DE1075715B - Schaltungsanordnung zur Beeinflussung des Eingangswiderstandes \on mit einer Steuerspannung beaufschlagten Transistoranordnungen insbesondere Kippanordnungen - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Beeinflussung des Eingangswiderstandes \on mit einer Steuerspannung beaufschlagten Transistoranordnungen insbesondere Kippanordnungen

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DE1075715B
DE1075715B DENDAT1075715D DE1075715DA DE1075715B DE 1075715 B DE1075715 B DE 1075715B DE NDAT1075715 D DENDAT1075715 D DE NDAT1075715D DE 1075715D A DE1075715D A DE 1075715DA DE 1075715 B DE1075715 B DE 1075715B
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DE
Germany
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transistor
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trj
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circuit arrangement
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Backnang Dipl -Ing Roland Heer (Wurtt)
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Telefunken AG
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Telefunken AG
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H03K3/2893Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger
    • HELECTRICITY
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    • H03KPULSE TECHNIQUE
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    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback

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Description

DEUTSCHES
Die Verwendung von spannungsgesteuerten Transistor-Kippanordnungen für die Lösung zahlreicher Aufgaben der Regel- und Steuerungstechnik, beispielsweise an Stelle von Röhren-Kippanordnungen oder hochempfindlichen Relais, ist bekannt. Ihr besonderer Vorteil besteht in den durch die-Transistoren bedingten kleinen Abmessungen, dem geringen Stromverbrauch und der sofortigen Betriebsbereitschaft.
Eine derartige bekannte Kippschaltung mit drei pnp-Transistoren ist in Fig. 1 dargestellt und im folgenden kurz beschrieben: Der eine Pol einer Steuerspannungsquelle G ist mit der Basis des eingangsseitigen Transistors Tr1, der andere, zweckmäßig an Erde liegende Pol über einen Widerstand R1 mit dessen Emitter verbunden, der seinerseits mit dem Emitter
zweiten Transistors Tr2 direkt in Verbindung B ist eine Gleichspannungsquelle, die über A5 den Kollektoren der Traneines
steht.
Widerstände R2 bzw.
dritten Transistors Tr3 verbunden sind.
Der Emitter dieses als Gleichstromverstärker wirksamen Transistors Tr3 ist an den Abgriffspunkt eines an die Quelle B geschalteten Spannungsteilers R8, R9 geführt. Im Kollektorkreis des Transistors Tr3 liegt ein zu betätigendes Schütz oder Relais Rs.
Die Wirkungsweise dieser Schaltung ist folgende:
Wenn die von G gelieferte Steuerspannung U, die eine veränderliche Gleichspannung oder eine pulsierende Gleichspannung oder eine Wechselspannung sein kann, den Wert Null hat, dann ist der Transistor Tr1 gesperrt und der Transistor Tr2 vollständig geöffnet. Es fließt daher der maximal mögliche Strom über den Widerstand R1 aus dem Emitter des Transistors Tr2 und über den Widerstand Rs aus dessen Kollektor. Der hierbei am Widerstand R1 auftretende Spannungsabfall wird dem Emitter des Transistors Tr1 zugeleitet und bewirkt eine zusätzliche Sperrung dieses Transistors.
Wird nun. die Steuerspannung U negativ gegen Erde, so fließt, sobald sie den entgegengesetzt gerichteten Spannungsabfall am Widerstand .R1 übersteigt, im Transistor Tr1 ein Kollektorstrom. Der hierdurch am Widerstand R2 hervorgerufene zusätzliche Spannungsabfall bewirkt, daß das Basispotential des Transistors Tr2 und damit der Strom durch diesen Transistor absinkt. Dadurch wird auch der Spannungsabfall am Widerstand R1 kleiner und der Transistor Tr1 weiter geöffnet. Dieser Vorgang steigert sich so lange, bis Tr1 voll geöffnet und Tr2 ganz gesperrt ist. Überschreitet also die Spannung U den für Schaltungsanordnung zur Beeinflussung
des Eingangswiderstandes
von mit einer Steuerspannung
beaufschlagten Transistoranordnungen,
insbesondere Kippanordnungen
Anmelder:
Telefunken G, m. b. H.,
Berlin NW 87, Sickingenstr. 71
2 5
sistoren Tr1 bzw. Tr2 die erforderliche Betriebsspannung erteilt. Zwischen diese Kollektoren und dem an Erde liegenden Pol der QuelleJ? sind Spannungsteiler R3, i?4 bzw. Rg, R1 geschaltet, deren Abgriffspunkte mit der Basis des Transistors Tr2 bzw. eines . Roland Heer, Backnang (Württ.),
ist als Erfinder genannt worden
die Zündung der Anordnung erforderlichen Wert (Zündspannungswert), so wird das Schütz Rs eingeschaltet.
