AT263121B - Schaltung für ein verzögert ansprechendes und bzw. oder abfallendes Relais - Google Patents
Schaltung für ein verzögert ansprechendes und bzw. oder abfallendes RelaisInfo
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- H—ELECTRICITY
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- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
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Description
<Desc/Clms Page number 1> Schaltung für ein verzögert ansprechendes und bzw. oder abfallendes Relais Die Erfindung betrifft eine Schaltung für ein verzögert ansprechendes und bzw. oder abfallendes Relais, das in einem Zweig einer bistabilen Kippstufe eingeschaltet ist, die in Abhängigkeit vom Emitterstrom eines vorgeschalteten Transistors gesteuert ist. Es sind Schaltungen für Relais mit einstellbarer Zeitverzögerung bekannt, bei denen eine Kombination eines Kondensators und eines Widerstandes in einem Lade- oder Entladestromkreis vorgesehen ist. Zur Überwachung des Ladezustandes dienen Elektronenröhren bzw. Glimmröhren mit kalter Kathode, die es aber nur erlauben, Zeitrelais für verhältnismässig grosse Hilfsspannungen, meist über 200 V, zu bauen. Ausserdem sind für Langzeiten die einstellbaren Widerstände hochohmig, die als Kohleschichtpotentiometer im Gegensatz zu den Drahtschichtpotentiometern ungenau, temperaturabhängig sind und eine geringe Lebensdauer besitzen. Es ist eine Schalteinrichtung bekanntgeworden, bei der zur Entladung des Kondensators eine Umschalteinrichtung notwendig ist ; bei Verwendung eines geteilten Ladekondensators wird einer der beiden nach Beendigung eines jeden Ladevorganges umgepolt. Die erfindungsgemässe Schaltung vermeidet die angeführten Nachteile dadurch, dass die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors zusammen mit einem dem Emitter vorgeschalteten, vorzugsweise einstellbaren Widerstand, insbesondere einem Drahtpotentiometer, den Schaltungseingang bildet, dem die Relais-Steuerspannung zugeführt ist, und dass an diesem Widerstand der Eingang der Kippstufe angeschlossen ist, wobei der Widerstandswert des Widerstandes wesentlich kleiner ist als der Eingangswiderstand der Kippstufe und dass der Kollektor-Basis-Strecke des Transistors ein den Zeitablauf des Emitterstromes bestimmender Kondensator parallelgeschaltet ist. Zur raschen Entladung des Kondensators ist für diesen ein über eine von der Relais-Steuerspannung in Sperrichtung beaufschlagte Diode verlaufender Entladestromkreis vorgesehen. Zur Anpassung an den Eingangswiderstand der Kippstufe erweist es sich als vorteilhaft, dem Transistor weitere Transistoren in Darlingtonschaltung nachzuschalten, deren letzter als Impedanzwandler wirkt. Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung ist im Eingangskreis der Kippstufe eine Schaltdiode angeordnet. Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Fig. l und 2 der Zeichnungen dargestellt. EMI1.1 1 mit --A-- bezeichnetKippstufe-K-eingeschaltet, deren Schaltungsdetails nicht näher dargestellt sind. Die Kippstufe --K-- besitzt drei Eingangsklemmen-1, 2 und 3-- ; mit den Klemmen-l und 3--liegt sie an der Speisespannung (+,-), wobei in der Verbindungsleitung zum Minuspol der Speisespannung ein Schalter - b-eingeschaltet ist. Über die Klemme --2-- erhält die Kippstufe-K-als Steuerspannung die Emitterspannung eines Transistors-T1---, dessen Kollektor-Emitter-Strecke an die Speisespannung der <Desc/Clms Page number 2> Kippstufe-K-geschaltet ist. Die Basis des Transistors--Tl-ist einerseits über einen Kondensator --C-- an die Kollektorspannung und anderseits über einen veränderbaren Widerstand--R--und EMI2.1 --T1-- istführender Widerstand-R2--angeschlossen, der den Emitterstrom führt und überdies zur Kompensation von Temperaturschwankungen dient. Die sich beim Schliessen des Schalters--b--ergebende Ladungsveränderung des Kondensators --C-- bewirkt ein entsprechend verspätetes Durchschalten des Transistors--Tl--und damit eine Verzögerung des Kippens der Kippstufe-K-sowie des Ansprechens des Relais-A--. Die Verzögerungszeit ergibt sich aus der Ladezeitkonstante des Kondensators-C-, die durch dessen Kapazität und die Widerstandswerte der in der Schaltung vorgesehenen Widerstände bestimmt ist. Mit dem Schliessen des Schalters--b--tritt an der Basis des Transistors --T1-- eine solche Spannungsänderung auf, durch welche er bis in den Sättigungszustand durchgesteuert wird. PATENTANSPRÜCHE : 1. Schaltung für ein verzögert ansprechendes und bzw. oder abfallendes Relais, das in einem Zweig einer bistabilen Kippstufe eingeschaltet ist, die in Abhängigkeit vom Emitterstrom eines vorgeschalteten EMI2.2 Transistors zusammen mit einem dem Emitter vorgeschalteten, vorzugsweise einstellbaren Widerstand, insbesondere einem Drahtpotentiometer, den Schaltungseingang bildet, dem die Relais-Steuerspannung zugeführt ist, und dass an diesem Widerstand der Eingang der Kippstufe angeschlossen ist, wobei der Widerstandswert des Widerstandes wesentlich kleiner ist als der Eingangswiderstand der Kippstufe, und dass der Kollektor-Basis-Strecke des Transistors ein den Zeitablauf des Emitterstromes bestimmender Kondensator parallelgeschaltet ist. EMI2.3
Claims (1)
- weitere Transistoren in Darlingtonschaltung nachgeschaltet sind, deren letzter als Impedanzwandler wirkend zur Anpassung an den Eingangswiderstand der Kippstufe dient. EMI2.4
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AT94364A AT263121B (de) | 1964-02-06 | 1964-02-06 | Schaltung für ein verzögert ansprechendes und bzw. oder abfallendes Relais |
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AT263121B true AT263121B (de) | 1968-07-10 |
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ID=3503398
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1964
- 1964-02-06 AT AT94364A patent/AT263121B/de active
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