JPS5912034B2 - 受光半導体装置 - Google Patents
受光半導体装置Info
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- JPS5912034B2 JPS5912034B2 JP56113769A JP11376981A JPS5912034B2 JP S5912034 B2 JPS5912034 B2 JP S5912034B2 JP 56113769 A JP56113769 A JP 56113769A JP 11376981 A JP11376981 A JP 11376981A JP S5912034 B2 JPS5912034 B2 JP S5912034B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は接合容量を増加させることなく受光感度を増
大できる受光半導体装置に関するものである。
大できる受光半導体装置に関するものである。
第１図は従来の受光半導体装置、ここでは基板としてＮ
型シリコンを用いたプレーナ形の受光半導体装置の断面
構成説明図で、図中１は上記Ｎ型基板、２はＰ型拡散層
、３は酸化膜、４はＡι電極、５はＮ型基板１にオーミ
ック接続されたヘッダ、６はＰＮ接合面からＮ型基板１
の不純物濃度で決定される少数キャリアの拡散距離だけ
離れた面、□はＮ型基板１の不純物濃度と、Ａι電極４
及びヘッダ５間に印加されるバノアス電圧で決定される
空乏層のＮ型基板１側への広がりの端面を示す。
型シリコンを用いたプレーナ形の受光半導体装置の断面
構成説明図で、図中１は上記Ｎ型基板、２はＰ型拡散層
、３は酸化膜、４はＡι電極、５はＮ型基板１にオーミ
ック接続されたヘッダ、６はＰＮ接合面からＮ型基板１
の不純物濃度で決定される少数キャリアの拡散距離だけ
離れた面、□はＮ型基板１の不純物濃度と、Ａι電極４
及びヘッダ５間に印加されるバノアス電圧で決定される
空乏層のＮ型基板１側への広がりの端面を示す。
このような構成の従来装置において、外部から１０の光
によつて励起された少数キャリアが上記ＰＮ接合面に到
達することにより光電流が発生するものである。
によつて励起された少数キャリアが上記ＰＮ接合面に到
達することにより光電流が発生するものである。
励起された少数キャリアの光電流への寄与は、空乏層中
で発生したキャリアによるドリフト電流１５と、空乏層
以外で発生するキャリアによる拡散電流に分けられる。
で発生したキャリアによるドリフト電流１５と、空乏層
以外で発生するキャリアによる拡散電流に分けられる。
ドリフト電流と拡散電流の構成比は、特別なＰＩＮ構造
ホトダイオードのように、空乏層を広げさらに空乏層以
外の領域の少数キャリア拡散距離を極端に短かくする設
計を行わない２０限り、拡散電流が支配的であることが
知られている。即ち、拡散層２端より距離Ｘで発生した
少数キャリアが再結合領域（拡散層２）に拡散により達
する率Ａは Ａ■ＧｅＬＰ・・・・・・（１） である。
ホトダイオードのように、空乏層を広げさらに空乏層以
外の領域の少数キャリア拡散距離を極端に短かくする設
計を行わない２０限り、拡散電流が支配的であることが
知られている。即ち、拡散層２端より距離Ｘで発生した
少数キャリアが再結合領域（拡散層２）に拡散により達
する率Ａは Ａ■ＧｅＬＰ・・・・・・（１） である。
ここで、Ｌｐは少数キャリアの拡散長である。Ｇは比例
係数である。従って、光が一様に当ると、拡散層２の周
辺で３０Ｘの範囲内で生じる拡散電流工Ｐ はＩｐ■ｆ
Ａｄｘ■Ｉｐｏ（１−ｅＬＰ）・・・・・・（２）とな
る。
係数である。従って、光が一様に当ると、拡散層２の周
辺で３０Ｘの範囲内で生じる拡散電流工Ｐ はＩｐ■ｆ
Ａｄｘ■Ｉｐｏ（１−ｅＬＰ）・・・・・・（２）とな
る。
ここで、工Ｐｏは拡散層２端周辺で発生す３５るキャリ
アによる全拡散電流である。従つて、距離ＸがＬｐより
大となると拡散電流Ｉｐの増加への寄与は極めて小さく
なることが判る。従来、受光感度を上げるためにはＰ型
拡散層２を拡げることになり、その結果空乏層端面７も
広がり空乏層の巾と空乏層の端面の面積で決定される接
合容量が増大し、これをホトダイオードあるいはホトト
