星形ｐ−区域を囲んでｎ′
接点拡散Ｉ乙域１］を設＆Ｊる。表面３にば絶縁層１０
を被覆し、この絶縁層に接点孔１１および１２をあり、
ご力、らの接点孔を経てｐ′区域８およびｎ“ＩＸ点拡
１１シ区域１〕にそれぞれ金属化パターン１３．１４を
接触させる。
ｐ型区域５，６は作動状態でその厚さおよび表面のほぼ
全体に亘って空乏化されるという事実の為に、関連の空
乏層容量はほぼ無視することができ、従って、第１およ
び第２図の半導体装置は極めて好ましい゛信号＋Ｊ ’
ｌ（（音比を有するようになる。
全体に亘って空乏化されるという事実の為に、関連の空
乏層容量はほぼ無視することができ、従って、第１およ
び第２図の半導体装置は極めて好ましい゛信号＋Ｊ ’
ｌ（（音比を有するようになる。
半導体区域５，６は例えば”イオン注入により形成する
ことができ、また必ずしも表面に位置させる必要はなく
、半導体区域５，６を表面に位置させていない半導体装
置を第３図に示す。この第３図の半導体装置は半導体区
域５，６およびｎ゛型の表面層１５を除いて第２図の半
導体装置と同じである。このような多量にＩ・−ピング
した表面層１５は電界を発生し、従って少数電荷４−ヤ
リャ（ごの場合正孔）はその下側のｎ型領域４の方向に
加速される。従って既知のように、表面再結合のｉＪ能
性が減少し、放射感応半導体装置の感度が増大する。
ことができ、また必ずしも表面に位置させる必要はなく
、半導体区域５，６を表面に位置させていない半導体装
置を第３図に示す。この第３図の半導体装置は半導体区
域５，６およびｎ゛型の表面層１５を除いて第２図の半
導体装置と同じである。このような多量にＩ・−ピング
した表面層１５は電界を発生し、従って少数電荷４−ヤ
リャ（ごの場合正孔）はその下側のｎ型領域４の方向に
加速される。従って既知のように、表面再結合のｉＪ能
性が減少し、放射感応半導体装置の感度が増大する。
前述したように突出部分（サフ区域）６は作動状態で完
全に空乏化される。この空乏化は適当なドーピング濃度
においてＯＶですへて達成しうるも、ｐｎ接合７が逆方
向にバイアスされ人叫く≦てに達成されるのが一般的で
ある。第４図は関連の空乏１べ域１６を有する突出部分
６を線図的に示ず。１ｌｒｌ接イ１７にまたがる逆電圧
による電位変化を一点１１“ｉ ｋ（ｉｉ ｌ −１に
より種々の位置に示”づ。突出部分らの幅か５い１．１
から中心に向けて増大すると、１１１１接合７にまノー
かる関連の電圧降下ｉＪ徐々に人きくなり１、これに、
１、り電界を生ぜしめる。第４図で６３１、二の′ｌｊ
ｊ：界を矢印１８により線図的に示しである。、二の電
界は突出部分６に到達する電子が中央部分５に向りて加
速される効果をイ）する。
全に空乏化される。この空乏化は適当なドーピング濃度
においてＯＶですへて達成しうるも、ｐｎ接合７が逆方
向にバイアスされ人叫く≦てに達成されるのが一般的で
ある。第４図は関連の空乏１べ域１６を有する突出部分
６を線図的に示ず。１ｌｒｌ接イ１７にまたがる逆電圧
による電位変化を一点１１“ｉ ｋ（ｉｉ ｌ −１に
より種々の位置に示”づ。突出部分らの幅か５い１．１
から中心に向けて増大すると、１１１１接合７にまノー
かる関連の電圧降下ｉＪ徐々に人きくなり１、これに、
１、り電界を生ぜしめる。第４図で６３１、二の′ｌｊ
ｊ：界を矢印１８により線図的に示しである。、二の電
界は突出部分６に到達する電子が中央部分５に向りて加
速される効果をイ）する。
従って、ｎ型領域４で発生ずる電子はｐ ｎ Ｉ度合７
と関連ずろ空乏区域に達すると直１ノにこのｌｌｎ接合
７の逆電圧により突出部分〔ｊの１つＩ曳いは中火部分
５に向りて加速される。ごれらの電子か突出部分６の１
つに達する場合には、これらの突出部分６が特別な形状
をしている為にこれらの電子は中央部分５の方向に加速
される。従−２て、放射に、！、。
と関連ずろ空乏区域に達すると直１ノにこのｌｌｎ接合
７の逆電圧により突出部分〔ｊの１つＩ曳いは中火部分
５に向りて加速される。ごれらの電子か突出部分６の１
つに達する場合には、これらの突出部分６が特別な形状
をしている為にこれらの電子は中央部分５の方向に加速
される。従−２て、放射に、！、。
り発生せしめられた電子は接点である金属化）くターン
１３に急速に且つ有効に流れる。
１３に急速に且つ有効に流れる。
第５および６図はＸ線スキャナに用いるのに適した本発
明による半導体装置の一部を示す。本例では、記録すべ
きＸ線放射を例えば沃化セシウムのジンチレーク１９に
より半導体装置１が特に感応する放射に変換する。半導
体装置ｌは複数個のダイオードを具え、これらダイオー
ドは第１〜３図につき前述したのと同様に一般に星形と
