AT220676B - Adjustable transistor circuit - Google Patents

Adjustable transistor circuit

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AT220676B
AT220676B AT783360A AT783360A AT220676B AT 220676 B AT220676 B AT 220676B AT 783360 A AT783360 A AT 783360A AT 783360 A AT783360 A AT 783360A AT 220676 B AT220676 B AT 220676B
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AT
Austria
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transistor
signal
circuit
emitter
current
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Application number
AT783360A
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German (de)
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Philips Nv
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Publication of AT220676B publication Critical patent/AT220676B/en

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Description

  

   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Regelbare Transistorschaltung 
Die Erfindung betrifft eine Transistorschaltung, mit einer durch einen Regelstrom bedingten Verstärkung,   z. B.   zur selbsttätigen Verstärkungsregelung, welche Schaltung zwei mit einer Signalquelle gekoppelte
Transistoren enthält. 



   Bekanntlich kann man die Verstärkung eines Transistors durch Änderung seines Emittergleichstromes und folglich seines Eingangsinnenwiderstandes regeln. Meistens wünscht man bei anwachsender Signal-   amplitude eine Zurückregelung der Verstärkung,   oder sogar eine Signalabschwächung (Verstärkung kleiner als   1).   Dazu wird in üblichen Schaltungen der Emitter gleichstrom auf einen niedrigeren Wert eingestellt, so dass der   Transistor-Eingangsinnenwiderstand grösser wird und folglich der   im Eingangskreis des Transistors fliessende Signalstrom abnimmt. Dann aber besteht die Gefahr einer starken Signalverzerrung, weil mit abnehmendem Gleichstrom und zunehmender Signalstärke der Transistor im gekrümmten Teil seiner Kennlinie ausgesteuert werden kann. 



   Die Erfindung zielt darauf ab, diesen Nachteil zu vermeiden. Sie ist dadurch gekennzeichnet, dass die infolge Aussteuerung des einen Transistors erzeugten Signal- und Regelspannungen bei anwachsender Re-   gelgrösse   die zwischen Basis- und Emitterelektrode des zweiten Transistors erzeugte Signalspannung herabsetzen und den zwischen diesen Elektroden gemessenen Transistorinnenwiderstand erhöhen. 



   In einer   bekannten. mit zwei Röhren bestückten   Regelschaltung wird ein gemeinsamer, nicht-entkoppelter Kathodenwiderstand verwendet, über dem aber eine praktisch sich nicht mit der Regelgrösse ändernde Signalspannung erzeugt wird. 



   Die Erfindung wird an Hand des Ausführungsbeispiels nach der Zeichnung näher erläutert. 



   Die Schaltung enthält die Transistoren 1 und 2. In den Emitterkreis dieser Transistoren ist ein gemeinsamer Widerstand 3 aufgenommen. Der Gleichstrom im Transistor 1 kann mittels des einer Klemme 4 zugeführten Regelgleichstromes Ir geändert werden. Infolgedessen ändert sich der Eingangsinnenwiderstand dieses Transistors 1 und folglich der aus einer Signalspannungsquelle 5 diesem Transistor 1 zugeführte Signalstrom. 



   Das Signal der Quelle 5 wird ebenfalls dem Transistor 2 zugeführt. Die Ausgangsimpedanz 6 ist in den Kollektorkreis dieses Transistors 2 aufgenommen. 



   Im Gegensatz zu üblichen Schaltungen wird hier bei anwachsender Signalamplitude der Regelstrom Ir vergrössert. Bei ansteigendem Regelstrom   Ir   wird über den Widerstand 3 nicht nur ein grösserer Gleichspannungsabfall, sondern auch eine grössere Signalspannung erzeugt. Weil die Basis des Transistors 2 an einem festen Abgriff des Spannungsteilers   7-8 liegt,   werden dadurch die zwischen Basis und Emitter des Transistors 2 erzeugten Signal- und Gleichspannungen vermindert. Durch letztere Spannung wird der im Transistor 2 fliessende Gleichstrom bestimmt, der also ebenfalls abnimmt. Folglich nimmt der Eingangsinnenwiderstand des Transistors 2 zu. so dass der in diesem Transistor fliessende Signalstrom aus beiden   Gründen-grösserer Innenwiderstand   und geringere Basis-Emitter-Signalspannung-abnimmt.

   Dadurch kann die in üblichen Schaltungen auftretende Signalverzerrung vermieden werden. 



   Die Berechnung zeigt, dass die zwischen Basis und Emitter erzeugte Signalspannung vbe ungefähr der Formel 
 EMI1.1 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 
 EMI2.1 
 
 EMI2.2 
 
 EMI2.3 
 wo8, z. B. 300 Q, 350 k   Q   und 810   kQ   und bei Weglassen der Schaltelemente 9 und 10 kann erzielt werden, dass der Strom    12   dann von l-bis nahezu 0 mA herabgesetzt wird. 



   Die Verwendung der grossen Widerstände 7 und 8 hat den Nachteil, dass die Arbeitspunktstabilität des Transistors 2 verhältnismässig gering ist. Zur Vermeidung dieses Nachteils kann ein vorzugsweise durch   den Kondensator 9 entkoppelter   Widerstand 10 (von   z. B.   3   k 0)   im Emitterkreis des Transistors 2 allein eingeschaltet werden. Die Widerstände 7 und 8 können dann, bei Behalten der grossen Änderung des Stro-   mes L,   wesentlich kleiner gewählt werden. 