ランジスタとした場合には応答速度の高速またホトサイ
リスタとした場合には耐ＤＶ／Ｄｔ特性の向上に大きな
妨げとなつていた。
アによる全拡散電流である。従つて、距離ＸがＬｐより
大となると拡散電流Ｉｐの増加への寄与は極めて小さく
なることが判る。従来、受光感度を上げるためにはＰ型
拡散層２を拡げることになり、その結果空乏層端面７も
広がり空乏層の巾と空乏層の端面の面積で決定される接
合容量が増大し、これをホトダイオードあるいはホトト
ランジスタとした場合には応答速度の高速またホトサイ
リスタとした場合には耐ＤＶ／Ｄｔ特性の向上に大きな
妨げとなつていた。
この発明は上記のような実情に鑑みなされたもので、基
板半導体とは反対の導電性を有する半導体層をリング状
または複数の島状に形成することにより接合容量を増加
させることなく、受光感度を増大できる受光半導体装置
を提供することを目的とする。以下図面を参照してこの
発明の実施例を説明する。
板半導体とは反対の導電性を有する半導体層をリング状
または複数の島状に形成することにより接合容量を増加
させることなく、受光感度を増大できる受光半導体装置
を提供することを目的とする。以下図面を参照してこの
発明の実施例を説明する。
第２図はこの発明による受光半導体装置の一実施例を示
す断面構成説明図で、ここではホトダイオードを例示し
ている。図中１，３，５，６はそれぞれ第１図に示した
従来装置と同様であるのでその説明を省略する。２はＰ
型拡散層であるが、この発明ではこのＰ型拡散層２がリ
ング状または複数の島状に形成されており、これに伴つ
てＡｔ電極Ａが１個またはＰ型拡散層２が複数の島状で
ある場合にはその数に応じた個数だけ設けられるもので
ある。
す断面構成説明図で、ここではホトダイオードを例示し
ている。図中１，３，５，６はそれぞれ第１図に示した
従来装置と同様であるのでその説明を省略する。２はＰ
型拡散層であるが、この発明ではこのＰ型拡散層２がリ
ング状または複数の島状に形成されており、これに伴つ
てＡｔ電極Ａが１個またはＰ型拡散層２が複数の島状で
ある場合にはその数に応じた個数だけ設けられるもので
ある。
又、空乏層端面７もその数に応じ発生する。なお、Ｐ型
拡散層２は、リング状の場合にはその内径が、また複数
の島状の場合には相互の間隔が、それぞれ少数キヤリア
が拡散する距離の範囲内に設定される。また、Ｐ型拡散
層２上のＡ′電極４は相互に接続される。このような受
光半導体装置において、有効に動．作する受光部分は面
６で囲まれた部分であり、これはあたかもＰ型拡散層２
，２間の欠落部分に、同じくＰ型拡散層２があるような
受光感度が得られるものである。
拡散層２は、リング状の場合にはその内径が、また複数
の島状の場合には相互の間隔が、それぞれ少数キヤリア
が拡散する距離の範囲内に設定される。また、Ｐ型拡散
層２上のＡ′電極４は相互に接続される。このような受
光半導体装置において、有効に動．作する受光部分は面
６で囲まれた部分であり、これはあたかもＰ型拡散層２
，２間の欠落部分に、同じくＰ型拡散層２があるような
受光感度が得られるものである。
これを接合容量の面からみれば、上記欠落部分は接合面
積の減少となり、接合容量５は小さくなる。従つて、ホ
トダイオードの応答速度は、同感度の従来の受光装置と
比較してＣＲ時定数で左右できる範囲において高速化さ
れる。例えばＮ型基板１に通常用いられる不純物濃度２
．５×１０１４／ｉを使用した場合を考えると、こ ４
の時少数キヤリアの拡散長はＬｐヨハＸ−ヨ「で与えら
れ、ここで）は拡散定数であり、τ２はライフタイムで
ある。数値を考慮すると、前記Ｎ型基板１の不純物濃度
から＝１０ｄ／Ｓｅｃ、τ，二２×１０１ｓｅｃ１！＝
１４１唯 となる。１第５図Ａは従来の装置の平面図５
で、拡散暦２０面積は４０×２４０μｍである。
積の減少となり、接合容量５は小さくなる。従つて、ホ
トダイオードの応答速度は、同感度の従来の受光装置と
比較してＣＲ時定数で左右できる範囲において高速化さ
れる。例えばＮ型基板１に通常用いられる不純物濃度２
．５×１０１４／ｉを使用した場合を考えると、こ ４
の時少数キヤリアの拡散長はＬｐヨハＸ−ヨ「で与えら
れ、ここで）は拡散定数であり、τ２はライフタイムで
