AT259020B - Verfahren zum Herstellen eines aus gegeneinander isolierten Halbleiterbereichen bestehenden Gebildes für integrierte Halbleiterschaltungen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines aus gegeneinander isolierten Halbleiterbereichen bestehenden Gebildes für integrierte HalbleiterschaltungenInfo
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- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES96207A DE1230915B (de) | 1965-03-26 | 1965-03-26 | Verfahren zum Herstellen von integrierten Halbleiterbauelementen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT259020B true AT259020B (de) | 1967-12-27 |
Family
ID=7519892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT281166A AT259020B (de) | 1965-03-26 | 1966-03-24 | Verfahren zum Herstellen eines aus gegeneinander isolierten Halbleiterbereichen bestehenden Gebildes für integrierte Halbleiterschaltungen |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3477885A (enExample) |
| AT (1) | AT259020B (enExample) |
| CH (1) | CH452708A (enExample) |
| DE (1) | DE1230915B (enExample) |
| GB (1) | GB1074726A (enExample) |
| NL (1) | NL6603813A (enExample) |
| SE (1) | SE218582C1 (enExample) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL6915771A (enExample) * | 1968-10-30 | 1970-05-04 | ||
| US3950479A (en) * | 1969-04-02 | 1976-04-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of producing hollow semiconductor bodies |
| DE1943359A1 (de) * | 1969-08-26 | 1971-03-04 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines mindestens einseitig offenen Hohlkoerpers aus Halbleitermaterial |
| WO2003098632A2 (en) * | 2002-05-16 | 2003-11-27 | Nova Research, Inc. | Methods of fabricating magnetoresistive memory devices |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL281360A (enExample) * | 1961-07-26 | 1900-01-01 | ||
| US3332137A (en) * | 1964-09-28 | 1967-07-25 | Rca Corp | Method of isolating chips of a wafer of semiconductor material |
| US3381182A (en) * | 1964-10-19 | 1968-04-30 | Philco Ford Corp | Microcircuits having buried conductive layers |
| US3343255A (en) * | 1965-06-14 | 1967-09-26 | Westinghouse Electric Corp | Structures for semiconductor integrated circuits and methods of forming them |
-
1965
- 1965-03-26 DE DES96207A patent/DE1230915B/de active Pending
-
1966
- 1966-03-18 US US535588A patent/US3477885A/en not_active Expired - Lifetime
- 1966-03-23 NL NL6603813A patent/NL6603813A/xx unknown
- 1966-03-24 CH CH428766A patent/CH452708A/de unknown
- 1966-03-24 AT AT281166A patent/AT259020B/de active
- 1966-03-25 SE SE401966A patent/SE218582C1/sv unknown
- 1966-03-28 GB GB13503/66A patent/GB1074726A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE218582C1 (enExample) | 1968-01-30 |
| CH452708A (de) | 1968-03-15 |
| NL6603813A (enExample) | 1966-09-27 |
| US3477885A (en) | 1969-11-11 |
| DE1230915B (de) | 1966-12-22 |
| GB1074726A (en) | 1967-07-05 |
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