JP7093945B2 - ナノ銀ペーストを用いた半導体チップ接合方法 - Google Patents
ナノ銀ペーストを用いた半導体チップ接合方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7093945B2 JP7093945B2 JP2018035225A JP2018035225A JP7093945B2 JP 7093945 B2 JP7093945 B2 JP 7093945B2 JP 2018035225 A JP2018035225 A JP 2018035225A JP 2018035225 A JP2018035225 A JP 2018035225A JP 7093945 B2 JP7093945 B2 JP 7093945B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- firing
- nano
- temperature
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
上梓されているナノ銀ペーストには焼成可能温度が200℃程度と低温の条件で焼成が可能であることを打ち出しているものもあるが、実際には焼成後の接合強度が低く、ダイボンディングには適しておらず、ダイボンディング用途に使用可能なナノ銀ペーストの多くは、焼成温度が300℃程度である。
そして、300℃以上の高温で焼成を行うと、半導体チップにかかる負荷が大きくなるとの懸念があるため、より低温の焼成で半導体チップの接合を行うことが望まれている。
また、生産性の向上や半導体チップへの負荷軽減の観点より、焼成時間を短縮することも望まれている。
前記半導体装置の製造では、焼成処理の温度条件は、100℃から200℃まで約40minで昇温し、200℃を60min保持した後、約80℃まで約80minで降下させて、焼成装置の外へ取り出しており、実に、加熱開始から焼成温度まで40分、焼成に60分という長時間をかける方法である。また、得られる焼結銀被覆膜の接着強度は、粘着テープ(3M社製のスコッチテープ:610-1PK,テープ強度3.7N/cm)を圧着して貼り付け、この粘着テープをその端を持って一方向に引き剥がした場合に剥がれないという程度であり、低い接着強度となっている(段落[0053])。
(1)ダイボンディング用途において、ナノ銀ペーストを用いた半導体チップの接合方法であって、銀原子の集合体からなる銀核の周囲に炭素数が10以下のアルコキシド基及び/又はカルボン酸基からなる有機被覆層が形成され、前記銀核の結晶子径が3nm以下のナノ銀粒子を含むナノ銀ペーストを基板に塗着してペースト層を形成し、
前記ペースト層上に半導体チップを配置し、
加圧条件下で加熱して前記ペースト層を270℃以下で焼成した後、次いで、所定の加圧条件下で200℃以下まで150秒以上かけて冷却して前記基板と前記半導体チップとを接合することを特徴とする接合方法、
(2)前記冷却における前記加圧の圧力が5~15MPaである前記(1)に記載の接合方法
に関する。
本発明で用いるナノ銀ペーストは、銀原子の集合体からなる銀核の周囲に炭素数が10以下のアルコキシド基及び/又はカルボン酸基からなる有機被覆層が形成され、前記銀核の結晶子径が3nm以下のナノ銀粒子を含む。この結晶子径3nm以下のナノ銀粒子は、ナノ銀ペースト全体の0.1wt%~1wt%程度含んでいれば、ナノ銀ペーストに含まれる10nmからサブミクロンサイズまでの金属粒子の焼結に寄与できる。
前記銀核の結晶子径は、X線回折装置で測定することができる。前記銀核は、一つの結晶子から形成されていてもよいし、複数の結晶子から形成されていてもよい。
テルペン誘導体としては1,8-テルピンモノアセテート、1,8-テルピンジアセテートなどがある。IBCHは松脂状、グリセリンはシロップ状、C14以上のアルコールは固液変化する性質を有し、10℃以下では非流動性を有する。
前記非流動性粘性付与剤に本発明のナノ銀粒子を混合分散させて非流動性ペーストにすれば、10℃以下の低温ではナノ銀粒子が分散状に固定されているから、ナノ銀粒子同士の凝集が生起しにくい。
使用する直前に前記非流動性ペーストを室温にすることにより、流動化してペーストとして塗着可能になり、ペーストとしての機能を発揮できる。
本発明の接合方法は、前記ナノ銀ペーストを基板に塗着してペースト層を形成し、
前記ペースト層上に半導体チップを配置し、
加圧条件下で加熱して前記ペースト層を270℃以下で焼成した後、次いで、所定の加圧条件下で200℃以下まで冷却して前記基板と前記半導体チップとを接合することを特徴とする。
例えば、その平面形状が半導体チップよりも大きく形成された平坦面を有する剛体材料により形成された加圧部材と、加圧部材の平坦面の周囲に配置された弾性体とを備える加圧ツールを用いて、加圧部材の平坦面により半導体チップの上面を押圧して、半導体チップのそれぞれの素子電極と基板のそれぞれの基板電極とを、前記ナノ銀ペーストからなるペースト層を介して接続する方法などが挙げられるが、特に限定はない。
前記加圧応力、加熱における加熱速度、前記冷却における冷却速度などは、半導体チップ製造装置に加圧応力、加熱温度、冷却温度などの各条件を予めプログラムしておくことで、半導体チップおよび基板との間のペースト層を所望の温度で焼成し、次いで所望の温度へ冷却することができる。
更に、半導体チップおよび基板の間にあるペースト層に熱が速やかに伝導されることで、前記ペースト層の焼成を効率よく行うことができる。
前記所定の時間としては、使用される基板および半導体チップのサイズに応じて適宜決定すればよいが、半導体チップへの影響を考慮すると、例えば、60秒~180秒(1~3分間)が好ましい。
前記冷却は、前記焼成の後から200℃以下まで150秒以上かけて緩やかに冷却することが好ましい。
