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Regelbare Transistorschaltung
Die Erfindung betrifft eine Transistorschaltung, mit einer durch einen Regelstrom bedingten Verstärkung, z. B. zur selbsttätigen Verstärkungsregelung, welche Schaltung zwei mit einer Signalquelle gekoppelte
Transistoren enthält.
Bekanntlich kann man die Verstärkung eines Transistors durch Änderung seines Emittergleichstromes und folglich seines Eingangsinnenwiderstandes regeln. Meistens wünscht man bei anwachsender Signal- amplitude eine Zurückregelung der Verstärkung, oder sogar eine Signalabschwächung (Verstärkung kleiner als 1). Dazu wird in üblichen Schaltungen der Emitter gleichstrom auf einen niedrigeren Wert eingestellt, so dass der Transistor-Eingangsinnenwiderstand grösser wird und folglich der im Eingangskreis des Transistors fliessende Signalstrom abnimmt. Dann aber besteht die Gefahr einer starken Signalverzerrung, weil mit abnehmendem Gleichstrom und zunehmender Signalstärke der Transistor im gekrümmten Teil seiner Kennlinie ausgesteuert werden kann.
Die Erfindung zielt darauf ab, diesen Nachteil zu vermeiden. Sie ist dadurch gekennzeichnet, dass die infolge Aussteuerung des einen Transistors erzeugten Signal- und Regelspannungen bei anwachsender Re- gelgrösse die zwischen Basis- und Emitterelektrode des zweiten Transistors erzeugte Signalspannung herabsetzen und den zwischen diesen Elektroden gemessenen Transistorinnenwiderstand erhöhen.
In einer bekannten. mit zwei Röhren bestückten Regelschaltung wird ein gemeinsamer, nicht-entkoppelter Kathodenwiderstand verwendet, über dem aber eine praktisch sich nicht mit der Regelgrösse ändernde Signalspannung erzeugt wird.
Die Erfindung wird an Hand des Ausführungsbeispiels nach der Zeichnung näher erläutert.
Die Schaltung enthält die Transistoren 1 und 2. In den Emitterkreis dieser Transistoren ist ein gemeinsamer Widerstand 3 aufgenommen. Der Gleichstrom im Transistor 1 kann mittels des einer Klemme 4 zugeführten Regelgleichstromes Ir geändert werden. Infolgedessen ändert sich der Eingangsinnenwiderstand dieses Transistors 1 und folglich der aus einer Signalspannungsquelle 5 diesem Transistor 1 zugeführte Signalstrom.
Das Signal der Quelle 5 wird ebenfalls dem Transistor 2 zugeführt. Die Ausgangsimpedanz 6 ist in den Kollektorkreis dieses Transistors 2 aufgenommen.
Im Gegensatz zu üblichen Schaltungen wird hier bei anwachsender Signalamplitude der Regelstrom Ir vergrössert. Bei ansteigendem Regelstrom Ir wird über den Widerstand 3 nicht nur ein grösserer Gleichspannungsabfall, sondern auch eine grössere Signalspannung erzeugt. Weil die Basis des Transistors 2 an einem festen Abgriff des Spannungsteilers 7-8 liegt, werden dadurch die zwischen Basis und Emitter des Transistors 2 erzeugten Signal- und Gleichspannungen vermindert. Durch letztere Spannung wird der im Transistor 2 fliessende Gleichstrom bestimmt, der also ebenfalls abnimmt. Folglich nimmt der Eingangsinnenwiderstand des Transistors 2 zu. so dass der in diesem Transistor fliessende Signalstrom aus beiden Gründen-grösserer Innenwiderstand und geringere Basis-Emitter-Signalspannung-abnimmt.
Dadurch kann die in üblichen Schaltungen auftretende Signalverzerrung vermieden werden.
Die Berechnung zeigt, dass die zwischen Basis und Emitter erzeugte Signalspannung vbe ungefähr der Formel
EMI1.1
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EMI2.1
EMI2.2
EMI2.3
wo8, z. B. 300 Q, 350 k Q und 810 kQ und bei Weglassen der Schaltelemente 9 und 10 kann erzielt werden, dass der Strom 12 dann von l-bis nahezu 0 mA herabgesetzt wird.
Die Verwendung der grossen Widerstände 7 und 8 hat den Nachteil, dass die Arbeitspunktstabilität des Transistors 2 verhältnismässig gering ist. Zur Vermeidung dieses Nachteils kann ein vorzugsweise durch den Kondensator 9 entkoppelter Widerstand 10 (von z. B. 3 k 0) im Emitterkreis des Transistors 2 allein eingeschaltet werden. Die Widerstände 7 und 8 können dann, bei Behalten der grossen Änderung des Stro- mes L, wesentlich kleiner gewählt werden.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Transistorschaltung, mit einer durch einen Regelstrom bedingten Verstärkung, z. B. zur selbsttätigen Verstärkungsregelung, welche Schaltung zwei mit einer Signalquelle gekoppelten Transistoren enthält, dadurch gekennzeichnet, dass die infolge Aussteuerung des einen Transistors erzeugten Signal- und Regelspannungen bei anwachsender Regelgrösse die zwischen Basis-und Emitterelektrode des zweiten Transistors erzeugte Signalspannung herabsetzen und den zwischen diesen Elektroden gemessenen Transistorinnenwiderstand erhöhen.