JPS62226672A - 光電感ダイオ−ド素子およびその製造方法 - Google Patents
光電感ダイオ−ド素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS62226672A JPS62226672A JP62049870A JP4987087A JPS62226672A JP S62226672 A JPS62226672 A JP S62226672A JP 62049870 A JP62049870 A JP 62049870A JP 4987087 A JP4987087 A JP 4987087A JP S62226672 A JPS62226672 A JP S62226672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- forming
- diode element
- photoelectric
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 230000002186 photoactivation Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光電変換装置に関し、特に、水素化アモルファ
ス・シリコンからなる光電感ダイオード索子に関するも
のである。
ス・シリコンからなる光電感ダイオード索子に関するも
のである。
従来の技術
近時、光−電子工学の分野における研究により光電変換
素子を利用する装置の開発が多数なされている。多くの
研究により多数の光電変換素子を備えた光電導素子アレ
イあるいは光７ｕ池アレイの進歩が図られている。光電
変換素子アレイは、電気通信の分野（例えば、光ファイ
バーや集積光学機器の分野、あるいは映像送信装置等）
、家庭用ビデオ装置の分野（例えば、ソリッドステー１
・素子を利用したカメラ）、産業用機器の分！、ｌ’Ｆ
（例えば、複写機やファクシミリ装置）等において多
数１１１１１１されている。
素子を利用する装置の開発が多数なされている。多くの
研究により多数の光電変換素子を備えた光電導素子アレ
イあるいは光７ｕ池アレイの進歩が図られている。光電
変換素子アレイは、電気通信の分野（例えば、光ファイ
バーや集積光学機器の分野、あるいは映像送信装置等）
、家庭用ビデオ装置の分野（例えば、ソリッドステー１
・素子を利用したカメラ）、産業用機器の分！、ｌ’Ｆ
（例えば、複写機やファクシミリ装置）等において多
数１１１１１１されている。
従来の光電変換素子アレイは主としてＣＣＤアレイ（Ｃ
ｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｃｄ Ｄｅｖｉｃｅアレイ
）をトリ用し、それはシリコン結晶上に形成されている
。該アレイは複雑な構造であるため、光感知領域が小さ
く、かつ、組立工程が非常に多くなる欠点があった。さ
らに、ＣＣＤアレイの感度は短い波長の光（青色光線や
紫外線）に対して弱いことが認められている。さらにま
た、ＣＣＤアレイには多数の欠点が確認されている。例
えば、複雑なりロック制御回路が要求されること、動作
範囲に限界があること、波長よｊよび光強度において感
度に限界があること、隣接した素子間での漏話が発生し
やすい虞れがあること、光の最大許容強度が低いので、
すぐに飽和状態になってしまうこと、明るさに対する出
力信号の直線性が悪いこと、高い暗電流を克服するため
の補償の問題があることなどである。
ｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｃｄ Ｄｅｖｉｃｅアレイ
）をトリ用し、それはシリコン結晶上に形成されている
。該アレイは複雑な構造であるため、光感知領域が小さ
く、かつ、組立工程が非常に多くなる欠点があった。さ
らに、ＣＣＤアレイの感度は短い波長の光（青色光線や
紫外線）に対して弱いことが認められている。さらにま
た、ＣＣＤアレイには多数の欠点が確認されている。例
えば、複雑なりロック制御回路が要求されること、動作
範囲に限界があること、波長よｊよび光強度において感
度に限界があること、隣接した素子間での漏話が発生し
やすい虞れがあること、光の最大許容強度が低いので、
すぐに飽和状態になってしまうこと、明るさに対する出
力信号の直線性が悪いこと、高い暗電流を克服するため
の補償の問題があることなどである。
発明の目的
本発明は、上述した従来技術のＣＯＤ装置の種々の欠点
を解消せんとするもので、水素化アモルファス・シリコ
ン（ａ−８ｉ：Ｈ）を用いた光電感ダイオード素子を提
供するものである。
を解消せんとするもので、水素化アモルファス・シリコ
ン（ａ−８ｉ：Ｈ）を用いた光電感ダイオード素子を提
供するものである。
発明の構成
本発明に係る光電感ダイオード素子は、陰極を形成する
ｎ型水素化アモルファス・シリコンからなる第１層と、
陽極を形成するｐ型物質からなる第２層を備え、上記第
２層は第１層」−に配置４−るとＪ（に光エネルギーを
透過させる乙のて、該光エネルギーの照射に応じ、少な
くとら第１層に高い導電性を生じさせることを特徴とす
る。
ｎ型水素化アモルファス・シリコンからなる第１層と、
陽極を形成するｐ型物質からなる第２層を備え、上記第
２層は第１層」−に配置４−るとＪ（に光エネルギーを
透過させる乙のて、該光エネルギーの照射に応じ、少な
くとら第１層に高い導電性を生じさせることを特徴とす
る。
又、本発明に係る光電感ダイオード素子の製造方法は、
次の工程からなる。
次の工程からなる。
（ａ）第１金属層を形成およびエツチングし；（ｂ）上
記第１金属層の上面に、ｎ型水素化アモルファス・シリ
コン層を形成およびエツチングして、上記ダイオード素
子の陰極部分を形成し：（Ｃ）上記ｎ型層の予め定めた
部分へｐ型物質を注入し、上記ダイオード素子の陽極部
分を形成し、（ｄ）上記ｐ型注入部分に接続するための
追加の金属層を形成およびエツチングし；及び （ｅ）上記第１および追加の金属層を夫々外部の陰極お
よび陽極接点へ接続する端子を形成する。
記第１金属層の上面に、ｎ型水素化アモルファス・シリ
コン層を形成およびエツチングして、上記ダイオード素
子の陰極部分を形成し：（Ｃ）上記ｎ型層の予め定めた
部分へｐ型物質を注入し、上記ダイオード素子の陽極部
分を形成し、（ｄ）上記ｐ型注入部分に接続するための
追加の金属層を形成およびエツチングし；及び （ｅ）上記第１および追加の金属層を夫々外部の陰極お
よび陽極接点へ接続する端子を形成する。
水素化アモルファス・シリコンは約１０４程度の非常に
高い光導電性を備えた半導体物質である。
高い光導電性を備えた半導体物質である。