Wird die Steuerspannung U wieder verkleinert, so spielt sich der umgekehrte Vorgang ab: Unterschreitet die Steuerspannung den für die Löschung der Anordnung erforderlichen Wert, so wird das Schütz Rs wieder abgeschaltet.
Die Anordnung nach Fig. 1 hat den Nachteil, daß die Steuerspannungsquelle G nach erfolgter Zündung stark belastet wird, weil dann der Transistor Tr1 im Sättigungsgebiet arbeitet und der Eingangswiderstand nur durch die Reihenschaltung des Widerstandes R1 mit dem Widerstand der Basis-Emitter-Strecke des Transistors Tr1 dargestellt wird. Dabei ist R1 ein verhältnismäßig niederohmiger Widerstand in der Größenordnung von einigen hundert Ohm. Ebenso ist die Basis-Emitter-Strecke, die das Verhalten eines in seiner Durchlaßrichtung beanspruchten Gleichrichters zeigt, ebenfalls sehr niederohmig.
Es ist nun im allgemeinen nicht möglich, den Eingangswiderstand in an sich naheliegender Weise dadurch heraufzusetzen, daß zwischen die Steuerspannungsquelle G und die Basiselektrode des Transistors Tr1 ein hochohmiger Widerstand zusätzlich eingeschaltet wird, weil dadurch einmal eine starke Temperaturabhängigkeit der Anordnung hervorgerufen und zum anderen die Differenz zwischen Zünd- und Löschspannung vermindert oder sogar zu Null gemacht wird, so daß die Anordnung gar nicht mehr als Kippanordnung, sondern als Verstärker arbeitet.
909 730/363
1 076
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Beeinflussung des Eingangswiderstandes von mit einer Steuerspannung beaufschlagten Transistoranordnungen, insbesondere Kippanordnungen, bei denen der eine Pol der Steuerspannungsquelle mit der Basis des Eingangstransistors verbunden ist. Erfmdungsgemäß,ist .der andere Pol der Steuerspannungsquelle mit dem Emitter eines zusätzlichen Transistors verbunden, dessen Kollektor mit dem Emitter des Eingangstransistors in Verbindung steht.
In den Fig. 2 und 3 sind Ausführungsbeispiele der Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung dargestellt; ·
In der Schaltungsanordnung nach Fig. 2 ist der zusätzliche Transistor Tr^ mit seiner Emitter-Kollektor-Strecke zwischen den Widerstand R1 und die gemeinsame Emitterleitung der beiden Transistoren Tr1 und Tr2 geschaltet, während seine Basis über einen Spannungsteiler R10, R11 an den Kollektor des Transistors Tr1 angekoppelt ist, wobei letzterer Spannungsteiler dem Spannungsteiler R3, R1 parallel liegt. Die Anordnung wirkt, wie im folgenden beschrieben:
Solange die Steuerspannung U unterhalb des Zündspannungswertes liegt, ist der zusätzliche Transistor Tr1 geöffnet, und die Anordnung verhält sich genauso wie ohne diesen Transistor. Nach erfolgter Zündung sinkt jedoch, wie oben beschrieben, die Kollektorspannung des Transistors Tr1 ab, weil durch den Kollektorstrom von Tr1 der Spannungsabfall am Widerstand R2 vergrößert wird. Damit sinkt auch die Spannung an der Basis von Tr4 über den Spannungsteiler R10, R11. Dadurch wird der Transistor Tr\ mehr und mehr gesperrt und wirkt dem weiteren Absinken der Kollektorspannung des Transistors Tr1 entgegen, indem der Emitterstrom dieses Transistors einen wachsenden Spannungsabfall am Transistor Tr4 hervorruft, welcher die Tendenz hat, den Transistor Tr1 wieder zu sperren. Es stellt sich schließlich ein Gleichgewichtszustand ein, bei welchem der Transistor Tr1 noch nicht bis ins. Sättigungsgebiet gelangt ist, während andererseits der Transistor Tr4 noch nicht vollständig gesperrt ist. Dagegen ist der Transistor Tr2 ganz gesperrt,- obwohl das Potential am Kollektor des Transistors Tr1 und damit auch das Potential an der Basis, des Transistors Tr2 nicht so weit absinkt wie in der Anordnung nach Fig. 1. Dafür ist aber das Emitterpotential der Transistoren Tr1 und Tr2 wegen des durch den Emittersfrom des Transistors Tr1 am nahezu gesperrten Transistor Tr^ hervorgerufenen zusätzlichen Spannungsabfalls stärker angestiegen. Das bewirkt die vollständige Sperrung des Transistors Tr2.
