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Transistorempfangsschaltung
Die Erfindung betrifft eine Empfangsschaltung mit einem Zwischenfrequenzverstärker mit in Emitter- schaltung betriebenen Transistoren, deren Basis- und Kollektorelektroden an Anzapfungen der Kopplungsresonanzkreis gelegt sind. In derartigen Schaltungen begegnet man der Schwierigkeit, dass der Zwischen- frequenzverstärker nach Auswechslung der Transistoren wieder eingestellt werden muss, was seine Ursache in der Streuung der Transistor-Kenngrössen findet. Insbesondere weisen die Transistoren eine verhältnismässig grosse Rückwirkungskapazität zwischen Kollektor und Basis auf.
Diese lässt sich zwar mit einer Neutrodyneschaltung kompensieren, doch ist eine derartige Schaltung ziemlich kostspielig und immer noch nicht zuverlässig genug, weil bei der Auswechslung der Transistoren auch die Neutrodynisierung wiederum eingestellt werden muss.
Die Erfindung beabsichtigt eine Schaltung anzugeben, in welcher die Neutrodynisierung überflüssig wird. Sie ist dadurch gekennzeichnet, dass der Primärresonanzkreis des als Bandfilter ausgeführten Eingangskreises des ZF-Verstärkers durch Anschaltung an die dem ZF-Verstärker vorangehende Mischstufe, vorzugsweise selbstschwingender Art, eine wesentlich niedrigere Kreisgüte aufweist als die des angezapften Sekundärresonanzkreises dieses Eingangskreises,
dass der Sekundärresonanzkreis des als Bandfilter ausgeführten Ausgangskreises des ZF-Verstärkers durch Anschaltung an den Detektor eine wesentlich niedrigere Kreisgüte aufweist als der angezapfte Primärresonanzkreis dieses Ausgangskreises und dass die Streuung der Eingangs- und der Ausgangsinnenimpedanzen der Transistoren des ZF-Verstärkers durch eine an sich bekannte Arbeitspunktstabilisierung mittels eines Kollektorwiderstandes in Zusammenwirkung mit einem Kollektor-Basiswiderstand vermindert wird.
Die Erfindung wird an Hand des in der Zeichnung wiedergegebenen Ausführungsbeispieles näher erläutert.
Die Empfangsschaltung enthält einen ersten Transistor 1, der mit einem Antennenkreis 2 verbunden ist, und der durch Rückkopplung über einen Kreis 3 als selbstschwingende Mischstufe geschaltet ist. Die erzeugten Zwischenfrequenzschwingungen werden in einem Zwischenfrequenzverstärker 4 verstärkt und nachfolgend mittels eines Detektors 5 gleichgerichtet und einer Niederfrequenzstufe 6 zugeführt.
Der Zwischenfrequenzverstärker 4 enthält die in Emitterschaltung betriebenen Transistoren 7 und 8, die untereinander und mit der Mischstufe 1 bzw. mit der Detektorstafe 5 über Bandfilter gekoppelt sind. Das Eingangsbandfilter des Zwischenfrequenzverstärkers 4 enthält einen'Primärresonanzkreis 9, der eine wesentlich niedrigere Kreisgüte (z. B. 30) aufweist als der kapazitiv angezapfte Sekundärresonanzkreis 10 dieses Eingangsbandfilters mit einer Kreisgüte von z. B. 120. Die Anzapfung 11 führt zur Basis des Transistors 7, dessen Kollektor mit der Anzapfung des Primärresonanzkreises eines weiteren Bandfilters 12 mit Kreisgüten von 120 verbunden ist.
Eine Anzapfung am Sekundärresonanzkreis dieses Bandfilters 12 ist mit der Basis des Transistors 8 verbunden, dessen Kollektor mit der Anzapfung 13 des Primärresonanzkreises 14 des Ausgangsbandfilters des Verstärkers 4 verbunden ist. Dieser Primärresonanzkreis 14weist seinerseits eine wesentlich höhere Kreisgüte (z. B. 120) auf als der unmittelbar mit der Detektorstufe 5 verbundene Sekundärresonanzkreis 15 des Ausgangsbandfilters mit einer Kreisgüte von z. B. 20. Sind die veranschaulichten Resonanzkreise nicht mit den Transistoren verbunden, so beträgt ihre Kreisgüte etwa 150.
