WO2023190451A1 - 接合体の製造方法 - Google Patents

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WO2023190451A1
WO2023190451A1 PCT/JP2023/012389 JP2023012389W WO2023190451A1 WO 2023190451 A1 WO2023190451 A1 WO 2023190451A1 JP 2023012389 W JP2023012389 W JP 2023012389W WO 2023190451 A1 WO2023190451 A1 WO 2023190451A1
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pressure
temperature
mpa
coating film
laminate
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Inventor
真一 山内
隆志 服部
圭 穴井
Original Assignee
三井金属鉱業株式会社
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/08—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a joined body.
  • Patent Document 1 discloses that a laminate in which a substrate, a bonding layer, and a semiconductor element are sequentially stacked is prepared using a bonding layer containing sinterable metal particles having a particle size of 100 nm or less, A first pressure is applied between the semiconductor element and the substrate of the laminate at a first temperature lower than the sintering temperature of the sinterable metal particles of the bonding layer, and then the sintering of the sinterable metal particles of the bonding layer is applied.
  • a second pressure exceeding the first pressure is applied between the semiconductor element and the substrate of the laminate, which is at a second temperature higher than the sintering temperature, to sinter the bonding layer, and connect the semiconductor element to the substrate via the bonding layer.
  • a technique for joining is disclosed.
  • an object of the present invention is to provide a method for producing a bonded body that has excellent bonding strength between the bonded body and the bonding layer, particularly in the fillet portion.
  • the present inventors have conducted a drying process on the coating film placed on the first object before placing the second object on it. After that, by placing the second object to be joined and applying heat and pressure to the coating film at a predetermined timing, the adhesion between the first object to be joined and the coating film is improved, and as a result, the fillet It has been found that the bonding strength between the first object to be bonded and the bonding layer formed from the coating film can be improved.
  • the present invention provides a method for manufacturing a bonded body in which a first bonded body and a second bonded body are bonded together via a bonding layer, and the method includes a method for manufacturing a bonded body formed by bonding a first bonded body and a second bonded body through a bonding layer, and in which forming a coating film by applying a paste containing copper particles having a volume cumulative particle size D50 of more than 100 nm in % to the first object to be bonded; drying the coating film at a first temperature; and drying.
  • a subsequent step of placing the second object to be bonded on the coating film to form a laminate heating the laminate to a second temperature equal to or higher than the first temperature; applying a first pressure between the first object and the second object; heating the laminate to a third temperature higher than the second temperature; the step of applying a second pressure equal to or higher than the first pressure between the first object to be joined and the second object to be joined, and sintering the coating film to form the bonding layer.
  • the present invention provides a method.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the first step of the method for manufacturing a joined body of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a step subsequent to the step shown in FIG. 1.
  • 1 and 2 are process diagrams illustrating a method for joining a joined body according to the present invention.
  • a paste containing copper particles is applied onto the first object 11 to form a coating film 12X.
  • the method for applying the paste is not particularly limited, and examples thereof include screen printing, gravure printing, dispense printing, reverse coating, and doctor blade methods.
  • the paste used in the present invention appropriately contains copper particles, an organic solvent, and a regulator described below.
  • the shape of the copper particles contained in the paste is not particularly limited, and both spherical and non-spherical particles can be used.
  • the fact that the copper particles are spherical means that the circularity coefficient measured by the following method is 0.85 or more.
  • the circularity coefficient is calculated by the following method. That is, when a scanning electron microscope image of a primary copper particle is taken, and the area of the two-dimensional projected image of the copper particle is S and the perimeter is L, the circularity coefficient of the copper particle is 4 ⁇ S/L 2 Calculated from the formula.
  • the fact that the copper particles are non-spherical means that the above-mentioned circularity coefficient is less than 0.85.
  • Specific examples of non-spherical shapes include flat shapes, polyhedral shapes such as hexahedrons and octahedrons, spindle shapes, and irregular shapes.
  • one of the two or more types of copper powder is a flat copper particle, and it is more preferable that the copper powder contains flat copper particles and spherical copper particles as described below.
  • the flat shape refers to a shape having a pair of plate surfaces forming the main surface of the particle and side surfaces perpendicular to these plate surfaces, and the plate surfaces and the side surfaces are each independently, It can be a flat, curved or uneven surface.
  • the particle size shall be determined by the following method. That is, the Heywood diameter of each of 50 or more primary copper particles with clear outlines is selected using an image observed with a scanning electron microscope at a magnification of 10,000 times or more and 150,000 times or less. Next, from the obtained Heywood diameter, the volume is calculated assuming that the particles are true spheres, and the volume cumulative particle size at 50% by volume of the cumulative volume is determined by D SEM50 .
  • the D SEM50 of the copper particles is preferably greater than 0.1 ⁇ m, more preferably 0.11 ⁇ m or more, and even more preferably 0.12 ⁇ m or more.
  • the D SEM50 is preferably 0.55 ⁇ m or less, more preferably 0.5 ⁇ m or less.
  • the particle size is determined by the volume cumulative particle size D 50 at a cumulative volume of 50% by volume by laser diffraction scattering particle size distribution measuring method.
  • this can be done by the following method. That is, 0.1 g of a measurement sample and an aqueous dispersant solution are mixed and dispersed for 1 minute using an ultrasonic homogenizer (manufactured by Nippon Seiki Seisakusho, US-300T). Thereafter, D 50 is calculated by measuring the particle size distribution using, for example, MT3300 EXII manufactured by Microtrack Bell as a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device.
  • the D50 of the copper particles is preferably 0.3 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, more preferably 0.5 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less, and even more preferably 1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the content of copper particles in the paste is preferably 50% by mass or more, from the viewpoint of increasing the filling property of copper particles and maintaining sufficient bonding strength as a bonding layer, and is preferably 60% by mass or more and 95% by mass. % or less is more preferable.
  • a surface treatment agent may be attached to the surface of the copper particles. By attaching a surface treatment agent to the surface of the copper particles, excessive aggregation of the copper particles can be suppressed.
  • the surface treatment agent is not particularly limited, and fatty acids, aliphatic amines, silane coupling agents, titanate coupling agents, aluminate coupling agents, etc. can be used. By using these, it is possible to interact with the particle surface and improve the compatibility with the organic solvent contained in the paste, thereby improving the fluidity of the paste and preventing oxidation of the particle surface.
  • the viscosity value at a shear rate of 10 s -1 is preferably 10 Pa-s or more and 200 Pa-s or less, and more preferably 15 Pa-s or more and 200 Pa-s or less. preferable.
  • the viscosity is measured using a rheometer (viscoelasticity measuring device). The measured values were obtained using a parallel type sensor and a shear rate of 10 s -1 .
  • the viscosity of the paste can be measured using a rheometer MARS III manufactured by Thermo Scientific.
  • the conditions for measuring the viscosity of the paste are as follows. Measurement mode: Shear rate dependent measurement Sensor: Parallel type ( ⁇ 20mm) Measurement temperature: 25°C Gap: 0.300mm Shear rate: 0.05 ⁇ 120.01s -1 Measurement time: 2 minutes
  • the thickness of the coating film 12X is preferably 1 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less, and more preferably 5 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less so that the bonding layer described below can ensure sufficient bonding strength.
