DE2307486C3 - Elektronische Schwellwertschalterbaugruppe - Google Patents
Elektronische SchwellwertschalterbaugruppeInfo
- Publication number
- DE2307486C3 DE2307486C3 DE19732307486 DE2307486A DE2307486C3 DE 2307486 C3 DE2307486 C3 DE 2307486C3 DE 19732307486 DE19732307486 DE 19732307486 DE 2307486 A DE2307486 A DE 2307486A DE 2307486 C3 DE2307486 C3 DE 2307486C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- collector
- operating voltage
- pole
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000000295 complement Effects 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- VHJLVAABSRFDPM-UHFFFAOYSA-N 1,4-dimercaptobutane-2,3-diol Chemical compound SCC(O)C(O)CS VHJLVAABSRFDPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 241000566113 Branta sandvicensis Species 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine elektronische Schwellwertschalterbaugruppe, bestehend aus von
ίο einer Betriebsspannungsquelle versorgten Transistoren
und Widerständen, mit Außenanschlüssen.
Schwellwertschalter haben veränderliche Spannungen zu erfassen und führen eine Umformung analoger
Signale in eine binäre Darstellung durch. Die auch als Grenzwertstufen bezeichneten Schwellwertschalter
weisen ein sogenanntes Zweipunktverhalten auf. Sie liefern nur dann ein binäres Ausgangssignal, wenn das
analoge Eingangssignal einen bestimmten Wert über- bzw. unterschritten hat. Überschreitet die Eingangsspannung
des Schwellwertschalters einen Kippwert, so wechselt der Signalzustand des Ausgangs schlagartig
von einer logischen Null auf eine logische Eins oder umgekehrt. Der Schwellwertschalter kippt in seine
Ausgangslage zurück, wenn die Eingangsspannung einen Rückkippwert unterschreitet. Die Differenz zwischen
dem Kippwert und dem Rückkippwert wird als Hysteresis bezeichnet.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen hochohmigen Spannungs-Schwellwertdetektor zur Verwendung im
Zusammenhang mit TTL/DTL-Logikschaltungen (Transistor-Transistor- Logik; Diode-Transistor- Logik)
zu schaffen, der sich ohne Schwierigkeiten in integrierter Bauweise ausführen läßt. Gemäß der Erfindung
wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß am einen Eingangsspannungsanschluß der Emitter eines als Diode
geschalteten ersten Transistors liegt, dessen Basis mit dem Kollektor und mit der Basis eines zweiten Transistors
gleichen Leitfähigkeitstyps verbunden ist sowie über einen hochohmigen Widerstand am ersten Pol der
Betriebsspannungsquelle liegt, daß der Kollektor dieses zweiten Transistors über einen Kollektorwiderstand
am ersten Pol der Betriebsspannungsquelle und der Emitter dieses Transistors an einer Anzapfung eines an
die Betriebsspannungsquelle angeschalteten, aus zwei Reihenwiderständen bestehenden Spannungsteilers
liegt, daß der Kollektor dieses zweiten Transistors mit der Basis eines dritten Transistors vom komplementären
Typ verbunden ist, dessen Kollektor über einen Kollektorwiderstand am zweiten Pol der Betriebsspannungsquelle
und dessen Emitter über einen Emitterwiderstand am ersten Pol der Betriebsspannung liegt,
daß der Kollektor des dritten Transistors mit der Basis eines vierten Transistors vom Leitfähigkeitstyp des ersten
und zweiten Transistors verbunden ist, der mit sei-
5i> nem Emitter am zweiten Pol der Betriebsspannungsquelle
liegt und mit seinem über einen Kollektorwiderstand am ersten Pol der Betriebsspannungsquelle liegenden
Kollektor den Ausgangsanschluß bildet, und daß der zweite Anschluß für die Eingangs- und Ausgangsspannung
jeweils mit dem zweiten, vorzugsweise Massepotential aufweisenden Anschluß der Betriebsspannung
verbunden ist. Die zweite Transistorstufe sorgt für den hohen Eingangswiderstand, während mittels
der Widerstandswerte die Schwellwertspannung, bei der der Schalter anspricht, eingestellt wird. Der erste
Transistor sorgt für eine Temperaturkompensation der Schwellwertspannung bezogen auf den Eingang.