組み立て工程にもよるが、水素化アモルファス・シリコ
ンの光ギャップは、１．５ｅＶから２ 、２ ｅＶの間
で可変でざるのに対し、従来の結晶シリコンの光エネル
ギーギャップは約１ 、１ ｅＶと一定である。従って
、種々の波長の光に対応できるよう水素化アモルファス
・シリコンの感度を調整し、種々の照明状態下において
も最適な動作を行うことが出来るようにすることか可能
である。
ンの光ギャップは、１．５ｅＶから２ 、２ ｅＶの間
で可変でざるのに対し、従来の結晶シリコンの光エネル
ギーギャップは約１ 、１ ｅＶと一定である。従って
、種々の波長の光に対応できるよう水素化アモルファス
・シリコンの感度を調整し、種々の照明状態下において
も最適な動作を行うことが出来るようにすることか可能
である。
非結晶構造を有するため、水素化アモルファス・ノリコ
ンの光吸収特性は、従来のＣＯＤ素子を組み立てる結晶
シリコンのそれより優れている。
ンの光吸収特性は、従来のＣＯＤ素子を組み立てる結晶
シリコンのそれより優れている。
水素化アモルファス・シリコンを用いて所定量の可視光
を吸収するためには、フィルムの厚さを結晶ノリコンを
用いた場合に比べ、約１００倍薄くする必要がある。例
えば、１ミクロンの原さの水素化アモルファス・シリコ
ン層は可視光の約９５％を吸収するが、これに対して、
同量の光を吸収するために、結晶シリコンでは約１００
ミクロンの厚さの層が要求される− 水素化アモルファス・シリコンを用いた光電変換素子を
組み立てろために比較的薄いフィルムのみを用いれば充
分であるので、効率良く、光電変換アレイを組み立てる
ことが出来る。金属接点を各素子の下側に配置可能であ
るため、アレイの各素子を分離することができると共に
、各素子に直接アクセスすることが可能となる。
を吸収するためには、フィルムの厚さを結晶ノリコンを
用いた場合に比べ、約１００倍薄くする必要がある。例
えば、１ミクロンの原さの水素化アモルファス・シリコ
ン層は可視光の約９５％を吸収するが、これに対して、
同量の光を吸収するために、結晶シリコンでは約１００
ミクロンの厚さの層が要求される− 水素化アモルファス・シリコンを用いた光電変換素子を
組み立てろために比較的薄いフィルムのみを用いれば充
分であるので、効率良く、光電変換アレイを組み立てる
ことが出来る。金属接点を各素子の下側に配置可能であ
るため、アレイの各素子を分離することができると共に
、各素子に直接アクセスすることが可能となる。
要約すれば本発明に係るダイオード素子は陰極を形成す
るｎ型水素化アモルファス・シリコンからなる第１層と
、陽極を形成するｐ型物質からなる第２層を備え、上記
第２層は第１層」二に配置すると共に光エネルギーを透
過させる乙のである。
るｎ型水素化アモルファス・シリコンからなる第１層と
、陽極を形成するｐ型物質からなる第２層を備え、上記
第２層は第１層」二に配置すると共に光エネルギーを透
過させる乙のである。
水素化アモルファス・シリコンの使用により、本発明の
光電感ダイオード素子は高い光伝導性を灯し、種々の光
ギャップを制御でき、かつ、薄いフィルム構造も可能で
ある。又、上記ダイオード素子を用いて形成する光電感
ダイオードアレイは容易に組み立てることが出来、各ダ
イオード素子を直接アドレス可能な回路を備えている。
光電感ダイオード素子は高い光伝導性を灯し、種々の光
ギャップを制御でき、かつ、薄いフィルム構造も可能で
ある。又、上記ダイオード素子を用いて形成する光電感
ダイオードアレイは容易に組み立てることが出来、各ダ
イオード素子を直接アドレス可能な回路を備えている。
又、本発明に係るアレイにおいては、素子間の漏話は低
く、光感知性が向上され、広いダイナミックレンジで動
作できるという特徴を有するものである。
く、光感知性が向上され、広いダイナミックレンジで動
作できるという特徴を有するものである。
実施例
以下、本発明を図面に示す実施例により詳細に説明する
。
。
第１Ａ図に示す光電感ダイオード素子は、ｎ型水素化ア
モルファス・シリコンにより形成した陰ｔ４１と、ｐ型
水素化アモルファス・シリコンからなる陽極２を備え、
該陽極２は公知のイオン注入法等によってｎ型陰極に注
入して構成する。
モルファス・シリコンにより形成した陰ｔ４１と、ｐ型
水素化アモルファス・シリコンからなる陽極２を備え、
該陽極２は公知のイオン注入法等によってｎ型陰極に注
入して構成する。
透明なパイロガラス３の層をｐ型陽極２の上面にコーテ
ィングしており、外部接点４がパイロガラス３を介して
陽極２に接続されている。
ィングしており、外部接点４がパイロガラス３を介して
陽極２に接続されている。
接点５は、ダイオード素子の下部に配置されていると共
に多ｈ１の不純物注入が行われたｎ型ポリノリコンロの
層を介して陰極ｌに接続されており、接点５を形成する
金属と陰極との間に抵抗接点を形成している。
に多ｈ１の不純物注入が行われたｎ型ポリノリコンロの
層を介して陰極ｌに接続されており、接点５を形成する
金属と陰極との間に抵抗接点を形成している。
接合１１りの両側の拡散層内で熱力学的に発生された少
数のキャリアのドリフトにより、ｐ−ｎ接合部に電流が
流れることは、半導体電子理論より公知である。少数の
キャリア（例えば、電子や正孔）は接合部を囲む遷移領
域に拡散し、接合部の電界により掃引される。接合部が
、半導体物質のギャップエネルギー（Ｅｇ）より大きな
エネルギーを持つ光子によって照射されれば、電子正孔
対（Ｅ［，１１） ）が生じ、より多くの電流が流れる
。
数のキャリアのドリフトにより、ｐ−ｎ接合部に電流が
流れることは、半導体電子理論より公知である。少数の
キャリア（例えば、電子や正孔）は接合部を囲む遷移領
域に拡散し、接合部の電界により掃引される。接合部が
、半導体物質のギャップエネルギー（Ｅｇ）より大きな
エネルギーを持つ光子によって照射されれば、電子正孔
対（Ｅ［，１１） ）が生じ、より多くの電流が流れる
。
従って、第１Ａ図に示すように、光電感ダイオード素子
が開路である場合には、パイロガラス層３を通る光で陽
極２と陰極１とが照射されれば、少数キャリアによる光
起動力が接点４と５の間に発生する。Ｅ ＨＰ発生によ
る光起動力によって少数キャリアの濃度が増加すれば、
接合部間に現れる最大順方向バイアス電位である等価接
触電位に等しい限界電位に達するまで電圧が増加する。
が開路である場合には、パイロガラス層３を通る光で陽
極２と陰極１とが照射されれば、少数キャリアによる光
起動力が接点４と５の間に発生する。Ｅ ＨＰ発生によ
る光起動力によって少数キャリアの濃度が増加すれば、
接合部間に現れる最大順方向バイアス電位である等価接
触電位に等しい限界電位に達するまで電圧が増加する。
照射され、接合部に表われる順方向電圧は、光起電効果