ある。数値を考慮すると、前記Ｎ型基板１の不純物濃度
から＝１０ｄ／Ｓｅｃ、τ，二２×１０１ｓｅｃ１！＝
１４１唯 となる。１第５図Ａは従来の装置の平面図５
で、拡散暦２０面積は４０×２４０μｍである。
６５ぱ少数キヤリアの拡散層の範囲１４０μｍを示し、
この範囲で光照射に対応した光電流が得られる。
この範囲で光照射に対応した光電流が得られる。
第５図Ｂはこの発明に係る装置の平面図気４０μＭＸ４
Ｏμｍの拡散層２が２個・、距離１６０μｍを置いて設
けられている。
Ｏμｍの拡散層２が２個・、距離１６０μｍを置いて設
けられている。
６′は少数キヤリアの拡散長の範囲１４０μｍを示し、
この範囲で光照射に対応した光電流が得られる。
この範囲で光照射に対応した光電流が得られる。
第５図Ａ？：．Ｂから明らかなように、接合面積はＡに
おいては４０μｍ×２４０μｍ＝９６００μゴでありＢ
においては４０μｍ×４０ｇｎ×２二３２００μゴであ
る。従つて、接合容量は接合面積にほぼ比例する故、Ｂ
はＡに対して１／３程度に低減できる。一方、受光感度
は、少数キヤリアの拡散長の範囲がＢ２：Ａとでほぼ等
しいことから、両者ともほとんど変らない。即ち、この
発明の一実施例においては、受光感度をほとんど落すこ
となく、接合容量を大幅に減少した受光半導体装置を実
現できるものである。
おいては４０μｍ×２４０μｍ＝９６００μゴでありＢ
においては４０μｍ×４０ｇｎ×２二３２００μゴであ
る。従つて、接合容量は接合面積にほぼ比例する故、Ｂ
はＡに対して１／３程度に低減できる。一方、受光感度
は、少数キヤリアの拡散長の範囲がＢ２：Ａとでほぼ等
しいことから、両者ともほとんど変らない。即ち、この
発明の一実施例においては、受光感度をほとんど落すこ
となく、接合容量を大幅に減少した受光半導体装置を実
現できるものである。
なお、第５図Ｂにおいて、両拡散層２の間の距離をｙと
すると、受光感度は第６図Ａの如く、ｙ＝Ｌｐ程度迄は
増加するが、それ以上は飽和してしまう。一方、接合容
量はｙ＝Ｏ近辺を除きほとんど変化しない。
すると、受光感度は第６図Ａの如く、ｙ＝Ｌｐ程度迄は
増加するが、それ以上は飽和してしまう。一方、接合容
量はｙ＝Ｏ近辺を除きほとんど変化しない。
しかしながら、チツプ上の受光部の占有面積は第６図Ｃ
に示すようにｙに直線的に比例して増大してしまう。
に示すようにｙに直線的に比例して増大してしまう。
従つて、離隔する距離ｙは、一般に少数キヤリア拡散長
Ｌｐ以下に最適値がある。
Ｌｐ以下に最適値がある。
なお、上述実施例ではホトダイオードを例にとつて説明
したが、第３図に示すように第２図の構成にＮ型拡散層
８を付加形成すればＮＰＮホトトランジスタが構成され
、そのコレクタ・ベース間の接合容量の減少が可能にな
り、上述ホトダイオードの場合と同様に応答速度の高速
化が可能となる。
したが、第３図に示すように第２図の構成にＮ型拡散層
８を付加形成すればＮＰＮホトトランジスタが構成され
、そのコレクタ・ベース間の接合容量の減少が可能にな
り、上述ホトダイオードの場合と同様に応答速度の高速
化が可能となる。
また、第４図に示すように第３図の構成にさらにＰ型拡
散層９を付加形成すれば、カソード電極１０、ゲート電
極１１、アノード電極１２を設けてホトサイリスタが構
成される。
散層９を付加形成すれば、カソード電極１０、ゲート電
極１１、アノード電極１２を設けてホトサイリスタが構
成される。
この場合にはＰ型ゲート・Ｎ型ゲート間の接合容量Ｃｊ
２が小さくなる利点があり、アノード・カソード間電圧
ＶＡＯが印加されたときＩｃ＝Ｃｊ，ｄＶＡＣ／／Ｄｔ
で表わされる充電電流が小さくなるため誤動作が少なく
なる。すなわち、図示するようにＰ型ゲートをリング状
または複数の島状に形成することにより ！受光感度を
下げずに耐ＤＶ／Ｄｔ特性を上げることができる。次に
、従来例とこの発明の装置を試作品によつて比較して述
べる。
２が小さくなる利点があり、アノード・カソード間電圧
ＶＡＯが印加されたときＩｃ＝Ｃｊ，ｄＶＡＣ／／Ｄｔ
で表わされる充電電流が小さくなるため誤動作が少なく
なる。すなわち、図示するようにＰ型ゲートをリング状
または複数の島状に形成することにより ！受光感度を
下げずに耐ＤＶ／Ｄｔ特性を上げることができる。次に