した複数個のザブダイオード２０を以って構成する。
明による半導体装置の一部を示す。本例では、記録すべ
きＸ線放射を例えば沃化セシウムのジンチレーク１９に
より半導体装置１が特に感応する放射に変換する。半導
体装置ｌは複数個のダイオードを具え、これらダイオー
ドは第１〜３図につき前述したのと同様に一般に星形と
した複数個のザブダイオード２０を以って構成する。
ザブダ・ｒオート２０の全信号を１個のダイオードから
取出す為に、この半導体装置には特にボンデインクバッ
ト２２をイｊする金属化パターン２１を設ける。各ダイ
オードは後に説明ずろｎ型領域２３によって囲む。す°
ブダイオーＦ’２（ｌのρｎ接合７にまたがる逆電圧は
、接点孔１１を経て金１７Ｘ化パターン２１が接触され
ているｎ型領域５，６．８と半導体装置の下側面の」−
の接点２４との間に印加される。
取出す為に、この半導体装置には特にボンデインクバッ
ト２２をイｊする金属化パターン２１を設ける。各ダイ
オードは後に説明ずろｎ型領域２３によって囲む。す°
ブダイオーＦ’２（ｌのρｎ接合７にまたがる逆電圧は
、接点孔１１を経て金１７Ｘ化パターン２１が接触され
ているｎ型領域５，６．８と半導体装置の下側面の」−
の接点２４との間に印加される。
満足な接点を形成する為に、この接点２４とｎ型Ｎ４と
の間に、多量にドーピングされたｎ型接点区域２５を配
置する。
の間に、多量にドーピングされたｎ型接点区域２５を配
置する。
金属化パターン２７および接点孔２））を経てＩ）型領
域２３に接触するボンティングパノｔ”２［ｉにより、
ごのｎ型領域２３とｎ型領域４との間の１１１１接合２
９をも、関連の空乏領域がリーブダイオード２０のす１
１妾１１ｎ接僑７の空乏領域に接するように逆方ｌｉ＋
４ ｃこバイアスすることがてきる。従って、特開昭Ｊ
７−４８２７５−’１戸！ｌ］ ＄ｌｆｌ書に詳細に説
明されているように縁効果（ｍａｒｇｉｎａｌｅｆｆｅ
ｃｔ）が防止される。
域２３に接触するボンティングパノｔ”２［ｉにより、
ごのｎ型領域２３とｎ型領域４との間の１１１１接合２
９をも、関連の空乏領域がリーブダイオード２０のす１
１妾１１ｎ接僑７の空乏領域に接するように逆方ｌｉ＋
４ ｃこバイアスすることがてきる。従って、特開昭Ｊ
７−４８２７５−’１戸！ｌ］ ＄ｌｆｌ書に詳細に説
明されているように縁効果（ｍａｒｇｉｎａｌｅｆｆｅ
ｃｔ）が防止される。
実際に、例えば２４個の上述したダイオ−１−を有する
ような半導体装置に才昌１てｌ：ｊずべでのダイオード
に対し１個のボンデインクバット２６で充分°（ある。
ような半導体装置に才昌１てｌ：ｊずべでのダイオード
に対し１個のボンデインクバット２６で充分°（ある。
その理由は、金１ｊ、化パターン２ｆｉ、 ２７と接ｉ
’＋（Ｉ、しているｐ′領領域ずヴてのダイオードを囲
んＣいる為である。しかし、各タイオート４ｊそれぞれ
個別にホンディングパノｌ２（）を１１ｊｊ Ｌ：ｌ
＜：、と、製造ｉｌ留りを１烏めることができる。この
点を第７図につき詳細に説明する。
’＋（Ｉ、しているｐ′領領域ずヴてのダイオードを囲
んＣいる為である。しかし、各タイオート４ｊそれぞれ
個別にホンディングパノｌ２（）を１１ｊｊ Ｌ：ｌ
＜：、と、製造ｉｌ留りを１烏めることができる。この
点を第７図につき詳細に説明する。
第７図は、ｎ型の２つのスクライブレーン３０１ｉ１１
に第５および６図につき説明した種Ｉｆｆの例えば７２
個のダイオードを配置した半導体片の一部を示す平面図
である。Ｘ線装置に用いる為に、２４個のダイオードの
列を有する半導体装置を必要とする場合には、例えば第
Ｘ番目、第２５番目および第４９番目のダイオートに接
点孔２８および接点金属化ノ々多−ン２Ｇ、 ２′７を
設りれば充分である。この場合、第１〜２４番目のダイ
オード、第２５〜４８＠目のダイオードおよび第２５〜
４８＠目のダイオードを取囲む領域２３を接続するごと
ができ、縁効果の除去に関する前述した利点が得られる
。
に第５および６図につき説明した種Ｉｆｆの例えば７２
個のダイオードを配置した半導体片の一部を示す平面図
である。Ｘ線装置に用いる為に、２４個のダイオードの
列を有する半導体装置を必要とする場合には、例えば第
Ｘ番目、第２５番目および第４９番目のダイオートに接
点孔２８および接点金属化ノ々多−ン２Ｇ、 ２′７を
設りれば充分である。この場合、第１〜２４番目のダイ
オード、第２５〜４８＠目のダイオードおよび第２５〜
４８＠目のダイオードを取囲む領域２３を接続するごと
ができ、縁効果の除去に関する前述した利点が得られる
。
製造に際しては実際に、満足に作動しない或いは欠陥さ
えもあるダイオードが得られるおそれがある。しかしダ