  • organic solvents examples include monoalcohols, polyhydric alcohols, polyhydric alcohol alkyl ethers, polyhydric alcohol aryl ethers, esters, nitrogen-containing heterocyclic compounds, amides, amines, and saturated hydrocarbons. These organic solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • the paste may contain an appropriate adjusting agent for adjusting various properties as described above.
  • the modifier include reducing agents, viscosity modifiers, and surface tension modifiers.
  • the reducing agent is preferably one that promotes sintering of the copper particles, such as monoalcohol, polyhydric alcohol, amino alcohol, citric acid, oxalic acid, formic acid, ascorbic acid, aldehyde, hydrazine and its derivatives, hydroxylamine and its derivatives.
  • examples include derivatives, dithiothreitol, phosphite, hydrophosphite, phosphorous acid and its derivatives.
  • the viscosity modifier is preferably one that can adjust the viscosity of the paste, preferably within the above viscosity range, such as ketones, esters, alcohols, glycols, hydrocarbons, polymers, etc. .
  • the surface tension adjusting agent is preferably one that can adjust the surface tension of the coating film 12X, such as polymers such as acrylic surfactants, silicone surfactants, alkyl polyoxyethylene ethers, fatty acid glycerol esters, alcohols, carbonized Examples include hydrogen-based monomers, ester-based monomers, and glycol monomers.
  • polymers such as acrylic surfactants, silicone surfactants, alkyl polyoxyethylene ethers, fatty acid glycerol esters, alcohols, carbonized Examples include hydrogen-based monomers, ester-based monomers, and glycol monomers.
  • the first temperature is preferably a temperature that evaporates the organic solvent, regulator, etc. in the coating film 12X and does not sinter the copper particles. Therefore, the temperature is preferably 60°C or more and 150°C or less, more preferably 80°C or more and 130°C or less. Note that it is not necessary that the entire amount of the organic solvent be removed, and it is sufficient that the organic solvent be removed to the extent that the coating film 12X loses its fluidity. Therefore, the organic solvent may remain in the coating film 12X, and its content may be, for example, 15% by mass or less, particularly 10% by mass or less.
  • the coating film 12X can be dried in an inert atmosphere or in the air. Alternatively, the reaction may be carried out under reduced pressure.
  • the drying time is set to sufficiently evaporate the organic solvent, conditioning agent, etc. in the coating film 12X, and to sinter the copper particles having the above-mentioned D50 to obtain a bonding layer with sufficient thickness and sufficient bonding strength.
  • the drying time is preferably 1 minute or more, more preferably 5 minutes or more and 120 minutes or less, and even more preferably 10 minutes or more and 60 minutes or less.
  • the second object to be bonded 13 is placed on the dried coating film 12X to form a laminate 15.
  • both the first object 11 and the second object 13 contain metal on their surfaces to be welded.
  • a member having a surface made of metal can be used as at least one of the first object 11 and the second object 13.
  • metal refers to a metal itself that does not form a compound with other elements, or an alloy of two or more metals. Examples of such metals include copper, silver, gold, aluminum, palladium, nickel, and alloys consisting of a combination of two or more thereof.
  • the surface made of metal may be made of one kind of metal, or the surface made of metal may be made of one kind of metal. It may be composed of more than one metal. When composed of two or more metals, the surface may be an alloy. Generally, it is preferable that the metal surface be a flat surface, but it may be a curved surface in some cases.
  • the first object to be bonded 11 and the second object to be bonded 13 include, for example, a spacer or a heat sink made of the above-mentioned metal, a semiconductor element, and a substrate having at least one of the above-mentioned metals on its surface. etc.
  • the substrate for example, an insulating substrate having a metal layer such as copper on the surface of a ceramic or aluminum nitride plate can be used.
  • the semiconductor element contains one or more of elements such as Si, Ga, Ge, C, N, and As.
  • the first object to be bonded 11 is preferably a substrate.
  • the second object to be bonded 13 is preferably a spacer, a heat sink, or a semiconductor element.
  • a dried paste containing fine metal particles and an organic solvent can be used as at least one of the first object 11 and the second object 13.
  • a member having a surface made of metal can be used, and as the second object to be joined 13, a dried paste containing fine metal particles and an organic solvent can be used.
  • a dried form of paste it is preferable to apply the paste to a supporting base material made of metal such as copper and dry it to obtain a dried form.
  • the laminate 15 is held between predetermined jigs 16, 16, and the laminate 15 is heated to a second temperature higher than the first temperature.
  • a first pressure is applied between the first object 11 and the second object 13 of the body 15 .
  • This step is a pre-baking step for the coating film 12X, and in this step, the viscosity of the coating film 12X acts on the first and second objects 11 and 13 to be bonded. The relative position between the bonded bodies 13 is maintained, and the bonding strength due to the coating film 12X, which will later become the bonding layer 12, is increased.
  • the second temperature is preferably a temperature higher than or equal to the first temperature, specifically 100°C or higher and 300°C or lower, and more preferably 130°C or higher and 280°C or lower.
  • the first pressure is set from the viewpoint of ensuring good adhesion between the coating film 12X and the first object 11 and ensuring sufficient bonding strength between the bonding layer 12 at the fillet portion and the first object 11, It is preferably 0.001 MPa or more and 10 MPa or less, more preferably 1 MPa or more and 10 MPa or less, and still more preferably 2 MPa or more and 8 MPa or less.
  • the operation of placing the second object 13 on the dried coating film 12X is included between the heating to the first temperature and the heating to the second temperature.
  • This operation is performed by heating to a first temperature, taking out the first object 11 on which the coating film 12X is formed from the heating furnace, and then placing the second object 13 on the coating film 12X. It's okay.
  • heating to the first temperature and heating to the second temperature are performed independently.
  • the second object 13 to be bonded is placed on the coating film 12X, and the heating is performed from the first temperature to the second temperature. It may be done continuously.
  • the timing of the rise from the first temperature to the second temperature and the timing of application of the first pressure may or may not match.
  • the laminate 15 is heated to a third temperature higher than the second temperature, and the first object 11 and the second object 13 of the laminate 15 are heated using the jigs 16, 16. During this period, a second pressure higher than the first pressure is applied.
  • This step is a main firing step of the coating film 12X, and the coating film 12X is fired in this step to become the bonding layer 12 for the first object 11 and the second object 13 to be bonded.
  • the third temperature is preferably a temperature higher than or equal to the second temperature, specifically 180°C or higher and 350°C or lower, more preferably 200°C or higher and 300°C or lower.
  • the third temperature is preferably a temperature higher than or equal to the second temperature, specifically 180°C or higher and 350°C or lower, more preferably 200°C or higher and 300°C or lower.
  • the second pressure is preferably 1 MPa or more and 40 MPa or less, and more preferably 10 MPa or more and 30 MPa or less, from the viewpoint of ensuring sufficient bonding strength with the first object 11 and the second object 13.
  • the second pressure holding time is preferably 1 second or more and 60 minutes or less, more preferably 1 minute or more and 30 minutes or less.
  • Heating to the third temperature may be performed subsequent to heating to the second temperature, or may be performed independently. Further, the second temperature and the third temperature may be the same as long as the effects of the present invention are not impaired. Furthermore, the timing of the rise from the second temperature to the third temperature and the timing of application of the second pressure may or may not match. Further, the heating in this step may be performed in an inert atmosphere or in the air.