Der dritte und vierte Transistor verstärken das gewon-
nene Signal. Der Schweilwert ist genau reproduzierbar und durch die Einstellung der Widerstände auch veränderbar.
Am Ausgangsanschluß steht, je nachdem, ob die Eingangsspannung über oder unter dem Schwellwert
liegt, die logische Eins oder die logische Null an.
In vorteilhafter Weise ist die Schwellwertschalterbaugruppe
derart ausgebildet, daß eine Vorstufe mit einem fünften Transistor vom Leitfähigkeitstyp des ersten,
zweiten und vierten Transistors vergesehen ist, dessen Emitter am zweiten Pol der Betriebsspannung
liegt und dessen Basis über einen Basisvorwiderstand an einen Eingangsanschluß geführt ist, und daß der
Kollektor dieses Transistors an einem weiteren Anschluß liegt Der fünfte Transistor dient als Inverter-Vorstufe
für Hilfsfunktionen. Der Schwellwertschalter läßt sich dann vielseitig einsetzen. Er läßt sich z. B. als
integrierter Zeitverzögerungsglied mit unterschiedlichen Ein- und Ausschaltzeiten, als Multiviurator in Verbindung
mit anderen Bausteinen in TTL-Technik oder auch als Spannungsdetektor benutzen.
Wird zwischen den Emitter des zweiten Transistors und dem Kollektor des vierten Transistors ein Widerstand
eingeschaltet, dann ist der Schwellwertschalter mit einer Hysteresis ausgestattet, die sich durch Wahl
des Widerstandswertes in der Größe einstellen läßt.
Vorteilhaft wird die Schwellwertschalterbaugruppe in integrierter Dickschichtschaltung ausgeführt.
Weitere Einzelheiten der Erfindung werden anhand von zwei Figuren näher erläutert.
F i g. 1 zeigt die Schaltung des Schwellwertschalters im einzelnen, und
F i g. 2 zeigt eine Beschallung einer mit Anschlüssen
versehenen Baugruppe als Zcitverzögerungsglied.
Die in F i g. 1 dargestellte Schaltung eines Schwellwertschalters besteht aus fünf Transistoren 1 bis 5. die is
über eine Anzahl Widerstände zusammengeschaltet sind. Ein Eingangsspannungsanschluß 15 ist mit dem
Emitter des Transistors 1 verbunden, dessen Kollektor und Basis gemeinsam über einen sehr hochohmigen
Widerstand 6 am Anschluß 8 für den positiven Pol der Betriebsspannung liegen. Die Basis des Transistors 1 ist
außerdem mit der Basis des Transistors 2 verbunden, dessen Kollektor über einen verhältnismäßig hochohmigen
Widerstand 7 am Anschluß 19 für den positiven Pol der Betriebsspannung liegt. Der Emitter des Transistors
2 ist am Verbindungspunkt zweier einen Spannungsteiler ergebenden Widerstände 8 und 12 von niedrigerem
Widerstandswert als der des Widerstandes 7 angeschlossen, die mit ihren anderen Enden am Anschluß
19 und einem Anschluß 16 für den negativen Pol der Betriebsspannung liegen. Der Kollektor des Ί ransistors
2 ist an die Basis des Komptementärtransistors 3 geführt, der mit seinem Kollektor über einen Widerstand
13 am Anschluß 16 und mit seinem Emitter über einen Widerstand 9 am Anschluß 19 liegt. Außerdem ist
der Kollektor des Transistors 3 mit der Basis des Transistors 4 verbunden, der vom gleichen Leitfähigkeitstyp
ist wie die Transistoren 1 und 2. Der Kollektor des Transistors 4 bildet den Ausgangsanschluß 21 des gesamten
Schwellwertschalters und ist über einen Kollektorwiderstand 10 mit einem Anschluß 20 für den positiven
Pol der Betriebsspannung verbunden. Vom Kollektor des Transistors 4 führt ein Widerstand 11 zu einem
Anschluß 23 und vom Emitter des Transistors 2 eine Leitung zu einem Anschluß 22. Der Schwellwertschal- fl5
ter weist eine Vorstufe mit dem Transistor 5 auf, dessen Emitter mit dem Anschluß 16, dessen Kollektor unmittelbar
über eine Leitung mit einem Anschluß 17 und dessen Basis über einen Basisvorwiderstand 14 mit
einem Anschluß 24 verbunden ist. Der Anschluß 16 ist an Masse geführt, an der außerdem jeweils die zweiten
Anschlüsse für die Eingangs- und Ausgangsspannung liegen.