イオードの各々に前述した接点の金属化パターン２６．
２７を設けた場合、満足に作動するダイオードが一列で
２４個互いに並べて配置されるものとすれば、満足に動
作しないか或いは欠陥のあるダイオードを有する列から
１個以上の半導体装置が得られる。
えもあるダイオードが得られるおそれがある。しかしダ
イオードの各々に前述した接点の金属化パターン２６．
２７を設けた場合、満足に作動するダイオードが一列で
２４個互いに並べて配置されるものとすれば、満足に動
作しないか或いは欠陥のあるダイオードを有する列から
１個以上の半導体装置が得られる。
例えば、−列で第３番目のダイオード（第７図において
３１で示す）に欠陥があり、第４〜２７番目のダイオー
ドに欠陥がない場合には、第３番目の夕゛イオー１”３
１および第４＠目のダイメーート３２１：ｊｌのスクラ
イフ゛レーン３６と、第２７紺−目のダイＪ−Ｆ’３３
および第２８番目のタイオート３４間のスクライソ゛レ
ーン３７とで切断することにより少なくとも１−ｐｏ：
＋７μＪ足に作動する３１′、 、’７ｉ体装置が１゛
１られる。スクーノイブレーン３７の右側に位置する４
５個０）夕・（」〜−ｔ” ｌｐ ′ら再び数個のダイ
オ−１ζに、例えは第２９番１」θ）タイオード３５に
或いは第５２８；川」のダイ」−一部のマ多０〕多数の
ダイオードに欠陥があるおそン１．ツノ１ある。この場
合、満足に作動する２つの半導体装置力ＩＴられる。
３１で示す）に欠陥があり、第４〜２７番目のダイオー
ドに欠陥がない場合には、第３番目の夕゛イオー１”３
１および第４＠目のダイメーート３２１：ｊｌのスクラ
イフ゛レーン３６と、第２７紺−目のダイＪ−Ｆ’３３
および第２８番目のタイオート３４間のスクライソ゛レ
ーン３７とで切断することにより少なくとも１−ｐｏ：
＋７μＪ足に作動する３１′、 、’７ｉ体装置が１゛
１られる。スクーノイブレーン３７の右側に位置する４
５個０）夕・（」〜−ｔ” ｌｐ ′ら再び数個のダイ
オ−１ζに、例えは第２９番１」θ）タイオード３５に
或いは第５２８；川」のダイ」−一部のマ多０〕多数の
ダイオードに欠陥があるおそン１．ツノ１ある。この場
合、満足に作動する２つの半導体装置力ＩＴられる。
しかし、２４（１１＋ｌのダイオードｌｉ７．■−）Ｑ
）接点金１．１；化パターン２６．２７を用いる場合Ｃ
１二４；１．’ −ｌ＋Ｙｉ ３ｔ （ｒ、二１′１４
す１する半導体装置は全く或いは多くとも１つしツノ・
ｊ′ｊられない。満足に作動する半λ１）体装置の個数
を一列当り多くしうる可能性は、−・列当りのダイ」−
一部の個数を３×２４個よりもわ゛づかに多く、例えも
よ８０個以上に’Ｍ ＩＪｅすることによりわすかに同
めることができる。その理由ｉＪ、”／＋：ｌ°１足乙
、Ｈ′ｌ・■すＩ Ｌ ｉ、； Ｉ、）タ゛イメ′−ド
は一般に半導体結晶の周縁Ｃに位置−寸−る為てあ本発
明は」二連した例のみに限定されず、幾多の変更を加え
うろこと勿論である。例えば、前述した半導体領域およ
び半導体区域の導電型をすべて（同時に）反対の導電型
とすることができる。更に、半導体区域５，６に対する
厚さおよびドーピング濃度を他の値に選択することがで
き、しかも突出部分（サブ区域）６の形状を異ならせる
こともできる。例えば、数個の勺ブダイオード２０がザ
ブダイオードのアセンブリの隅部に位置する第５図にお
けるのと同様に、第１〜３図の突出部分６を例えば方形
部４０の隅部内に位置する多数の接点区域から延在させ
ることもできる。更に半導体区域（突出部分）６を幅で
はなく厚さにおいて徐々に減少さセ、これにより同じ効
果、すなわちこの区域において加速用の電界を形成する
という効果を得る。この場合、このような半導体区域を
必ずしも突出部分のようなザブ区域に小分割する必要は
なく、第１図において方形部４０の表面積のほぼ全体を
占めるようにすることができる。厚さを減少させていく
このような半博、体区域は、例えは厚さを徐々に増大さ
せていくマスクを経てイオンを注入することにより得ら
れる。
）接点金１．１；化パターン２６．２７を用いる場合Ｃ
１二４；１．’ −ｌ＋Ｙｉ ３ｔ （ｒ、二１′１４
す１する半導体装置は全く或いは多くとも１つしツノ・
ｊ′ｊられない。満足に作動する半λ１）体装置の個数
を一列当り多くしうる可能性は、−・列当りのダイ」−
一部の個数を３×２４個よりもわ゛づかに多く、例えも
よ８０個以上に’Ｍ ＩＪｅすることによりわすかに同
めることができる。その理由ｉＪ、”／＋：ｌ°１足乙
、Ｈ′ｌ・■すＩ Ｌ ｉ、； Ｉ、）タ゛イメ′−ド
は一般に半導体結晶の周縁Ｃに位置−寸−る為てあ本発
明は」二連した例のみに限定されず、幾多の変更を加え