  • the organic solvent, conditioning agent, etc. inherent in the coating film 12X are properly removed. can be evaporated into Thereafter, the second object to be bonded 13 is placed on the coating film 12X and heated and applied at a second temperature and a first pressure, thereby improving the adhesion between the first object to be bonded 11 and the coating film 12X. Also at the fillet portion, a good bonding relationship can be obtained without the coating film 12X peeling off from the first object 11 to be bonded.
  • the rate of pressure increase to the first pressure is preferably 0.2 MPa/sec or more and 20 MPa/sec or less, more preferably 0.5 MPa/sec or more and 7 MPa/sec or less. This increases the bonding strength between the coating film 12X and the first object to be bonded 11, the bonding strength between the bonding layer 12 and the first object to be bonded 11, and further the bonding strength between the bonding layer 12 and the second object to be bonded 13. can be improved.
  • the pressure increase rate to the second pressure is preferably 0.2 MPa/s or more, and may be 1 MPa/s or more. Further, the rate of pressure increase to the second pressure is preferably 20 MPa/sec or less, more preferably 10 MPa/sec or less. This increases the bonding strength between the coating film 12X and the first object to be bonded 11, the bonding strength between the bonding layer 12 and the first object to be bonded 11, and further the bonding strength between the bonding layer 12 and the second object to be bonded 13. can be improved.
  • the ratio of the second temperature to the third temperature is preferably 0.28 or more and 1.00 or less, more preferably 0.36 or more and 0.95 or less on a Celsius basis. , more preferably 0.50 or more and 0.90 or less.
  • the ratio of the first pressure to the second pressure is preferably 0.025 or more and 1.00 or less, more preferably 0.05 or more and 0.80 or less, based on Pa. , more preferably 0.10 or more and 0.50 or less.
  • the bonding structure obtained according to the present invention takes advantage of the high bonding properties between the objects to be bonded and the bonding layer in the fillet portion, and is suitable for use in, for example, in-vehicle electronic circuits and electronic circuits in which power devices are mounted. .
  • the temperature is maintained at a predetermined temperature within a range that does not impede the effects of the present invention. It is also possible to heat the material or apply a predetermined pressure.
  • the present invention further discloses the following method for manufacturing a joined body.
  • an Ag-plated alumina chip was prepared (0.5 cm x 0.5 cm, thickness 0.5 mm) assuming a model member of a semiconductor power device. Next, the Ag-plated surface of this alumina chip was placed on the dried coating film, a load of 0.8 MPa was applied for 2 seconds, and the first object to be bonded, the coating film, and the second object to be bonded were laminated in this order. A laminate was formed.
  • Example 2 The steps from “(1) Preparation of paste” to “(3) Placing the second object to be bonded on the dried coating film (formation of laminate)” were carried out in the same manner as in Example 1.
  • Example 3 The steps from “(1) Preparation of paste” to “(3) Placing the second object to be bonded on the dried coating film (formation of laminate)" were carried out in the same manner as in Example 1.
  • Example 4 The steps from “(1) Preparation of paste” to “(3) Placing the second object to be bonded on the dried coating film (formation of laminate)" were carried out in the same manner as in Example 1.