として周知である。
として周知である。
上記第１Ａ図に示す光電感ダイオード素子は、その用途
にもよるが、第１Ｂ図に示ずｌ−Ｖ特性の第３あるいは
第４象限のいずれかで作用させることが出来ろ。第４象
限においては、前述した光起電流の発生により、ダイオ
ード素子間の接合部の電圧は正であり、電流は負である
。この場合、電力は照射量に比例して素子によって伝導
されろ。
にもよるが、第１Ｂ図に示ずｌ−Ｖ特性の第３あるいは
第４象限のいずれかで作用させることが出来ろ。第４象
限においては、前述した光起電流の発生により、ダイオ
ード素子間の接合部の電圧は正であり、電流は負である
。この場合、電力は照射量に比例して素子によって伝導
されろ。
発生した電力は接点４．５に接続された外部回路に印加
させることが出来る。
させることが出来る。
第１Ｃ図は他の実施例を示しａ−Ｓｉ：Ｈ（水素化アモ
ルファス・シリコン）のｉ型層の上面に、ｐ型陽極をイ
オン注入する代わりに、金、アルミニウム、クロムある
いはプラトニウムの透明金属７の層を配置することによ
り、ショットキー障壁を形成している。他の点において
は、該第１Ｃ図の実施例は上記した第１Ａ図および第１
Ｂ図に示す実施例と実質同様に作用する。
ルファス・シリコン）のｉ型層の上面に、ｐ型陽極をイ
オン注入する代わりに、金、アルミニウム、クロムある
いはプラトニウムの透明金属７の層を配置することによ
り、ショットキー障壁を形成している。他の点において
は、該第１Ｃ図の実施例は上記した第１Ａ図および第１
Ｂ図に示す実施例と実質同様に作用する。
第２図は、第１Δ図あるいは第１Ｃ図のいずれにら対応
する光電感ダイオード素子の詳細な断面図を示ケ乙ので
ある。
する光電感ダイオード素子の詳細な断面図を示ケ乙ので
ある。
好ましい組み立て方法によれば、まずパイロガラス（酸
化物）８の第１層を約０．８ミクロンの厚入てｌＦち１
１９」−乙−就、いて−ｉｊ；Ｔ ＋ホ１．Ｊ：・ｎｊ
ｅＵポＩ＋ ’／ ＩＩ １ン６の層を約０，３ミクロ
ンの厚さで形成する。
化物）８の第１層を約０．８ミクロンの厚入てｌＦち１
１９」−乙−就、いて−ｉｊ；Ｔ ＋ホ１．Ｊ：・ｎｊ
ｅＵポＩ＋ ’／ ＩＩ １ン６の層を約０，３ミクロ
ンの厚さで形成する。
その後、該ｎ型ポリシリコンロの層を公知技術によりマ
スクを用いてエツチングする。
スクを用いてエツチングする。
次に、金属５（メタルＩ）の第１層を約０．３ミクロン
の厚さで形成し、続いてマスクを用いてエツチングをす
る。該金属層５は、次に配置される層の下方に伸張させ
、ダイオード素子を外部に接続するための外部陰極接点
部（図示せず）まで延ばしている。アモルファス・シリ
コン層Ｉのエツチングの間、金属層５により終端検出が
可能となり、ポリシリコンロの表面でエツチングが停市
される。
の厚さで形成し、続いてマスクを用いてエツチングをす
る。該金属層５は、次に配置される層の下方に伸張させ
、ダイオード素子を外部に接続するための外部陰極接点
部（図示せず）まで延ばしている。アモルファス・シリ
コン層Ｉのエツチングの間、金属層５により終端検出が
可能となり、ポリシリコンロの表面でエツチングが停市
される。
その後、ｎ型水素化アモルファス・シリコンＩの陰極層
を好ましくは０，８ミクロンの１７さて形成し、続いて
、マスクを用いてエツチングを行い、その際に、金属層
５はエツチング停止１−障壁として作用する。
を好ましくは０，８ミクロンの１７さて形成し、続いて
、マスクを用いてエツチングを行い、その際に、金属層
５はエツチング停止１−障壁として作用する。
次の組立工程で、ｎ型陰極層ｌの上面にｐ型層２を設け
、陽極を形成する。上記第１Ａ図および第１Ｃ図に基づ
いて述べたように、陽極層は、公知のイオン注入技術に
より形成されるか、若しくは、ンヨッＩ・キーｐ−ｎ障
壁として作用する薄い透明金属層を陽極層ｌの上面に形
成した後に、マスクを用いてエツチングをしてもよい。
、陽極を形成する。上記第１Ａ図および第１Ｃ図に基づ
いて述べたように、陽極層は、公知のイオン注入技術に
より形成されるか、若しくは、ンヨッＩ・キーｐ−ｎ障
壁として作用する薄い透明金属層を陽極層ｌの上面に形
成した後に、マスクを用いてエツチングをしてもよい。
いずれの場合ら、陽極層は好ましくは約０．０１ ミク
ロンの厚さとしている。高い青色光線および紫外線の感
知が要求される時にはショットキー型の構造とすること
が好ましい。
ロンの厚さとしている。高い青色光線および紫外線の感
知が要求される時にはショットキー型の構造とすること
が好ましい。
パイロガラス３の層を陽極層の全側面をカバーするよう
に形成し、該パイロガラス３の層の厚ざは約０．２ミク
ロンとしている。その後、コンタクトマスクを付はエッ
ヂング工程が行われ、ｐ型陽極層を接続する。
に形成し、該パイロガラス３の層の厚ざは約０．２ミク
ロンとしている。その後、コンタクトマスクを付はエッ
ヂング工程が行われ、ｐ型陽極層を接続する。
パイロガラス層３の目的は、ダイオード素子を外からの
影ヤルｉを受けないようにすることにあり、例えば、湿
気、腐食に対して素子を保護することである。また、パ
イロガラス層３は最大限の先組が透過するように、反射
防止コーティングとしての機能をら打する。多層フィル
ムの理論によれば、層３により形成されるような４分の
１波長フイルムの反射率Ｒは、下式となる。
影ヤルｉを受けないようにすることにあり、例えば、湿
気、腐食に対して素子を保護することである。また、パ
イロガラス層３は最大限の先組が透過するように、反射
防止コーティングとしての機能をら打する。多層フィル
ムの理論によれば、層３により形成されるような４分の
１波長フイルムの反射率Ｒは、下式となる。
上記式において、ｎｔ及びｎｌはそれぞれ基板層及び反
射防止効力を存する４分の！波長フィルムの反射率を表
わす。本発明の好ましい例では、約０゜７μｍの波長に
対して、パイロガラス層３は、約０．１８μｍの厚さが
要求されると共に、ｎｔ＝１゜８７及びｎ＋＝１．５の
値をとる。
射防止効力を存する４分の！波長フィルムの反射率を表
わす。本発明の好ましい例では、約０゜７μｍの波長に
対して、パイロガラス層３は、約０．１８μｍの厚さが
要求されると共に、ｎｔ＝１゜８７及びｎ＋＝１．５の
値をとる。
最後に陽極金属層４をパイロガラス層３の上面に約０．
８ミクロンの厚さで形成し、前述したコンタクトマスク
を用いてｐ型陽極層に接続している。この最後の金属層
４は、照明により水素化アモルファス層を照射するため
に、連続した開路（開口部）を形成するようにパターン
化されている。
８ミクロンの厚さで形成し、前述したコンタクトマスク
を用いてｐ型陽極層に接続している。この最後の金属層
４は、照明により水素化アモルファス層を照射するため
に、連続した開路（開口部）を形成するようにパターン
化されている。
好ましくは、第２図に示す光ｒＬ感ダイオード素子が多
数一つのチップ上に形成され、第３図に示すように、１
つのアレイあるいはマトリックスを形成する。
数一つのチップ上に形成され、第３図に示すように、１
つのアレイあるいはマトリックスを形成する。
光電感ダイオードアレイＩＯは、多数の横列の導線＋１
． ・・・１２）Ｉ３と、多数の縦列の導線１４、・
・・１５．１６と、上記横列と縦列の導線の各交差部に
配置される多数のダイオード２０Ａ〜２０１を備えてい
る。各横列の導線は前述した第２図の金属層４に対応す
るものであり、縦列は金属層５゛に対応するものである
。
． ・・・１２）Ｉ３と、多数の縦列の導線１４、・
・・１５．１６と、上記横列と縦列の導線の各交差部に
配置される多数のダイオード２０Ａ〜２０１を備えてい
る。各横列の導線は前述した第２図の金属層４に対応す
るものであり、縦列は金属層５゛に対応するものである
。
多数の横列接点スイッチ２１は、対応する横列の導線１
１、・・・１２．１３に接続されると共に、更に接地さ
れる。同様に、多数のスイッチ２２は、対応する縦列導
線１４、・・・！５．１６に接続されると共に、更に検
出回路２３の人力部に接続されている。
１、・・・１２．１３に接続されると共に、更に接地さ
れる。同様に、多数のスイッチ２２は、対応する縦列導
線１４、・・・！５．１６に接続されると共に、更に検
出回路２３の人力部に接続されている。
検出回路２３は好ましくは、差動増幅器２４をイｆし、
その反転入力は多数のスイッチ２２の共通ターミナルで
あろノード点に接続されると共に、非反転入力は接地さ
れる。差動増幅器２４の出力と反転入力との間には、フ
ィードバック抵抗２５、 が接続される一方、差動増
幅器２４の出力は更に出力抵抗２６を介して接地されろ
。さらに、増幅器２４の出力はビデオ信号を送り出すた
めのビデオ信号出力ターミナルに接続されている。
その反転入力は多数のスイッチ２２の共通ターミナルで
あろノード点に接続されると共に、非反転入力は接地さ
れる。差動増幅器２４の出力と反転入力との間には、フ
ィードバック抵抗２５、 が接続される一方、差動増
幅器２４の出力は更に出力抵抗２６を介して接地されろ
。さらに、増幅器２４の出力はビデオ信号を送り出すた
めのビデオ信号出力ターミナルに接続されている。
上記アレイの一例では、フィードバック抵抗２５及び出
力抵抗２６は、夫々１Ｍオーム及び５０オームの抵抗値
を有する。
力抵抗２６は、夫々１Ｍオーム及び５０オームの抵抗値
を有する。
論理制御回路３０は、縦列スイッチ２１と横列スイッチ
２２の夫々に接続され、横列および縦列スイッチ２１の
６対を連続的に閉路し、それによって、ダイオード素子
を個別にアドレスする。
２２の夫々に接続され、横列および縦列スイッチ２１の
６対を連続的に閉路し、それによって、ダイオード素子
を個別にアドレスする。
次に、上記アレイの作用を説明する。
横列と縦列スイッチの所定の一対が開路されると、ダイ
オード素子２０Ａ〜２０＋の所定の素Ｐがアドレスされ
、その素子の陽極ターミナルは対応するスイッチ２１を
介して接地され、かつ、その素子の陰極ターミナルは対
応するスイッチ２２を介して検出器２３に接続される。
オード素子２０Ａ〜２０＋の所定の素Ｐがアドレスされ
、その素子の陽極ターミナルは対応するスイッチ２１を
介して接地され、かつ、その素子の陰極ターミナルは対
応するスイッチ２２を介して検出器２３に接続される。
そして、検出器２３により、アドレスされたダイオード
素子によって吸収された光の量に比例して発生する光起
電流の債が測定される。ダイオード素子が連続的に制御
回路３０を介してアドレスされ、ダイオードアレイｌＯ
の素子のそれぞれを照射する光の量に対応して、検出２
ｉｉ ２３を介してビデオ信号が発生される。
素子によって吸収された光の量に比例して発生する光起
電流の債が測定される。ダイオード素子が連続的に制御
回路３０を介してアドレスされ、ダイオードアレイｌＯ
の素子のそれぞれを照射する光の量に対応して、検出２
ｉｉ ２３を介してビデオ信号が発生される。
魚駐表熱來
本発明による光電感ダイオード素子および該素子から形
成されろアレイは、簡単に組み立てることが出来ろとｊ
（に、構造が簡単であり、かつ、例えばシフトレノスタ
を介して各素子を直送的にアドレスでき、しかも、広い
ダイナミックレンジ（代表的には、約１：１００００）
を宵していることを特徴とする。さらに、水素化アモル
ファス・シリコンを用いているため、青色と紫外線の検
出性が納品シリコンより優れている。種々の周波数に対
する最大検出感度を調整Ｖろことかできる一方、金嘱層
４に多数の開口を設けたパターンを用いると」（に素子
の下方に金属層５を伸張させることににす、６素子の光
検出面積を、与えられた素子の幾何学的面積に対して、
最大にすることが出来る。
成されろアレイは、簡単に組み立てることが出来ろとｊ
（に、構造が簡単であり、かつ、例えばシフトレノスタ
を介して各素子を直送的にアドレスでき、しかも、広い
ダイナミックレンジ（代表的には、約１：１００００）
を宵していることを特徴とする。さらに、水素化アモル
ファス・シリコンを用いているため、青色と紫外線の検
出性が納品シリコンより優れている。種々の周波数に対
する最大検出感度を調整Ｖろことかできる一方、金嘱層
４に多数の開口を設けたパターンを用いると」（に素子
の下方に金属層５を伸張させることににす、６素子の光
検出面積を、与えられた素子の幾何学的面積に対して、
最大にすることが出来る。
アレイｌＯ内の素子は、第２図に示すように分離されて
おり、よって、従来のＣＯＤ装置において近接する素子
の間に生じる漏話の問題を解消することが出来る。アレ
イｌＯに利用される光電感ダイオード素子には負荷が加
えられ、電流モードで作用するので、直線性の良い応答
が得られる。
おり、よって、従来のＣＯＤ装置において近接する素子
の間に生じる漏話の問題を解消することが出来る。アレ
イｌＯに利用される光電感ダイオード素子には負荷が加
えられ、電流モードで作用するので、直線性の良い応答
が得られる。
本発明の技術分’ＡＦの当業台により容易に考え得る他
の実施例あるいは変形例は、前記したクレームによって
規定される本発明の範囲に包含されるしのである。
の実施例あるいは変形例は、前記したクレームによって
規定される本発明の範囲に包含されるしのである。
第１Ａ図は本発明の第１実施例にｊ；る光電感ダイオー
ド素子の概略断面図、第１Ｂ図は第１Ａ図面に示したダ
イオード素子のＩ−Ｖ特性を示す概略グラフ図、第１Ｃ
図は本発明の第２実施例による光電感ダイオード素子の