Steigt nun die Steuerspannung über den Zündspannungswert hinaus weiter an, so verschiebt sich lediglich das Gleichgewicht zwischen den Transistoren Tr1 und Tr^ in der Weise, daß der erstere weiter geöffnet, der letztere stärker gesperrt wird. Der Basisstrom des, Transistors Tr1 wird durch den Widerstand 4er Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors Tr^ begrenzt. Der Eingangswiderstand der Schaltung steigt also mit nach erfolgter Zündung noch weiter wachsender Steuerspannung an, und der Basisstrom des Eingangstransistors Tr1 bleibt nahezu konstant.
Sinkt die Steuerspannung unter den Löschspannungswert ab, so spielen sich die Vorgänge in der umgekehrten Reihenfolge ab, wie bereits oben zu Fig. 1 beschrieben. Unterhalb des Löschpunktes besteht kein Unterschied im Verhalten der Anordnungen nach Fig. 1 und 2.
Die Anordnung nach Fig. 3 unterscheidet sich von der nach Fig. 2 dadurch, daß der Spannungsteiler R10, R11 in Fortfall kommt und die Basis des zusätzlichen Transistors Tr1 — nicht der Emitter des Eingangstransistors Tr1 — mit dem Emitter des zweiten Transistors Tr2 verbunden ist. Die Wirkungsweise der Anordnung nach Fig. 3 ist ähnlich der nach Fig. 2.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Schaltungsanordnung zur Beeinflussung des Eingangswiderstandes von mit einer Steuerspannung beaufschlagten Transistoranordnungen,
"' insbesondere Kippanordnungen, bei denen der eine Pol der Steuerspannungsquelle mit der Basis des Eingangstransistors verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß der andere Pol der Steuerspannungsquelle (G) mit dem Emitter eines zusätzlichen-Transistors (TrJ verbunden ist, dessen Kollektor mit dem Emitter des Eingangstransistors (TrJ in , Verbindung steht.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung zwischen dem Pol der Steuerspannungsquelle, der nicht mit der Basis des Eingangstransistors (Tr1) verbunden ist, und dem -Emitter des zusätzlichen Transistors (Tr4) über einen Widerstand (RJ erfolgt.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des zusätzlichen Transistors (TrJ über ein Koppelglied, vorzugsweise einen Spannungsteiler (R10, Rn), mit dem Kollektor des-Eingangstransistors (TrJ verbunden ist, so daß bei infolge Zündung der Anordnung sinkender Kollektorspannung des letzteren Transistors (TrJ der zusätzliche Transistor (TrJ gesperrt und damit der Eingangswiderstand nach Zündung mit wachsender Steuerspannung ver-: großert wird (Fig. 2).
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des zusätzlichen Transistors (TrJ über einen Transistor (Tr2) mit dem Kollektor des Eingangstransistors (TrJ verbunden ist (Fig; 3).
In Betracht gezogene ältere Patente:
Deutsches Patent Nr. 1 021 926.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 909 730/36Ϊ 2.
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