  • Example 5 "(1) Preparation of paste” was carried out in the same manner as in Example 1. The steps from “(2) Applying the paste to the first object to be bonded” to “(3) Placing the second object to be bonded on the dried coating film (formation of a laminate)" are the same as in Example 1. Four sets were performed using the following procedure.
  • the delay and width of the S gate were adjusted so that the peak position of the S gate was on the surface of the copper plate.
  • the delay of the F gate was adjusted and the width was set to a peak width of 1.5 wavelengths.
  • the Z-axis coordinate of the probe was adjusted so that the amplitude of the observed peak was maximized, and observation was performed. Note that the brightness of the image was automatically set using the operation software (FineSAT) of the device, and image data for analysis was obtained. Next, peeling (%) of the fillet portion was calculated using this image data for analysis and image processing software imageJ.
  • a fillet portion with a threshold value of 201 or more in imageJ was defined as a peeled portion.
  • the coating film part is X
  • the joint part where the alumina chips are pressure bonded is Y (25 mm 2 )
  • the peeled part of the fillet part (X-Y) is Z
  • the peeled part of the fillet part (%) Z / (X-Y ) ⁇ 100 was calculated.
  • the peeling (%) of the fillet portion was calculated for four laminates, and the four average values were calculated. Table 1 shows the calculation results of the peeling (%) of the fillet portion. When the peeling of the fillet portion is 30% or less, it can be determined that the bonding strength between the object to be bonded and the bonding layer at the fillet portion is high.

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Abstract

接合層を介して第１被接合体と第２被接合体とが接合されてなる接合体の製造方法であって、レーザ回折散乱式粒度分布測定法による累積体積５０容量％における体積累積粒径Ｄ５０が１００ｎｍを超える銅粒子を含むペーストを第１被接合体に塗布して塗膜を形成する工程と、塗膜を第１温度で乾燥させる工程と、乾燥後の塗膜上に第２被接合体を載置して積層体を形成する工程と、積層体を第１温度以上の第２温度に加熱するとともに、積層体の、第１被接合体と第２被接合体との間に第１圧力を印加する工程と、積層体を第２温度以上の第３温度に加熱するとともに、積層体の、第１被接合体と第２被接合体との間に第１圧力以上の第２圧力を印加し、塗膜を焼結させて接合層を形成する工程と、を備える。

Description

接合体の製造方法
　本発明は、接合体の製造方法に関する。
　近年、ＩＧＢＴなど大電流が通電されることで発熱量が大きくなる半導体デバイスの製造方法には、焼結性金属粒子を含む接合材料を用いて半導体素子や回路基板などの被接合体を接合する工程が採用されている。
　このような技術として例えば特許文献１には、粒径が１００ｎｍ以下である焼結性金属粒子を含む接合層を用い、基板、接合層及び半導体素子が順次に積層された積層体を準備し、接合層の焼結性金属粒子の焼結温度未満の第１温度にある積層体の、半導体素子と基板との間に第１圧力を印加し、その後、接合層の焼結性金属粒子の焼結温度以上の第２温度にある積層体の、半導体素子と基板との間に第１圧力超えの第２圧力を印加して接合層を焼結して、接合層を介して半導体素子を基板に接合する技術が開示されている。
特開２０１８－１１０１４９号公報
　上述した技術によれば、接合層に半導体素子を載置する際に、前記接合層を平面視したときの当該接合層の端部で前記半導体素子が載置されていない部分（以下、「フィレット部ともいう」）が基板（被接合体）と十分に接合しておらず、かかる部分において剥離が生じる問題があった。
　したがって本発明の課題は、被接合体と接合層との接合強度、特に、フィレット部における被接合体と接合層との接合強度に優れた接合体の製造方法を提供することにある。
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、第１被接合体上に配置した塗膜上に第２被接合体を載置する前に予め該塗膜に乾燥処理を施した後、第２被接合体を載置してから塗膜を所定のタイミングにて加熱及び圧力を印加することにより、第１被接合体と塗膜との密着性が向上し、結果としてフィレット部における第１被接合体と該塗膜から形成される接合層との接合強度を向上できることを見出した。
　すなわち、本発明は、接合層を介して第１被接合体と第２被接合体とが接合されてなる接合体の製造方法であって、レーザ回折散乱式粒度分布測定法による累積体積５０容量％における体積累積粒径Ｄ５０が１００ｎｍを超える銅粒子を含むペーストを前記第１被接合体に塗布して塗膜を形成する工程と、前記塗膜を第１温度で乾燥させる工程と、乾燥後の前記塗膜上に前記第２被接合体を載置して積層体を形成する工程と、前記積層体を前記第１温度以上の第２温度に加熱するとともに、前記積層体の、前記第１被接合体と前記第２被接合体との間に第１圧力を印加する工程と、前記積層体を前記第２温度以上の第３温度に加熱するとともに、前記積層体の、前記第１被接合体と前記第２被接合体との間に第１圧力以上の第２圧力を印加し、前記塗膜を焼結させて前記接合層を形成する工程と、を備える接合体の製造方法を提供するものである。
図１は、本発明の接合体の製造方法の最初の工程を示す模式図である。 図２は、図１に示す工程の次の工程を示す模式図である。
　以下本発明を、その好ましい実施形態に基づき説明する。図１及び図２は、本発明の接合体の接合方法を説明する工程図である。
　最初に、図１に示すように、第１被接合体１１上に銅粒子を含むペーストを塗布して塗膜１２Ｘを形成する。ペーストの塗布方法は特に限定されないが、例えば、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、ディスペンス印刷法、リバースコート法及びドクターブレード法を挙げることができる。
　本発明で用いるペーストは、銅粒子、後述する有機溶媒及び調整剤を適宜含んでなる。ペーストに含まれる銅粒子は、その形状に特に制限はなく、球状及び非球状のいずれのものも用いられる。
　ここで、銅粒子が球状であるとは、以下の方法で測定した円形度係数が０．８５以上であることをいう。円形度係数は、次の方法で算出される。すなわち、一次粒子の銅粒子の走査型電子顕微鏡像を撮影し、銅粒子の二次元投影像の面積をＳとし、周囲長をＬとしたときに、銅粒子の円形度係数を４πＳ／Ｌ２の式から算出する。
