SE460002B - Straalningskaensliga halvledaranordningar innefattande delzoner vilka minskar i bredd eller skikttjocklek, sett i riktningen fraan ett gemensamt anslutningsomraade - Google Patents

Straalningskaensliga halvledaranordningar innefattande delzoner vilka minskar i bredd eller skikttjocklek, sett i riktningen fraan ett gemensamt anslutningsomraade

Info

Publication number
SE460002B
SE460002B SE8403661A SE8403661A SE460002B SE 460002 B SE460002 B SE 460002B SE 8403661 A SE8403661 A SE 8403661A SE 8403661 A SE8403661 A SE 8403661A SE 460002 B SE460002 B SE 460002B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
radiation
zone
semiconductor
layer
sensitive
Prior art date
Application number
SE8403661A
Other languages
English (en)
Inventor
A M E Hoeberechts
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of SE460002B publication Critical patent/SE460002B/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/95—Circuit arrangements
    • H10F77/953—Circuit arrangements for devices having potential barriers
    • H10F77/959—Circuit arrangements for devices having potential barriers for devices working in avalanche mode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
    • H10F30/221—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PN homojunction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
    • H10F30/225—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/148—Shapes of potential barriers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Curing Cements, Concrete, And Artificial Stone (AREA)

Description

460 802 Kontaktmetalliseringarna, dvs även de på den skiktformade zonen, göres i verk- ligheten företrädesvis så små som möjligt för att erhålla största möjliga effektiva yta hos strâlningsdetektorn. Minoritetsladdningsbärarna som genereras genom strålning i den utarmade skiktformade zonen måste nä anslutningskontakten genom diffusion, vilket menligt inverkar på den strålningskänsliga halvledaran- ordningens reaktionshastighet. I synnerhet i medicinska tillämpningar är det av vikt att denna hastighet är tillräckligt hög, emedan denna hastighet är en fak- tor som bestämmer röntgenexponeringarnas exponeringstid och således den strål- ningsdos som patienten utsättes för.
Uppfinningen har till ändamål att åstadkomma en anordning, i vilken dessa nackdelar till största delen är eliminerade.
Ben är baserad på insikten om det faktum att detta bl a kan uppnås därige- nom att den skiktformade zonen ges en speciell geometri.
För detta ändamål kännetecknas en halvledaranordning av inledningsvis be- skrivet slag därav att den skiktformade halvledarzonen, sedd ovanifràn, inne- fattar ett flertal delzoner vilka, sett från ett gemensamt anslutningsomrâde minskar i bredd. Den skiktformade halvledarzonen har företrädesvis en central del från vilken delzonerna sträcker sig såsom utskjutande delar.
Således uppnås att då pn-övergången mellan den skiktformade zonen och den första halvledarzonen förspännes i omkastad riktning, en sådan ändring av spän- ningsfallet uppträder i de utskjutande delarna att ett elektriskt fält därige- nom alstras, vilket accelererar minoritetsladdningsbärarna mot den centrala sdelen där de samlas upp. Genom denna åtgärd accelereras transporten av minori- tetsladdningsbärarna och en tillförlitlig signal erhålles snabbare; i till- lämpningar för röntgenexponeringar reduceras följaktligen exponeringstiden och strâlningsdosen.
Effekten av ett accelererande elektriskt fält kan också erhållas på ett helt annorlunda sätt, t ex genom att låta den skiktformade zonens tjocklek minska gradvis.
En annan halvledaranordning enligt uppfinningen kännetecknas därför av att den skiktformade halvledarzonen sett från ovan, omfattar ett flertal del- zoner som, sett i riktningen från ett gemensamt anslutingsomrâde har en min- skande skikttjocklek.
En ytterligare fördel består i att, till följd av det'faktum att de ut- skjutande delarna utarmas i huvudsak fullständigt, pn-övergängens kapacitans reduceras avsevärt. Till följd härav har en sådan halvledaranordning ett gynn- samt signal-brusförhâllande. 469 uoz Den skiktformade zonen, sedd ovanifrån, är företrädesvis stjärnformad, varvid de utskjutande delarna bildar strålarna i en sex- eller åtta-uddig stjärna. I tillämpningar för datorröntgentomografi innefattar en diod vanligen en matris av sådana deldioder.
Uppfinningen kommer nu att beskrivas mera detaljerat med hänvisning till nâgra utföringsformer och ritningen, där fig 1 schematiskt visar en planvy av en strälningskänslig diod enligt uppfinningen, fig 2 visar ett schematiskt tvärsnitt taget längs linjen II-II i fig 1, fig 3 visar en variant av den i fig Z visade anordningen, fig 4 visar en schematisk bild av spänningsvariationen och tillhörande elektriska fält i en del av en diod enligt fig 1 och 2, fig 5 visar en del av en halvledaranordning enligt uppfinningen vilken omfattar flera dioder, fig 6 visar ett tvärsnitt taget längs linjen VI-VI i fig 5 och fig 7 visar en schematisk planvy av en del av en skiva, av vilken den i fig 5, 6 vi- sade anordningen är framställd.
Fig är schematiska och ej ritade i skala, varvid för tydlighets skull i synnerhet dimensionerna i tjockleksriktningen är kraftigt överdrivna i tvär- snitten. Halvledarzoner av samma ledningsförmågetyp är i allmänhet sektionerade i samma riktning och i de olika fig har motsvarande delar generellt betecknats med samma hänvisningssiffror.
Anordningen 1 enligt fig 1, 2 innefattar en halvledarkropp 2 som i denna utföringsform har en ytzon 4 av n-typ med en ytresistans av 10 ohm. cm motsva- rande en donatorkoncentration av ungefär 5.1014 atomer/cm3. Vid ytan 3 av halvledarkroppen finns en skiktformad ytzon 5, 6 av p-typ, vilken bildar en pnövergâng 7 med zonen 4 av n-typ. Medeldopningen av halvledarzonen 5, 6 är 2. 1014-1015 acceptoratomer/cm3 medan tjockleken är ungefär 1 /um. Detta betyder att zonen 5, 6 är fullständigt utarmad vid en låg spänning över pn- övergängen 7 i omkastad riktning.
Enligt uppfinningen omfattar halvledarzonen 5, 6, sett ovanifrân, (se fig 1) flera utskjutande delar 6, vilka sett från centrum mot periferin, minskar i bredd, t ex från 5 /um till 2 /um utefter en sträcka av 50 /um. I före- liggande fall har detta uppnåtts genom att nämnda zon har givits formen av en sex-uddig stjärna. I den centrala delen 5 är en p+-zon 8 utbildad för att ge kontakt till zonen 5, 6. För att ge kontakt till ytzonen 4 av n-typ är den stjärnformade P'-zdnen i föreliggande fall omgiven av en n+-kontaktdiffu- sionszon 9. Ytan 3 är belagd med ett isolerande skikt 10 i vilket kontakthål 11 och 12 är anordnade, via vilka p+-zonen 8 och n+-kontaktdiffusionszcnen 9 gör kontakt med metalliseringsnänstren 13, 14. 469 002 Till följd av det faktum att zonen 5, 6 av p-typ är utarmad i huvudsak genom hela sin tjocklek och över hela ytan i driftstillstândet blir den till- hörande utarmningskapacitansen i huvudsak försumbar, vilket resulterar i att anordningen enligt fig 1 och 2 har ett mcket gynnsamt signal-brusförhållande.
Halvledarzonen 5, 6 kan t ex utbildas genom šonimplantation och behöver inte nödvändigtvis vara belägen vid ytan, såsom är illustrerat 1 anordningen enligt fig 3, som i övrigt är identisk med fig 2, bortsett från ytskiktet 15 av n+-typ. Ett sådant kraftigt dopat ytskikt genererar ett elektriskt fält, som följd av vilket minoritetsladdningshärare (i detta fall håll accelereras mot den underliggande zonen 4 av n-typ. Följaktligen reduceras som bekant möjlig- heten av ytrekombination sä att den strâlningskänsliga halvledaranordningens känslighet ökas.
Såsom nämnts utarmas de utskjutande delarna 6 helt i driftstillstândet. Även om detta kan uppnås redan vid noll Y med en lämplig dopning uppnås detta generellt därigenom att pn-övergången förspännes i omvänd riktning. Fig 4 visar schematiskt en sådan del 6 med den tillhörande utarmningszonen 16. Spännings- variationen till följd av den omvända spänningen över pn-övergången 7 är visad vid olika ställen medelst punktstreckade linjer 17. Med ökande bredd på delarna 6 från ändarna in mot centrun blir det tillhörande spänningsfallet över pn- -övergången 7 gradvis större, vilket ger upphov till ëtt elektriskt fält, som i fig 4 är schematiskt angivet genom pilen 18. Detta fält har en accelererande effekt på elektronerna som när delen 6 mot den centrala delen S.
Elektroner som genereras i zonen 4 av n-typ accelereras nu genom den om- kastade spänningen över pn-övergången 7 till en av de utskjutande delarna 6 eller till den centrala delen 5 så snart de har nått den utarmningszon som är tillordnad denna pn-övergång. Om dessa elektroner når en av de utskjutande de- larna 6 accelereras de mot den centrala delen 5 till följd av den speciella formen hos dessa delar 6. Pâ detta sätt uppsamlas de genom strålning genererade elektronerna snabbt och effektivt av kontaktmetalliseringen 13.
Fig S och 6 visar en del av en halvledaranordning enligt uppfinnigen vil- ken är lämplig att använda i en röntgenscanner. Röntgenstrâlningen som skall upptecknas omvandlas i denna utföringsform medelst en scintillator 19, t ex av cesiumjodid, till strålning för vilken anordningen 1 är särskilt känslig. An- ordningen 1 innefattar flera dioder vilka i sin tur är sammansatta av ett fler- tal deldioder 20, vilka generellt har en stjärnformad geometri på samma sätt som beskrivits i det föregående med hänvisning till fig 1 till 3. För uppsam- ling av hela signalen från deldioderna 20 i en diod innefattar anordningen ä! * 460 ooz ett metalliseringsmönster 21 som bl a har en anslutningsplatta 22. Var och en av dioderna är omgiven av en zon 23 av p-typ, vilken kommer att beskrivas när- mare i det efterföljande. Den omkastade spänningen över deldiodernas 20 pn- -övergâng 7 tillföras mellan zonerna 5, 6, 8 av p-typ, med vilka kontakt erhål- les genom kontakthâlet 11 i metalliseringsmönsteret 21 och en kontakt 24 på anordningens undersida. För uppnående av tillfredställande kontakt är en kraf- tigt dopad kontaktzon 25 av n-typ belägen mellan denna kontakt 24 och skiktet 4 av n-typ.
Medelst anslutningsplattan 26 som gör kontakt med zonen 23 av p-typ via metalliseringsnñnstret 27 och kontakthâlet 28 kan pn-övergången 29 mellan denna zon 23 av p-typ och zonen 4 av n-typ också förspännas i omvända riktningen på sådant sätt att den tillhörande utarmningszonen är tangent till utarmningszo- nerna hos deldiodernas 20 angränsande pn-övergång 7. Således undvikes marginal- effekter, såsom är mera detaljerat beskrivet i holländska oatentansökningen nr 8003906, publicerad i februari 1982.