   PATENTANSPRÜCHE : 
1. Transistorschaltung, mit einer durch einen Regelstrom bedingten Verstärkung,   z. B.   zur selbsttätigen   Verstärkungsregelung,   welche Schaltung zwei mit einer Signalquelle gekoppelten Transistoren enthält, dadurch gekennzeichnet, dass die infolge Aussteuerung des einen Transistors erzeugten Signal- und Regelspannungen bei anwachsender Regelgrösse die zwischen Basis-und Emitterelektrode des zweiten Transistors erzeugte Signalspannung herabsetzen und den zwischen diesen Elektroden gemessenen Transistorinnenwiderstand   erhöhen.  



   <Desc / Clms Page number 1>
 



  Adjustable transistor circuit
The invention relates to a transistor circuit with a gain caused by a control current, e.g. B. for automatic gain control, which circuit two coupled to a signal source
Contains transistors.



   It is known that the gain of a transistor can be regulated by changing its direct emitter current and consequently its internal input resistance. Usually, when the signal amplitude increases, you want the gain to be reduced or even to be reduced (gain less than 1). For this purpose, the emitter direct current is set to a lower value in conventional circuits, so that the transistor input internal resistance increases and consequently the signal current flowing in the input circuit of the transistor decreases. But then there is the risk of strong signal distortion, because with decreasing direct current and increasing signal strength, the transistor can be controlled in the curved part of its characteristic curve.



   The invention aims to avoid this disadvantage. It is characterized in that the signal and control voltages generated as a result of the modulation of one transistor, as the controlled variable increases, reduce the signal voltage generated between the base and emitter electrodes of the second transistor and increase the internal transistor resistance measured between these electrodes.



   In a well-known. With a control circuit equipped with two tubes, a common, non-decoupled cathode resistor is used, but across which a signal voltage is generated that practically does not change with the controlled variable.



   The invention is explained in more detail using the exemplary embodiment according to the drawing.



   The circuit contains the transistors 1 and 2. A common resistor 3 is included in the emitter circuit of these transistors. The direct current in the transistor 1 can be changed by means of the control direct current Ir supplied to a terminal 4. As a result, the internal input resistance of this transistor 1 changes and consequently the signal current supplied to this transistor 1 from a signal voltage source 5 changes.



   The signal from source 5 is also fed to transistor 2. The output impedance 6 is included in the collector circuit of this transistor 2.



   In contrast to conventional circuits, the control current Ir is increased as the signal amplitude increases. When the control current Ir increases, not only a greater DC voltage drop but also a greater signal voltage is generated across the resistor 3. Because the base of the transistor 2 is connected to a fixed tap of the voltage divider 7-8, the signal and DC voltages generated between the base and emitter of the transistor 2 are thereby reduced. The direct current flowing in transistor 2 is determined by the latter voltage, which thus also decreases. As a result, the input internal resistance of the transistor 2 increases. so that the signal current flowing in this transistor decreases for both reasons - greater internal resistance and lower base-emitter signal voltage.

   In this way, the signal distortion that occurs in conventional circuits can be avoided.



   The calculation shows that the signal voltage vbe generated between the base and emitter roughly corresponds to the formula
 EMI1.1
 

 <Desc / Clms Page number 2>

 
 EMI2.1
 
 EMI2.2
 
 EMI2.3
 wo8, e.g. B. 300 Ω, 350 kΩ and 810 kΩ and if the switching elements 9 and 10 are omitted, it can be achieved that the current 12 is then reduced from 1 to almost 0 mA.



   The use of the large resistors 7 and 8 has the disadvantage that the operating point stability of the transistor 2 is relatively low. To avoid this disadvantage, a resistor 10, preferably decoupled by the capacitor 9 (of 3 k 0, for example) can be switched on alone in the emitter circuit of the transistor 2. The resistors 7 and 8 can then be chosen to be significantly smaller while maintaining the large change in the current L.



   PATENT CLAIMS:
1. transistor circuit, with a gain caused by a control current, z. B. for automatic gain control, which circuit contains two transistors coupled to a signal source, characterized in that the signal and control voltages generated as a result of the modulation of one transistor reduce the signal voltage generated between the base and emitter electrode of the second transistor and that between them as the controlled variable increases Increase the internal resistance of the transistor measured by the electrodes.

 

Claims (1)

2. Schaltung nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, da8 die beiden Transistoren (1, 2) mit einem gemeinsamen nicht-entkoppelten Emitterwiderstand (3) versehen sind, dass die Signalspannung (5) gleich- EMI2.4 Transistors (1) zugeführt wird. und dass die Ausgangsimpedanz (6) im Kollektorkreis des andern Transistors (2) eingeschaltet ist. 2. A circuit according to claim l, characterized in that the two transistors (1, 2) are provided with a common non-decoupled emitter resistor (3) that the signal voltage (5) is equal to EMI2.4 Transistor (1) is supplied. and that the output impedance (6) in the collector circuit of the other transistor (2) is switched on. 3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein zusätzlicher vorzugsweise durch einen Kondensator (9) überbrückte Widerstand (10) im Emitterkreis des zweiten Transistors allein eingeschaltet ist. 3. A circuit according to claim 2, characterized in that an additional resistor (10), preferably bridged by a capacitor (9), is switched on alone in the emitter circuit of the second transistor.
AT783360A 1959-10-22 1960-10-19 Adjustable transistor circuit AT220676B (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
DE220676T 1959-10-22

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AT220676B true AT220676B (en) 1962-04-10

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ID=29593132

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AT783360A AT220676B (en) 1959-10-22 1960-10-19 Adjustable transistor circuit

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AT (1) AT220676B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1192703B (en) * 1964-01-04 1965-05-13 Standard Elektrik Lorenz Ag Circuit arrangement for up and down regulation of a two-stage transistor amplifier

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1192703B (en) * 1964-01-04 1965-05-13 Standard Elektrik Lorenz Ag Circuit arrangement for up and down regulation of a two-stage transistor amplifier

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