Die Stufen mit den Transistoren 1 und 2 bilden aufgrund der Diodenwirkung und des hochohmigen
Widerstands 6 einen hohen Eingangswiderstand zwischen den Anschlüssen 15 und 16. An Stelle des Transistors
1 kann auch eine Diode verwendet werden. Durch die Wahl des Widerstandsverhältnisses zwischen den
Widerständen 8 und 12 am Transistor 2 läßt sich der Schwellwert einstellen, bei dem die Schaltung anspricht
Durch die Schaltung der Transistoren 1 und 2 werden Abweichungen des Schwellwerts, bezogen auf
den Eingang, kompensiert, die aufgrund unterschiedlicher Temperaturverhältnisse entstehen. Werden die
Anschlüsse 22 und 23 direkt oder über einen Widerstand überbrückt, so entsteht eine Hysteresischarakteristik
beim Schwellwertdurchschalten. Die Größe der Hysteresisspannung ist vom Wert des Widerstands 11
und des Widerstandswertes zwischen den Anschlüssen 22 und 23 abhängig. Die Ausgangsspannung wird am
Anschluß 21 am Kollektor des Transistors 4 abgenommen, und zwar in Form einer logischen Null oder einer
logischen Eins, je nachdem, ob der Schwellwert durch die Eingangsspannung erreicht wurde oder nicht.
In einem Beispiel zur Erklärung sei angenommen, daß der im wesentlichen durch das Verhältnis der
Widerstände wählbare Schwellwert 2 Volt betrage. Steht nunmehr /wischen den Anschlüssen 15 und 16
eine sich z. B. zwischen 0 und 4 Volt und zurück verändernde Eingangssignalspannung an, so ergibt sich etwa
der gleiche Spannungsverlauf auch an der Basis des Transistors 2, vorausgesetzt, daß die Betriebsspannung
z. B. 5 Volt beträgt. Der Transistor 2 ist dann bis zur Eingangsspannung von 2 Volt gesperrt und über 2 Volt
Eingangsspannung leitend. Die Emitterspannung des Transistors 2 bleibt etwa bei 2 Volt konstant. Dies er
gibt sich daraus, daß die Betriebsspannung von 5 Volt im Verhältnis der Widerstände 8 und 12 geteilt wird,
wobei auch bei leitend geschaltetem Transistor 1 dieses Emitterpotential im wesentlichen bestehenbleibt, da
der Wert des Widerstands 7 bedeutend höher gewählt ist als der des Widerstands 8. Der Transistor 3 ist demnach
bis zum Erreichen der Eingangsschwellenspannung von 2 V noch gesperrt, während er bei Überschreiten
dieser Spannung in den leitenden Zustand übergeht. Dies ergibt, daß auch der Transistor 4 bis
zum Erreichen der Schwellenspannung noch gesperrt ist und erst bei Überschreiten dieser Schwellenspannung
in den leitenden Zustand gelangt. Am Kollektor des Transistors 4 und mithin am Ausgang 21 der gesamten
Schaltung steht demnach bei einer Eingangsspannung unter der Schwellwertspannung die logische
Eins in Form einer Spannung von etwa dem Wert der Betriebsspannung an, während bei einer Eingangsspannung
über der Schwellwertspannung die logische Null in Form einer Spannung, die fast Null beträgt, ansteht.
Die Vorstufe mit dem Transistor 5 dient der Erhöhung der Vielseitigkeit der Schwellwertschaltung durch
externe Beschallung. Entsprechend der Darstellung in F i g. 2 kann z.B. zwischen die beiden Anschlüsse 15
und 17 ein RC-GWcd, bestehend aus einem Widerstand
25 und einem Kondensator 26, eingeschaltet werden. Die Schaltung arbeitet dann als Integrations-Zeitglied
mit verschiedenen Lade- und Entladezeiten bei Beaufschlagung des Anschlusses 24 mit der Eingangsspan-
nung. Außerdem ist noch ein am Anschluß 17 liegender
Widerstand 29 mit einer positiven Betriebsspannung verbunden. Die Schaltung arbeitet z. B. auch als astabiler
Multivibrator, wenn der Eingang eines vor dem Anschluß 24 liegenden Gatters 27 mit dem Anschluß 21
verbunden wird. Am Ausgangsanschluß 21 liegt ebenfalls ein Gatter 28.
Die Überbrückung der Anschlüsse 22 und 23 ergibt die bereits vorstehend erläuterte Spannungshysteresis.
Bei Zusammenarbeit mit Bausteinen in der bekannten TTL/DTL-Technik kommt man mit der dafür vorgesehenen
Stromversorgungsquelle aus.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Elektronische Schwellwertschalterbaugruppe, bestehend aus von einer Betriebsspannungsquelle
versorgten Transistoren und Widerständen, mit Außenanschlüssen dadurch gekennzeichnet,
daß am einen Eingangsspannungsanschluß (15) der Emitter eines als Diode geschalteten ersten
Transistors (1) liegt, dessen Basis mit dem Kollektor und mit der Basis eines zweiten Transistors (2) gleichen
Leitfähigkeitstyps verbunden ist sowie über einen hochohmigen Widerstand (6) am ersten Pol
(18) der Betriebsspannungsquelle liegt, daß der Kollektor dieses zweiten Transistors (2) über einen
K&llektorwiderstand (7) am ersten Pol (19) der Betriebsspannungsquelle
und der Emitter dieses Transistors (2) an einer Anzapfung eines an die Betriebsspannungsquelle
(19, 16) angeschalteten, aus zwei Reihenwiderständen (8, 12) bestehenden Spannungsteilers
liegt, daß der Kollektor dieses zweiten Transistors (2) mit der Basis eines dritten Transistors
(3) vom komplementären Typ verbunden ist, dessen Kollektor über einen Kollektorwiderstand
(13) am zweiten Pol (16) der Betriebsspannungsquelle und dessen Emitter über einen Emitterwide. stand
(9) am ersten Pol (19) der Betriebsspannung liegt, daß der Kollektor des dritten Transistors (3)
mit der Basis eines vierten Transistors (4) vom Leit-Fähigkeitstyp des ersten und zweiten Transistors (1,
2) verbunden ist, der mit seinem Emitter am zweiten Pol (16) der Betriebsspannungsquelle liegt und mit
seinem über einen Kollektorwiderstand (10) am ersten Pol (20) der Betriebsspannungsquelle liegenden
Kollektor den Ausgangsanschluß (21) bildet, und daß der zweite Anschluß für die Eingangs- und Ausgangsspannung
jeweils mit dem zweiten, vorzugsweise Massepotential aufweisenden Anschluß (16) der Betriebsspannung verbunden ist.