En anslutningsplatta 26 skulle i realiteten räcka till för alla dioderna i en sådan anordning, som t ex omfattar 24 sådana dioder, emedan p+-zonen som kontaktas av metalliseringsnñnstret 26, 27 omger alla dioder. 0 varje diod förses med en individuell anslutning 26 kan emellertid ett ökat framställnings- utbyte erhållas. Detta kommer att beskrivas mera detaljerat med hänvisning till fig 7.
Fig 7 visar en planvy av en del av en skiva i vilken mellan tvâ remsor 30 av n-typ t ex 72 dioder av det slag som är beskrivet med hänvisning till fig 5 och 6 är belägna. Om anordningarna för användning i en röntgenapparat t ex skall ha rader med 24 dioder kunde det vara tillräckligt att förse den första, den 25:e och den 49:e dioden med ett kontakthål 28 och en kontaktmetallisering 26, 27. Således kan man koma i kontakt med de omgivande zonerna 23 av dioderna 1-24, 25-48 och 49-72 samtidigt som de nämnda fördelarna med avseende på elimi- nering av marginaleffekter erhålles.
I praktiken kan man under framställningen erhålla dioder, vilka arbetar mindre tillfredsställande eller t o m är felaktiga. Om nu var och en av dioder- na förses med en sådan kontaktmetallisering 26, 27 kan trots detta en eller flera anordningar erhållas av en rad med dåligt arbetande eller felaktiga dio- der, förutsa t att det i en rad finns 24 dioder vid sidan av varandra vilka arbetar tillfredsställande.
Om t ex i en rad den tredje dioden (hänvisningssiffran 31 i fig 4) är fel- aktig, medan den 4:e t o m 27:e dioden inte är felaktiga kan åtminstone en an- 460 002 ordning som arbetar ti11fredsstä1iande erhälias medelst ritsningarna 36 och 37 me1ïan den tredje dioden 31 och den fjärde dioden 32 resp meïlan den 27:e dio- den 33 och den 28:e dioden 34. Bïand de 45 dioderna som ligger på högra sidan om ïinjen 37 kan åter några dioder vara feïaktiga, t ex den 29:e dioden (hän- visningssiffran 35) elïer ett antal dioder efter den 52:a dioden. Såïedes er- häiïes två anordningar som arbetar tiiïfredsstäiiande, medan vid användning av en kontaktmeta11isering 26, 27 per 24 dioder ingen eïier högst en anordning som arbetar tiilfredsstäiïande skuiie ha erhåiiits. Möjiigheten att erhåiia ett större antai anordningar som arbetar tiiifredsstäïlande för varje rad kan ökas något genom att väïja antaiet dioder per rad något större än 3 x 24, t ex 80, detta så mycket mera som dioder som arbetar dåligt vanligen är beiägna vid kristaiiens periferi.
Uppfinningen är givetvis ej begränsad ti11 de visade utföringsformerna utan många variationer är nñjïiga för fackmannen inom uppfinningens ram. T ex kan iedningsförmågetyperna för a11a haiviedarzoner kastas om (samtidigt). Dess- utom kan andra tjockiekar och dopningar väljas för zonerna 5, 6 medan också formen på de utskjutande delarna 6 kan väïjas på annat sätt. T ex kan deïzoner- na 6 i fig 1-3 också utgå från ett antai kontaktzoner, som t ex är beiägna i hörnen av kvadraten 40 på samma sätt som i fig 5 några deidioder 20 är beiägna i hörnen av uppsättningen av dioder.
I stäilet för bredden kan vidare också tjockïeken av haïviedarzonerna 6 minskas gradvis, viiket ger samma effekt, dvs ett acceiererande eïektriskt fält i denna zon. En sådan haivïedarzon behöver därvid inte nödvändigtvis vara upp- deiad i deizoner och kan i fig 1 uppta i huvudsak hela ytan av kvadraten 40. En sådan zon med minskande tjockiek kan t ex erhâiias medeist jonimpiantation ge- nom en mask med ökande tjockïek.
W