例えば、焼成後、常温まで100秒間足らずで急冷する従来法では、接合する半導体チップのサイズによるが、得られた半導体チップと基板との間のペースト層の接合強度が顕著に低くなる恐れがある。
これに対して、上記のように焼成後から200℃以下まで150秒以上かけて穏やかに冷却することで、接合強度を顕著に高くすることができる。
前記加圧条件について、例えば、200℃以下になるまでは、一定の加圧状態を維持していてもよいし、2~15MPaの範囲で前記加圧応力を増減させてもよいが、焼成時に付加する荷重と同等であれば工程管理の簡略化が期待できる。
前記冷却条件については、例えば、200℃までの冷却速度を維持して、冷却終了温度まで冷却してもよいし、200℃未満になった後に急冷を行ってもよい。
前記加圧条件については、例えば、200℃までの加圧条件を、冷却終了温度になるまで維持してもよいし、200℃未満になった後に段階的に加圧応力を下げていってもよい。
例えば、本発明の接合方法による接合強度としては、後述の実施例に記載のように、A&D社製 テンシロン万能試験機を用いて測定した場合に、平均で60MPa以上の高い接合強度を有する。
半導体チップの代わりに銅製の試験片(サイズ:厚み2mm、直径5mm)と、銅製の基板(サイズ:厚み5mm、直径10mm)との間に、ナノ銀ペーストを塗着して、以下の手順で接合を行った。
前記ナノ銀ペーストとしては、銀原子の集合体からなる銀核の周囲に炭素数が10のアルコキシド基及び/又はカルボン酸基からなる有機被覆層が形成され、前記銀核の結晶子径が3nm以下のナノ銀粒子を含むナノ銀ペースト((株)応用ナノ粒子研究所製)を用いた。
前記接合には、市販の加圧焼成装置(明昌機工株式会社、「Model HTM-3000」)を用いて行った。前記加加圧焼成装置は、加圧条件に加えて、前記加圧部材に熱媒体を導入することで、200℃~450℃までの設定が可能な焼成装置である。なお、前記加圧部材における加熱温度を、焼成温度とする。また、焼成後、前記加圧加熱焼成装置において試験片が接触している加圧部材で測定される温度を冷却温度とする。
次いで、前記製造装置の加圧部材の間に、前記基板をセットし、プリヒート処理後のペースト層上に前記試験片を載せて、加圧部材で加圧可能な状態とした。
図1に示す接合では、まず、250℃の焼成温度になるまで急速加熱し、次いで、60秒間焼成を行った。加圧は、150℃に到達した際に10MPaとし、前記焼成が終了するまで維持した。次いで、焼成後(250℃を60秒間保持した後)から約200秒で50℃以下に急速に冷却し、加圧圧力も0MPaに急激に減少させた。なお、200℃までの冷却時間は、約50秒であった。得られた接合部材を「A」とする。なお、接合部材としては、3つのサンプルを作製した(以下の接合部材B~Gも同じ。)。
その結果を表1に示す。
また、前記接合部材Eは、300℃の焼成温度で得られた接合部材F、Gと比べると、接合強度は若干低いものの、技術的目標値である60MPaを達成したものである。
さらに、接合部材F、Gでは、加圧条件および200℃までの冷却条件の違いに関わらず、接合強度が60MPa以上となっていることから、接合部材A~Dに見られるような接合強度の低減現象は、銀原子の集合体からなる銀核の周囲に炭素数が10以下のアルコキシド基及び/又はカルボン酸基からなる有機被覆層が形成され、前記銀核の結晶子径が3nm以下のナノ銀粒子を含むナノ銀ペーストにおける270℃以下の焼成温度に特有の現象であると考えられる。
Claims (2)
- ナノ銀ペーストを用いた半導体チップの接合方法であって、
銀原子の集合体からなる銀核の周囲に炭素数が10以下のアルコキシド基及び/又はカルボン酸基からなる有機被覆層が形成され、前記銀核の結晶子径が3nm以下のナノ銀粒子を含むナノ銀ペーストを基板に塗着してペースト層を形成し、
前記ペースト層上に半導体チップを配置し、
加圧条件下で加熱して前記ペースト層を270℃以下で焼成した後、次いで、所定の加圧条件下で200℃以下まで150秒以上かけて冷却して前記基板と前記半導体チップとを接合することを特徴とする接合方法。 - 前記冷却における前記加圧の圧力が5~15MPaである請求項1に記載の接合方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018035225A JP7093945B2 (ja) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | ナノ銀ペーストを用いた半導体チップ接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018035225A JP7093945B2 (ja) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | ナノ銀ペーストを用いた半導体チップ接合方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019149529A JP2019149529A (ja) | 2019-09-05 |
JP7093945B2 true JP7093945B2 (ja) | 2022-07-01 |
Family
ID=67849499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018035225A Active JP7093945B2 (ja) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | ナノ銀ペーストを用いた半導体チップ接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7093945B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166086A (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hitachi Ltd | 導電性焼結層形成用組成物、これを用いた導電性被膜形成法および接合法 |