概略断面図、第２図は本発明の好ましい実施例を示す光
電感ダイオード素子の詳細な断面図、第３図は本発明に
係わる光電感ダイオード素子を用いた光電感ダイオード
アレイのブロック図である。 ｌ・・・陰極、２・・・陽極、３・・・パイロガラス層
、４゜５・・・接点。
ド素子の概略断面図、第１Ｂ図は第１Ａ図面に示したダ
イオード素子のＩ−Ｖ特性を示す概略グラフ図、第１Ｃ
図は本発明の第２実施例による光電感ダイオード素子の
概略断面図、第２図は本発明の好ましい実施例を示す光
電感ダイオード素子の詳細な断面図、第３図は本発明に
係わる光電感ダイオード素子を用いた光電感ダイオード
アレイのブロック図である。 ｌ・・・陰極、２・・・陽極、３・・・パイロガラス層
、４゜５・・・接点。
Claims (14)
- （１）陰極を形成するｎ型水素化アモルファス・シリコ
ンからなる第１層と、陽極を形成するｐ型物質からなる
第２層を備え、上記第２層は第１層上に配置すると共に
光エネルギーを透過させるもので、該光エネルギーの照
射に応じ、少なくとも第１層に高い導電性を生じさせる
ことを特徴とする光電感ダイオード素子。 - （２）特許請求の範囲（１）記載の光電感ダイオード素
子において、上記第２層は第１層にｐ型物質を注入した
ものからなることを特徴とする光電感ダイオード素子。 - （３）特許請求の範囲（１）記載の光電感ダイオード素
子において、第２層は透明物質からなり、第１層と第２
層の境である接合部にショットキー障壁を介在させるこ
とを特徴とする光電感ダイオード素子。 - （４）特許請求の範囲（１）、（２）あるいは（３）の
光電感ダイオード素子において、上記第１層の下面に配
置した陰極接点を形成する第１金属層と、第２層の上面
に配置した陽極接点を形成する該第２金属層とを備え、
該第２金属層は上記第１層および第２層に光エネルギー
を照射させるための１以上の開口部を備えていることを
特徴とする光電感ダイオード素子。 - （５）特許請求の範囲（２）記載の光電感ダイオード素
子において、上記第２層の上面に配置したパイロガラス
層を備えたことを特徴とする光電感ダイオード素子。 - （６）特許請求の範囲（１）、（２）あるいは（３）の
光電感ダイオード素子において、第１および第２層の下
方に酸化物基板層を備えたことを特徴とする光電感ダイ
オード素子。 - （７）特許請求の範囲（１）、（２）あるいは（３）の
光電感ダイオード素子において、上記第１および第２層
の下方にパイロガラス基板層を備えたことを特徴とする
光電感ダイオード素子。 - （８）陰極を形成するｎ型水素化アモルファス・シリコ
ンからなる第１層と、陽極を形成するｐ型物質からなる
第２層を備え、上記第２層は第１層上に配置すると共に
光エネルギーを透過させるもので、該光エネルギーの照
射に応じ、少なくとも第１層に高い導電性を生じさせる
ことを特徴とする光電感ダイオード素子を多数設け、多
数の縦列の導線と該縦列導線上に配置した多数の横列の
導線とからなるマトリックスにおいて、各ダイオード素
子の陰極を、それに対応する縦列導線に接続させると共
に、同陽極をそれに対応する横列導線に接続させ、ダイ
オード素子により上記各縦列導線と横列導線とを相互に
連結したことを特徴とする光電感ダイオードアレイ。 - （９）特許請求の範囲（８）記載の光電感ダイオードア
レイにおいて、上記縦列および横列導線を経由して個々
のダイオード素子をアドレスするための手段と、上記ア
ドレスされた素子の光導電性を検知してそれに応じたビ
デオ信号を発生する検出手段とを備えたことを特徴とす
る光電感ダイオードアレイ。 - （１０）特許請求の範囲（９）記載の光電感ダイオード
アレイにおいて、上記アドレス手段は上記各横列導線を
接地部と接続させる多数のスイッチと、各縦列導線を検
出手段に接続させる多数のスイッチと、上記スイッチを
選択的に閉じて上記ダイオード素子の夫々を連続的に接
地部と検出手段に接続させてアドレスするための論理制
御回路とを備えたことを特徴とする光電感ダイオードア
レイ。 - （１１）特許請求の範囲（１０）記載の光電感ダイオー
ドアレイにおいて、上記検出手段は上記多数のスイッチ
に接続された反転式の差動増幅器を備え、該差動増幅器
は照射されたダイオード素子によって発生された電流信
号を増幅し、それに応じたビデオ信号を発生するもので
あることを特徴とする光電感ダイオードアレイ。 - （１２）下記の工程からなる光電感ダイオード素子の製
造方法； （ａ）第１金属層を形成およびエッチングし；（ｂ）上
記第１金属層の上面に、ｎ型水素化アモルファス・シリ
コン層を形成およびエッチングして、上記ダイオード素
子の陰極部分を形成し； （ｃ）上記ｎ型層の予め定めた部分へｐ型物質を注入し
、上記ダイオード素子の陽極部分を形成し、（ｄ）上記
ｐ型注入部分に接続するための追加の金属層を形成およ
びエッチングし；及び （ｅ）上記第１および追加の金属層を夫々外部の陰極お
よび陽極接点へ接続する端子を形成する。 - （１３）特許請求の範囲（１２）記載の方法において、
上記第１金属層を形成する前に、ｎ型ポリシリコンの層
を形成およびエッチングして、上記第１層と上記ｎ型層
の間に抵抗接点を形成することを特徴とする光電感ダイ
オード素子の製造方法。 - （１４）特許請求の範囲（１２）あるいは（１３）の方
法において、上記ｎ型層の上面に第２金属層を形成およ
びエッチングし、その間にショットキー障壁を形成する
と共に、上記層に設けられた照射部分の上面にパイロガ
ラス層を形成し、該パイロガラス層を通して上記第２お
よび追加の金属層を相互に接続する接続部材を形成する
ことを特徴とする光電感ダイオード素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CA504872 | 1986-03-24 | ||
| CA000504872A CA1269164A (en) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | Photosensitive diode with hydrogenated amorphous silicon layer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62226672A true JPS62226672A (ja) | 1987-10-05 |
Family
ID=4132728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62049870A Pending JPS62226672A (ja) | 1986-03-24 | 1987-03-04 | 光電感ダイオ−ド素子およびその製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4866499A (ja) |