　一方、銅粒子が非球状であるとは、上述の円形度係数が０．８５未満であることをいう。
　非球状の具体例としては、扁平状、六面体や八面体等の多面体状、紡錘状、異形状等の形状が挙げられる。本発明においては、２種以上の銅粉のいずれかが扁平状銅粒子であることが好ましく、後述するように扁平状銅粒子及び球状銅粒子を含むことがより好ましい。
　なお、本発明において扁平状とは、粒子の主面を形成している一対の板面と、これらの板面に直交する側面とを有する形状を指し、板面及び側面はそれぞれ独立して、平面、曲面又は凹凸面でありうるものとする。
　銅粒子が球状である場合の粒径は以下の方法により定めるものとする。すなわち、１０，０００倍以上１５０，０００倍以下の範囲で走査型電子顕微鏡による観察像を用いて輪郭のはっきりした一次粒子の銅粒子を５０個以上選んだ各粒子のヘイウッド径を測定する。次いで、得られたヘイウッド径から、粒子が真球であると仮定したときの体積を算出し、該体積の累積体積５０容量％における体積累積粒径をＤＳＥＭ５０により定めるものとする。
　銅粒子のＤＳＥＭ５０は０．１μｍを超えるものであることが好ましく、０．１１μｍ以上であることが更に好ましく、０．１２μｍ以上であることが一層好ましい。一方、ＤＳＥＭ５０が０．５５μｍ以下であることが好ましく、０．５μｍ以下であることが更に好ましい。ＤＳＥＭ５０が０．１μｍを超える設定にすることによって、ペーストを塗布してなる塗膜１２Ｘを焼成して接合層とするときに収縮割れが生じにくくなり、接合層のフィレット部と第１被接合体１１との接合強度を十分なものとすることができる。一方、ＤＳＥＭ５０を０．５５μｍ以下に設定することによって、塗膜１２Ｘ中に存在する銅粒子の焼結を十分なものとすることができる。
　銅粒子が非球状である場合の粒径は、レーザ回折散乱式粒度分布測定法による累積体積５０容量％における体積累積粒径Ｄ５０により定めるものとする。例えば以下の方法で行うことができる。すなわち、０．１ｇの測定試料と分散剤水溶液とを混合し、超音波ホモジナイザ（日本精機製作所製、ＵＳ－３００Ｔ）で１分間分散させる。その後、レーザ回折散乱式粒度分布測定装置として、例えばマイクロトラックベル製ＭＴ３３００　ＥＸＩＩを用いて粒度分布を測定することでＤ５０が算出される。
　銅粒子のＤ５０は０．３μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、０．５μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以上２０μｍ以下であることが更に好ましい。Ｄ５０がかかる範囲にあることによって、球状の銅粒子と組み合わせた際に、塗膜の過度な体積収縮に伴う塗膜の割れを防止しつつ、塗膜の焼結性に優れたものとなる。
　ペースト中に占める銅粒子の含有量としては、銅粒子の充填性を高めて接合層としての十分な接合強度を維持する観点から、５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上９５質量％以下であることがより好ましい。
　銅粒子は、その表面に表面処理剤が付着していてもよい。銅粒子の表面に表面処理剤を付着させておくことで、銅粒子どうしの過度の凝集を抑制することができる。
　表面処理剤は特に限定されるものではなく、脂肪酸、脂肪族アミン、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤等を用いることができる。これらを用いることで、粒子の表面と相互作用しペースト中に含まれる有機溶媒との相溶性を向上させペーストの流動性を向上させることや、粒子表面の酸化を防止することができる。
　ペーストの塗布性又は印刷性を高める観点から、せん断速度１０ｓ－１のときの粘度値が１０Ｐａ・ｓ以上２００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、１５Ｐａ・ｓ以上２００Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。なお、粘度の測定方法は、レオメーター（粘弾性測定装置）にて測定する。測定値はセンサーをパラレル型とし、せん断速度１０ｓ－１での値である。
　ペーストの粘度はＴｈｅｒｍｏ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製のレオメーターＭＡＲＳ　IIIを用いて測定することができる。ペーストの粘度の測定条件は以下の通りである。
　測定モード　：　せん断速度依存性測定
　センサー　　：　パラレル型（Φ２０ｍｍ）
　測定温度　　：　２５℃
　ギャップ　　：　０．３００ｍｍ
　せん断速度　：　０．０５～１２０．０１ｓ－１
　測定時間　　：　２分
　塗膜１２Ｘの厚さは、後述する接合層が十分な接合強度を確保できるように、１μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２５０μｍ以下であることがより好ましい。
　有機溶媒としては、モノアルコール、多価アルコール、多価アルコールアルキルエーテル、多価アルコールアリールエーテル、エステル類、含窒素複素環化合物、アミド類、アミン類、飽和炭化水素などが挙げられる。これらの有機溶媒は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
　ペーストには、上述したように各種特性を調整するための調整剤を適宜含有させてもよい。調整剤としては、例えば還元剤、粘度調整剤、表面張力調整剤が挙げられる。
　還元剤としては、銅粒子の焼結を促進させるものがよく、例えばモノアルコール、多価アルコール、アミノアルコール、クエン酸、シュウ酸、ギ酸、アスコルビン酸、アルデヒド、ヒドラジン及びその誘導体、ヒドロキシルアミン及びその誘導体、ジチオスレイトール、ホスファイト、ヒドロホスファイト、亜リン酸及びその誘導体等が挙げられる。
　粘度調整剤としては、ペーストの粘度の高低を調整して、好ましくは上記粘度範囲内に設定できるものがよく、例えばケトン類、エステル類、アルコール類、グリコール類、炭化水素、ポリマーなどが挙げられる。
　表面張力調整剤としては、塗膜１２Ｘの表面張力を調整できるものがよく、例えばアクリル系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、アルキルポリオキシエチレンエーテル、脂肪酸グリセロールエステルなどのポリマーやアルコール系、炭化水素系、エステル系、グリコール等のモノマーが挙げられる。
　次いで、塗膜１２Ｘを第１温度で乾燥する。第１温度は塗膜１２Ｘ中の有機溶媒や調整剤等を蒸発させ、かつ銅粒子を焼結させない温度であることが好ましい。したがって、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは８０℃以上１３０℃以下である。
　なお、有機溶媒はその全量が除去される必要はなく、塗膜１２Ｘが流動性を失う程度に有機溶媒が除去されていればよい。したがって、塗膜１２Ｘには有機溶媒が残存していてもよく、その含有割合は、例えば１５質量％以下であってもよく、特に１０質量％以下としてもよい。
　また、塗膜１２Ｘの乾燥は、不活性雰囲気や大気下で行うことができる。また、減圧下で行ってもよい。乾燥時間は、塗膜１２Ｘ中の有機溶媒や調整剤等を十分に蒸発させ、上述したＤ５０を有する銅粒子が焼結して十分な厚さであって十分な接合強度の接合層を得るべく、好ましくは１分以上、より好ましくは５分以上１２０分以下、更に好ましくは１０分以上６０分以下乾燥させる。
　次いで、図２に示すように、乾燥後の塗膜１２Ｘ上に第２被接合体１３を載置して積層体１５を形成する。
　第１被接合体１１及び第２被接合体１３の種類に特に制限はない。一般的には、第１被接合体１１及び第２被接合体１３はいずれも、それらの接合対象面に金属を含むことが好ましい。例えば第１被接合体１１及び第２被接合体１３の少なくとも一方として、金属からなる面を有する部材を用いることができる。なお、ここでいう「金属」とは、他の元素と化合物を形成していない金属そのもの、又は２種類以上の金属の合金のことである。このような金属としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、パラジウム、ニッケル又はそれらの２種以上の組み合わせからなる合金が挙げられる。