うろこと勿論である。例えば、前述した半導体領域およ
び半導体区域の導電型をすべて（同時に）反対の導電型
とすることができる。更に、半導体区域５，６に対する
厚さおよびドーピング濃度を他の値に選択することがで
き、しかも突出部分（サブ区域）６の形状を異ならせる
こともできる。例えば、数個の勺ブダイオード２０がザ
ブダイオードのアセンブリの隅部に位置する第５図にお
けるのと同様に、第１〜３図の突出部分６を例えば方形
部４０の隅部内に位置する多数の接点区域から延在させ
ることもできる。更に半導体区域（突出部分）６を幅で
はなく厚さにおいて徐々に減少さセ、これにより同じ効
果、すなわちこの区域において加速用の電界を形成する
という効果を得る。この場合、このような半導体区域を
必ずしも突出部分のようなザブ区域に小分割する必要は
なく、第１図において方形部４０の表面積のほぼ全体を
占めるようにすることができる。厚さを減少させていく
このような半博、体区域は、例えは厚さを徐々に増大さ
せていくマスクを経てイオンを注入することにより得ら
れる。
第１図は、本発明による放射感応ダイオードを示す線図
的平面図、 第２図は、第１図の１ｌ−１ｊ綿上を断面とし矢の。 方向に見た断面図、 第３図は、第２図に示す装置の変形例を示ずＩすｉ面図
、 第４図は、第１および２図に示ずクイオードのｔ’ｉＢ
におりる電位変化およびこ／１．に１ン１連する電＼）
１１゜を線図的に示ず説明図、 第５図は、数個のダイオ−１を有！ｌ−る本発明による
半導体装置の一部を示ず線し１的！１″−１１１１図、
第６図は、第５図のＶｌ −Ｖ１℃Ａ Ｊを断面とし矢
の方向に見た断面図、 第７図は、第５，６図に示−Ｌ’ｌ’４９休装置を製造
丈る半導体片の一部を示す線図的千面し１である。 ■・・・半導体装置 ２・・半導体装置３・・・２の表
面 ４・・・ｎ型表面領域５，６・・・ｐ型層状半導体
区域（６・・・ザブ区域）７．２９・・・ｐｎ接合 ８
・・・ｐ“区域９・・・ｎ゛接点拡散区域 １０・・・
絶縁層１１．１．２．２８・・・接点孔 １３、１４．２］、、２７・・・金属化パターン１５・
・・ｎ＋型表面層 １６・・・空乏区域１９・・・シン
チレータ ２０・・・サブダイオード２２．２６・・・
ポンディングパッド ２３・・・ｐ型頭域 ２４・・・接点 ２５・・・ｎ型接点区域 ３０．３６．’３７・・・スクライブレーン手続補正書 昭和５９年 ８ 月２８日 １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願第１４．２４・７９号２発明の
名称 放射感応半導体装置 ３、補正をする者 事ｆ１との関係特許出願人 名称 エヌ・ベー・フィリップス・ フルーイランベンファブリケン １、明細書第１６頁第６〜９行の「ダイオードから・・
・おそれがある。」を「ダイオードにおいても数個のダ
イオードに欠陥があってもよい。 例えば第２９番目のダイオード３５に欠陥があってもよ
いしくこの場合第３０番目以降のダイオードから選択し
た２４個の順次のダイオードより成る１つの半導体装置
が得られる）、或いは第５２番目のダイオード以後の多
数のダイオードに欠陥があってもよい（この場合第２８
〜５１番目のダイオードで１つの半導体装１ｒ；が得ら
れる）。」に訂正する。
的平面図、 第２図は、第１図の１ｌ−１ｊ綿上を断面とし矢の。 方向に見た断面図、 第３図は、第２図に示す装置の変形例を示ずＩすｉ面図
、 第４図は、第１および２図に示ずクイオードのｔ’ｉＢ
におりる電位変化およびこ／１．に１ン１連する電＼）
１１゜を線図的に示ず説明図、 第５図は、数個のダイオ−１を有！ｌ−る本発明による
半導体装置の一部を示ず線し１的！１″−１１１１図、
第６図は、第５図のＶｌ −Ｖ１℃Ａ Ｊを断面とし矢
の方向に見た断面図、 第７図は、第５，６図に示−Ｌ’ｌ’４９休装置を製造
丈る半導体片の一部を示す線図的千面し１である。 ■・・・半導体装置 ２・・半導体装置３・・・２の表
面 ４・・・ｎ型表面領域５，６・・・ｐ型層状半導体
区域（６・・・ザブ区域）７．２９・・・ｐｎ接合 ８
・・・ｐ“区域９・・・ｎ゛接点拡散区域 １０・・・
絶縁層１１．１．２．２８・・・接点孔 １３、１４．２］、、２７・・・金属化パターン１５・
・・ｎ＋型表面層 １６・・・空乏区域１９・・・シン
チレータ ２０・・・サブダイオード２２．２６・・・
ポンディングパッド ２３・・・ｐ型頭域 ２４・・・接点 ２５・・・ｎ型接点区域 ３０．３６．’３７・・・スクライブレーン手続補正書 昭和５９年 ８ 月２８日 １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願第１４．２４・７９号２発明の
名称 放射感応半導体装置 ３、補正をする者 事ｆ１との関係特許出願人 名称 エヌ・ベー・フィリップス・ フルーイランベンファブリケン １、明細書第１６頁第６〜９行の「ダイオードから・・
・おそれがある。」を「ダイオードにおいても数個のダ
イオードに欠陥があってもよい。 例えば第２９番目のダイオード３５に欠陥があってもよ
いしくこの場合第３０番目以降のダイオードから選択し
た２４個の順次のダイオードより成る１つの半導体装置
が得られる）、或いは第５２番目のダイオード以後の多
数のダイオードに欠陥があってもよい（この場合第２８
〜５１番目のダイオードで１つの半導体装１ｒ；が得ら
れる）。」に訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１窩電型の第１半導体領域と、この第１４電型と
は反対の第２導電型の層状半導体区域との間の少なくと
も１つのｐｎ接合を有する少なくとも放射感応ダイオ−
、ドが設けられている半導体本体を具える放射感応半導
体装置であって、前記の層状半導体区域は動作中はぼそ
の厚さおよび表面積全体に亘って空乏化されるような厚
さおよび不純物濃度を有するようにした放射感応半導体
装置において、前記の層状半導体区域は上方から見て複
数個のサブ区域を有し、これらザブ区域の幅がその共通
連結領域からの方向で見て減少し−Ｃいることを特徴と
する放射感応半導体装置。 ２、第１導電型の第１半導体領域と、この第１導電型と
は反対の第２４電型の層状半導体区域との間の少なくと
も１つのｐｎ接合を有する少なくとも１つの放射感応ダ
イオードが設けられている半薄体本体を具える放射感応
半導体装置であって、前記の層状半導体区域は動作中は
ぼその厚さおよび表面積全体に且つて空乏化されるよう
な厚さおよび不純物濃度を有するようにした放射感応半
導体装置乙こおいて、前記の層状半導体区域Ｇ：１少７
ざくとも１つのサブ区域を有し、該・す゛ブ区域の厚さ
が層状半導体区域に対する連結領域からの方向で見て、
減少しζいることを特徴とする放射ｊδ応半導体装置。 ３、特許請求の範囲１または２記載の放射感応半導体装
置において、前記のｊ父状半ｍ体区域が中央部分を有し
１．このｔｊ」裏部分から１）；１記のサブ区域が突出
部分として延在していることを特徴とする放躬感応手勇
体装置。 ４、特許請求の範囲３記載の放射感応半導体装置におい
て、共通連結領域の中火部分のＩＺ域に層状半導体区域
よりも多量にドーピングした第２導電型の半均２体領域
を存在さ−ｌたごとを特徴とする放射感応半導体装置。 ５、特許請求の範囲１または３記載の放射感応半導体装
置において、サブ区域の長さをその最大幅の少なくとも
５倍、多くとも２５倍としたことを特徴とする放射感応
半導体装置。 ６、特許請求の範囲１〜５のいずれか１つに記載の放射
感応半導体装置において、前記の層状半導体区域を上方
から見て特に星形としたことを特徴とする放射感応半導
体装置。 ７、特許請求の範囲１〜６のいずれか１つに記載の放射
怒応半導体装〜において、放射感応グイオートは共通接
点金属化パターンが設りられた複数個のｐｎ接合を具え
ており、これらｐｎ接合か一緒になって前記の放射感応
ダイオードを構成していることを特徴とする放射感応半
導体装置。 ８、特許請求の範囲７記載の放射感応半導体装置におい
て、放射感応半導体装置が複数個の放射感応ダイオード
を有しており、これら放射感応グイオートの各々が第２
導電型の領域によって囲まれていることを特徴とする放
射感応半導体装置。 ９、特許請求の範囲８記載の放則惑応半心体を置におい
て、容赦η・ｊ感応ダイオードを囲む第２導電型領域に
それぞれ別個の接点接続体か設けられていることを特徴
とする放射感応半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NLAANVRAGE8302516,A NL187416C (nl) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting. |
| NL8302516 | 1983-07-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057677A true JPS6057677A (ja) | 1985-04-03 |
| JPH0527997B2 JPH0527997B2 (ja) | 1993-04-22 |
Family
ID=19842158
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59142479A Granted JPS6057677A (ja) | 1983-07-14 | 1984-07-11 | 放射感応半導体装置 |
| JP14248184A Pending JPS6126539A (ja) | 1983-07-14 | 1984-07-11 | ジシクロペンタジエン誘導体を基材とする固定化遅延剤を含有するセメント組成物 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14248184A Pending JPS6126539A (ja) | 1983-07-14 | 1984-07-11 | ジシクロペンタジエン誘導体を基材とする固定化遅延剤を含有するセメント組成物 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4652899A (ja) |
| JP (2) | JPS6057677A (ja) |
| AT (1) | AT392704B (ja) |
| AU (1) | AU3057484A (ja) |
| CA (1) | CA1243103A (ja) |
| DE (1) | DE3425309C2 (ja) |
| ES (1) | ES534204A0 (ja) |
| FR (1) | FR2549295B1 (ja) |
| GB (1) | GB2143373B (ja) |
| IT (1) | IT1176383B (ja) |
| NL (1) | NL187416C (ja) |
| SE (2) | SE8403661L (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05145055A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Fujitsu Ltd | 光検知装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2628562A1 (fr) * | 1988-03-11 | 1989-09-15 | Thomson Csf | Dispositif d'imagerie a structure matricielle |
| US5049962A (en) * | 1990-03-07 | 1991-09-17 | Santa Barbara Research Center | Control of optical crosstalk between adjacent photodetecting regions |
| EP2287917B1 (en) | 1999-02-25 | 2016-05-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-receiving element and photoelectric conversion device |
| JP3467013B2 (ja) | 1999-12-06 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| US6960817B2 (en) * | 2000-04-21 | 2005-11-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device |
| RU2290721C2 (ru) | 2004-05-05 | 2006-12-27 | Борис Анатольевич Долгошеин | Кремниевый фотоэлектронный умножитель (варианты) и ячейка для кремниевого фотоэлектронного умножителя |
| WO2008048694A2 (en) * | 2006-02-01 | 2008-04-24 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Geiger mode avalanche photodiode |
| WO2010140944A1 (en) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | Rti Electronics Ab | X-ray detection device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1072080A (en) * | 1965-12-31 | 1967-06-14 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to semiconductor devices |
| US3501678A (en) * | 1967-06-28 | 1970-03-17 | Ortec | Tapered-shelf semiconductor |
| US3832732A (en) * | 1973-01-11 | 1974-08-27 | Westinghouse Electric Corp | Light-activated lateral thyristor and ac switch |
| US3994012A (en) * | 1975-05-07 | 1976-11-23 | The Regents Of The University Of Minnesota | Photovoltaic semi-conductor devices |
| DE2927126A1 (de) * | 1979-07-05 | 1981-01-08 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Photodiode |
| US4394676A (en) * | 1980-12-17 | 1983-07-19 | Agouridis Dimitrios C | Photovoltaic radiation detector element |
-
1983
- 1983-07-14 NL NLAANVRAGE8302516,A patent/NL187416C/xx not_active IP Right Cessation
-
1984
- 1984-07-02 US US06/627,309 patent/US4652899A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-07-06 FR FR8410787A patent/FR2549295B1/fr not_active Expired
- 1984-07-10 DE DE3425309A patent/DE3425309C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-07-11 IT IT21834/84A patent/IT1176383B/it active
- 1984-07-11 CA CA000458633A patent/CA1243103A/en not_active Expired
- 1984-07-11 GB GB08417670A patent/GB2143373B/en not_active Expired
- 1984-07-11 JP JP59142479A patent/JPS6057677A/ja active Granted
- 1984-07-11 SE SE8403661D patent/SE8403661L/xx not_active Application Discontinuation
- 1984-07-11 ES ES534204A patent/ES534204A0/es active Granted
- 1984-07-11 JP JP14248184A patent/JPS6126539A/ja active Pending
- 1984-07-11 SE SE8403661A patent/SE460002B/sv not_active IP Right Cessation
- 1984-07-12 AT AT2254/84A patent/AT392704B/de not_active IP Right Cessation
- 1984-07-13 AU AU30574/84A patent/AU3057484A/en not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05145055A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Fujitsu Ltd | 光検知装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2549295B1 (fr) | 1987-07-31 |
| ES8505144A1 (es) | 1985-04-16 |
| ATA225484A (de) | 1990-10-15 |
| SE8403661D0 (sv) | 1984-07-11 |
| CA1243103A (en) | 1988-10-11 |