、従来例とこの発明の装置を試作品によつて比較して述
べる。
試作は、不純物濃度２．５×１０１４／Ｃｍｆ）Ｎ型シ
リコン基板を使用し、プレーナ技術により不純物として
ボロンを熱拡散し、深さ３０μ程度のＰ型拡散層を形成
した。その後、通常のプレーナダイオードの製作方法で
ホトダイオードを作つた。第７図Ａはこの試作による従
来例の平面図、同図Ｂはこの発明の例の平面図である。
リコン基板を使用し、プレーナ技術により不純物として
ボロンを熱拡散し、深さ３０μ程度のＰ型拡散層を形成
した。その後、通常のプレーナダイオードの製作方法で
ホトダイオードを作つた。第７図Ａはこの試作による従
来例の平面図、同図Ｂはこの発明の例の平面図である。
図中２はＰ型拡散層、４はＡ′電極、６２は少数キヤリ
アの拡散長（Ｌｐ：一Ｖ５］７、ここで？＝１０１／Ｓ
ｅｃｌτ２＝２×１０−５ｓｅｃ）の範囲１４０μｍを
示し、この範囲が有効受光部分になる。また、第７図Ａ
においてａ＝７０μＭ，．ｂ＝１８０μＭ．ｃ＝５５μ
Ｍ，．ｄ＝１４０１ｔｍであり、同図Ｂにおいてｅ二１
２５μＭｓｆ＝５５μＭｓｇ二１４０μＭ．ｈ＝２５０
μＭ，．ｉ＝１４０μｍである。このような２種のホト
ダイオードは同一基板内に近接して形成した。この２種
類のホトダイオードの特性評価を光電流および接合容量
で行つた。
アの拡散長（Ｌｐ：一Ｖ５］７、ここで？＝１０１／Ｓ
ｅｃｌτ２＝２×１０−５ｓｅｃ）の範囲１４０μｍを
示し、この範囲が有効受光部分になる。また、第７図Ａ
においてａ＝７０μＭ，．ｂ＝１８０μＭ．ｃ＝５５μ
Ｍ，．ｄ＝１４０１ｔｍであり、同図Ｂにおいてｅ二１
２５μＭｓｆ＝５５μＭｓｇ二１４０μＭ．ｈ＝２５０
μＭ，．ｉ＝１４０μｍである。このような２種のホト
ダイオードは同一基板内に近接して形成した。この２種
類のホトダイオードの特性評価を光電流および接合容量
で行つた。
接合容量はキヤパシタンスブリツジにより、また光電５
流・は３″φ″３のシリコン基板上に第７図Ａ，Ｂのホ
トダイオードを形成したまま、ウエーハプローパのステ
ージ上にのせ、光源として落射型実体顕微鏡の・・ロゲ
ン電球照射光を用いて測定した。落射型実体顕微鏡の照
射光を用い顕微鏡の焦点を利用することにより、第７図
Ａ，Ｂそれぞれのホトダイオードに照射される光強度は
全く同一となる。以上の特性評価の結果および各々のホ
トダイオードの拡散層面積、ｃ＝ｖ？？Ｈ九ＡＹで得ら
れる接合容量理論値、Ａ′電極部を除いた有効受光部分
の面積を下記表に示す。
流・は３″φ″３のシリコン基板上に第７図Ａ，Ｂのホ
トダイオードを形成したまま、ウエーハプローパのステ
ージ上にのせ、光源として落射型実体顕微鏡の・・ロゲ
ン電球照射光を用いて測定した。落射型実体顕微鏡の照
射光を用い顕微鏡の焦点を利用することにより、第７図
Ａ，Ｂそれぞれのホトダイオードに照射される光強度は
全く同一となる。以上の特性評価の結果および各々のホ
トダイオードの拡散層面積、ｃ＝ｖ？？Ｈ九ＡＹで得ら
れる接合容量理論値、Ａ′電極部を除いた有効受光部分
の面積を下記表に示す。
また、光電流の分布データ（測定数１０）を第８図に示
す。第８図においてはＡに従来例、Ｂにこの発明を示す
。上記表および第８図より明らかなように、この発明に
よるホトダイオードでは拡散層の面債がやや小さくなつ
たにもかかわらず、光電流（受光感度）は平均で１．２
３倍となり、２３％の増加が確認された。また、接合容
量の実測値は両方とも測定系容量を除いて１ｐＦ程度で
あるが、容量が極めて小さく、更に測定系容量が１．１
ｐＦ程度あるため、精度に欠けると考える。そこで、拡
散層面積と接合容量は比例するのは明らかであるから、
従来例と全く同一の拡散層面積でこの発明によるホトダ
イオードを製造すると、１．２３÷０．９４＝１．３１
より、接合容量を増加させることなく受光感度を３１％
増大できることになる。これらのデータは、この発明の
実施例で述べた効果を数値的に裏付けたことを示してい
る。また、上記この発明の装置の試作の各部の数値（寸
法など）により、実施例で述べた装置が数値的にも明瞭
になつたものと考える。以上述べたようにこの発明によ
れば、基板半導体とは反対の導電性を有する半導体層を
リング状または複数の島状に形成することにより、接合