　第１被接合体１１及び第２被接合体１３のうちの少なくとも一方が、金属からなる面を有する部材である場合、該金属からなる面は一種の金属から構成されていてもよく、あるいは二種以上の金属から構成されていてもよい。二種以上の金属から構成されている場合には、当該面は合金であってもよい。金属からなる面は一般には平面であることが好ましいが、場合によっては曲面であってもよい。
　第１被接合体１１や第２被接合体１３の具体例としては、それぞれ独立して、例えば上述の金属からなるスペーサーや放熱板、半導体素子、並びに上述した金属の少なくとも一種を表面に有する基板等が挙げられる。基板としては、例えば、セラミックス又は窒化アルミニウム板の表面に銅等の金属層を有する絶縁基板等を用いることができる。被接合体として半導体素子を用いる場合、半導体素子は、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃ、Ｎ、Ａｓ等の元素のうち一種以上を含む。第１被接合体１１は、好ましくは基板である。第２被接合体１３は、スペーサー、放熱板、又は半導体素子のいずれかであることが好ましい。
　また、第１被接合体１１及び第２被接合体１３の少なくとも一方として、金属微粒子及び有機溶媒を含むペーストの乾燥体を用いることもできる。具体的には、第１被接合体１１として、金属からなる面を有する部材を用い、第２被接合体１３として、金属微粒子及び有機溶媒を含むペーストの乾燥体を用いることができる。なお、ペーストの乾燥体を用いる場合には、銅等の金属からなる支持基材にペーストを塗工し乾燥することで乾燥体とすることが好ましい。
　次いで、図２に示すように、積層体１５を所定の治具１６，１６で挟持し、積層体１５を上記第１温度以上の第２温度に加熱するとともに、治具１６，１６で、積層体１５の第１被接合体１１及び第２被接合体１３の間に第１圧力を印加する。かかる工程は塗膜１２Ｘの予備焼成工程であり、本工程により塗膜１２Ｘの粘性が第１被接合体１１及び第２被接合体１３に作用して、第１被接合体１１及び第２被接合体１３間の相対位置が保持されるとともに、後に接合層１２となる塗膜１２Ｘによる接合強度が増大する。
　第２温度は、好ましくは第１温度以上の温度であり、具体的には１００℃以上３００℃以下であって、より好ましくは１３０℃以上２８０℃以下である。第２温度をこのような範囲とすることにより塗膜１２Ｘと第１被接合体１１との密着性が良好なものとなり、塗膜１２Ｘを焼成して接合層１２とした際にフィレット部における収縮割れが生じにくくなる。なお、本工程における加熱は、不活性雰囲気や大気下などで行ってもよい。
　第１圧力は、塗膜１２Ｘと第１被接合体１１との密着性を良好なものとし、フィレット部の接合層１２と第１被接合体との接合強度を十分なものとする観点から、好ましくは０．００１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であり、より好ましくは１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であり、更に好ましくは２ＭＰａ以上８ＭＰａ以下である。
　なお、第１温度への加熱と第２温度への加熱との間には、乾燥後の塗膜１２Ｘ上に第２被接合体１３を載置する操作が含まれる。当該操作は、第１温度に加熱した後、加熱炉から塗膜１２Ｘが形成された第１被接合体１１を取り出し、その後、塗膜１２Ｘ上に第２被接合体１３を載置して行ってもよい。この場合、第１温度への加熱と、第２温度への加熱とは、独立して行われる。また、加熱炉から塗膜１２Ｘが形成された第１被接合体１１を取り出すことなくそのまま塗膜１２Ｘ上に第２被接合体１３を載置し、第１温度から第２温度までの加熱を連続して行ってもよい。
　第１温度から第２温度への上昇のタイミングと、第１圧力の印加タイミングとは一致していてもよく、あるいは一致していなくてもよい。
　次いで、図２に示す状態で、積層体１５を第２温度以上の第３温度に加熱するとともに、治具１６，１６で、積層体１５の第１被接合体１１及び第２被接合体１３の間に第１圧力以上の第２圧力を印加する。かかる工程は塗膜１２Ｘの本焼成工程であり、本工程により塗膜１２Ｘが焼成されて第１被接合体１１及び第２被接合体１３に対する接合層１２となる。
　第３温度は、好ましくは第２温度以上の温度であり、具体的には１８０℃以上３５０℃以下、より好ましくは２００℃以上３００℃以下である。第３温度をこのような範囲とすることにより、塗膜１２Ｘ中の銅粒子の焼結を促進させ、フィレット部の接合層１２と第１被接合体１１との接合強度を十分なものにすることができる。なお、第３温度の温度範囲において後述する第２圧力を加えることにより、接合層１２のフィレット部と第１被接合体１１との接合強度を十分なものにすることができるだけでなく、第２被接合体１３との接合強度も十分なものとすることができる。
　第２圧力は、第１被接合体１１や第２被接合体１３との接合強度を十分なものとする観点から、好ましくは１ＭＰａ以上４０ＭＰａ以下であり、より好ましくは１０ＭＰａ以上３０ＭＰａ以下である。第２圧力保持時間は、１秒以上６０分以下であることが好ましく、１分以上３０分以下であることがより好ましい。
　第３温度への加熱は第２温度への加熱後に引き続き実施してもよく、独立してもよい。また、第２温度と第３温度は本発明の効果を阻害しない範囲において同じとしてもよい。更に、第２温度から第３温度への上昇のタイミングと、第２圧力の印加タイミングとは一致していてもよく、あるいは一致していなくてもよい。
　また、本工程における加熱は、不活性雰囲気や大気下で行ってもよい。
　本発明においては、塗膜１２Ｘに第２被接合体１３を載置する前に予め第１温度で乾燥させる工程を有しているため、塗膜１２Ｘに内在する有機溶媒や調整剤等を適度に蒸発させることができる。その後、塗膜１２Ｘに第２被接合体１３を載置して第２温度及び第１圧力にて加熱及び印加することで、第１被接合体１１と塗膜１２Ｘとの密着性が向上し、フィレット部においても第１被接合体１１から塗膜１２Ｘが剥離することなく良好な接合関係が得られる。更に、第３温度及び第２圧力にて加熱及び印加することで、塗膜１２Ｘ中に存在する銅粒子の焼結が促進され、フィレット部においても接合層１２が第１被接合体１１から剥離することなく接合強度を向上することができるようになる。
　前記第１圧力までの昇圧速度は、０．２ＭＰａ／秒以上２０ＭＰａ／秒以下であることが好ましく、０．５ＭＰａ／秒以上７ＭＰａ／秒以下であることがより好ましい。これによって、塗膜１２Ｘと第１被接合体１１との接合強度、延いては接合層１２の第１被接合体１１との接合強度、更には第２被接合体１３との接合強度をより向上させることができる。
　また、第２圧力までの昇圧速度は、０．２ＭＰａ／秒以上が好ましく、１ＭＰａ／ｓ以上としてもよい。また、第２圧力までの昇圧速度は２０ＭＰａ／秒以下が好ましく、１０ＭＰａ／秒以下であることがより好ましい。これによって、塗膜１２Ｘの第１被接合体１１との接合強度、延いては接合層１２の第１被接合体１１との接合強度、更には第２被接合体１３との接合強度をより向上させることができる。
　第３温度に対する第２温度の比（第２温度／第３温度）は摂氏基準で０．２８以上１．００以下であることが好ましく、０．３６以上０．９５以下であることがより好ましく、０．５０以上０．９０以下であることが一層好ましい。第２温度と第３温度とを上述のように厳密に制御し、第２温度を第３温度に比較して低めに設定することにより、塗膜１２Ｘの第１被接合体１１との接合強度、延いては接合層１２の第１被接合体１１との接合強度、更には第２被接合体１３との接合強度をより向上させることができる。
　第２圧力に対する第１圧力の比（第１圧力／第２圧力）はＰａ基準で０．０２５以上１．００以下であることが好ましく、０．０５以上０．８０以下であることがより好ましく、０．１０以上０．５０以下であることが一層好ましい。第１圧力と第２圧力とを上述のように厳密に制御することにより、塗膜１２Ｘの第１被接合体１１との接合強度、延いては接合層１２の第１被接合体１１との接合強度、更には第２被接合体１３との接合強度をより向上させることができる。
　本発明のようにして得られる接合構造は、フィレット部における被接合体と接合層との高い接合特性を活かして、例えば車載用電子回路やパワーデバイスが実装された電子回路などに好適に用いられる。
　なお、上述した乾燥工程、第２温度及び第１圧力を加熱・印加する工程及び第３温度及び第２圧力を加熱・印加する工程以外において、本発明の効果を阻害しない範囲において所定の温度にて加熱したり所定の圧力を印加したりしても構わない。
　以上、本発明をその好ましい実施形態に基づき説明したが、本発明は前記実施形態に制限されない。
　上述した実施形態に関し、本発明は更に以下の接合体の製造方法を開示する。
〔１〕　接合層を介して第１被接合体と第２被接合体とが接合されてなる接合体の製造方法であって、
　レーザ回折散乱式粒度分布測定法による累積体積５０容量％における体積累積粒径Ｄ５０が１００ｎｍを超える銅粒子を含むペーストを前記第１被接合体に塗布して塗膜を形成する工程と、
　前記塗膜を第１温度で乾燥させる工程と、
　乾燥後の前記塗膜上に前記第２被接合体を載置して積層体を形成する工程と、
　前記積層体を前記第１温度以上の第２温度に加熱するとともに、前記積層体の、前記第１被接合体と前記第２被接合体との間に第１圧力を印加する工程と、
　前記積層体を前記第２温度以上の第３温度に加熱するとともに、前記積層体の、前記第１被接合体と前記第２被接合体との間に第１圧力以上の第２圧力を印加し、前記塗膜を焼結させて前記接合層を形成する工程と、を備える接合体の製造方法。
〔２〕　前記第２温度は、１００℃以上３００℃以下である、〔１〕に記載の接合体の製造方法。
〔３〕　前記第３温度は、１８０℃以上３５０℃以下である、〔１〕又は〔２〕に記載の接合体の製造方法。
〔４〕　前記第１圧力は、０．００１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下である、〔１〕ないし〔３〕のいずれか一に記載の接合体の製造方法。
〔５〕　前記第２圧力は、１ＭＰａ以上４０ＭＰａ以下である、〔１〕ないし〔４〕のいずれか一に記載の接合体の製造方法。
〔６〕　前記第１圧力までの昇圧速度が０．２ＭＰａ／秒以上２０ＭＰａ／秒以下である、請求項〔１〕ないし〔５〕のいずれか一に記載の接合体の製造方法。
〔７〕　前記第２圧力までの昇圧速度が０．２ＭＰａ／秒以上２０ＭＰａ／秒以下である、〔１〕ないし〔６〕のいずれか一に記載の接合体の製造方法。
〔８〕　前記第３温度に対する前記第２温度の比（第２温度／第３温度）が０．２８以上１以下である、〔１〕ないし〔７〕のいずれか一項に記載の接合体の製造方法。
〔９〕　前記第２圧力に対する前記第１圧力の比（第１圧力／第２圧力）が０．０２５以上１以下である、〔１〕ないし〔８〕のいずれか一に記載の接合体の製造方法。
〔１０〕　前記塗膜の粘度が、２５℃において、１０Ｐａ・ｓ以上２００Ｐａ・ｓ以下である、〔１〕ないし〔９〕のいずれか一に記載の接合体の製造方法。
　以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら本発明の範囲は、かかる実施例に制限されない。また、特に断らない限り、「％」は「質量％」を意味する。
　〔実施例１〕
（１）ペーストの調製
　湿式法で合成された銅粒子（球状、Ｄ５０＝０．１６μｍ）と、有機溶媒としてヘキシレングリコール及びポリエチレングリコール３００と、還元剤としてビス（２－ヒドロキシエチル）イミノトリス（ヒドロキシメチル）メタンとを混合してペーストを調製した。
　ペーストにおける銅粒子の含有割合は８２％であり、有機溶媒の含有割合は１７．９％であり、還元剤の含有割合は０．１％であった。
（２）ペーストの第１被接合体への塗布
　銅からなる基板上にペーストを、開口が０．５５ｃｍ×０．５５ｃｍで厚みが１５０μｍのメタルマスクを用いた印刷法により塗布して矩形の塗膜を形成した。この塗膜を、大気雰囲気中、１１０℃（第１温度）、２０分乾燥させて有機溶媒を除去した。
（３）乾燥後の塗膜上への第２被接合体の載置（積層体の形成）
　第２被接合体として半導体パワーデバイスのモデル部材を想定して、Ａｇめっきしたアルミナチップを用意した（０．５ｃｍ×０．５ｃｍ、厚み０．５ｍｍ）。次いで、このアルミナチップのＡｇめっき面を乾燥後の塗膜上に載置し、０．８ＭＰａ、２秒の荷重をかけ、第１被接合体、塗膜及び第２被接合体の順に積層された積層体を形成した。
（４）積層体の予備焼成
　積層体の初期温度４０℃及び無加重状態（ただし自重を除く）から、窒素雰囲気中、積層体の第１被接合体及び第２被接合体間に６ＭＰａ（第１圧力）の圧力となるまで圧力を印加した。その後、積層体を１５０℃（第２温度）まで加熱した。なお、第２温度の保持時間は１０秒とし、第１圧力の保持時間は８．８秒とした。また、４０℃から第２温度までの昇温速度は平均値で１２．５℃／秒とし、第１圧力までの昇圧速度は１．２ＭＰａ／秒とした。
（５）積層体の本焼成
　（４）積層体の予備焼成に引き続き、窒素雰囲気中、積層体の第１被接合体及び第２被接合体間に２０ＭＰａ（第２圧力）の圧力となるまで圧力を印加した。その後、積層体を３００℃（第３温度）まで加熱した。なお、第３温度の保持時間は１０分とし、第２圧力の保持時間は１０分１０秒とした。また、第２温度から第３温度までの昇温速度は平均値で９．７℃／秒とし、第１圧力から第２圧力までの昇圧速度は１．４ＭＰａ／秒とした。また、第３温度に対する第２温度の比（第２温度／第３温度）は０．５０であり、第１圧力に対する第２圧力の比（第１圧力／第２圧力）は０．３０であった。
　〔実施例２〕
　「（１）ペーストの調製」から「（３）乾燥後の塗膜上への第２被接合体の載置（積層体の形成）」については実施例１と同様にして実施した。
（４）積層体の予備焼成
　積層体の初期温度４０℃及び無加重状態（ただし自重を除く）から、窒素雰囲気中、積層体の第１被接合体及び第２被接合体間に６ＭＰａ（第１圧力）の圧力となるまで圧力を印加した。その後、積層体を２６０℃（第２温度）まで加熱した。なお、第２温度の保持時間は１０秒とし、第１圧力の保持時間は１３．２秒とした。また、４０℃から第２温度までの昇温速度は平均値で１６．７℃／秒とし、第１圧力までの昇圧速度は１．２ＭＰａ／秒とした。
（５）積層体の本焼成
　（４）積層体の予備焼成に引き続き、窒素雰囲気中、積層体の第１被接合体及び第２被接合体間に２０ＭＰａ（第２圧力）の圧力となるまで圧力を印加した。その後、積層体を３００℃（第３温度）まで加熱した。なお、第３温度の保持時間は１０分とし、第２圧力の保持時間は１０分６秒とした。また、第２温度から第３温度までの昇温速度は平均値で６．７℃／秒とし、第１圧力から第２圧力までの昇圧速度は１．４ＭＰａ／秒とした。また、第３温度に対する第２温度の比（第２温度／第３温度）は０．８７であり、第２圧力に対する第１圧力の比（第１圧力／第２圧力）は０．３０であった。
　〔実施例３〕
　「（１）ペーストの調製」から「（３）乾燥後の塗膜上への第２被接合体の載置（積層体の形成）」については実施例１と同様にして実施した。
（４）積層体の予備焼成
　積層体の初期温度４０℃及び無加重状態（ただし自重を除く）から、窒素雰囲気中、積層体の第１被接合体及び第２被接合体間に６ＭＰａ（第１圧力）の圧力となるまで圧力を印加した。その後、積層体を１５０℃（第２温度）まで加熱した。なお、第２温度の保持時間は２６．２秒とし、第１圧力の保持時間は８．８秒とした。また、４０℃から第２温度までの昇温速度は平均値で１２．５℃／秒とし、第１圧力までの昇圧速度は１．２ＭＰａ／秒とした。
（５）積層体の本焼成
　（４）積層体の予備焼成に引き続き、窒素雰囲気中、積層体の第１被接合体及び第２被接合体間に２０ＭＰａ（第２圧力）の圧力となるまで圧力を印加した。その後、積層体を３００℃（第３温度）まで加熱した。なお、第３温度の保持時間は１０分とし、第２圧力の保持時間は１０分１０秒とした。また、第２温度から第３温度までの昇温速度は平均値で１４．４℃／秒とし、第１圧力から第２圧力までの昇圧速度は０．５３ＭＰａ／秒とした。また、第３温度に対する第２温度の比（第２温度／第３温度）は０．５０であり、第２圧力に対する第１圧力の比（第１圧力／第２圧力）は０．３０であった。
　〔実施例４〕
　「（１）ペーストの調製」から「（３）乾燥後の塗膜上への第２被接合体の載置（積層体の形成）」については実施例１と同様にして実施した。
（４）積層体の予備焼成
　積層体の初期温度４０℃及び無加重状態（ただし自重を除く）から、窒素雰囲気中、積層体の第１被接合体及び第２被接合体間に６ＭＰａ（第１圧力）の圧力となるまで圧力を印加した。その後、積層体を１５０℃（第２温度）まで加熱した。なお、第２温度の保持時間は２６．２秒とし、第１圧力の保持時間は８．８秒とした。また、４０℃から第２温度までの昇温速度は平均値で１２．５℃／秒とし、第１圧力までの昇圧速度は０．６ＭＰａ／秒とした。
（５）積層体の本焼成
　（４）積層体の予備焼成に引き続き、窒素雰囲気中、積層体の第１被接合体及び第２被接合体間に２０ＭＰａ（第２圧力）の圧力となるまで圧力を印加した。その後、積層体を３００℃（第３温度）まで加熱した。なお、第３温度の保持時間は１０分とし、第２圧力の保持時間は１０分１０秒とした。また、第２温度から第３温度までの昇温速度は平均値で１４．４℃／秒とし、第１圧力から第２圧力までの昇圧速度は０．５５ＭＰａ／秒とした。また、第３温度に対する第２温度の比（第２温度／第３温度）は０．５０であり、第２圧力に対する第１圧力の比（第１圧力／第２圧力）は０．３０であった。
　〔実施例５〕
　「（１）ペーストの調製」については実施例１と同様にして実施した。「（２）ペーストの第１被接合体への塗布」から「（３）乾燥後の塗膜上への第２被接合体の載置（積層体の形成）」については実施例１と同様の手順で４セット実施した。
（４）積層体の予備焼成
　前記４セットを一括して予備焼成を実施した。積層体の初期温度４０℃及び無加重状態（ただし自重を除く）から、窒素雰囲気中、各積層体の第１被接合体及び第２被接合体間に１Ｐａ（第１圧力）の圧力となるまで圧力を印加した。その後、積層体を２６０℃（第２温度）まで加熱した。なお、第２温度の保持時間は１０秒とし、第１圧力の保持時間は１３．２秒とした。また、４０℃から第２温度までの昇温速度は平均値で１６．７℃／秒とし、第１圧力までの昇圧速度は０．２ＭＰａ／秒とした。
（５）積層体の本焼成
　前記４セットを一括して本焼成を実施した。（４）積層体の予備焼成に引き続き、窒素雰囲気中、積層体の第１被接合体及び第２被接合体間に２０ＭＰａ（第２圧力）の圧力となるまで圧力を印加した。その後、積層体を３００℃（第３温度）まで加熱した。なお、第３温度の保持時間は１０分とし、第２圧力の保持時間は１０分６秒とした。また、第２温度から第３温度までの昇温速度は平均値で６．７℃／秒とし、第１圧力から第２圧力までの昇圧速度は１．９Ｐａ／秒とした。また、第３温度に対する第２温度の比（第２温度／第３温度）は０．８７あり、第２圧力に対する第１圧力の比（第１圧力／第２圧力）は０．０５であった。
　〔比較例１〕
　実施例１と同様にして（１）ペーストの調製、（２）ペーストの第１被接合体への塗布及び（３）乾燥後の塗膜上への第２被接合体の載置（積層体の形成）を行った。次いで、（４）積層体の予備焼成を行うことなく（５’）積層体の本焼成を行った。
（５’）積層体の本焼成
　積層体の初期温度４０℃及び無加重状態（ただし自重を除く）から、窒素雰囲気中、積層体の第１被接合体及び第２被接合体間に２０ＭＰａの圧力となるまで圧力を印加した。その後、積層体を３００℃に加熱した。３００℃の保持時間は１０分とし、２０ＭＰａの保持時間は１０分１５秒とした。また、４０℃から３００℃までの昇温速度は平均値で１７．３℃／秒とし、２０ＭＰａまでの昇圧速度は１．３ＭＰａ／秒とした。
　〔比較例２〕
　実施例１と同様にして（１）ペーストの調製、（２）ペーストの第１被接合体への塗布及び（３）乾燥後の塗膜上への第２被接合体の載置（積層体の形成）を行った。次いで、（４）積層体の予備焼成を行うことなく（５’）積層体の本焼成を行った。
（５’）積層体の本焼成
　積層体の初期温度４０℃及び無加重状態（ただし自重を除く）から、窒素雰囲気中、積層体の第１被接合体及び第２被接合体間に６ＭＰａとなるまで圧力を印加した。６ＭＰａまでの昇圧速度は０．４ＭＰａ／秒とした。６ＭＰａを１０秒間印加した後、２０ＭＰａとなるまで圧力を印加した。６ＭＰａから２０ＭＰａまでの昇圧速度は２．８ＭＰａ／秒とした。その後、積層体を４０℃から３００℃に加熱した。３００℃の保持時間は１０分とし、２０ＭＰａの保持時間は１０分１５秒とした。また、４０℃から３００℃までの昇温速度は平均値で１７．３℃／秒とした。
〔フィレット部の割れの評価〕
　実施例及び比較例で作製した積層体を平面視した際のフィレット部をデジタルマイクロスコープ（ＲＨ－２０００、ハイロックス社製）で観察した。具体的には、フィレット部全域においてチップ外周部すなわちフィレット部の内周部からフィレット部の外周部に亘って割れが発生していないかどうかを確認し、割れが発生していなかったものを「Ａ」とし、割れが発生していたものを「Ｂ」と評価した。評価結果を表１に示す。
〔フィレット部の剥離の評価〕
　実施例及び比較例で作製した積層体を超音波探傷装置（日立パワーソリューションズ社製、型番：ＦｉｎｅＳＡＴ　III）で７５ＭＨｚのプローブを用いて、反射法により、銅からなる基板側からフィレット部の状態を観察した。かかる装置では、接合状態が良好であるものは色が濃く（黒色に）観察され、剥離が発生し接合状態が悪い領域は色が薄く（白色に）観察される。フィレット部の剥離状態を観察する際、ゲインの値を２５～３５ｄＢの値にした後、Ｓゲートのピーク位置が銅板の表面となるようＳゲートのディレイと幅を調節した。接合層の観察範囲を指定するためＦゲートのディレイを調整し、幅を１.５波長分のピーク幅に設定した。観察ピークの振幅が最大となるようプローブのＺ軸座標を調整し、観察を行った。
　なお、同装置のオペレーションソフト（ＦｉｎｅＳＡＴ）を用いて画像の輝度を自動で設定し、解析用の画像データを得た。次いで、この解析用画像データと画像処理ソフトウェアｉｍａｇｅＪを使ってフィレット部の剥離（％）を算出した。ｉｍａｇｅＪにおける閾値（Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ）が２０１以上であるフィレット部を剥離部とした。塗膜部をＸ、アルミナチップを加圧接合した接合部をＹ（２５ｍｍ２）、フィレット部（Ｘ－Ｙ）の剥離部をＺとして、フィレット部の剥離（％）＝Ｚ／（Ｘ－Ｙ）×１００を算出した。実施例５については、４つの積層体についてフィレット部の剥離（％）を算出し、４つの平均値を算出した。フィレット部の剥離（％）の算出結果を表１に示す。フィレット部の剥離が３０％以下である場合、フィレット部における被接合体と接合層との接合強度が高いと判断できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　本発明によれば、フィレット部における被接合体と接合層との接合強度に優れた製造方法を提供することができる。

Claims (10)

  1. 　接合層を介して第１被接合体と第２被接合体とが接合されてなる接合体の製造方法であって、
    　レーザ回折散乱式粒度分布測定法による累積体積５０容量％における体積累積粒径Ｄ５０が１００ｎｍを超える銅粒子を含むペーストを前記第１被接合体に塗布して塗膜を形成する工程と、
    　前記塗膜を第１温度で乾燥させる工程と、
    　乾燥後の前記塗膜上に前記第２被接合体を載置して積層体を形成する工程と、
    　前記積層体を前記第１温度以上の第２温度に加熱するとともに、前記積層体の、前記第１被接合体と前記第２被接合体との間に第１圧力を印加する工程と、
    　前記積層体を前記第２温度以上の第３温度に加熱するとともに、前記積層体の、前記第１被接合体と前記第２被接合体との間に第１圧力以上の第２圧力を印加し、前記塗膜を焼結させて前記接合層を形成する工程と、を備える接合体の製造方法。
  2. 　前記第２温度は、１００℃以上３００℃以下である、請求項１に記載の接合体の製造方法。
  3. 　前記第３温度は、１８０℃以上３５０℃以下である、請求項１又は２に記載の接合体の製造方法。
  4. 　前記第１圧力は、０．００１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下である、請求項１又は２に記載の接合体の製造方法。
  5. 　前記第２圧力は、１ＭＰａ以上４０ＭＰａ以下である、請求項１又は２に記載の接合体の製造方法。
  6. 　前記第１圧力までの昇圧速度が０．２ＭＰａ／秒以上２０ＭＰａ／秒以下である、請求項１又は２に記載の接合体の製造方法。
  7. 　前記第２圧力までの昇圧速度が０．２ＭＰａ／秒以上２０ＭＰａ／秒以下である、請求項１又は２に記載の接合体の製造方法。
  8. 　前記第３温度に対する前記第２温度の比（第２温度／第３温度）が０．２８以上１以下である、請求項１又は２に記載の接合体の製造方法。
  9. 　前記第２圧力に対する前記第１圧力の比（第１圧力／第２圧力）が０．０２５以上１以下である、請求項１又は２に記載の接合体の製造方法。
  10. 　前記塗膜の粘度が、２５℃において、１０Ｐａ・ｓ以上２００Ｐａ・ｓ以下である、請求項１又は２に記載の接合体の製造方法。
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