2. Elektrische Schwellwertschalterbaugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine
Vorstufe mit einem fünften Transistor (5) vom Leitfähigkeitstyp des ersten, zweiten und vierten Transistors
(1, 2, 4) vorgesehen ist, dessen Emitter am zweiten Pol (16) der Betriebsspannung liegt und
dessen Basis über einen Basisvorwiderstand (14) an einen Eingangsanschluß (24) geführt ist, und daß der
Kollektor dieses Transistors (5) an einem weiteren Anschluß (17) liegt.
3. Elektrische Schwellwertschalterbaugruppe nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der
Kollektor des fünften Transistors (5) über einen Widerstand (25) oder ein beliebiges Netzwerk an
den über einen Kondensator (26) mit dem zweiten Pol (16) der Betriebsspannungsquelle verbundenen
Emitter des ersten Transistors (1) angeschaltet und über einen Widerstand (29) mit dem ersten Pol der
Betriebsspannungsquelle verbunden ist.
4. Elektrische Schwellwertschalterbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen dem Emitter des zweiten Transistors (2) und dem Kollektor des vierten Transistors
(4) ein Widerstand (11) eingeschaltet ist.
5. Elektrische Schwellwertschalterbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Transistor (1) durch eine Diode ersetzt ist.
6. Elektrische Schwellwertschalterbaugruppe
nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Ausführung in integrierter
Dickschichtschaltung.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19732307486 DE2307486C3 (de) | 1973-02-15 | Elektronische Schwellwertschalterbaugruppe |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19732307486 DE2307486C3 (de) | 1973-02-15 | Elektronische Schwellwertschalterbaugruppe |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2307486A1 DE2307486A1 (de) | 1974-08-22 |
DE2307486B2 DE2307486B2 (de) | 1976-07-08 |
DE2307486C3 true DE2307486C3 (de) | 1977-03-03 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2712369C2 (de) | Oszillator zur Erzeugung von Rechteckimpulsen | |
DE3012812C2 (de) | ||
DE2814021B2 (de) | Schaltungsanordnung für einen steuerbaren Gleichrichter, der über seine Steuerelektrode abschaltbar ist | |
DE2002818C3 (de) | Analog-Digital-Umsetzer | |
DE1277915B (de) | Zeitverzoegertes elektronisches Relais | |
DE3605658C2 (de) | ||
DE2307486C3 (de) | Elektronische Schwellwertschalterbaugruppe | |
DE1050810B (de) | Bistabile Schaltung mit Flächentransistoren | |
DE69216521T2 (de) | Statischer Schalter mit geringen Verlusten | |
DE1088096B (de) | Bistabiler binaerer Transistorschaltkreis | |
DE2302530B2 (de) | Steuereinrichtung für einen Thyristor | |
DE1291784B (de) | Schaltung zur Durchfuehrung logischer Funktionen zur Erzielung hoher Schaltgeschwindigkeiten und einer geringen Verlustleistung | |
DE2415629C3 (de) | Schaltungsanordnung zum zeitweiligen, von der Größe der veränderlichen Betriebsspannung abhängigen Blockieren eines Stromzweiges | |
DE1200875B (de) | Spannungsschwellwert-Detektor | |
DE3145771C2 (de) | ||
DE1904062C3 (de) | Lichtdetektorschaltung | |
DE2307486B2 (de) | Elektronische schwellwertschalterbaugruppe | |
DE3311258C1 (de) | Schaltungsanordnung zur UEberwachung einer Betriebsspannung | |
DE2520680C2 (de) | Spannungsempfindliche Kippschaltung | |
DE1295651B (de) | Schaltungsanordnung fuer einen elektronischen Frequenzteiler zur Untersetzung von Impulsfolgen | |
DE4112310C2 (de) | ||
DE1762809C3 (de) | Mit Konstantstrom schaltende Logikschaltung | |
DE2307485C3 (de) | Als elektronischer Schwellwertschalter wirksame Leitungsempfänger-Eingangsstufenbaugruppe | |
DE2423061C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Verzögerung und zur Flankenversteilerung von Impulsen für Integrierte Schaltungen | |
WO1997026656A1 (de) | Elektronische schaltung |