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Die Anzapfungsverhälmisse der Kreise 10 und 14 bzw. die des Bandfilters 12 sind alle verhältnismä- ssig niedrig, wenigstens niedriger als 0, 2 und vorzugsweise zwischen 0, 02 und 0, 07. Zwar wird auf diese Weise eine Fehlanpassung zwischen den Kreisen und den Transistoren bewirkt, in dem Sinne, dass die Kreise eine zu niedrige Impedanz im Verhältnis zur inneren Transistoreingangsimpedanz aufweisen, doch
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ohne dass die erzielte Leistungsverstärkung und die Eigenschaften in bezug auf die Bandbreite wesentlich beeinträchtigt werden.
Hiezu wird gemäss der Erfindung die erforderliche Arbeitspunktstabilisierung nicht wie üblich mit einem Emitterwiderstand vorgenommen, sondern dadurch, dass die Transistoren 7 und 8 mit Kollektorwiderständen 16 bzw. 18 und Kollektorbasiswiderständen 17 bzw. 19 versehen sind, die auf bekannte Weise die Arbeitspunktstabilisierung bewirken. Bei Anwendung eines Emitterwiderstandes wird nämlich der Kollektorstrom stabilisiert, so dass die Eingangsimpedanz bei Auswechslung der Transistoren etwa proportional mit dem Kollektor-Basis-Stromverstärkungsfaktor streut. Die vorliegende Stabilisierung aber vermindert die Streuung der Eingangs- sowie der Ausgangsimpedanz der Transistoren.
Insbesondere werden die Widerstände 16-19 so bemessen, dass etwa die Hälfte der Speisespannung über den Widerständen 16 bzw. 18 verloren geht, d. h. dass die Widerstände 17 und 19 um etwa den Kol- lektor-Basis-Stromverstärkungsfaktor der Transistoren 7 bzw. 8 grösser sein sollen als die Widerstände 16 bzw. 18.
In einem praktischen Ausführungsbeispiel hatten die Kondensatoren 20 - 29 die Werte 195 pF, 110 pF, 4700 pF, 110 pF, 1800 pF, 195 pF, 3300 pF, 110 pF, 1800 pF und 195 pF. Die Trimmerkondensatoren 30, 31 und 32 mit Werten von 2, 2 pF, 0, 8 pF und 2, 2 pF dienen zur Nachregelung der Bandfilterkopplung, Die Widerstände 16-19 hatten die Werte 6, 8 kOhm, 330 kOhm, 6, 8 kOhm und 330 kOhm. Das
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Man könnte auch eine induktive Anzapfung der Kreise der Zwischenfrequenzbandfilter vornehmen. In diesem Falle ist aber mit einem grösseren Aufwand an Schaltelementen zu rechnen. Auch könnte man im Bedarfsfalle eine grössere oder kleinere Anzahl'Transistoren im Zwischenfrequenzverstärker aufnehmen.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Empfangsschaltung mit einem Zwischenfrequenzverstärker mit in Emitterschaltungbetriebenen Transistoren, deren Basis- und Kollektorelektroden an Anzapfungen der Kopplungsresonanzkreise gelegt sind, dadurch gekennzeichnet, dass der Primärresonanzkreis (9) des als Bandfilter ausgeführten Eingangskreises des ZF-Verstärkers (4) durch Anschaltung an die dem ZF-Verstärker vorangehende Mischstafe. vorzugsweise selbstschwingender Art, eine wesentlich niedrigere Kreisgüte aufweist als die des angezapften Sekundärresonanzkreises (10) dieses Eingangskreises, dass der Sekundärresonanzkreis (15) des als Bandfilter ausgeführten Ausgangskreises des ZF-Verstärkers durch Anschaltung an den Detektor (5)
eine wesentlich niedrigere Kreisgüte aufweist als der angezapfte Primärresonanzkreis (14) dieses Ausgangskreises und dass die Streuung der Eingangs- und der Ausgangsinnenimpedanzen der Transistoren (7, 8) des ZFVerstärkers (4) durch eine an sich bekannte Arbeitspunktstabilisierung mittels eines Kollektorwiderstandes (16, 18) in Zusammenwirkung mit einem KolIektor-Basiswiderstand (17,19) vermindert wird.