| GB2143373A (en) | 1985-02-06 |
| GB8417670D0 (en) | 1984-08-15 |
| DE3425309C2 (de) | 1994-02-10 |
| JPS6126539A (ja) | 1986-02-05 |
| IT8421834A0 (it) | 1984-07-11 |
| GB2143373B (en) | 1986-11-12 |
| JPH0527997B2 (ja) | 1993-04-22 |
| US4652899A (en) | 1987-03-24 |
| NL187416C (nl) | 1991-09-16 |
| NL187416B (nl) | 1991-04-16 |
| NL8302516A (nl) | 1985-02-01 |
| AT392704B (de) | 1991-05-27 |
| DE3425309A1 (de) | 1985-01-24 |
| ES534204A0 (es) | 1985-04-16 |
| SE460002B (sv) | 1989-08-28 |
| IT1176383B (it) | 1987-08-18 |
| SE8403661L (sv) | 1985-01-15 |
| IT8421834A1 (it) | 1986-01-11 |
| FR2549295A1 (fr) | 1985-01-18 |
| AU3057484A (en) | 1985-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105009289B (zh) | 检测器、pet装置和x射线ct装置 | |
| CN101311749B (zh) | 光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器 | |
| US6597025B2 (en) | Light sensitive semiconductor component | |
| US10624593B2 (en) | Systems for a photomultiplier | |
| US7148551B2 (en) | Semiconductor energy detector | |
| US5187380A (en) | Low capacitance X-ray radiation detector | |
| JPS62226672A (ja) | 光電感ダイオ−ド素子およびその製造方法 | |
| CN100438054C (zh) | 光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器 | |
| JPS6057677A (ja) | 放射感応半導体装置 | |
| JP4522531B2 (ja) | 半導体エネルギー検出素子 | |
| US3812518A (en) | Photodiode with patterned structure | |
| EP0642178A2 (en) | Semiconductor device for converting light and radiations into electricity | |
| US4129878A (en) | Multi-element avalanche photodiode having reduced electrical noise | |
| JP2002311146A (ja) | 高エネルギー線検出器及び装置 | |
| CN106252456A (zh) | 一种高灵敏度光敏三极管及其制造方法 | |
| JP4571267B2 (ja) | 放射線検出器 | |
| JP3860758B2 (ja) | 放射線検出器 | |
| CA1039839A (en) | Space-charge-limited phototransistor | |
| US8796743B2 (en) | Light-sensitive component | |
| JPS5912034B2 (ja) | 受光半導体装置 | |
| JPS61231776A (ja) | 光検知半導体装置 | |
| JPH0644618B2 (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPH06505123A (ja) | シリコン・アバランシェ・光ダイオード・アレイ | |
| JP2817362B2 (ja) | 半導体β線検出器 | |
| RU2078390C1 (ru) | Интегральная схема |