容量を増加させることなく受光感度を増大できる。
す。第８図においてはＡに従来例、Ｂにこの発明を示す
。上記表および第８図より明らかなように、この発明に
よるホトダイオードでは拡散層の面債がやや小さくなつ
たにもかかわらず、光電流（受光感度）は平均で１．２
３倍となり、２３％の増加が確認された。また、接合容
量の実測値は両方とも測定系容量を除いて１ｐＦ程度で
あるが、容量が極めて小さく、更に測定系容量が１．１
ｐＦ程度あるため、精度に欠けると考える。そこで、拡
散層面積と接合容量は比例するのは明らかであるから、
従来例と全く同一の拡散層面積でこの発明によるホトダ
イオードを製造すると、１．２３÷０．９４＝１．３１
より、接合容量を増加させることなく受光感度を３１％
増大できることになる。これらのデータは、この発明の
実施例で述べた効果を数値的に裏付けたことを示してい
る。また、上記この発明の装置の試作の各部の数値（寸
法など）により、実施例で述べた装置が数値的にも明瞭
になつたものと考える。以上述べたようにこの発明によ
れば、基板半導体とは反対の導電性を有する半導体層を
リング状または複数の島状に形成することにより、接合
容量を増加させることなく受光感度を増大できる。
従つて、例えばホトダイオード、ホトトランジスタに適
用して応答速度を高速化でき、ホトサイリスタ等に適用
して耐ＤＶ／Ｄｔ特性を向上することができる等の効果
がある。
用して応答速度を高速化でき、ホトサイリスタ等に適用
して耐ＤＶ／Ｄｔ特性を向上することができる等の効果
がある。
第１図は従来の受光半導体装置を示す断面構成説明図、
第２図はこの発明による受光半導体装置の一実施例を示
す断面構成説明図、第３図および第４図はそれぞれ他の
実施例を示す断面構成説明図、第５図は従来装置とこの
発明の一実施例の装置とを比較して示す平面図、第６図
はこの発明の一実施例において離間距離と受光感度、接
合容量、占有面積との関係を示す図、第７図は従来例と
この発明の装置の試作品を示す平面図、第８図は第７図
の試作品における光電流の分布データを示す図である。 １・・・・・・Ｎ型基板、２・・・・・・Ｐ型拡散層、
３・・・・・・酸化膜、４・・・・・・Ａ′電極、５・
・・・・・ヘツダ。
第２図はこの発明による受光半導体装置の一実施例を示
す断面構成説明図、第３図および第４図はそれぞれ他の
実施例を示す断面構成説明図、第５図は従来装置とこの
発明の一実施例の装置とを比較して示す平面図、第６図
はこの発明の一実施例において離間距離と受光感度、接
合容量、占有面積との関係を示す図、第７図は従来例と
この発明の装置の試作品を示す平面図、第８図は第７図
の試作品における光電流の分布データを示す図である。 １・・・・・・Ｎ型基板、２・・・・・・Ｐ型拡散層、
３・・・・・・酸化膜、４・・・・・・Ａ′電極、５・
・・・・・ヘツダ。
Claims (1)
- １ 第１導電型の半導体基板と、該半導体基板主表面に
形成された第２導電型のリング状または複数の島状の半
導体層と、該半導体層および前記半導体基板にオーミッ
ク接続された電極とを備えた半導体装置において、前記
半導体層の相互距離を、前記半導体基板の不純物濃度で
決定される少数キャリアが拡散する距離の範囲で離間し
て定め、該半導体層の電極は相互に接続されたことを特
徴とする受光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113769A JPS5912034B2 (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 受光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113769A JPS5912034B2 (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 受光半導体装置 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPS5792877A JPS5792877A (en) | 1982-06-09 |
| JPS5912034B2 true JPS5912034B2 (ja) | 1984-03-19 |
Family
ID=14620664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56113769A Expired JPS5912034B2 (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 受光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5912034B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016207807A (ja) * | 2015-04-21 | 2016-12-08 | マイクロシグナル株式会社 | 光電変換素子 |
| DE102016120032A1 (de) | 2016-05-20 | 2017-11-23 | Microsignal Co., Ltd | Fotoelektrisches umwandlungselement |
Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
| GB2151843A (en) * | 1983-12-20 | 1985-07-24 | Philips Electronic Associated | Semiconductor devices |
| JP2712208B2 (ja) * | 1987-12-07 | 1998-02-10 | 松下電器産業株式会社 | 受光素子 |
| WO1989006052A1 (en) * | 1987-12-14 | 1989-06-29 | Santa Barbara Research Center | Reticulated junction photodiode having enhanced responsivity to short wavelength radiation |
| US5049962A (en) * | 1990-03-07 | 1991-09-17 | Santa Barbara Research Center | Control of optical crosstalk between adjacent photodetecting regions |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS527916A (en) * | 1975-07-07 | 1977-01-21 | Ube Ind Ltd | Process for preparation of oxamido |
-
1981
- 1981-07-22 JP JP56113769A patent/JPS5912034B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS527916A (en) * | 1975-07-07 | 1977-01-21 | Ube Ind Ltd | Process for preparation of oxamido |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2016207807A (ja) * | 2015-04-21 | 2016-12-08 | マイクロシグナル株式会社 | 光電変換素子 |
| DE102016120032A1 (de) | 2016-05-20 | 2017-11-23 | Microsignal Co., Ltd | Fotoelektrisches umwandlungselement |
| US9960308B2 (en) | 2016-05-20 | 2018-05-01 | Micro Signal Co., Ltd. | Photoelectric conversion element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5792877A (en) | 1982-06-09 |
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