| JP (1) | JPS62226672A (ja) |
| CN (1) | CN86108567A (ja) |
| CA (1) | CA1269164A (ja) |
| DE (3) | DE3638018A1 (ja) |
| FR (1) | FR2596203A1 (ja) |
| GB (1) | GB2188482B (ja) |
| IT (1) | IT1197971B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01265574A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Seiko Epson Corp | 光電変換素子 |
| JPH0485369A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Central Glass Co Ltd | 滑雪性および着氷防止性に優れた被覆塗料組成物 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223919A (en) * | 1987-02-25 | 1993-06-29 | U. S. Philips Corp. | Photosensitive device suitable for high voltage operation |
| US5280194A (en) * | 1988-11-21 | 1994-01-18 | Micro Technology Partners | Electrical apparatus with a metallic layer coupled to a lower region of a substrate and metallic layer coupled to a lower region of a semiconductor device |
| US5260225A (en) * | 1991-12-20 | 1993-11-09 | Honeywell Inc. | Integrated infrared sensitive bolometers |
| US5319182A (en) * | 1992-03-04 | 1994-06-07 | Welch Allyn, Inc. | Integrated solid state light emitting and detecting array and apparatus employing said array |
| US5592022A (en) * | 1992-05-27 | 1997-01-07 | Chipscale, Inc. | Fabricating a semiconductor with an insulative coating |
| US5403729A (en) * | 1992-05-27 | 1995-04-04 | Micro Technology Partners | Fabricating a semiconductor with an insulative coating |
| US20020197456A1 (en) * | 1993-06-30 | 2002-12-26 | Pope Edward J. A. | Integrated electro-luminescent biochip |
| US5656547A (en) * | 1994-05-11 | 1997-08-12 | Chipscale, Inc. | Method for making a leadless surface mounted device with wrap-around flange interface contacts |
| WO1995034083A1 (en) * | 1994-06-09 | 1995-12-14 | Chipscale, Inc. | Resistor fabrication |
| US6459450B2 (en) * | 1998-06-24 | 2002-10-01 | Intel Corporation | Infrared filterless pixel structure |
| US6114739A (en) * | 1998-10-19 | 2000-09-05 | Agilent Technologies | Elevated pin diode active pixel sensor which includes a patterned doped semiconductor electrode |
| US6413839B1 (en) * | 1998-10-23 | 2002-07-02 | Emcore Corporation | Semiconductor device separation using a patterned laser projection |
| US6284557B1 (en) | 1999-10-12 | 2001-09-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Optical sensor by using tunneling diode |
| US6693317B2 (en) | 2001-07-13 | 2004-02-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Optical sensor by using tunneling diode |
| CN1295567C (zh) * | 2004-12-06 | 2007-01-17 | 华中科技大学 | 一种柔性光学传感器的制作方法 |
| KR100670538B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-01-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 광 특성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| CN101345270B (zh) * | 2007-07-13 | 2011-05-04 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 太阳能电池 |
| EP4144390A3 (en) | 2013-06-18 | 2023-07-12 | Enable Injections, Inc. | Vial transfer and injection apparatus and method |
| US11673796B2 (en) * | 2021-03-09 | 2023-06-13 | Palo Alto Research Center Incorporated | Scalable high-voltage control circuits using thin film electronics |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54139342A (en) * | 1978-04-20 | 1979-10-29 | Canon Inc | Information processing unit |
| JPS56115577A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-10 | Ricoh Co Ltd | Photodetecting circuit |
| JPS5739588A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | Solid state image pickup device |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB929240A (en) * | 1954-11-30 | 1963-06-19 | Secr Aviation | Improvements in or relating to photo-sensitive semi-conductor devices |
| NL6604087A (ja) * | 1966-03-29 | 1967-10-02 | ||
| US3604987A (en) * | 1968-12-06 | 1971-09-14 | Rca Corp | Radiation-sensing device comprising an array of photodiodes and switching devices in a body of semiconductor material |
| US3902066A (en) * | 1974-03-18 | 1975-08-26 | Us Air Force | Schottky barrier infrared detector arrays with charge coupled device readout |
| US4485389A (en) * | 1978-03-08 | 1984-11-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors |
| US4226898A (en) * | 1978-03-16 | 1980-10-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process |
| US4246043A (en) * | 1979-12-03 | 1981-01-20 | Solarex Corporation | Yttrium oxide antireflective coating for solar cells |
| KR890000478B1 (ko) * | 1980-09-09 | 1989-03-18 | 에너지 컨버션 디바이시즈, 인코포레이리드 | 비정질합금의 제조방법 |
| US4517733A (en) * | 1981-01-06 | 1985-05-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Process for fabricating thin film image pick-up element |
| US4633031A (en) * | 1982-09-24 | 1986-12-30 | Todorof William J | Multi-layer thin film, flexible silicon alloy photovoltaic cell |
| US4698495A (en) * | 1984-06-12 | 1987-10-06 | Nec Corporation | Amorphous silicon photo-sensor for a contact type image sensor |
| US4724323A (en) * | 1984-10-04 | 1988-02-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image line sensor unit, photosensors for use in the sensor unit and method of making the photosensors |
| US4894700A (en) * | 1985-04-09 | 1990-01-16 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image sensor |
-
1986
- 1986-03-24 CA CA000504872A patent/CA1269164A/en not_active Expired
- 1986-11-07 DE DE19863638018 patent/DE3638018A1/de not_active Withdrawn
- 1986-11-12 IT IT22307/86A patent/IT1197971B/it active
- 1986-12-27 CN CN198686108567A patent/CN86108567A/zh active Pending
-
1987
- 1987-01-20 DE DE8706818U patent/DE8706818U1/de not_active Expired
- 1987-01-20 DE DE8700896U patent/DE8700896U1/de not_active Expired
- 1987-01-30 GB GB8702075A patent/GB2188482B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-03-04 JP JP62049870A patent/JPS62226672A/ja active Pending
- 1987-03-24 FR FR8704194A patent/FR2596203A1/fr not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-12-14 US US06/284,818 patent/US4866499A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-07-31 US US07/386,623 patent/US4965212A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54139342A (en) * | 1978-04-20 | 1979-10-29 | Canon Inc | Information processing unit |
| JPS56115577A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-10 | Ricoh Co Ltd | Photodetecting circuit |
| JPS5739588A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | Solid state image pickup device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01265574A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Seiko Epson Corp | 光電変換素子 |
| JPH0485369A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Central Glass Co Ltd | 滑雪性および着氷防止性に優れた被覆塗料組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4965212A (en) | 1990-10-23 |
| US4866499A (en) | 1989-09-12 |
| CN86108567A (zh) | 1987-10-07 |
| CA1269164A (en) | 1990-05-15 |
| FR2596203A1 (fr) | 1987-09-25 |
| IT1197971B (it) | 1988-12-21 |
| IT8622307A1 (it) | 1988-05-12 |
| DE8700896U1 (ja) | 1987-08-20 |
| DE3638018A1 (de) | 1987-10-01 |
| GB2188482A (en) | 1987-09-30 |
| IT8622307A0 (it) | 1986-11-12 |
| GB8702075D0 (en) | 1987-03-04 |
| GB2188482B (en) | 1990-03-07 |
| DE8706818U1 (ja) | 1987-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62226672A (ja) | 光電感ダイオ−ド素子およびその製造方法 | |
| US6504178B2 (en) | Indirect back surface contact to semiconductor devices | |
| US6552320B1 (en) | Image sensor structure | |
| KR101619206B1 (ko) | 반도체 기판에 대한 집적 포토다이오드 | |
| JP3124731B2 (ja) | ｐ＋／ｎ長波長赤外線およびｐ＋／ｎ中波長赤外線の二色同時検出器 | |
| US5670817A (en) | Monolithic-hybrid radiation detector/readout | |
| JPS63503266A (ja) | グレーデッドギャップ反転層フオトダイオードアレイ | |
| TW200402146A (en) | Photodetector circuits | |
| CA1132693A (en) | Demultiplexing photodetector | |
| US20090039397A1 (en) | Image sensor structure | |
| US9812604B2 (en) | Photosensing device with graphene | |
| US4318115A (en) | Dual junction photoelectric semiconductor device | |
| KR20030022724A (ko) | 고밀도 인터다이 인터커넥트 구조 | |
| Schuster et al. | A monolithic mosaic of photon sensors for solid-state imaging applications | |
| US4907054A (en) | Matrix of photosensitive elements combining a phototransistor with a storage capacitor | |
| US4467340A (en) | Pre-multiplexed Schottky barrier focal plane | |
| US7671392B2 (en) | Photoreceiver cell with color separation | |
| US8212327B2 (en) | High fill-factor laser-treated semiconductor device on bulk material with single side contact scheme | |
| US4323911A (en) | Demultiplexing photodetectors | |
| US6707126B2 (en) | Semiconductor device including a PIN photodiode integrated with a MOS transistor | |
| US6281428B1 (en) | Photovoltaic generator | |
| JPH09275201A (ja) | 固体撮像素子 | |
| GB2100511A (en) | Detector for responding to light at a predetermined wavelength, and method of making the detector | |
| CN116075944A (zh) | 具有增强特性的光电二极管器件 | |
| JPH01216581A (ja) | 半導体装置 |