Claims (9)

2 466 002 Patentkrav.
1. Strâlningskänslig halvledaranordning innefattande en halvledarkropp som har minst en strâlningskänslig diod med minst en pn-övergång mellan ett förs- ta halvledarområde av en första ledningsförmågetyp och en skiktformad halv- ledarzon av en andra ledningsförmågetyp som är motsatt den forsta lednings- förmågetypen och med en sådan tjocklek och föroreningskoncentration att den skiktformade halvledarzonen i driftstillståndet är utarmad i huvudsak genom hela sin tjocklek och över hela sin yta, k ä n n e t e c k n a d av att den skiktformade halvledarzonen, sett ovanifrân omfattar ett flertal delzoner, vilka, sett i riktningen från ett gemensamt anslutningsomrâde minskar i bredd.
2. Strålningskänslig halvledaranordning innefattande en halvledarkropp som har minst en strälningskänslig diod med minst en pn-övergång mellan ett första halvledarområde av en första ledningsförmågetyp och en skiktformad halvledar- zon av en andra ledningsförmågetyp som är motsatt den första ledningsförmåge- typen och med en sådan tjocklek och föroreningskoncentration att den skikt- formade halvledarzonen i driftstillstândet är utarmad i huvudsak genom hela sin tjocklek och över hela sin yta, k ä n n e t e c k n a d av att den skikt- formade halvledarzonen, sett från ovan, omfattar ett flertal delzoner, som, sett i riktningen från ett gemensamt anslutningsområde har en minskande skikt- tjocklek.
3. Halvledaranordning enligt patentkravet 1 eller Z, k ä n n e t e c k n a d av att den skiktformade halvledarzonen har en central del från vilken delzoner- na utgår såsom utskjutande delar.
4. Halvledaranordning enligt patentkravet 3, k ä n n e t e c k n a d av att det gemensamma anslutningsomrâdet finns vid den centrala delen av ett halvle- daromrâde av den andra ledningsförmâgetypen vilket är kraftigare dopat än den skiktformade halvledarzonen.
5. Halvledaranordning enligt patentkraven 1 eller 3, k ä n n e t e c k n a d av att längden av en delzon är minst 5 och högst 25 gånger dess maximala bredd.
6. Halvledaranordning enligt något av patentkraven 1-5, k ä n n e t e c k- n a d av att den skiktformade halvledarzonen, sett ovanifrän, är i huvudsak stjärnformad. 460 002 g
7. Haïvïedaranordning enïigt något av patentkraven 1-6, k ä n n e t e c k- n a d av att en strâ1níngskäns1ig diod har flera pn-övergångar som är för- sedda med gemensamma kontaktmetalïiseringar och tíïlsammans bí1dar den strål- ningskänsïíga díoden.
8. B. Haïvïedaranordning enïígt patentkravet 7, k ä n n e t e c k n a d av att den innefattar flera strâlningskänsïiga dioder och att var och en av de strâïningskänsïíga dioderna är omgiven av ett område av den andra ïednings- förmâgetypen.
9. Haïvïedaranordning enïigt patentkravet 8, k ä n n e t e c k n a d av att omrâdet av den andra ïedningsförmågetypen som omger varje strâïningskäns- lig diod är försedd med en separat kontaktanslutníng. fw
SE8403661A 1983-07-14 1984-07-11 Straalningskaensliga halvledaranordningar innefattande delzoner vilka minskar i bredd eller skikttjocklek, sett i riktningen fraan ett gemensamt anslutningsomraade SE460002B (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NLAANVRAGE8302516,A NL187416C (nl) 1983-07-14 1983-07-14 Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SE460002B true SE460002B (sv) 1989-08-28

Family

ID=19842158

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE8403661D SE8403661L (sv) 1983-07-14 1984-07-11 Stralningskenslig halvledaranordning
SE8403661A SE460002B (sv) 1983-07-14 1984-07-11 Straalningskaensliga halvledaranordningar innefattande delzoner vilka minskar i bredd eller skikttjocklek, sett i riktningen fraan ett gemensamt anslutningsomraade

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE8403661D SE8403661L (sv) 1983-07-14 1984-07-11 Stralningskenslig halvledaranordning

Country Status (12)

Country Link
US (1) US4652899A (sv)
JP (2) JPS6057677A (sv)
AT (1) AT392704B (sv)
AU (1) AU3057484A (sv)
CA (1) CA1243103A (sv)
DE (1) DE3425309C2 (sv)
ES (1) ES8505144A1 (sv)
FR (1) FR2549295B1 (sv)
GB (1) GB2143373B (sv)
IT (1) IT1176383B (sv)
NL (1) NL187416C (sv)
SE (2) SE8403661L (sv)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2628562A1 (fr) * 1988-03-11 1989-09-15 Thomson Csf Dispositif d'imagerie a structure matricielle
US5049962A (en) * 1990-03-07 1991-09-17 Santa Barbara Research Center Control of optical crosstalk between adjacent photodetecting regions
JP2711038B2 (ja) * 1991-11-20 1998-02-10 富士通株式会社 光検知装置
TW484235B (en) * 1999-02-25 2002-04-21 Canon Kk Light-receiving element and photoelectric conversion device
JP3467013B2 (ja) * 1999-12-06 2003-11-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US6960817B2 (en) * 2000-04-21 2005-11-01 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device
RU2290721C2 (ru) 2004-05-05 2006-12-27 Борис Анатольевич Долгошеин Кремниевый фотоэлектронный умножитель (варианты) и ячейка для кремниевого фотоэлектронного умножителя
RU2416840C2 (ru) 2006-02-01 2011-04-20 Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. Лавинный фотодиод в режиме счетчика гейгера
CN102460212B (zh) * 2009-06-05 2017-03-22 Rti电子公司 X射线检测装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1072080A (en) * 1965-12-31 1967-06-14 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to semiconductor devices
US3501678A (en) * 1967-06-28 1970-03-17 Ortec Tapered-shelf semiconductor
US3832732A (en) * 1973-01-11 1974-08-27 Westinghouse Electric Corp Light-activated lateral thyristor and ac switch
US3994012A (en) * 1975-05-07 1976-11-23 The Regents Of The University Of Minnesota Photovoltaic semi-conductor devices
DE2927126A1 (de) * 1979-07-05 1981-01-08 Standard Elektrik Lorenz Ag Photodiode
US4394676A (en) * 1980-12-17 1983-07-19 Agouridis Dimitrios C Photovoltaic radiation detector element

Also Published As

Publication number Publication date
IT8421834A0 (it) 1984-07-11
FR2549295A1 (fr) 1985-01-18
NL8302516A (nl) 1985-02-01
IT8421834A1 (it) 1986-01-11
ATA225484A (de) 1990-10-15
SE8403661L (sv) 1985-01-15
ES534204A0 (es) 1985-04-16
JPH0527997B2 (sv) 1993-04-22
JPS6057677A (ja) 1985-04-03
GB8417670D0 (en) 1984-08-15
GB2143373A (en) 1985-02-06
DE3425309C2 (de) 1994-02-10
GB2143373B (en) 1986-11-12
ES8505144A1 (es) 1985-04-16
SE8403661D0 (sv) 1984-07-11
AU3057484A (en) 1985-01-17
US4652899A (en) 1987-03-24
CA1243103A (en) 1988-10-11
NL187416C (nl) 1991-09-16
NL187416B (nl) 1991-04-16
IT1176383B (it) 1987-08-18
JPS6126539A (ja) 1986-02-05
AT392704B (de) 1991-05-27
FR2549295B1 (fr) 1987-07-31
DE3425309A1 (de) 1985-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8405038B2 (en) Systems and methods for providing a shared charge in pixelated image detectors
US6037595A (en) Radiation detector with shielding electrode
US6002134A (en) Cross-strip semiconductor detector with cord-wood construction
JP5405512B2 (ja) 半導体光検出素子及び放射線検出装置
US8421172B2 (en) Simplified silicon drift detector and wraparound neutron detector
US6597025B2 (en) Light sensitive semiconductor component
CN105830232B (zh) 光检测器
US20120267746A1 (en) Photo detector array of geiger mode avalanche photodiodes for computed tomography systems
SE460002B (sv) Straalningskaensliga halvledaranordningar innefattande delzoner vilka minskar i bredd eller skikttjocklek, sett i riktningen fraan ett gemensamt anslutningsomraade
CN110678782A (zh) 用于x射线成像的检测器
EP1280207A1 (en) Semiconductor energy detector
JPH06508006A (ja) 低キャパシタンスｘ線検出器
JP4522531B2 (ja) 半導体エネルギー検出素子
US20020017609A1 (en) Method and apparatus for detecting X-rays
US10502842B2 (en) Radiation detector
JP4571267B2 (ja) 放射線検出器
JP6552850B2 (ja) 光検出装置
US4131793A (en) Lateral photodetectors
WO2019082045A1 (en) INTEGRATED SENSOR OF IONIZING RADIATION AND IONIZING PARTICLES
JPH09145846A (ja) 可変レスポンス光検出器アセンブリとそれを使う方法
RU2294035C2 (ru) Лавинный фотодиод
US9508763B2 (en) Radiation detector
Alam et al. Technical Specifications of the First Prototype Pixel Sensors for ATLAS.
JPS61154374A (ja) 光電変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
NAL Patent in force

Ref document number: 8403661-5

NUG Patent has lapsed

Ref document number: 8403661-5