WO2011155615A1 (ja) | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 低温焼結性接合材および該接合材を用いた接合方法 |
JP2017071826A (ja) | 2015-10-07 | 2017-04-13 | 古河電気工業株式会社 | 接続構造体 |
WO2017188123A1 (ja) | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 日立化成株式会社 | 接合用銅ペースト、接合体の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
-
2018
- 2018-02-28 JP JP2018035225A patent/JP7093945B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166086A (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hitachi Ltd | 導電性焼結層形成用組成物、これを用いた導電性被膜形成法および接合法 |
WO2011155615A1 (ja) | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 低温焼結性接合材および該接合材を用いた接合方法 |
JP2017071826A (ja) | 2015-10-07 | 2017-04-13 | 古河電気工業株式会社 | 接続構造体 |
WO2017188123A1 (ja) | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 日立化成株式会社 | 接合用銅ペースト、接合体の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019149529A (ja) | 2019-09-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI636842B (zh) | 接合材及使用其之接合方法 | |
CN107086210B (zh) | 接合用银片及其制造方法,以及电子部件接合方法 | |
EP2455179B1 (en) | Bonding material and bonding method each using metal nanoparticles | |
US20090162557A1 (en) | Nanoscale metal paste for interconnect and method of use | |
KR20070033329A (ko) | 인터커넥트를 위한 나노 크기의 금속 페이스트 및 이의사용 방법 | |
WO2007142175A1 (ja) | 接合方法 | |
WO2013146504A1 (ja) | ダイボンド用導電性ペースト及び該導電性ペーストによるダイボンド方法 | |
JP6766160B2 (ja) | 金属接合用組成物 | |
WO2015060245A1 (ja) | 銀ペースト及びそれを用いた半導体装置、並びに銀ペーストの製造方法 | |
TW201731995A (zh) | 片材及複合片材 | |
JP2018152176A (ja) | 接合用銅ペースト及び半導体装置 | |
JP7164775B2 (ja) | 接合用導電性ペースト | |
JP6467114B1 (ja) | 金属接合積層体の製造方法 | |
TW201805391A (zh) | 接合用組成物及其製造方法、接合體以及被覆銀奈米粒子 | |
JP7093945B2 (ja) | ナノ銀ペーストを用いた半導体チップ接合方法 | |
JP6849374B2 (ja) | 接合用の導電性ペースト | |
CN114310038A (zh) | 银盐纳米银复合焊膏及制备方法烧结方法和应用 | |
WO2015052791A1 (ja) | 金属体の接合方法及び金属体の接合構造 | |
TW201834089A (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
TWI665046B (zh) | 輕金屬接合方法及其接合填料 | |
KR20190096731A (ko) | 반도체 장치용 소결 접합 방법 | |
KR102258498B1 (ko) | 레이저 소결에 의한 반도체 칩의 접합방법 | |
EP4249148A1 (en) | Composition for sintering comprising an organic silver precursor and particles of agglomerated silver nanoparticles | |
WO2023190451A1 (ja) | 接合体の製造方法 | |
WO2024029487A1 (ja) | 銀含有組成物及び銀焼結体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20190724 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220610 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7093945 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |